JPH04346228A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法Info
- Publication number
- JPH04346228A JPH04346228A JP14657291A JP14657291A JPH04346228A JP H04346228 A JPH04346228 A JP H04346228A JP 14657291 A JP14657291 A JP 14657291A JP 14657291 A JP14657291 A JP 14657291A JP H04346228 A JPH04346228 A JP H04346228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- semiconductor wafer
- wheel type
- cup wheel
- grinding wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 58
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動平面研削盤の半導
体ウエハの研削方法に関するもので、詳しくは、仕上り
面の高精度化、拡径化、極薄化が要求される半導体ウエ
ハを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関する
ものである。
体ウエハの研削方法に関するもので、詳しくは、仕上り
面の高精度化、拡径化、極薄化が要求される半導体ウエ
ハを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術とその問題点】近年、この種の半導体ウエハ
は製品の歩留まりの関係から、仕上り面の高精度化、加
えて、極薄化、拡径化も要求されており、其れに伴って
半導体ウエハを研削加工する自動研削盤も仕上り面の高
精度化、極薄化、拡径化に対応できる機構が求められて
いるが、その対応が急務である。
は製品の歩留まりの関係から、仕上り面の高精度化、加
えて、極薄化、拡径化も要求されており、其れに伴って
半導体ウエハを研削加工する自動研削盤も仕上り面の高
精度化、極薄化、拡径化に対応できる機構が求められて
いるが、その対応が急務である。
【０００３】従来の研削方法は半導体ウエハの設定され
た削り代を数段階に分けて切り込み量を設定して研削砥
石を降下させて研削するか、或いは、一定の切り込み量
に設定した研削砥石を半導体ウエハの一側の外周方向か
ら他側まで水平方向に切り込む方法がとられており、高
品質化、極薄化、拡径化を要求される脆性の半導体ウエ
ハは割れたり、欠けたり、或いは、研削加工時のダメー
ジが残り、能率的とはいえないものであり、又、研削加
工を施した後に、直ぐに、カップホイール型研削砥石の
研削面を半導体ウエハの上面から上昇させて離脱させて
おり、そのために、カップホイール型研削砥石そのもの
が有する弾性、又は、スピンドル軸が有する弾性、或い
は、スピンドル軸の担持強度、軸受の精度等による撓み
量の関係から、半導体ウエハの上面にカップホイール型
研削砥石の研削面が離脱する時に、僅かに離脱痕が線状
に残留し、研削後の半導体ウエハの厚さ、平行度、平坦
度、面粗度等の仕上り精度の向上を阻害していた。
た削り代を数段階に分けて切り込み量を設定して研削砥
石を降下させて研削するか、或いは、一定の切り込み量
に設定した研削砥石を半導体ウエハの一側の外周方向か
ら他側まで水平方向に切り込む方法がとられており、高
品質化、極薄化、拡径化を要求される脆性の半導体ウエ
ハは割れたり、欠けたり、或いは、研削加工時のダメー
ジが残り、能率的とはいえないものであり、又、研削加
工を施した後に、直ぐに、カップホイール型研削砥石の
研削面を半導体ウエハの上面から上昇させて離脱させて
おり、そのために、カップホイール型研削砥石そのもの
が有する弾性、又は、スピンドル軸が有する弾性、或い
は、スピンドル軸の担持強度、軸受の精度等による撓み
量の関係から、半導体ウエハの上面にカップホイール型
研削砥石の研削面が離脱する時に、僅かに離脱痕が線状
に残留し、研削後の半導体ウエハの厚さ、平行度、平坦
度、面粗度等の仕上り精度の向上を阻害していた。
【０００４】本発明は前述の事由に鑑みて、前述の問題
点を解決すべく鋭意研鑽の結果、半導体ウエハの高品質
化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもので、特に、
仕上げ研削された鏡面の半導体ウエハの上面にできる研
削砥石との離脱痕を防止することで厚さ、平行度、平坦
度、面粗度等の仕上り精度を向上させた研削方法に創達
し、これを供する目的のものである。
点を解決すべく鋭意研鑽の結果、半導体ウエハの高品質
化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもので、特に、
仕上げ研削された鏡面の半導体ウエハの上面にできる研
削砥石との離脱痕を防止することで厚さ、平行度、平坦
度、面粗度等の仕上り精度を向上させた研削方法に創達
し、これを供する目的のものである。
【０００５】本発明の構成は、チャック機構と、半導体
ウエハと、カップホイール型研削砥石と、昇降手段を介
設して昇降自在に基体に担持されたスピンドル軸とを備
え、チャック機構の回転軸芯とスピンドル軸の回転軸芯
とを略平行状態で且つカップホイール型研削砥石の研削
面は半導体ウエハの中心点を通過する一定間隔を有して
配設された自動平面研削盤を用いて、半導体ウエハへ昇
降手段で微速度でカップホイール型研削砥石を降下させ
て仕上げ研削し、研削終了後の最下位置で一定時間昇降
を停止させると共に、半導体ウエハとカップホイール型
研削砥石とを離脱させるとき微速度で上昇させるもので
ある。
ウエハと、カップホイール型研削砥石と、昇降手段を介
設して昇降自在に基体に担持されたスピンドル軸とを備
え、チャック機構の回転軸芯とスピンドル軸の回転軸芯
とを略平行状態で且つカップホイール型研削砥石の研削
面は半導体ウエハの中心点を通過する一定間隔を有して
配設された自動平面研削盤を用いて、半導体ウエハへ昇
降手段で微速度でカップホイール型研削砥石を降下させ
て仕上げ研削し、研削終了後の最下位置で一定時間昇降
を停止させると共に、半導体ウエハとカップホイール型
研削砥石とを離脱させるとき微速度で上昇させるもので
ある。
【０００６】斯る目的を達成せしめた本発明の半導体ウ
エハの研削方法を実施例の図面によって説明する。
エハの研削方法を実施例の図面によって説明する。
【０００７】図１は本発明の実施例の自動平面研削盤を
説明するための概要平面説明図であり、図２は本発明の
概要側面説明図である。
説明するための概要平面説明図であり、図２は本発明の
概要側面説明図である。
【０００８】本発明は自動平面研削盤の半導体ウエハＷ
の研削方法に関するもので、詳しくは、半導体ウエハＷ
の上面の設定量の削り代を研削終了後に一定時間昇降を
停止させると共に、半導体ウエハＷとカップホイール型
研削砥石３を離脱させるときに微速度で上昇させること
によって、鏡面研削する方法に関するものであり、テー
ブル１へ嵌着され且つ自回転するチャック機構２と、該
チャック機構２へバキューム吸着される半導体ウエハＷ
と、該半導体ウエハＷの上面を鏡面研削するために上方
に配設されたカップホイール型研削砥石３と、該カップ
ホイール型研削砥石３を下端へ固定し昇降手段４を介設
させて昇降自在に基体５へ担持され且つ自回転するスピ
ンドル軸６とを備え、前記チャック機構２の回転軸芯ａ
と前記スピンドル軸６の回転軸芯ｂとを略平行状態で且
つカップホイール型研削砥石３の研削面は少なくとも半
導体ウエハＷの中心点を通過する一定間隔を有して配設
された自動平面研削盤を用いて、前記半導体ウエハＷの
上面へ前記昇降手段４で一定微速度でカップホイール型
研削砥石３を降下させて設定量の削り代を仕上げ研削し
、設定量の削り代を研削終了後の最下位置で一定時間昇
降を停止させると共に、前記半導体ウエハＷの上面と前
記カップホイール型研削砥石３の研削面とを離脱させる
とき前記昇降手段４によって微速度で上昇させるもので
ある。
の研削方法に関するもので、詳しくは、半導体ウエハＷ
の上面の設定量の削り代を研削終了後に一定時間昇降を
停止させると共に、半導体ウエハＷとカップホイール型
研削砥石３を離脱させるときに微速度で上昇させること
によって、鏡面研削する方法に関するものであり、テー
ブル１へ嵌着され且つ自回転するチャック機構２と、該
チャック機構２へバキューム吸着される半導体ウエハＷ
と、該半導体ウエハＷの上面を鏡面研削するために上方
に配設されたカップホイール型研削砥石３と、該カップ
ホイール型研削砥石３を下端へ固定し昇降手段４を介設
させて昇降自在に基体５へ担持され且つ自回転するスピ
ンドル軸６とを備え、前記チャック機構２の回転軸芯ａ
と前記スピンドル軸６の回転軸芯ｂとを略平行状態で且
つカップホイール型研削砥石３の研削面は少なくとも半
導体ウエハＷの中心点を通過する一定間隔を有して配設
された自動平面研削盤を用いて、前記半導体ウエハＷの
上面へ前記昇降手段４で一定微速度でカップホイール型
研削砥石３を降下させて設定量の削り代を仕上げ研削し
、設定量の削り代を研削終了後の最下位置で一定時間昇
降を停止させると共に、前記半導体ウエハＷの上面と前
記カップホイール型研削砥石３の研削面とを離脱させる
とき前記昇降手段４によって微速度で上昇させるもので
ある。
【０００９】通常、この種の自動平面研削盤の被研削物
である半導体ウエハＷの作動状態を具体的に説明すると
、図１に図示の如く、先ず、多数枚の半導体ウエハＷを
単品毎に梯子形仕切り枠で集積格納され昇降可動かつ前
面が開放されている送出側カートリッジ１１の直前の下
方辺に設けられた送出側搬送ベルト１２によって、半導
体ウエハＷが該送出側搬送ベルト１２上へ案内載置され
、送出側搬送ベルト１２の上の半導体ウエハＷは下方に
位置し反転可能な送出側反転アーム１３の先端に設けた
吸着パット１４へ吸着され、該送出側反転アーム１３が
反転することによって、プリポジション１５に載置され
、次ぎに、半導体ウエハＷは昇降自在で且つ水平方向へ
回動機構を有するウエハ移送アーム１６の先端へ設けた
吸着パット１７の下面にバキューム吸着されて、研削盤
のロータリーテーブル１上に移送されるものである。
である半導体ウエハＷの作動状態を具体的に説明すると
、図１に図示の如く、先ず、多数枚の半導体ウエハＷを
単品毎に梯子形仕切り枠で集積格納され昇降可動かつ前
面が開放されている送出側カートリッジ１１の直前の下
方辺に設けられた送出側搬送ベルト１２によって、半導
体ウエハＷが該送出側搬送ベルト１２上へ案内載置され
、送出側搬送ベルト１２の上の半導体ウエハＷは下方に
位置し反転可能な送出側反転アーム１３の先端に設けた
吸着パット１４へ吸着され、該送出側反転アーム１３が
反転することによって、プリポジション１５に載置され
、次ぎに、半導体ウエハＷは昇降自在で且つ水平方向へ
回動機構を有するウエハ移送アーム１６の先端へ設けた
吸着パット１７の下面にバキューム吸着されて、研削盤
のロータリーテーブル１上に移送されるものである。
【００１０】そして、前記ロータリーテーブル１には夫
々に自回転する円形状のバキューム吸着する複数のチャ
ック機構２を備え、ロータリーテーブル１は自動的に回
転、停止を間欠的に繰返しており、停止位置で夫々のチ
ャック機構２の上方から先端へカップホイール型研削砥
石３を固定したスピンドル軸６が下降して、各チャック
機構２上で予め設定された削り代の研削を半導体ウエハ
Ｗの上面に施すものである。
々に自回転する円形状のバキューム吸着する複数のチャ
ック機構２を備え、ロータリーテーブル１は自動的に回
転、停止を間欠的に繰返しており、停止位置で夫々のチ
ャック機構２の上方から先端へカップホイール型研削砥
石３を固定したスピンドル軸６が下降して、各チャック
機構２上で予め設定された削り代の研削を半導体ウエハ
Ｗの上面に施すものである。
【００１１】前記半導体ウエハＷはウエハ移送アーム１
６で前記チャック機構２上に正確にセットされると共に
、該チャック機構２にバキューム吸着されるものであり
、半導体ウエハＷはチャック機構２と共にロータリーテ
ーブル１の回動によって、次の加工位置へと移行し、夫
々の加工位置で所定の求められる厚さに研削が施され加
工が完了するとスピンドル軸６を上昇させて、再び、ロ
ータリーテーブル１の回転によって次停止位置まで運ば
れ、該停止位置で別のスピンドル軸６が降下して順次研
削が施され、そして、洗浄位置で洗浄され、ロータリー
テーブル１は一定の停止時間を保ちながら間欠的に且つ
エンドレス的に回転しているものである。
６で前記チャック機構２上に正確にセットされると共に
、該チャック機構２にバキューム吸着されるものであり
、半導体ウエハＷはチャック機構２と共にロータリーテ
ーブル１の回動によって、次の加工位置へと移行し、夫
々の加工位置で所定の求められる厚さに研削が施され加
工が完了するとスピンドル軸６を上昇させて、再び、ロ
ータリーテーブル１の回転によって次停止位置まで運ば
れ、該停止位置で別のスピンドル軸６が降下して順次研
削が施され、そして、洗浄位置で洗浄され、ロータリー
テーブル１は一定の停止時間を保ちながら間欠的に且つ
エンドレス的に回転しているものである。
【００１２】半導体ウエハＷは最終の仕上げ研削を施さ
れ、洗浄された後に、前述のウエハ移送アーム１６と逆
の作用によってウエハ移送アーム１８の吸着パット１９
吸着され、洗浄乾燥装置２０で洗浄乾燥されて格納側反
転アーム２１に設けられた吸着パット２２で格納側搬送
ベルト２３へ載置され、格納側カートリッジ２４内の側
壁部に設けられた梯子形仕切り枠へ該カートリッジの昇
降によって単品毎に再び集積格納されているものである
。
れ、洗浄された後に、前述のウエハ移送アーム１６と逆
の作用によってウエハ移送アーム１８の吸着パット１９
吸着され、洗浄乾燥装置２０で洗浄乾燥されて格納側反
転アーム２１に設けられた吸着パット２２で格納側搬送
ベルト２３へ載置され、格納側カートリッジ２４内の側
壁部に設けられた梯子形仕切り枠へ該カートリッジの昇
降によって単品毎に再び集積格納されているものである
。
【００１３】本発明を実施する平面自動研削盤はこの様
に構成されており、前述の作動が自動的かつ規則的に繰
り返され、送出側カートリッジ１１から送出された半導
体ウエハＷは、順次可動位置へ案内され、研削され、洗
浄され、格納される仕組と成るものである。
に構成されており、前述の作動が自動的かつ規則的に繰
り返され、送出側カートリッジ１１から送出された半導
体ウエハＷは、順次可動位置へ案内され、研削され、洗
浄され、格納される仕組と成るものである。
【００１４】即ち、自動平面研削盤のロータリーテーブ
ル１は間欠的に回転及び停止を繰り返しているものであ
り、複数のチャック機構２は頂面を突出させた状態で複
数個が夫々嵌着されているもので、該夫々のチャック機
構２はロータリーテーブル１の回転駆動源と共有して夫
々が独自に自回転しているものであり、そして、前記ロ
ータリーテーブル１を貫通させた通気系によって真空ポ
ンプ等のバキューム機構へ連繋され、半導体ウエハＷは
バキューム機構によってチャック機構２の上面へ確りと
バキューム吸着されると、チャック機構２の上方よりス
ピンドル軸６の下端へ固定したカップホイール型研削砥
石３が降下して研削を開始するものである。
ル１は間欠的に回転及び停止を繰り返しているものであ
り、複数のチャック機構２は頂面を突出させた状態で複
数個が夫々嵌着されているもので、該夫々のチャック機
構２はロータリーテーブル１の回転駆動源と共有して夫
々が独自に自回転しているものであり、そして、前記ロ
ータリーテーブル１を貫通させた通気系によって真空ポ
ンプ等のバキューム機構へ連繋され、半導体ウエハＷは
バキューム機構によってチャック機構２の上面へ確りと
バキューム吸着されると、チャック機構２の上方よりス
ピンドル軸６の下端へ固定したカップホイール型研削砥
石３が降下して研削を開始するものである。
【００１５】前記スピンドル軸６は基体５へ昇降手段４
を介して昇降自在に担持され、電動機Ｍ等の駆動源によ
って自回転をしているものであり、カップホイール型研
削砥石３もそれに伴って回転しているものであり、前記
昇降手段４は図２に図示の如く駆動源の電動機Ｍを基体
５に組設し、該電動機Ｍの回転軸４ａに回転調整機構４
ｂを介設して棒状の螺条４ｃを設け、該螺条４ｃと螺合
する雌螺子を有するガイド４ｄを設けたスピンドル軸６
であり、機械的な機構を用いても、空気圧、油圧等を用
いたものでも、脆性の半導体ウエハＷにダメージが加わ
らない微速度調整が可能なものなら構わないものである
。
を介して昇降自在に担持され、電動機Ｍ等の駆動源によ
って自回転をしているものであり、カップホイール型研
削砥石３もそれに伴って回転しているものであり、前記
昇降手段４は図２に図示の如く駆動源の電動機Ｍを基体
５に組設し、該電動機Ｍの回転軸４ａに回転調整機構４
ｂを介設して棒状の螺条４ｃを設け、該螺条４ｃと螺合
する雌螺子を有するガイド４ｄを設けたスピンドル軸６
であり、機械的な機構を用いても、空気圧、油圧等を用
いたものでも、脆性の半導体ウエハＷにダメージが加わ
らない微速度調整が可能なものなら構わないものである
。
【００１６】前記チャック機構２の回転軸芯ａとスピン
ドル軸６の回転軸芯ｂとを略平行状態に維持させたもの
で、つまり、半導体ウエハＷの上面とカップホイール型
研削砥石３の研削面とも略平行状態となるものであり、
略平行状態とはカップホイール型研削砥石３の研削面と
半導体ウエハＷの上面とは僅かに傾斜させて、研削抵抗
を低下させると共に、半導体ウエハＷの回転の中芯へ小
突起を残さないようにスピンドル軸６を微揺動させてい
るものであり、そして、カップホイール型研削砥石３の
研削面は少なくとも半導体ウエハＷの中心点を通過する
ように夫々の回転軸芯ａ．ｂは一定間隔を有して配設さ
れ、カップホイール型研削砥石３の研削面と研削される
半導体ウエハＷの上面との研削時の干渉領域での周速度
を一定化しているものである。
ドル軸６の回転軸芯ｂとを略平行状態に維持させたもの
で、つまり、半導体ウエハＷの上面とカップホイール型
研削砥石３の研削面とも略平行状態となるものであり、
略平行状態とはカップホイール型研削砥石３の研削面と
半導体ウエハＷの上面とは僅かに傾斜させて、研削抵抗
を低下させると共に、半導体ウエハＷの回転の中芯へ小
突起を残さないようにスピンドル軸６を微揺動させてい
るものであり、そして、カップホイール型研削砥石３の
研削面は少なくとも半導体ウエハＷの中心点を通過する
ように夫々の回転軸芯ａ．ｂは一定間隔を有して配設さ
れ、カップホイール型研削砥石３の研削面と研削される
半導体ウエハＷの上面との研削時の干渉領域での周速度
を一定化しているものである。
【００１７】前記半導体ウエハＷの上面へ前記昇降手段
４で一定微速度でカップホイール型研削砥石３を降下さ
せて設定量の削り代を仕上げ研削することと、設定量の
削り代を研削終了後の最下位置で一定時間昇降を停止さ
せて、カップホイール型研削砥石そのものが有する弾性
、又は、スピンドル軸が有する弾性、或いは、スピンド
ル軸の担持強度、軸受の精度等による撓み量を戻すと共
に、前記半導体ウエハＷの上面と前記カップホイール型
研削砥石３の研削面とを離脱させるとき前記昇降手段４
によって微速度で上昇させることによって、従来、半導
体ウエハＷの上面に残留していた離脱痕を皆無として、
高精度化、拡径化、極薄化が要望される半導体ウエハＷ
の研削加工に対処でき、本発明の方法は最終の仕上げ研
削の工程で施すものであるが、より仕上り面精度化を得
るためと全工程の時間的バランスをとるために全研削工
程に実施しても構わないものである。
４で一定微速度でカップホイール型研削砥石３を降下さ
せて設定量の削り代を仕上げ研削することと、設定量の
削り代を研削終了後の最下位置で一定時間昇降を停止さ
せて、カップホイール型研削砥石そのものが有する弾性
、又は、スピンドル軸が有する弾性、或いは、スピンド
ル軸の担持強度、軸受の精度等による撓み量を戻すと共
に、前記半導体ウエハＷの上面と前記カップホイール型
研削砥石３の研削面とを離脱させるとき前記昇降手段４
によって微速度で上昇させることによって、従来、半導
体ウエハＷの上面に残留していた離脱痕を皆無として、
高精度化、拡径化、極薄化が要望される半導体ウエハＷ
の研削加工に対処でき、本発明の方法は最終の仕上げ研
削の工程で施すものであるが、より仕上り面精度化を得
るためと全工程の時間的バランスをとるために全研削工
程に実施しても構わないものである。
【００１８】そして、前述の説明は回転式のロータリー
テーブルについて本発明の方法を説明したが、これに限
定されることなく割り出し式のインデックステーブル等
のチャック機構にも適応するものである。
テーブルについて本発明の方法を説明したが、これに限
定されることなく割り出し式のインデックステーブル等
のチャック機構にも適応するものである。
【００１９】
【発明の効果】本発明の効果は、前述の構成によって、
自動平面研削盤のスピンドル軸の昇降を、昇降手段によ
って微速度で降下させて研削し、最下位置で一定時間停
止させると共に、上昇を微速度にすることによって、拡
径化、極薄化が要望され、且つ、脆性の特性を有する半
導体ウエハの研削加工にも対処でき、加えて、最終研削
後の半導体ウエハの鏡面にできる研削砥石の離脱痕を防
止することができ、半導体ウエハの全面にわたっての仕
上り面精度を向上させた画期的な研削方法であり、信頼
度も高く、極めて有意義な効果を奏することができるも
のである。
自動平面研削盤のスピンドル軸の昇降を、昇降手段によ
って微速度で降下させて研削し、最下位置で一定時間停
止させると共に、上昇を微速度にすることによって、拡
径化、極薄化が要望され、且つ、脆性の特性を有する半
導体ウエハの研削加工にも対処でき、加えて、最終研削
後の半導体ウエハの鏡面にできる研削砥石の離脱痕を防
止することができ、半導体ウエハの全面にわたっての仕
上り面精度を向上させた画期的な研削方法であり、信頼
度も高く、極めて有意義な効果を奏することができるも
のである。
【００２０】
【図１】図１は本発明の実施例の自動平面研削盤を説明
するための概要平面説明図である。
するための概要平面説明図である。
【図２】図２は本発明の概要側面説明図である。
【００２１】
Ｗ 半導体ウエハ
ａ チャック機構の回転軸芯ｂ
スピンドル軸の回転軸芯１ テーブル ２ チャック機構 ３ カップホイール型研削砥石４
昇降手段 ４ａ 回転軸 ４ｂ 回転調整機構 ４ｃ 螺条 ４ｄ ガイド ５ 基体 ６ スピンドル軸 Ｍ 電動機 １１ 送出側カートリッジ １２ 送出側搬送ベルト １３ 送出側反転アーム １４ 吸着パット １５ プリポジション １６ ウエハ移送アーム １７ 吸着パット １８ ウエハ移送アーム １９ 吸着パット ２０ 洗浄乾燥装置 ２１ 格納側反転アーム ２２ 吸着パット ２３ 格納側搬送ベルト ２４ 格納側カートリッジ
スピンドル軸の回転軸芯１ テーブル ２ チャック機構 ３ カップホイール型研削砥石４
昇降手段 ４ａ 回転軸 ４ｂ 回転調整機構 ４ｃ 螺条 ４ｄ ガイド ５ 基体 ６ スピンドル軸 Ｍ 電動機 １１ 送出側カートリッジ １２ 送出側搬送ベルト １３ 送出側反転アーム １４ 吸着パット １５ プリポジション １６ ウエハ移送アーム １７ 吸着パット １８ ウエハ移送アーム １９ 吸着パット ２０ 洗浄乾燥装置 ２１ 格納側反転アーム ２２ 吸着パット ２３ 格納側搬送ベルト ２４ 格納側カートリッジ
Claims (1)
- 【請求項１】テーブルへ嵌着され且つ自回転するチャッ
ク機構と、該チャック機構へバキューム吸着される半導
体ウエハと、該半導体ウエハの上面を鏡面研削するため
に上方に配設されたカップホイール型研削砥石と、該カ
ップホイール型研削砥石を下端へ固定し昇降手段を介設
させて昇降自在に基体へ担持され且つ自回転するスピン
ドル軸とを備え、前記チャック機構の回転軸芯と前記ス
ピンドル軸の回転軸芯とを略平行状態で且つカップホイ
ール型研削砥石の研削面は少なくとも半導体ウエハの中
心点を通過する一定間隔を有して配設された自動平面研
削盤を用いて、前記半導体ウエハの上面へ前記昇降手段
で一定微速度でカップホイール型研削砥石を降下させて
設定量の削り代を仕上げ研削し、設定量の削り代を研削
終了後の最下位置で一定時間昇降を停止させると共に、
前記半導体ウエハの上面と前記カップホイール型研削砥
石の研削面とを離脱させるとき前記昇降手段によって微
速度で上昇させることを特徴とする半導体ウエハの研削
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14657291A JPH04346228A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14657291A JPH04346228A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体ウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346228A true JPH04346228A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=15410728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14657291A Pending JPH04346228A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346228A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622875A (en) * | 1994-05-06 | 1997-04-22 | Kobe Precision, Inc. | Method for reclaiming substrate from semiconductor wafers |
| US6141349A (en) * | 1998-02-13 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Network system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840266A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-09 | Mazda Motor Corp | 研削盤の切込送り制御装置 |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP14657291A patent/JPH04346228A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840266A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-09 | Mazda Motor Corp | 研削盤の切込送り制御装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622875A (en) * | 1994-05-06 | 1997-04-22 | Kobe Precision, Inc. | Method for reclaiming substrate from semiconductor wafers |
| US6141349A (en) * | 1998-02-13 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Network system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0039209B1 (en) | Machine for grinding thin plates such as semiconductor wafers | |
| JP4455750B2 (ja) | 研削装置 | |
| JP5631142B2 (ja) | 歯列−又はプロフィール研削盤を駆動するための方法及び、歯列−又はプロフィール研削盤 | |
| KR102507675B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| CN110480485B (zh) | 一种高效的杯体抛光机 | |
| CN110394718B (zh) | 一种高效率的杯体砂带抛光装置 | |
| KR20130092401A (ko) | 웨이퍼의 모따기 장치 | |
| CN119017250A (zh) | 一种半导体晶圆研磨和抛光设备及研磨工艺 | |
| JP2021122073A (ja) | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 | |
| US4587765A (en) | Method of an apparatus for grinding work surface | |
| JP2018176323A (ja) | 加工装置 | |
| CN222059733U (zh) | 一种卧式转盘双端面磨床 | |
| JPH11347953A (ja) | ウェーハ面取り砥石 | |
| CN112720120A (zh) | 一种12英寸硅片精密磨削加工的装置和方法 | |
| JP4275024B2 (ja) | ディスクの周縁研削装置 | |
| JPS5834751A (ja) | ウエハ研削盤 | |
| JPS5919671A (ja) | ポリツシング装置 | |
| JPH07156050A (ja) | ウェーハ面取り機 | |
| JP7525268B2 (ja) | 平面研削装置 | |
| JPH0790453B2 (ja) | 板状体の研削方法及びその装置 | |
| JPH0577148A (ja) | 研削盤のリトラクト機構 | |
| JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 | |
| JPH0577147A (ja) | 平面研削盤 | |
| JPH11207579A (ja) | 薄板状工作物の両面研削方法 | |
| JP3007678B2 (ja) | ポリッシング装置とそのポリッシング方法 |