JPH04345164A - 感光性キノンジアジド化合物、並びに該化合物を含むポジ型感光性組成物と感光性電着塗料組成物 - Google Patents
感光性キノンジアジド化合物、並びに該化合物を含むポジ型感光性組成物と感光性電着塗料組成物Info
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- JPH04345164A JPH04345164A JP13593991A JP13593991A JPH04345164A JP H04345164 A JPH04345164 A JP H04345164A JP 13593991 A JP13593991 A JP 13593991A JP 13593991 A JP13593991 A JP 13593991A JP H04345164 A JPH04345164 A JP H04345164A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、感光性キノンジアジ
ド化合物と、この感光性キノンジアジド化合物から製造
するポジ型感光性組成物および感光性電着塗料組成物に
関し、特に、プリント配線基板の製造等におけるフォト
レジストパターンの形成に際して、良好な柔軟性を備え
てピンホールの発生を有効に防止するとともに、アクリ
ル樹脂との相溶性に優れ、さらに金属基材への良好な付
着力を有する感光性電着塗料組成物に関する。
ド化合物と、この感光性キノンジアジド化合物から製造
するポジ型感光性組成物および感光性電着塗料組成物に
関し、特に、プリント配線基板の製造等におけるフォト
レジストパターンの形成に際して、良好な柔軟性を備え
てピンホールの発生を有効に防止するとともに、アクリ
ル樹脂との相溶性に優れ、さらに金属基材への良好な付
着力を有する感光性電着塗料組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】IBM社のアメリカパテント第 3,7
38,835号は、電着塗装法によりフォトレジストを
銅張積層板に塗布する方法を早い時期に開示したもので
あり、フォトレジストとしてネガ型感光性組成物を採用
し、この組成物中に多量の溶媒を使用することにより各
成分の安定化を図るものであった。しかしながら、ネガ
型フォトレジストには、光照射部分が縮小し現像時に膨
潤するという欠点などがあり、ポジ型の方がネガ型より
も解像度の良いレジストパターンが得られるので、現在
ではポジ型フォトレジストが多く採用されるようになっ
ている。
38,835号は、電着塗装法によりフォトレジストを
銅張積層板に塗布する方法を早い時期に開示したもので
あり、フォトレジストとしてネガ型感光性組成物を採用
し、この組成物中に多量の溶媒を使用することにより各
成分の安定化を図るものであった。しかしながら、ネガ
型フォトレジストには、光照射部分が縮小し現像時に膨
潤するという欠点などがあり、ポジ型の方がネガ型より
も解像度の良いレジストパターンが得られるので、現在
ではポジ型フォトレジストが多く採用されるようになっ
ている。
【0003】ポジ型フォトレジストは、感光性化合物と
してキノンジアジド類を採用するものが一般的であるが
、電着塗料組成物として使用されるエマルション状態に
おいては、感光性部分がイオン化した重合体と同一分子
である単一成分系のものと、イオン化した重合体とは異
なる分子である多成分系のものとに分けられる。単一成
分系としては、感光性成分をイオン化した重合体にグラ
フトして得られるものとして、特開昭63−29747
3号公報に開示されたマレイン酸系共重合体、特開昭6
4− 46732号公報、特開昭64− 90270号
公報およびアメリカパテント第 4,673,458号
に開示されたアクリル系共重合体、アメリカパテント第
4,681,923号公報のフェノールノボラック樹
脂等があった。
してキノンジアジド類を採用するものが一般的であるが
、電着塗料組成物として使用されるエマルション状態に
おいては、感光性部分がイオン化した重合体と同一分子
である単一成分系のものと、イオン化した重合体とは異
なる分子である多成分系のものとに分けられる。単一成
分系としては、感光性成分をイオン化した重合体にグラ
フトして得られるものとして、特開昭63−29747
3号公報に開示されたマレイン酸系共重合体、特開昭6
4− 46732号公報、特開昭64− 90270号
公報およびアメリカパテント第 4,673,458号
に開示されたアクリル系共重合体、アメリカパテント第
4,681,923号公報のフェノールノボラック樹
脂等があった。
【0004】しかし、この単一成分系には柔軟性に欠け
るため電着塗装の過程において容易にピンホールが発生
しており、さらに感光性成分がイオン化した重合体にグ
ラフトされるとその感光性が劣化してしまうという問題
があった。そこで、感光性成分をイオン化した重合体と
分離して、感光性の向上をはかるという2成分系の方法
が検討されるようになり、例えば、アメリカパテント第
4,673,458号およびヨーロッパパテント第
0265387号(対応する日本特許;特開昭61−2
18616号公報)に開示されたように、感光性成分を
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンあるいは2,3,
4−トリヒドロキシベンゾフェノンにグラフトすると同
時に、アクリル樹脂またはフェノール樹脂と混合してエ
マルションを形成する方法が採用されていた。
るため電着塗装の過程において容易にピンホールが発生
しており、さらに感光性成分がイオン化した重合体にグ
ラフトされるとその感光性が劣化してしまうという問題
があった。そこで、感光性成分をイオン化した重合体と
分離して、感光性の向上をはかるという2成分系の方法
が検討されるようになり、例えば、アメリカパテント第
4,673,458号およびヨーロッパパテント第
0265387号(対応する日本特許;特開昭61−2
18616号公報)に開示されたように、感光性成分を
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンあるいは2,3,
4−トリヒドロキシベンゾフェノンにグラフトすると同
時に、アクリル樹脂またはフェノール樹脂と混合してエ
マルションを形成する方法が採用されていた。
【0005】ところが、この方法で製造された感光性化
合物は溶媒に対する溶解度が極めて小さいという欠点が
あったとともに、電着樹脂に対する相溶性に劣り、電着
液に沈殿現象が見られた。そして、感光性は向上したが
、電着塗装の過程でピンホールがやはり容易に発生して
いた。
合物は溶媒に対する溶解度が極めて小さいという欠点が
あったとともに、電着樹脂に対する相溶性に劣り、電着
液に沈殿現象が見られた。そして、感光性は向上したが
、電着塗装の過程でピンホールがやはり容易に発生して
いた。
【0006】また、公知のポジ型フォトレジストに使用
されているキノンジアジド化合物は、アクリル樹脂との
相溶性に劣り、しかも水と混合すると容易に沈殿するの
で、良好な電着液が製造できないという不都合があった
。
されているキノンジアジド化合物は、アクリル樹脂との
相溶性に劣り、しかも水と混合すると容易に沈殿するの
で、良好な電着液が製造できないという不都合があった
。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アク
リル樹脂との相溶性に優れ、良好な感光性を有するキノ
ンジアジド化合物を提供することと、該化合物を用いて
、ピンホール等の発生がなく、基材に密着した塗膜が得
られる安定な電着液を提供することにある。
リル樹脂との相溶性に優れ、良好な感光性を有するキノ
ンジアジド化合物を提供することと、該化合物を用いて
、ピンホール等の発生がなく、基材に密着した塗膜が得
られる安定な電着液を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポリイソ
シアネート(ポリウレタンの原料)とアミンフェノール
類と1,2−キノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と
を用いることによって、感光性キノンジアジド化合物を
合成するとともに、感光性キノンジアジド化合物に含ま
れる感光性成分をポリイソシアネート類にグラフトする
ことで、アクリル樹脂に対する良好な相溶性を獲得させ
ると同時に、少なくとも2成分以上の多成分系のポジ型
感光性組成物とすることで感光性を向上させ、かつ金属
基材に対する付着率を向上させる感光性電着塗料組成物
について鋭意検討した結果本発明に到達したものである
。
シアネート(ポリウレタンの原料)とアミンフェノール
類と1,2−キノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と
を用いることによって、感光性キノンジアジド化合物を
合成するとともに、感光性キノンジアジド化合物に含ま
れる感光性成分をポリイソシアネート類にグラフトする
ことで、アクリル樹脂に対する良好な相溶性を獲得させ
ると同時に、少なくとも2成分以上の多成分系のポジ型
感光性組成物とすることで感光性を向上させ、かつ金属
基材に対する付着率を向上させる感光性電着塗料組成物
について鋭意検討した結果本発明に到達したものである
。
【0009】すなわち、本発明は下記の化学式
【001
0】
0】
【化7】
【0011】(式中、R1、X、Y1、n、Zは前と同
じ意味)で示される感光性キノンジアジド化合物、およ
び該化合物を主体とするポジ型感光性組成物と感光性電
着塗料組成物を提供するところに要旨を有するものであ
る。
じ意味)で示される感光性キノンジアジド化合物、およ
び該化合物を主体とするポジ型感光性組成物と感光性電
着塗料組成物を提供するところに要旨を有するものであ
る。
【0012】
【作用】本発明における感光性組成物は、電着塗装法に
使用する2成分系の感光性電着塗料を製造するのに適し
ており、該電着塗料は、本発明の感光性組成物つまり感
光性キノンジアジド化合物とアクリル系樹脂を主要な成
分として、水系エマルション状態で製造される。
使用する2成分系の感光性電着塗料を製造するのに適し
ており、該電着塗料は、本発明の感光性組成物つまり感
光性キノンジアジド化合物とアクリル系樹脂を主要な成
分として、水系エマルション状態で製造される。
【0013】本発明において使用されるアクリル樹脂は
、カルボキシル基含有アクリル系単量体と他の不飽和単
量体を共重合させて得られるもので、カルボキシル基を
含むアクリル系単量体としては、メタクリル酸,アクリ
ル酸,ケイ皮酸,クロトン酸,2−メタクリロイルオキ
シエチルフタル酸,2−メタクリロイルオキシエチルコ
ハク酸,2−カルボキシエチルメタクリレートなどのモ
ノカルボン酸、イタコン酸,マレイン酸,フマル酸など
の不飽和ジカルボン酸またはそのモノエステル類などが
挙げられる。
、カルボキシル基含有アクリル系単量体と他の不飽和単
量体を共重合させて得られるもので、カルボキシル基を
含むアクリル系単量体としては、メタクリル酸,アクリ
ル酸,ケイ皮酸,クロトン酸,2−メタクリロイルオキ
シエチルフタル酸,2−メタクリロイルオキシエチルコ
ハク酸,2−カルボキシエチルメタクリレートなどのモ
ノカルボン酸、イタコン酸,マレイン酸,フマル酸など
の不飽和ジカルボン酸またはそのモノエステル類などが
挙げられる。
【0014】上記カルボキシル基を含むアクリル系単量
体と共重合させる他の不飽和単量体としては、メタクリ
ル酸ヒドロキシエチルのようなヒドロキシル基含有単量
体,メタクリル酸メチルおよびメタクリル酸ブチル等の
ようなメタクリル酸アルキルエステル,(メチル)アク
リルアミドのようなアミド基含有単量体,アクリロニト
リルのようなニトリル基含有単量体,N,N′−ジメチ
ルアミノメタクリル酸エチルおよびN,N′−ジエチル
アミノメタクリル酸メチルのようなアミノ基含有単量体
,アクリル酸ベンジルおよびアクリル酸フェノキシ等の
ような芳香族含有単量体などが挙げられ、単独または混
合して用いることができる。
体と共重合させる他の不飽和単量体としては、メタクリ
ル酸ヒドロキシエチルのようなヒドロキシル基含有単量
体,メタクリル酸メチルおよびメタクリル酸ブチル等の
ようなメタクリル酸アルキルエステル,(メチル)アク
リルアミドのようなアミド基含有単量体,アクリロニト
リルのようなニトリル基含有単量体,N,N′−ジメチ
ルアミノメタクリル酸エチルおよびN,N′−ジエチル
アミノメタクリル酸メチルのようなアミノ基含有単量体
,アクリル酸ベンジルおよびアクリル酸フェノキシ等の
ような芳香族含有単量体などが挙げられ、単独または混
合して用いることができる。
【0015】本発明におけるアクリル樹脂の合成方法と
しては、公知の溶液重合法、懸濁重合法および乳化重合
法を採用することができるが、重合体の数平均分子量を
2500〜200,000の間にコントロールすること
が望ましい。生成共重合体中のカルボキシル基は低分子
アミン類で中和され、陰イオン性のエマルション型重合
体となる。電着塗料組成物におけるエマルション状態を
安定させるために、カルボキシル基含有アクリル系単量
体は共重合体中3〜30重量%を占めることが望ましい
。
しては、公知の溶液重合法、懸濁重合法および乳化重合
法を採用することができるが、重合体の数平均分子量を
2500〜200,000の間にコントロールすること
が望ましい。生成共重合体中のカルボキシル基は低分子
アミン類で中和され、陰イオン性のエマルション型重合
体となる。電着塗料組成物におけるエマルション状態を
安定させるために、カルボキシル基含有アクリル系単量
体は共重合体中3〜30重量%を占めることが望ましい
。
【0016】本発明における感光性化合物としては、紫
外線光に対して感光性を有するキノンジアジド基をポリ
ウレタンの原料となるポリイソシアネートにグラフトし
たものを採用し、紫外線光の照射によりキノンジアジド
基に化学反応を起こさせることで、窒素分子を分離して
カルボキシル基を生成するが、このカルボキシル基が感
光部分のアルカリ性現像液に対する溶解度を高める作用
を有するため、フォトレジストパターンを形成すること
ができる。
外線光に対して感光性を有するキノンジアジド基をポリ
ウレタンの原料となるポリイソシアネートにグラフトし
たものを採用し、紫外線光の照射によりキノンジアジド
基に化学反応を起こさせることで、窒素分子を分離して
カルボキシル基を生成するが、このカルボキシル基が感
光部分のアルカリ性現像液に対する溶解度を高める作用
を有するため、フォトレジストパターンを形成すること
ができる。
【0017】本発明における感光性キノンジアジド化合
物(I)は、具体的にいうと、ポリイソシアネートとア
ミノフェノール類(II)と1,2−キノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物とを反応させて生成するものであ
る。 この反応において、まずポリイソシアネートがアミノフ
ェノール類に作用する。そして、ポリイソシアネートは
アミノ基に対する反応選択性がフェノール類のヒドロキ
シル基に対する反応選択性よりはるかに強いので、アミ
ノフェノール類のヒドロキシル基は、スルホン酸ハロゲ
ン化物が反応に加わるまで保留された後、スルホン酸ハ
ロゲン基に対する作用によりキノンジアジドをポリイソ
シアネートにグラフトする。
物(I)は、具体的にいうと、ポリイソシアネートとア
ミノフェノール類(II)と1,2−キノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物とを反応させて生成するものであ
る。 この反応において、まずポリイソシアネートがアミノフ
ェノール類に作用する。そして、ポリイソシアネートは
アミノ基に対する反応選択性がフェノール類のヒドロキ
シル基に対する反応選択性よりはるかに強いので、アミ
ノフェノール類のヒドロキシル基は、スルホン酸ハロゲ
ン化物が反応に加わるまで保留された後、スルホン酸ハ
ロゲン基に対する作用によりキノンジアジドをポリイソ
シアネートにグラフトする。
【0018】ポリイソシアネートは、ポリヒドロキシル
基化合物とジイソシアートとを反応させることにより得
られ、本発明におけるポリヒドロキシル基化合物は、ヒ
ドロキシル当量が50〜500gのものが適当である。 例えば、トリエチレングリコール,テトラエチレングリ
コール,ポリエチレングリコール,ポリプロピレングリ
コール,ポリエステルグリコール,ポリテトラヒドロフ
ラン,ポリカプロラクトン,エトキシ化トリメチレンシ
クロペンタジエンまたはプロポキシ化トリメチレンシク
ロペンタジエンから選択できる。
基化合物とジイソシアートとを反応させることにより得
られ、本発明におけるポリヒドロキシル基化合物は、ヒ
ドロキシル当量が50〜500gのものが適当である。 例えば、トリエチレングリコール,テトラエチレングリ
コール,ポリエチレングリコール,ポリプロピレングリ
コール,ポリエステルグリコール,ポリテトラヒドロフ
ラン,ポリカプロラクトン,エトキシ化トリメチレンシ
クロペンタジエンまたはプロポキシ化トリメチレンシク
ロペンタジエンから選択できる。
【0019】ジイソシアネートは、エチルメチレンジイ
ソシアネート,イソホロンジイソシアネート,トリレン
ジイソシアネート(TDIともいう)またはジフェニル
メタンジイソシアネート,キシレンジイソシアネートの
うちから選択されるのが適当であるが、同一分子内で2
個のイソシアネートが異なる活性を備えたトリレンジイ
ソシアネートおよびイソホロンジイソシアネートが最適
である。
ソシアネート,イソホロンジイソシアネート,トリレン
ジイソシアネート(TDIともいう)またはジフェニル
メタンジイソシアネート,キシレンジイソシアネートの
うちから選択されるのが適当であるが、同一分子内で2
個のイソシアネートが異なる活性を備えたトリレンジイ
ソシアネートおよびイソホロンジイソシアネートが最適
である。
【0020】ポリヒドロキシ化合物とジイソシアネート
との反応において、ヒドロキシル基とジイソシアネート
との当量比は1.25〜1:1の間にコントロールされ
ることが望ましいとともに、ポリヒドロキシ化合物をジ
イソシアネートの中に徐々に滴下させる方式で投入する
ことが好ましい。
との反応において、ヒドロキシル基とジイソシアネート
との当量比は1.25〜1:1の間にコントロールされ
ることが望ましいとともに、ポリヒドロキシ化合物をジ
イソシアネートの中に徐々に滴下させる方式で投入する
ことが好ましい。
【0021】本発明におけるアミノフェノール類化合物
(II)としては、、4−アミノ−m−クレゾール,6
−アミノ−m−クレゾール,5−アミノ−o−クレゾー
ル,2−アミノ−p−クレゾール,2−アミノ−4−t
−ブチルフェノール,2−アミノ−4−クロルフェノー
ル,4−アミノ−2,6−ジクロルフェノール,3−ア
ミノ−4−オトキシ安息香酸,4−アミノ−3−オトキ
シ安息香酸,2−アミノ−4−ニトロフェノール,2−
アミノ−5−ニトロフェノール,4−アミノ−2−ニト
ロフェノール,o−アミノフェノール,m−アミノフェ
ノール,p−アミノフェノール,2−アミノフェノール
−4−スルホン酸,3−アミノ−サリチル酸,5−アミ
ノ−サリチル酸,p−アミノ−サリチル酸,4−アミノ
−2,3−ジメチルフェノール,6−アミノ−2,4−
ジメチルフェノールのうちから選択することができる。 そして、ポリイソシアネートとアミノフェノールとの反
応において、イソシアネートとアミノ基との当量比は1
:0.95〜1であることが望ましい。
(II)としては、、4−アミノ−m−クレゾール,6
−アミノ−m−クレゾール,5−アミノ−o−クレゾー
ル,2−アミノ−p−クレゾール,2−アミノ−4−t
−ブチルフェノール,2−アミノ−4−クロルフェノー
ル,4−アミノ−2,6−ジクロルフェノール,3−ア
ミノ−4−オトキシ安息香酸,4−アミノ−3−オトキ
シ安息香酸,2−アミノ−4−ニトロフェノール,2−
アミノ−5−ニトロフェノール,4−アミノ−2−ニト
ロフェノール,o−アミノフェノール,m−アミノフェ
ノール,p−アミノフェノール,2−アミノフェノール
−4−スルホン酸,3−アミノ−サリチル酸,5−アミ
ノ−サリチル酸,p−アミノ−サリチル酸,4−アミノ
−2,3−ジメチルフェノール,6−アミノ−2,4−
ジメチルフェノールのうちから選択することができる。 そして、ポリイソシアネートとアミノフェノールとの反
応において、イソシアネートとアミノ基との当量比は1
:0.95〜1であることが望ましい。
【0022】キノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と
しては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホニルクロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−スルホニルクロリド、1,2−ベンゾキノン−
ジアジド−4−スルホニルクロリドのうちから選択でき
、アミノフェノール類化合物と、スルホン酸ハロゲン化
物との反応において、アミノフェノール類のヒドロキシ
ル基とスルホン酸ハロゲン化物との当量比が1:0.2
〜1の間にあることが好ましい。
しては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホニルクロリド、1,2−ナフトキノン−2−ジアジ
ド−4−スルホニルクロリド、1,2−ベンゾキノン−
ジアジド−4−スルホニルクロリドのうちから選択でき
、アミノフェノール類化合物と、スルホン酸ハロゲン化
物との反応において、アミノフェノール類のヒドロキシ
ル基とスルホン酸ハロゲン化物との当量比が1:0.2
〜1の間にあることが好ましい。
【0023】本発明における電着塗料組成物において、
エマルション粒子の電荷はアクリル樹脂のカルボキシル
基と低分子アミン類とがイオンを発生することにより形
成されるが、ここで用いられる適当な低分子アミン類(
III) としては、例えば、アンモニア水,エチルア
ミン,メチルエチルアミン,ジエチルアミン,メチルエ
タノールアミン,ジエタノールアミン,メチルジエチル
アミン,トリエチルアミンまたはトリエタノールアミン
が適当であるが、沸騰点の高いものを選択して有毒なア
ミン類ガスが電着塗装浴槽から蒸発しないようにするこ
とが望ましい。
エマルション粒子の電荷はアクリル樹脂のカルボキシル
基と低分子アミン類とがイオンを発生することにより形
成されるが、ここで用いられる適当な低分子アミン類(
III) としては、例えば、アンモニア水,エチルア
ミン,メチルエチルアミン,ジエチルアミン,メチルエ
タノールアミン,ジエタノールアミン,メチルジエチル
アミン,トリエチルアミンまたはトリエタノールアミン
が適当であるが、沸騰点の高いものを選択して有毒なア
ミン類ガスが電着塗装浴槽から蒸発しないようにするこ
とが望ましい。
【0024】前述したアクリル樹脂と感光性キノンジア
ジド化合物とを混合して均一に混ぜ合せると同時に、適
当な溶媒を添加してかき混ぜ、低分子アミン類および脱
イオン水を徐々に滴下しながら、pH値を7.0〜8.
0の間に保つとともに、固体含有量を8〜12%に維持
し、アクリル樹脂と感光性キノンジアジド化合物との重
量比を1:0.2〜0.83の間にコントロールすると
、柔軟性に優れた電着塗料組成物が得られ、電着塗装な
らびに加熱乾燥した後に平滑でピンホールの見られない
フォシレジスト膜が形成できる。
ジド化合物とを混合して均一に混ぜ合せると同時に、適
当な溶媒を添加してかき混ぜ、低分子アミン類および脱
イオン水を徐々に滴下しながら、pH値を7.0〜8.
0の間に保つとともに、固体含有量を8〜12%に維持
し、アクリル樹脂と感光性キノンジアジド化合物との重
量比を1:0.2〜0.83の間にコントロールすると
、柔軟性に優れた電着塗料組成物が得られ、電着塗装な
らびに加熱乾燥した後に平滑でピンホールの見られない
フォシレジスト膜が形成できる。
【0025】本発明の電着塗料組成物を使用する時、電
着塗装浴の温度を28〜30℃に、形成したい膜厚によ
り印加電圧を5〜100Vの間にコントロールすること
が望ましい。そして、エマルション粒子はマイナスの電
荷を帯びているので、被電着塗装物はプラス極となり、
陰極はステンレス板に設けられ、通電時間の長さは30
秒から3分間とする。プリント配線基板の製造工程にお
いて、被電着塗装物は銅張積層基板であり、電着塗装さ
れた後、銅メッキ層の表面にフォトレジスト層を生成し
、加熱乾燥した後、従来技術の通り、フォトレジスト転
写技術により回路パターンを形成することができる。
着塗装浴の温度を28〜30℃に、形成したい膜厚によ
り印加電圧を5〜100Vの間にコントロールすること
が望ましい。そして、エマルション粒子はマイナスの電
荷を帯びているので、被電着塗装物はプラス極となり、
陰極はステンレス板に設けられ、通電時間の長さは30
秒から3分間とする。プリント配線基板の製造工程にお
いて、被電着塗装物は銅張積層基板であり、電着塗装さ
れた後、銅メッキ層の表面にフォトレジスト層を生成し
、加熱乾燥した後、従来技術の通り、フォトレジスト転
写技術により回路パターンを形成することができる。
【0026】
【実施例】以下に、本発明における具体的な合成例およ
び製造例について実施例として説明するが、もとより本
発明は以下の実施例に限定されるものではない。
び製造例について実施例として説明するが、もとより本
発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0027】(1)アクリル樹脂■の合成4つ口フラス
コに冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞ
れ挿入し、窒素ガスを通気させながら温度を100℃と
した後、75.9gのシクロヘキサノンを投入して約1
0分間を経過した頃から、900gのメタクリル酸メチ
ル,102.4gのアクリル酸ブチル,78.5gの2
−メタクリロイルオキシエチルフタル酸および1.5g
の2,2′−アゾビスイソブチロニトリルを徐々に滴下
させながら混合溶液とし、6時間の反応により、分子量
22000のアクリル樹脂■を合成した。
コに冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞ
れ挿入し、窒素ガスを通気させながら温度を100℃と
した後、75.9gのシクロヘキサノンを投入して約1
0分間を経過した頃から、900gのメタクリル酸メチ
ル,102.4gのアクリル酸ブチル,78.5gの2
−メタクリロイルオキシエチルフタル酸および1.5g
の2,2′−アゾビスイソブチロニトリルを徐々に滴下
させながら混合溶液とし、6時間の反応により、分子量
22000のアクリル樹脂■を合成した。
【0028】(2)アクリル樹脂■の合成4つ口フラス
コに冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞ
れ挿入し、窒素ガスを通気させながら温度を100℃と
した後、85.7gのメトキシプロピレングコールを投
入して約10分間を経過した頃から、73.5gのメタ
クリル酸メチル,113.5gのアクリル酸ブチル,1
8.8gのメタクリル酸および2.50gの2,2′−
アゾビスイソブチロニトリルを徐々に滴下させながら混
合溶液とし、6時間の反応により、分子量14000の
アクリル樹脂■を合成した。
コに冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞ
れ挿入し、窒素ガスを通気させながら温度を100℃と
した後、85.7gのメトキシプロピレングコールを投
入して約10分間を経過した頃から、73.5gのメタ
クリル酸メチル,113.5gのアクリル酸ブチル,1
8.8gのメタクリル酸および2.50gの2,2′−
アゾビスイソブチロニトリルを徐々に滴下させながら混
合溶液とし、6時間の反応により、分子量14000の
アクリル樹脂■を合成した。
【0029】(3)感光性樹脂Aの合成4つ口フラスコ
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、38.3gのトリレン
ジイソシアネートおよび50.0gのアセトンを投入し
、かくはん棒で均一に混ぜ合せ、1時間以内に23.3
gのテトラエチレングリコール,50.0gのアセトン
および0.3gのジブチルスズジラウレートを徐々に滴
下させながら混合溶液とし、2時間の反応の後に室温に
まで冷却し、再び22.0gのo−アミノフェノールお
よび100.0gのアセトンを加えて徐々に60℃まで
に加熱して3時間維持させた後に室温にまで冷却し、5
1.0gの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルクロライドを加えて均一に混合させ、1時間
以内に21.1gのトリエチルアミンおよび100.0
gのアセトンを徐々に滴下して、4時間の反応させた後
、この樹脂混合溶液を1%の塩酸溶液中に投入し、かく
はん及び樹脂状沈殿物の分離を行い、脱イオン水で洗浄
して125.2gの黄褐色の感光性樹脂Aを得た。生成
率は93%であった。
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、38.3gのトリレン
ジイソシアネートおよび50.0gのアセトンを投入し
、かくはん棒で均一に混ぜ合せ、1時間以内に23.3
gのテトラエチレングリコール,50.0gのアセトン
および0.3gのジブチルスズジラウレートを徐々に滴
下させながら混合溶液とし、2時間の反応の後に室温に
まで冷却し、再び22.0gのo−アミノフェノールお
よび100.0gのアセトンを加えて徐々に60℃まで
に加熱して3時間維持させた後に室温にまで冷却し、5
1.0gの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルクロライドを加えて均一に混合させ、1時間
以内に21.1gのトリエチルアミンおよび100.0
gのアセトンを徐々に滴下して、4時間の反応させた後
、この樹脂混合溶液を1%の塩酸溶液中に投入し、かく
はん及び樹脂状沈殿物の分離を行い、脱イオン水で洗浄
して125.2gの黄褐色の感光性樹脂Aを得た。生成
率は93%であった。
【0030】(4)感光性樹脂Bの合成4つ口フラスコ
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、35.3gの2,2−
ヘキシルメチレンジイソシアネートおよび50.0gの
アセトンを投入し、かくはん棒で均一にかき混ぜ、1時
間以内に46.8gのポリプロピレングリコール(分子
量425),100.0gのアセトンおよび0.3gの
ジブチルスズジラウレートを徐々に滴下させながら混合
溶液とし、2時間の反応を経て室温まで冷却し、再び2
1.8gのo−アミノフェノールおよび50.0gのア
セトンを加えて徐々に60℃まで加熱して3時間維持さ
せた後に室温にまで冷却し、45.6gの1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライドを
加えて均一に混合させ、1時間で18.0gのトリエチ
ルアミンおよび100.0gのアセトンを徐々に滴下し
て4時間の反応を経て後、この樹脂混合溶液を1%の塩
酸溶液中に投入し、かくはん及び樹脂状沈澱物の分離を
行い、脱イオン水で洗浄して133.1gの黄褐色の感
光性樹脂Bを得た。生成率は89%であった。
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、35.3gの2,2−
ヘキシルメチレンジイソシアネートおよび50.0gの
アセトンを投入し、かくはん棒で均一にかき混ぜ、1時
間以内に46.8gのポリプロピレングリコール(分子
量425),100.0gのアセトンおよび0.3gの
ジブチルスズジラウレートを徐々に滴下させながら混合
溶液とし、2時間の反応を経て室温まで冷却し、再び2
1.8gのo−アミノフェノールおよび50.0gのア
セトンを加えて徐々に60℃まで加熱して3時間維持さ
せた後に室温にまで冷却し、45.6gの1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライドを
加えて均一に混合させ、1時間で18.0gのトリエチ
ルアミンおよび100.0gのアセトンを徐々に滴下し
て4時間の反応を経て後、この樹脂混合溶液を1%の塩
酸溶液中に投入し、かくはん及び樹脂状沈澱物の分離を
行い、脱イオン水で洗浄して133.1gの黄褐色の感
光性樹脂Bを得た。生成率は89%であった。
【0031】(5)感光性樹脂Cの合成4つ口フラスコ
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、37.0gの2,4−
トリレンジイソシアネートおよび50.0gのアセトン
を投入し、かくはん棒で均一にかき混ぜ、1時間以内に
52.6gの脂肪族ポリエステルジオール(ヒドロキシ
ル当量239g),100.0gのアセトンおよび0.
3gのジブチルスズジラウレートを徐々に滴下させなが
ら混合溶液とし、2時間の反応を経て室温にまで冷却し
、再び21.8gのo−アミノフェノールおよび50.
0gのアセトンを加えて徐々に60℃まで加熱して3時
間維持させた後に室温にまで冷却し、51.0gの1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロ
ライドを加えて均一に混合させ、1時間で19.2gの
トリエチルアミンおよび100.0gのアセトンを徐々
に滴下して4時間の反応を経て後、この樹脂混合溶液を
1%塩酸溶液中に投入し、かくはん及び樹脂沈澱物の分
離を行い、脱イオン水で洗浄して133.1gの黄褐色
の感光性樹脂Cを得た。生成率は95%であった。
に冷縮管,温度計,フィーダ管,かくはん棒をそれぞれ
挿入し、温度を40℃とした後、37.0gの2,4−
トリレンジイソシアネートおよび50.0gのアセトン
を投入し、かくはん棒で均一にかき混ぜ、1時間以内に
52.6gの脂肪族ポリエステルジオール(ヒドロキシ
ル当量239g),100.0gのアセトンおよび0.
3gのジブチルスズジラウレートを徐々に滴下させなが
ら混合溶液とし、2時間の反応を経て室温にまで冷却し
、再び21.8gのo−アミノフェノールおよび50.
0gのアセトンを加えて徐々に60℃まで加熱して3時
間維持させた後に室温にまで冷却し、51.0gの1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロ
ライドを加えて均一に混合させ、1時間で19.2gの
トリエチルアミンおよび100.0gのアセトンを徐々
に滴下して4時間の反応を経て後、この樹脂混合溶液を
1%塩酸溶液中に投入し、かくはん及び樹脂沈澱物の分
離を行い、脱イオン水で洗浄して133.1gの黄褐色
の感光性樹脂Cを得た。生成率は95%であった。
【0032】(6)感光性電着塗料組成物aの製造12
.63gの感光性樹脂Aに17.24gのメトキシプロ
ピレングリコールおよび10.00gのブトキシエチレ
ングリコールを完全に溶解させた後、36.10gのア
クリル樹脂■および3.21gのトリエチルアミンを加
えて十分にかき混ぜ、435.00gの脱イオン水で固
体含有量が8%、pH値が7.7となるように稀釈した
。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入れて、
銅張積層板をプラス極として10Vで30秒の通電を行
った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分間加熱
乾燥して、膜厚4μmのフォトレジスト膜を得た。 これに回路パターンマスクを被せて400mJ/cm2
エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウム
水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォトレ
ジストパターンを形成した後、過硫酸ナトリウム水溶液
で40℃の温度条件に銅箔をエッチング処理して除去す
ることでシャープな解析度の高い回路パターンを得た。 エッチング処理した後も非露光部のフォトレジスト層に
脱膜現象およびピンホール発生現象は見られなかった。
.63gの感光性樹脂Aに17.24gのメトキシプロ
ピレングリコールおよび10.00gのブトキシエチレ
ングリコールを完全に溶解させた後、36.10gのア
クリル樹脂■および3.21gのトリエチルアミンを加
えて十分にかき混ぜ、435.00gの脱イオン水で固
体含有量が8%、pH値が7.7となるように稀釈した
。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入れて、
銅張積層板をプラス極として10Vで30秒の通電を行
った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分間加熱
乾燥して、膜厚4μmのフォトレジスト膜を得た。 これに回路パターンマスクを被せて400mJ/cm2
エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウム
水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォトレ
ジストパターンを形成した後、過硫酸ナトリウム水溶液
で40℃の温度条件に銅箔をエッチング処理して除去す
ることでシャープな解析度の高い回路パターンを得た。 エッチング処理した後も非露光部のフォトレジスト層に
脱膜現象およびピンホール発生現象は見られなかった。
【0033】(7)感光性電着塗料組成物bの製造18
.50gの感光性樹脂Bに21.00gのブトキシエチ
レングリコールを完全に溶解させた後、41.20gの
アクリル樹脂■および4.61gのトリエチルアミンを
加えて十分にかき混ぜ、413.00gの脱イオン水で
固体含有量が10%、pH値が7.55となるように稀
釈した。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入
れて、銅張積層板をプラス極として15Vで60秒の通
電を行った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分
間加熱乾燥して、膜厚7μmのフォトレジスト膜を得た
。これに回路パターンマスクを被せて500mJ/cm
2エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウ
ム水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォト
レジストパターンを形成した後、過硫酸ナトリウム水溶
液で40℃の温度条件に銅箔をエッチング処理して除去
することでシャープな解析度の高い回路パターンを得た
。エッチング処理した後も非露光部のフォトレジスト層
に脱膜現象およびピンホール発生現象は見られなかった
。
.50gの感光性樹脂Bに21.00gのブトキシエチ
レングリコールを完全に溶解させた後、41.20gの
アクリル樹脂■および4.61gのトリエチルアミンを
加えて十分にかき混ぜ、413.00gの脱イオン水で
固体含有量が10%、pH値が7.55となるように稀
釈した。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入
れて、銅張積層板をプラス極として15Vで60秒の通
電を行った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分
間加熱乾燥して、膜厚7μmのフォトレジスト膜を得た
。これに回路パターンマスクを被せて500mJ/cm
2エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウ
ム水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォト
レジストパターンを形成した後、過硫酸ナトリウム水溶
液で40℃の温度条件に銅箔をエッチング処理して除去
することでシャープな解析度の高い回路パターンを得た
。エッチング処理した後も非露光部のフォトレジスト層
に脱膜現象およびピンホール発生現象は見られなかった
。
【0034】(8)感光性電着塗料組成物cの製造10
.20gの感光性樹脂Cに16.30gのメトキシプロ
ピレングリコールを完全に溶解させた後、37.40g
のアクリル樹脂■および2.85gのトリエチルアミン
を加えて十分にかき混ぜ、414.00gの脱イオン水
で固体含有量が8%、pH値が7.43となるように稀
釈した。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入
れて、銅張積層板をプラス極として10Vで60秒の通
電を行った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分
間加熱乾燥して、膜厚5μmのフォトレジスト膜を得た
。これに回路パターンマスクを被せて400mJ/cm
2エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウ
ム水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォト
レジストパターンを形成した後、シャープな解析度の高
い回路パターンを得た。エッチング処理した後も非露光
部のフォトレジスト層に脱膜現象およびピンホール発生
現象は見られなかった。
.20gの感光性樹脂Cに16.30gのメトキシプロ
ピレングリコールを完全に溶解させた後、37.40g
のアクリル樹脂■および2.85gのトリエチルアミン
を加えて十分にかき混ぜ、414.00gの脱イオン水
で固体含有量が8%、pH値が7.43となるように稀
釈した。そして、このエマルションを電着塗装浴槽に入
れて、銅張積層板をプラス極として10Vで60秒の通
電を行った後、銅張積層板を取り出して90℃で10分
間加熱乾燥して、膜厚5μmのフォトレジスト膜を得た
。これに回路パターンマスクを被せて400mJ/cm
2エネルギー量の紫外線で露光し、1%ケイ酸ナトリウ
ム水溶液で洗いだし現像を行い、銅メッキ層上にフォト
レジストパターンを形成した後、シャープな解析度の高
い回路パターンを得た。エッチング処理した後も非露光
部のフォトレジスト層に脱膜現象およびピンホール発生
現象は見られなかった。
【0035】(9)比較例
ここで、上述したアメリカパテント第 4,673,4
58号(以下、公知例という)について、この発明との
比較例をあげておくと、公知例に感光性成分として上げ
られた2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンおよ
び1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニ
ルクロライドを1.0g取り、5.0gのアクリル樹脂
として7モル%のメタクリル酸、15モル%のメタクリ
ル酸メチル、25モル%のヒドロキシメタクリラート、
10モル%のアクリル酸ブチル、18モル%のアクリル
酸メチルおよび25モル%のジアセトンアクリルアミド
を用意して、3.0gのブチルセロソルブを加えて反応
させるとともに、トリエタノールアミンを加えてpH値
7.5にコントロールすると、樹脂状沈殿物以外の沈殿
物が生成された。この沈殿物は、公知例の感光性成分と
アクリル樹脂とが、その相溶性において劣るために生成
されたと推測される。
58号(以下、公知例という)について、この発明との
比較例をあげておくと、公知例に感光性成分として上げ
られた2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンおよ
び1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニ
ルクロライドを1.0g取り、5.0gのアクリル樹脂
として7モル%のメタクリル酸、15モル%のメタクリ
ル酸メチル、25モル%のヒドロキシメタクリラート、
10モル%のアクリル酸ブチル、18モル%のアクリル
酸メチルおよび25モル%のジアセトンアクリルアミド
を用意して、3.0gのブチルセロソルブを加えて反応
させるとともに、トリエタノールアミンを加えてpH値
7.5にコントロールすると、樹脂状沈殿物以外の沈殿
物が生成された。この沈殿物は、公知例の感光性成分と
アクリル樹脂とが、その相溶性において劣るために生成
されたと推測される。
【0036】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の感光
性キノンジアジド化合物は、ポリイソシアネートとアミ
ノフェノールと1,2−キノンジアジドスルホン酸ハロ
ゲン化物とを反応させて得られ、感光性キノンジアジド
化合物に含まれる感光性成分をポリウレタンの原料とな
る柔軟なポリイソシアネートにグラフトすることで優れ
た柔軟性を備えるとともに、この発明の感光性キノンジ
アジド化合物の分子量が大きいためにアクリル樹脂に対
して良好な相溶性を有する少なくとも2成分以上の多成
分系ポジ型感光性組成物を製造できる。従って、ポジ型
の感光性電着塗料組成物の製造において、柔軟性に富ん
でピンホールを発生させないと同時に、感光性を向上さ
せ、しかも金属基材に対する付着率を向上させたものを
提供できるので、産業上の利用価値が高い。
性キノンジアジド化合物は、ポリイソシアネートとアミ
ノフェノールと1,2−キノンジアジドスルホン酸ハロ
ゲン化物とを反応させて得られ、感光性キノンジアジド
化合物に含まれる感光性成分をポリウレタンの原料とな
る柔軟なポリイソシアネートにグラフトすることで優れ
た柔軟性を備えるとともに、この発明の感光性キノンジ
アジド化合物の分子量が大きいためにアクリル樹脂に対
して良好な相溶性を有する少なくとも2成分以上の多成
分系ポジ型感光性組成物を製造できる。従って、ポジ型
の感光性電着塗料組成物の製造において、柔軟性に富ん
でピンホールを発生させないと同時に、感光性を向上さ
せ、しかも金属基材に対する付着率を向上させたものを
提供できるので、産業上の利用価値が高い。
Claims (4)
- 【請求項1】 下記の化学式 【化1】 [式中、R1は分子量100〜1000のポリエステル
またはポリエーテル残基、Xは2価の有機基、Y1は水
素,ヒドロキシル基,カルボキシル基,アルキル基また
はハロゲン、nは2または3、Zは水素,【化2】 【化3】 および 【化4】 よりなる群から選択される基、(ただし、nが2または
3である時のZは少なくとも1つが化2,化3,化4で
示される基のいずれか1つである)をそれぞれ表わす]
で示される感光性キノンジアジド化合物。 - 【請求項2】 上記感光性キノンジアジド化合物(I
)が、ポリイソシアネートと、化学式 【化5】 (式中、Y2は水素,ヒドロキシル基,カルボキシル基
,アルキル基,ニトロ基またはハロゲンを表わす)で示
されるアミノフェノール類(II)と、1,2−キノン
ジアジドスルホン酸ハロゲン化物とを反応させて得られ
るものであって、ポリイソシアネート中のイソシアネー
ト基と、アミノフェノール類が含むアミノ基の当量比が
1:0.95〜1で、かつアミノフェノール類が含むヒ
ドロキシル基と1,2−キノンジアジドスルホン酸ハロ
ゲン化物との当量比が1:0.2〜1である請求項1記
載の感光性キノンジアジド化合物。 - 【請求項3】 カルボキシル基を含む(メタ)アクリ
ル系単量体3〜30%と不飽和単量体70〜97%とを
重合させて得られる重量平均分子量が2500〜200
000の(メタ)アクリル樹脂と、請求項1記載の感光
性キノンジアジド化合物(I)とを主成分とするポジ型
感光性組成物。 - 【請求項4】 請求項3記載のポジ型感光性組成物と
、化学式 【化6】 (式中、R2,R3,R4は同一または異なっていても
よく、水素,炭素原子が1〜3個のアルキル基,または
炭素原子が2〜3個のヒドロキシアルキル基から選択さ
れる)で示される低分子アミン類(III) とからな
る感光性電着塗料組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13593991A JPH0816780B2 (ja) | 1991-05-11 | 1991-05-11 | 感光性キノンジアジド化合物、並びに該化合物を含むポジ型感光性組成物と感光性電着塗料組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13593991A JPH0816780B2 (ja) | 1991-05-11 | 1991-05-11 | 感光性キノンジアジド化合物、並びに該化合物を含むポジ型感光性組成物と感光性電着塗料組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345164A true JPH04345164A (ja) | 1992-12-01 |
| JPH0816780B2 JPH0816780B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=15163379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13593991A Expired - Lifetime JPH0816780B2 (ja) | 1991-05-11 | 1991-05-11 | 感光性キノンジアジド化合物、並びに該化合物を含むポジ型感光性組成物と感光性電着塗料組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816780B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034159A1 (fr) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition de resine photosensible, procede de production de motifs a partir de celle-ci, dispositif electroniques produits au moyen de celle-ci et procede de production de ladite composition |
| JPH11218915A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント |
| JP2008233619A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法 |
| CN119970171A (zh) * | 2025-02-11 | 2025-05-13 | 盐城市中医院 | 一种dsa引导用血管穿刺定位膜及其制备工艺 |
-
1991
- 1991-05-11 JP JP13593991A patent/JPH0816780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034159A1 (fr) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition de resine photosensible, procede de production de motifs a partir de celle-ci, dispositif electroniques produits au moyen de celle-ci et procede de production de ladite composition |
| US6291619B1 (en) | 1997-01-30 | 2001-09-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd | Photosensitive resin composition, method for forming pattern therefrom, electronic devices produced by using the same, and method for production thereof |
| JPH11218915A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント |
| JP2008233619A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法 |
| CN119970171A (zh) * | 2025-02-11 | 2025-05-13 | 盐城市中医院 | 一种dsa引导用血管穿刺定位膜及其制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0816780B2 (ja) | 1996-02-21 |
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