JPH04346408A - 厚膜コンデンサ - Google Patents
厚膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPH04346408A JPH04346408A JP3120495A JP12049591A JPH04346408A JP H04346408 A JPH04346408 A JP H04346408A JP 3120495 A JP3120495 A JP 3120495A JP 12049591 A JP12049591 A JP 12049591A JP H04346408 A JPH04346408 A JP H04346408A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- comb
- teeth
- capacitance
- thick film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、容量調整可能な厚膜コ
ンデンサに関するものである。
ンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の厚膜コンデンサは、一般
に誘導体基板の上に、第１の金属層、誘電体層、第２の
金属層を順次重ね合わせた構造を備えている。通常の厚
膜コンデンサでは、誘電体基板としてアルミナ基板を使
用し、その上に、Ａｇ／Ｐｄ系厚膜ペーストなどの金属
層、ガラス系厚膜ペーストなどの誘電体層をスクリーン
印刷法などにより所望の形状に積み重ねる構造をとって
いる。
に誘導体基板の上に、第１の金属層、誘電体層、第２の
金属層を順次重ね合わせた構造を備えている。通常の厚
膜コンデンサでは、誘電体基板としてアルミナ基板を使
用し、その上に、Ａｇ／Ｐｄ系厚膜ペーストなどの金属
層、ガラス系厚膜ペーストなどの誘電体層をスクリーン
印刷法などにより所望の形状に積み重ねる構造をとって
いる。
【０００３】薄膜コンデンサの場合、金属層としてＭｏ
、Ｎｉなど、誘電体層としてＳｉＯ、ＴａＯなどを使用
して、真空蒸着法によりアルミナなどの誘電体基板１上
に形成している。
、Ｎｉなど、誘電体層としてＳｉＯ、ＴａＯなどを使用
して、真空蒸着法によりアルミナなどの誘電体基板１上
に形成している。
【０００４】形成された厚膜コンデンサの容量Ｃは、誘
電体材料の誘電率ε、有効金属層面積Ｓ、誘電体層の厚
さＴとすると、次の式（１）から算出できる。
電体材料の誘電率ε、有効金属層面積Ｓ、誘電体層の厚
さＴとすると、次の式（１）から算出できる。
【０００５】Ｃ＝Ｋ・ε・（Ｓ／Ｔ） ・・
・（１） ただし、Ｋは定数である。
・（１） ただし、Ｋは定数である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記式（１）から明ら
かなように、厚膜コンデンサの容量を決定する主因子は
、有効金属面積Ｓ、誘電体層の厚さＴ、および誘電率ε
である。しかしながら、これら定数は現状の印刷精度に
関するスクリーン版のパターン精度、乳剤厚さ精度、印
刷ペーストの状態、スキージゴムの硬度、さらには印刷
圧力、印刷ギャップ、印刷スピードなどによりばらつく
ので、厚膜コンデンサの容量を高精度に決定することは
困難であった。
かなように、厚膜コンデンサの容量を決定する主因子は
、有効金属面積Ｓ、誘電体層の厚さＴ、および誘電率ε
である。しかしながら、これら定数は現状の印刷精度に
関するスクリーン版のパターン精度、乳剤厚さ精度、印
刷ペーストの状態、スキージゴムの硬度、さらには印刷
圧力、印刷ギャップ、印刷スピードなどによりばらつく
ので、厚膜コンデンサの容量を高精度に決定することは
困難であった。
【０００７】また容量値が固定のため、通常電気回路に
使用される可変コンデンサ（通常トリマーコンデンサ）
のように各素子の定数のばらつきを容量調節により吸収
することは困難であった。
使用される可変コンデンサ（通常トリマーコンデンサ）
のように各素子の定数のばらつきを容量調節により吸収
することは困難であった。
【０００８】このため、従来の厚膜コンデンサでは、誘
電体基板の上に第１の金属層および誘電体層を順次形成
し、その上に櫛歯状の金属層を有する第２の金属層を形
成し焼成して厚膜コンデンサを作成し、その第２の金属
層の櫛歯状金属層の根元の部分をレーザービームなどで
切断して所望の容量値になるように調節していた。
電体基板の上に第１の金属層および誘電体層を順次形成
し、その上に櫛歯状の金属層を有する第２の金属層を形
成し焼成して厚膜コンデンサを作成し、その第２の金属
層の櫛歯状金属層の根元の部分をレーザービームなどで
切断して所望の容量値になるように調節していた。
【０００９】しかしながら、このような従来の厚膜コン
デンサでは、櫛歯状金属層の幅が同じかまたは数種の長
さに揃えて形成されているので、容量調節のステップ数
に限りがあるという問題があった。例えば、４本の櫛歯
状金属層の幅がそれぞれ一定の場合、各櫛歯面積は一定
になるので、上記式（１）から各櫛歯状金属層が持つ第
１の金属層との容量値は一定であり、したがって４本を
１本ずつ切断していっても、１本も切断しない場合を含
めて５通りにしか静電容量が調節できないという問題が
あった。そのため、細かな容量調節ステップを得るため
には、そのステップ数だけ細い櫛歯形状が必要になると
いう問題を有していた。
デンサでは、櫛歯状金属層の幅が同じかまたは数種の長
さに揃えて形成されているので、容量調節のステップ数
に限りがあるという問題があった。例えば、４本の櫛歯
状金属層の幅がそれぞれ一定の場合、各櫛歯面積は一定
になるので、上記式（１）から各櫛歯状金属層が持つ第
１の金属層との容量値は一定であり、したがって４本を
１本ずつ切断していっても、１本も切断しない場合を含
めて５通りにしか静電容量が調節できないという問題が
あった。そのため、細かな容量調節ステップを得るため
には、そのステップ数だけ細い櫛歯形状が必要になると
いう問題を有していた。
【００１０】本発明は、このような従来の問題を解決す
るものであり、限られた櫛歯のカット数の組み合わせに
より大きな容量調節ステップ数を得ることのできる優れ
た厚膜コンデンサを提供することを目的とする。
るものであり、限られた櫛歯のカット数の組み合わせに
より大きな容量調節ステップ数を得ることのできる優れ
た厚膜コンデンサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、各櫛歯状金属層の面積をそれぞれ２倍の
関係にすることにより、各櫛歯金属層とそれに対向する
金属層との間に生ずる静電容量値をそれぞれ２ｎ 倍の
関係にするようにしたものである。
成するために、各櫛歯状金属層の面積をそれぞれ２倍の
関係にすることにより、各櫛歯金属層とそれに対向する
金属層との間に生ずる静電容量値をそれぞれ２ｎ 倍の
関係にするようにしたものである。
【００１２】
【作用】したがって本発明によれば、各櫛歯状金属層の
切断を組み合わせることにより、２ｎ 通りの容量調節
ステップ数を得ることができ、例えば櫛歯の数が４本の
金属層の場合には、これら櫛歯の根元を切断する組み合
わせにより２４ ＝１６通りの容量調節ステップ数を得
ることができる。
切断を組み合わせることにより、２ｎ 通りの容量調節
ステップ数を得ることができ、例えば櫛歯の数が４本の
金属層の場合には、これら櫛歯の根元を切断する組み合
わせにより２４ ＝１６通りの容量調節ステップ数を得
ることができる。
【００１３】
【実施例】図１および図２は本発明の一実施例の構成を
示すものである。図１および図２において、１１は誘電
体基板であり、１２は誘電体基板１１上に形成された第
１の金属層、１３は第１の金属層１２の一部分（全ての
場合もある。）に形成された誘電体層、１４は誘電体層
１３および誘電体基板１１の上に形成された第２の金属
層である。
示すものである。図１および図２において、１１は誘電
体基板であり、１２は誘電体基板１１上に形成された第
１の金属層、１３は第１の金属層１２の一部分（全ての
場合もある。）に形成された誘電体層、１４は誘電体層
１３および誘電体基板１１の上に形成された第２の金属
層である。
【００１４】第１の金属層１２と第２の金属層１４とは
、電気的に誘導体層１３で絶縁されており、誘電体層１
３の誘電率Ｋ・εにより容量値Ｃ０ を示す厚膜コンデ
ンサの動作をする。第２の金属層１４は、誘電体層１３
上に形成された一部が４本の櫛歯２１，２２，２３，２
４で形成され、各櫛歯２１〜２４の幅をそれぞれｄ１
，ｄ２ ，ｄ３ ，ｄ４ とすると、これらはそれぞれ
２の倍数の関係を有している。すなわちｄ１ ＝１とす
ると、ｄ２ ＝２，ｄ３ ＝４，ｄ４ ＝８の長さに設
定されている。しがたってそれぞれの櫛歯２１〜２４が
第１の金属層１２と対向する面積はそれぞれ２の倍数の
関係を有することになる。すなわち櫛歯２１の櫛歯部分
の面積をＳ１ とすると、他の櫛歯２２〜２４の面積Ｓ
２ 〜Ｓ４ は、Ｓ２ ＝２Ｓ１ ，Ｓ３ ＝４Ｓ１
，Ｓ４ ＝８Ｓ１となる。これより前記式（１）からそ
れぞれの櫛歯２１〜２４の第１の金属層１２に対する静
電容量値は、櫛歯２１部分の静電容量値をＣ１ とする
とＣ２ ＝２Ｃ１ ，Ｃ３ ＝４Ｃ１ ，Ｃ４ ＝８Ｃ
１ となる。
、電気的に誘導体層１３で絶縁されており、誘電体層１
３の誘電率Ｋ・εにより容量値Ｃ０ を示す厚膜コンデ
ンサの動作をする。第２の金属層１４は、誘電体層１３
上に形成された一部が４本の櫛歯２１，２２，２３，２
４で形成され、各櫛歯２１〜２４の幅をそれぞれｄ１
，ｄ２ ，ｄ３ ，ｄ４ とすると、これらはそれぞれ
２の倍数の関係を有している。すなわちｄ１ ＝１とす
ると、ｄ２ ＝２，ｄ３ ＝４，ｄ４ ＝８の長さに設
定されている。しがたってそれぞれの櫛歯２１〜２４が
第１の金属層１２と対向する面積はそれぞれ２の倍数の
関係を有することになる。すなわち櫛歯２１の櫛歯部分
の面積をＳ１ とすると、他の櫛歯２２〜２４の面積Ｓ
２ 〜Ｓ４ は、Ｓ２ ＝２Ｓ１ ，Ｓ３ ＝４Ｓ１
，Ｓ４ ＝８Ｓ１となる。これより前記式（１）からそ
れぞれの櫛歯２１〜２４の第１の金属層１２に対する静
電容量値は、櫛歯２１部分の静電容量値をＣ１ とする
とＣ２ ＝２Ｃ１ ，Ｃ３ ＝４Ｃ１ ，Ｃ４ ＝８Ｃ
１ となる。
【００１５】次に上記実施例の動作について説明する。
上記実施例において、各櫛歯２１〜２４の根元の部分を
切断線２５に沿ってレーザービームなどにより、種々に
組み合わせてカットする。これにより、第１の金属層１
２、第２の金属層１４との間の静電容量値を細かく調節
することができる。例えばカット前の静電容量値をＣ０
とすると、櫛歯２１をカットすることによりＣ０ −
Ｃ１ に調節することができる。また櫛歯２２をカット
することによりＣ０ −２Ｃ１ に調節することができ
る。櫛歯２１と２２を同時にカットすることによりＣ０
−３Ｃ１ に調節することができる。このようにして
カットする部分を組み合わせることにより、Ｃ１ をス
テップとし、Ｃ０ からＣ１ ないし１５Ｃ１ を差し
引いた１６通りの容量調節が可能となる。
切断線２５に沿ってレーザービームなどにより、種々に
組み合わせてカットする。これにより、第１の金属層１
２、第２の金属層１４との間の静電容量値を細かく調節
することができる。例えばカット前の静電容量値をＣ０
とすると、櫛歯２１をカットすることによりＣ０ −
Ｃ１ に調節することができる。また櫛歯２２をカット
することによりＣ０ −２Ｃ１ に調節することができ
る。櫛歯２１と２２を同時にカットすることによりＣ０
−３Ｃ１ に調節することができる。このようにして
カットする部分を組み合わせることにより、Ｃ１ をス
テップとし、Ｃ０ からＣ１ ないし１５Ｃ１ を差し
引いた１６通りの容量調節が可能となる。
【００１６】上記実施例を電気的等価回路で表わすと図
３のようになる。図２の第１の櫛歯２１と第１の金属層
１２の間の容量値は図３のＣ１ すなわち第１の等価コ
ンデンサ３１であり、以下第２の櫛歯２２のそれはＣ２
すなわち第２の等価コンデンサ３２であり、第３の櫛
歯２３のそれはＣ３すなわち第３の等価コンデンサ３３
であり、第４の櫛歯２４のそれはＣ４ すなわち第４の
等価コンデンサ３４である。
３のようになる。図２の第１の櫛歯２１と第１の金属層
１２の間の容量値は図３のＣ１ すなわち第１の等価コ
ンデンサ３１であり、以下第２の櫛歯２２のそれはＣ２
すなわち第２の等価コンデンサ３２であり、第３の櫛
歯２３のそれはＣ３すなわち第３の等価コンデンサ３３
であり、第４の櫛歯２４のそれはＣ４ すなわち第４の
等価コンデンサ３４である。
【００１７】上記実施例では、第２の金属層１４の櫛歯
２１〜２４の員数が４であったが、この員数については
限定されるべきものではない。すなわちｎ個の櫛歯にお
いては、図３の第ｎ番目の等価コンデンサ３５まで存在
し、これらコンデンサの組み合わせにより容量調節ステ
ップ数を２ｎ 通りにすることができる。また図３のＣ
ｓは固定容量の等価コンデンサ３６であり、容量調節範
囲を除く所望の固定容量値である。なお、図３の３７は
第１の金属層１２に接続された第１の電極端子であり、
３８は第２の金属層１４に接続された第２の電極端子で
ある。
２１〜２４の員数が４であったが、この員数については
限定されるべきものではない。すなわちｎ個の櫛歯にお
いては、図３の第ｎ番目の等価コンデンサ３５まで存在
し、これらコンデンサの組み合わせにより容量調節ステ
ップ数を２ｎ 通りにすることができる。また図３のＣ
ｓは固定容量の等価コンデンサ３６であり、容量調節範
囲を除く所望の固定容量値である。なお、図３の３７は
第１の金属層１２に接続された第１の電極端子であり、
３８は第２の金属層１４に接続された第２の電極端子で
ある。
【００１８】上記実施例では、第１の金属層１２を平板
とし、第２の金属層１４に櫛歯状金属層２１〜２４を形
成したが、第２の金属層を平板とし、第１の金属層に櫛
歯状金属層を形成しても同様な効果が得られる。
とし、第２の金属層１４に櫛歯状金属層２１〜２４を形
成したが、第２の金属層を平板とし、第１の金属層に櫛
歯状金属層を形成しても同様な効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、上記実施例から明らかなよう
に、厚膜コンデンサの複数の櫛歯金属層の櫛歯部分の面
積をそれぞれ２倍の重み付けをしたものであり、レーザ
ービームなどによる櫛歯金属層の根元の切断を種々に組
み合わせて行なうことにより、櫛歯金属層の数ｎに対し
て２ｎ 通りの容量値が設定でき、広範囲の調節が細か
いステップ数でできるという効果を有する。
に、厚膜コンデンサの複数の櫛歯金属層の櫛歯部分の面
積をそれぞれ２倍の重み付けをしたものであり、レーザ
ービームなどによる櫛歯金属層の根元の切断を種々に組
み合わせて行なうことにより、櫛歯金属層の数ｎに対し
て２ｎ 通りの容量値が設定でき、広範囲の調節が細か
いステップ数でできるという効果を有する。
【００２０】また、櫛歯金属層の切断箇所を従来に比べ
て少なくすることができるので、櫛歯金属層の根元をカ
ットするときに飛び散る金属ボールなどから生じるカッ
ト不良を最小限に抑えることができるという効果を有す
る。
て少なくすることができるので、櫛歯金属層の根元をカ
ットするときに飛び散る金属ボールなどから生じるカッ
ト不良を最小限に抑えることができるという効果を有す
る。
【図１】本発明の一実施例における厚膜コンデンサの平
面図
面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】同実施例における要部等価回路図
１１ 誘電体基板
１２ 第１の金属層
１３ 誘電体層
１４ 第２の金属層
２１ 第１の櫛歯
２２ 第２の櫛歯
２３ 第３の櫛歯
２４ 第４の櫛歯
３１ 第１の等価コンデンサ
３２ 第２の等価コンデンサ
３３ 第３の等価コンデンサ
３４ 第４の等価コンデンサ
３５ 第ｎ番目の等価コンデンサ
３６ 固定容量の等価コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体基板と、前記誘電体基板上に形
成された第１の金属層と、前記第１の金属層の上に形成
された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された第２
の金属層とを備え、前記第１の金属層または第２の金属
層が櫛歯状に形成された金属層を有し、前記櫛歯状金属
層のそれぞれの歯が対向する他方の金属層との間に生じ
る静電容量がそれぞれ２ｎ 倍の関係を持つように前記
櫛歯状金属層の歯の面積を設定した厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120495A JPH04346408A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 厚膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120495A JPH04346408A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 厚膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346408A true JPH04346408A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14787614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120495A Pending JPH04346408A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 厚膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346408A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442516A (en) * | 1993-01-19 | 1995-08-15 | Moncrieff; J. Peter | Method for controlling electric charge movement by segementing conductive surface |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544357A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nippon Electric Co | Thin film type coupled capacitor |
| JPH0350809A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜コンデンサ |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3120495A patent/JPH04346408A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544357A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nippon Electric Co | Thin film type coupled capacitor |
| JPH0350809A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜コンデンサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442516A (en) * | 1993-01-19 | 1995-08-15 | Moncrieff; J. Peter | Method for controlling electric charge movement by segementing conductive surface |
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