JPH0738060A - 膜型キャパシターおよびそのトリミング方法 - Google Patents
膜型キャパシターおよびそのトリミング方法Info
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- JPH0738060A JPH0738060A JP5181283A JP18128393A JPH0738060A JP H0738060 A JPH0738060 A JP H0738060A JP 5181283 A JP5181283 A JP 5181283A JP 18128393 A JP18128393 A JP 18128393A JP H0738060 A JPH0738060 A JP H0738060A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波整合回路用などに適し、かつレーザ光
による高速トリミングも可能な膜型キャパシター、およ
び膜型キャパシターのトリミング方法の提供。 【構成】 誘電体層６を介して一体的に配設された対向
電極層５，７を具備して成る膜型キャパシターにおい
て、前記電極層５，７の少なくとも一部の対向領域が細
分化5a，7aされ、かつ細分化された電極層5a，7a同士の
接続導体5b，7bを対向面間で非対称的に配置したことを
特徴とし、また前記構成の膜型キャパシターの細分化さ
れた電極層5a，7a同士の接続導体5b，7bを選択的にレー
ザ光を照射して電気的に切り離し、キャパシターをトリ
ミングすることを特徴とする。
による高速トリミングも可能な膜型キャパシター、およ
び膜型キャパシターのトリミング方法の提供。 【構成】 誘電体層６を介して一体的に配設された対向
電極層５，７を具備して成る膜型キャパシターにおい
て、前記電極層５，７の少なくとも一部の対向領域が細
分化5a，7aされ、かつ細分化された電極層5a，7a同士の
接続導体5b，7bを対向面間で非対称的に配置したことを
特徴とし、また前記構成の膜型キャパシターの細分化さ
れた電極層5a，7a同士の接続導体5b，7bを選択的にレー
ザ光を照射して電気的に切り離し、キャパシターをトリ
ミングすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は膜型キャパシターおよび
そのトリミング方法に係り、さらに詳しくは、誘電体層
にダメージが与えられた場合も、これがキャパシターの
電気的な特性に影響を及ぼさないようなレーザ光トリミ
ングを適用し得る膜型キャパシターおよびそのトリミン
グ方法に関する。
そのトリミング方法に係り、さらに詳しくは、誘電体層
にダメージが与えられた場合も、これがキャパシターの
電気的な特性に影響を及ぼさないようなレーザ光トリミ
ングを適用し得る膜型キャパシターおよびそのトリミン
グ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばチップキャパシターなどの膜型
キャパシターは、各種の電子回路装置の構成部品として
実用に供されている。すなわち、図３に要部構成を断面
的に示すごとく、たとえばSi，サファイア，あるいはセ
ラミックスから成る基板１面上に、第１の金属系電極層
２，誘電体層３，および第２の金属系電極層４を順次積
層的に形成した構成の膜型キャパシターが知られてい
る。なお、この膜型キャパシターの構成において、両金
属系電極層２，４は、たとえばAu／NiCr，Au／Ti／NiC
r，Au／Pt／Ti／NiCr，Au／Ni／Cr／NiCrもしくはAlな
どであり、これらは蒸着法やスパッタリング法，もしく
はメッキ法などにより形成されている。また、誘電体層
３は、たとえば BaSrTiO3 ， SrTiO3 ，Ta2 O 5 ， SiO
2 ，Al2 O 3 などのバイアススパッタリングや CVDなど
により形成される。そして、これらのパターニングは、
マスクなどを用いた選択的な蒸着法やスパッタリング
法、もしくは選択的なフォトエッチング処理などにより
なされている。
キャパシターは、各種の電子回路装置の構成部品として
実用に供されている。すなわち、図３に要部構成を断面
的に示すごとく、たとえばSi，サファイア，あるいはセ
ラミックスから成る基板１面上に、第１の金属系電極層
２，誘電体層３，および第２の金属系電極層４を順次積
層的に形成した構成の膜型キャパシターが知られてい
る。なお、この膜型キャパシターの構成において、両金
属系電極層２，４は、たとえばAu／NiCr，Au／Ti／NiC
r，Au／Pt／Ti／NiCr，Au／Ni／Cr／NiCrもしくはAlな
どであり、これらは蒸着法やスパッタリング法，もしく
はメッキ法などにより形成されている。また、誘電体層
３は、たとえば BaSrTiO3 ， SrTiO3 ，Ta2 O 5 ， SiO
2 ，Al2 O 3 などのバイアススパッタリングや CVDなど
により形成される。そして、これらのパターニングは、
マスクなどを用いた選択的な蒸着法やスパッタリング
法、もしくは選択的なフォトエッチング処理などにより
なされている。
【０００３】一方、上記構成の膜型キャパシターは、そ
の用途に応じた仕様，規格ないし設計に対応して、金属
系電極層２，４の大きさ・形状、誘電体層３の材質や厚
さなどを選択・設定しているが、現実には製品の容量値
にバラツキが生じる。したがって、実装回路などへの組
み込みに先立って、膜型キャパシターの容量値を測定
し、要すればレーザ光などを利用したトリミング処理を
施して、膜型キャパシターの容量値を調整している。
の用途に応じた仕様，規格ないし設計に対応して、金属
系電極層２，４の大きさ・形状、誘電体層３の材質や厚
さなどを選択・設定しているが、現実には製品の容量値
にバラツキが生じる。したがって、実装回路などへの組
み込みに先立って、膜型キャパシターの容量値を測定
し、要すればレーザ光などを利用したトリミング処理を
施して、膜型キャパシターの容量値を調整している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記膜型キ
ャパシターのトリミングは、金属系電極層２，４の一部
を揮散・切除し、キャパシターとして機能する領域を適
宜低減化することにより、容量値を任意に設定する手段
である。そして、前記金属系電極層２，４の一部を切り
離し、もしくは揮散・切除する熱源として、レーザ光を
用いた場合は、いわゆるビーム照射が可能であるため、
微調整など比較的行い易い利点がある反面、次のような
不都合な問題も認められる。すなわち、誘電体層３を挟
んで配設されている金属系電極層２，４のうち、たとえ
ば上層の電極層（第２の金属系電極層）４に、適宜パワ
ーを調整したレーザ（ビーム）光を照射して、電極層４
の一部をトリミング除去した場合、照射レーザのパワー
が微調整されているとはいえ、前記レーザー光の照射領
域ないしその近傍の誘電体層３の劣化が招来される。
ャパシターのトリミングは、金属系電極層２，４の一部
を揮散・切除し、キャパシターとして機能する領域を適
宜低減化することにより、容量値を任意に設定する手段
である。そして、前記金属系電極層２，４の一部を切り
離し、もしくは揮散・切除する熱源として、レーザ光を
用いた場合は、いわゆるビーム照射が可能であるため、
微調整など比較的行い易い利点がある反面、次のような
不都合な問題も認められる。すなわち、誘電体層３を挟
んで配設されている金属系電極層２，４のうち、たとえ
ば上層の電極層（第２の金属系電極層）４に、適宜パワ
ーを調整したレーザ（ビーム）光を照射して、電極層４
の一部をトリミング除去した場合、照射レーザのパワー
が微調整されているとはいえ、前記レーザー光の照射領
域ないしその近傍の誘電体層３の劣化が招来される。
【０００５】さらに詳述すると、レーザ光を照射した電
極層４の下側ないし近傍に位置する誘電体層３に、程度
差はあってもマイクロクラックが発生したり、除去され
た金属成分が侵入（拡散）したり、あるいは結晶状態の
変化を引き起こしたりする。そして、この誘電体層３の
部分的な劣化は、 (a)両電極層２，４間の電流リーク増
大、 (b)膜型キャパシターの耐圧低下、 (c)容量値の温
度係数（TCR)変化、(d)容量値の経時変化の増大などを
もたらし、結果的に歩留まりや信頼性が損なわれること
になる。このような問題は、たとえば高周波整合回路な
どにおいて、構成部品として用いる膜型キャパシター
に、高性能化ないし高信頼性化などが要求されつつある
現状に対し、由々しい問題といわざるを得ない。
極層４の下側ないし近傍に位置する誘電体層３に、程度
差はあってもマイクロクラックが発生したり、除去され
た金属成分が侵入（拡散）したり、あるいは結晶状態の
変化を引き起こしたりする。そして、この誘電体層３の
部分的な劣化は、 (a)両電極層２，４間の電流リーク増
大、 (b)膜型キャパシターの耐圧低下、 (c)容量値の温
度係数（TCR)変化、(d)容量値の経時変化の増大などを
もたらし、結果的に歩留まりや信頼性が損なわれること
になる。このような問題は、たとえば高周波整合回路な
どにおいて、構成部品として用いる膜型キャパシター
に、高性能化ないし高信頼性化などが要求されつつある
現状に対し、由々しい問題といわざるを得ない。
【０００６】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、高周波整合回路用などに適し、かつレーザ光による
高速トリミングも可能な膜型キャパシター、および膜型
キャパシターのトリミング方法の提供を目的とする。
で、高周波整合回路用などに適し、かつレーザ光による
高速トリミングも可能な膜型キャパシター、および膜型
キャパシターのトリミング方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る膜型キャパ
シターは、誘電体層を介して一体的に配設された対向電
極層を具備して成る膜型キャパシターにおいて、前記電
極層の少なくとも一部の対向領域が細分化され、かつ細
分化された電極層同士の接続導体を対向面間で非対称的
に配置したことを特徴とし、また本発明に係る膜型キャ
パシターのトリミング方法は、誘電体層を介して一体的
に配設された対向電極層を具備して成る膜型キャパシタ
ーのレーザ光トリミングにおいて、前記電極層の少なく
とも一部の対向領域が細分化され、かつ細分化された電
極層同士の接続導体を対向面間で非対称的に配置した構
成と成し、前記対向面間では非対称的に配置されている
細分化された電極層同士の接続導体を選択的にレーザ光
を照射して電気的に切り離し、キャパシターをトリミン
グすることを特徴とする。
シターは、誘電体層を介して一体的に配設された対向電
極層を具備して成る膜型キャパシターにおいて、前記電
極層の少なくとも一部の対向領域が細分化され、かつ細
分化された電極層同士の接続導体を対向面間で非対称的
に配置したことを特徴とし、また本発明に係る膜型キャ
パシターのトリミング方法は、誘電体層を介して一体的
に配設された対向電極層を具備して成る膜型キャパシタ
ーのレーザ光トリミングにおいて、前記電極層の少なく
とも一部の対向領域が細分化され、かつ細分化された電
極層同士の接続導体を対向面間で非対称的に配置した構
成と成し、前記対向面間では非対称的に配置されている
細分化された電極層同士の接続導体を選択的にレーザ光
を照射して電気的に切り離し、キャパシターをトリミン
グすることを特徴とする。
【０００８】本発明に係る膜型キャパシターは、たとえ
ばSi，サファイア，あるいはセラミックスなどの薄板を
基板とし、この基板面上に、第１の金属系電極層（下層
電極層），誘電体層，および前記第１の金属系電極層に
対向する第２の金属系電極層（上層電極層）を積層的に
形成した構成を成している。そして、前記、両金属系電
極層は、たとえばAu／NiCr，Au／Ti／NiCr，Au／Pt／Ti
／NiCr，Au／Ni／Cr／NiCrもしくはAlなどであり、これ
らは蒸着法やスパッタリング法，もしくはメッキ法など
により形成されている。
ばSi，サファイア，あるいはセラミックスなどの薄板を
基板とし、この基板面上に、第１の金属系電極層（下層
電極層），誘電体層，および前記第１の金属系電極層に
対向する第２の金属系電極層（上層電極層）を積層的に
形成した構成を成している。そして、前記、両金属系電
極層は、たとえばAu／NiCr，Au／Ti／NiCr，Au／Pt／Ti
／NiCr，Au／Ni／Cr／NiCrもしくはAlなどであり、これ
らは蒸着法やスパッタリング法，もしくはメッキ法など
により形成されている。
【０００９】また、誘電体層３は、たとえば BaSrTi
O3 ， SrTiO3 ，Ta2 O 5 ， SiO2 ，Al2 O 3 などをバ
イアススパッタリングなどして形成されている。つま
り、基本的には従来の膜型キャパシターの場合と同様な
構成を成しているが、前記対向する両電極層の少なくと
も一部の対向領域が、容量値の微調整を成す領域として
電気的に接続した状態で細分化され、かつ細分化された
電極層同士の接続導体を対向面間で非対称的に配置した
構成をもって特徴付けられる。さらに、トリミング方法
は、前記構成の膜型キャパシターにおいて、少なくとも
一部が細分化された電極層同士の接続導体に、選択的に
レーザ光を照射・切断して、電気的に切り離し、容量値
を微調整することを骨子とするものである。
O3 ， SrTiO3 ，Ta2 O 5 ， SiO2 ，Al2 O 3 などをバ
イアススパッタリングなどして形成されている。つま
り、基本的には従来の膜型キャパシターの場合と同様な
構成を成しているが、前記対向する両電極層の少なくと
も一部の対向領域が、容量値の微調整を成す領域として
電気的に接続した状態で細分化され、かつ細分化された
電極層同士の接続導体を対向面間で非対称的に配置した
構成をもって特徴付けられる。さらに、トリミング方法
は、前記構成の膜型キャパシターにおいて、少なくとも
一部が細分化された電極層同士の接続導体に、選択的に
レーザ光を照射・切断して、電気的に切り離し、容量値
を微調整することを骨子とするものである。
【００１０】
【作用】上記本発明に係る膜型キャパシターは、いわゆ
る容量値調整部として、互いに対向する電極層の少なく
とも一部を細分化し、かつこの細分化された電極層部同
士を導体で接続した領域を具備するとともに、前記細分
化された電極層部同士を接続する導体を対向面間では非
対称的に配置した構成を成している。つまり、膜型キャ
パシターは、容量値調整部を予め備えており、容量値調
整部における接続導体の一部を電気的に順次切断し、細
分化された電極層部のキャパシター機能を消失させるこ
とによって、容量値を任意に微調整しえることになる。
しかも、前記接続導体の一部を電気的に順次切断するに
当たり、レーザ光を照射した場合、そのレーザ光を照射
した対向面には、キャパシターとして機能する電極層も
存在しないため、前記レーザ光の照射に伴う誘電体層の
劣化に起因する悪影響、換言すると両電極層間の電流リ
ーク，耐圧低下，容量値の温度係数（TCR)変化，容量値
の経時変化など不都合な問題が容易に解消され、高周波
整合回路用などに適するとともに、レーザ光による高速
トリミング可能な膜型キャパシターが提供される。
る容量値調整部として、互いに対向する電極層の少なく
とも一部を細分化し、かつこの細分化された電極層部同
士を導体で接続した領域を具備するとともに、前記細分
化された電極層部同士を接続する導体を対向面間では非
対称的に配置した構成を成している。つまり、膜型キャ
パシターは、容量値調整部を予め備えており、容量値調
整部における接続導体の一部を電気的に順次切断し、細
分化された電極層部のキャパシター機能を消失させるこ
とによって、容量値を任意に微調整しえることになる。
しかも、前記接続導体の一部を電気的に順次切断するに
当たり、レーザ光を照射した場合、そのレーザ光を照射
した対向面には、キャパシターとして機能する電極層も
存在しないため、前記レーザ光の照射に伴う誘電体層の
劣化に起因する悪影響、換言すると両電極層間の電流リ
ーク，耐圧低下，容量値の温度係数（TCR)変化，容量値
の経時変化など不都合な問題が容易に解消され、高周波
整合回路用などに適するとともに、レーザ光による高速
トリミング可能な膜型キャパシターが提供される。
【００１１】
【実施例】以下本発明に係る膜型キャパシターの要部構
成例を示す図１ (a)， (b)および図２を参照して本発明
の実施例を説明する。
成例を示す図１ (a)， (b)および図２を参照して本発明
の実施例を説明する。
【００１２】図１ (a)， (b)は膜型キャパシターの互い
に異なる構成例の要部平面図、図２は図１ (a)のＡ−Ｂ
線に沿った断面図である。図１ (a)， (b)において、５
は主たるキャパシター部を成す第２の金属系電極層（上
層電極層）、5aは前記主たるキャパシター部を成す第２
の金属系電極層５にそれぞれ接続導体5bを介して電気的
に接続した細分化された電極層であり、これらはたとえ
ばAu／NiCr層で形成されている。６は誘電体層、たとえ
ばSrTiO 3 層であり、前記主たるキャパシター部を成す
第２の金属系電極層５および細分化された電極層5aに対
向したパターンを成して、たとえばセラミックス基板
（図示せず）に配設されている主たるキャパシター部を
成す第１の金属系電極層（下層電極層）７、および第１
の金属系電極層７にそれぞれ接続導体7bを介して電気的
に接続した細分化された電極層7aとの間に配設されてい
る。そして、前記構成において、主たるキャパシター部
を成す金属系電極層５，７と細分化された電極層5a，7a
とを接続する導体（パターン）5b，7bは、対向面間で非
対称的に配置された構成を採っている。すなわち、図２
に断面的に示すごとく、前記金属系電極層５，７と細分
化された電極層5a，7aとを接続する接続導体5b，7bは、
相互がズレた配設・位置の関係にある。なお、図２にお
いて、８は支持基板としてのセラミックス基板である。
に異なる構成例の要部平面図、図２は図１ (a)のＡ−Ｂ
線に沿った断面図である。図１ (a)， (b)において、５
は主たるキャパシター部を成す第２の金属系電極層（上
層電極層）、5aは前記主たるキャパシター部を成す第２
の金属系電極層５にそれぞれ接続導体5bを介して電気的
に接続した細分化された電極層であり、これらはたとえ
ばAu／NiCr層で形成されている。６は誘電体層、たとえ
ばSrTiO 3 層であり、前記主たるキャパシター部を成す
第２の金属系電極層５および細分化された電極層5aに対
向したパターンを成して、たとえばセラミックス基板
（図示せず）に配設されている主たるキャパシター部を
成す第１の金属系電極層（下層電極層）７、および第１
の金属系電極層７にそれぞれ接続導体7bを介して電気的
に接続した細分化された電極層7aとの間に配設されてい
る。そして、前記構成において、主たるキャパシター部
を成す金属系電極層５，７と細分化された電極層5a，7a
とを接続する導体（パターン）5b，7bは、対向面間で非
対称的に配置された構成を採っている。すなわち、図２
に断面的に示すごとく、前記金属系電極層５，７と細分
化された電極層5a，7aとを接続する接続導体5b，7bは、
相互がズレた配設・位置の関係にある。なお、図２にお
いて、８は支持基板としてのセラミックス基板である。
【００１３】上記においては、膜型キャパシターとし
て、主たるキャパシター部を成す領域と、容量値調整用
の領域（電極層を細分化した領域）とに区分した構成を
例示したが、全体的に電極層を細分化した領域とした場
合は、たとえば細分化電極層間で、適宜裁断分離するこ
とにより任意の容量値を有する膜型キャパシターとして
使用することが可能である。そして、前記容量値調整用
のキャパシターを構成する電極層の細分化は、換言する
と細分化する電極層の寸法，形状、細分化電極層間の距
離などは、膜型キャパシターに要求される精度などによ
って任意に選択・設定することが可能であり、さらに、
膜型キャパシターは支持基板を用いずに、両面に電極層
が露出したいわゆる単板の構成を採ってもよい。
て、主たるキャパシター部を成す領域と、容量値調整用
の領域（電極層を細分化した領域）とに区分した構成を
例示したが、全体的に電極層を細分化した領域とした場
合は、たとえば細分化電極層間で、適宜裁断分離するこ
とにより任意の容量値を有する膜型キャパシターとして
使用することが可能である。そして、前記容量値調整用
のキャパシターを構成する電極層の細分化は、換言する
と細分化する電極層の寸法，形状、細分化電極層間の距
離などは、膜型キャパシターに要求される精度などによ
って任意に選択・設定することが可能であり、さらに、
膜型キャパシターは支持基板を用いずに、両面に電極層
が露出したいわゆる単板の構成を採ってもよい。
【００１４】なお、以上のような薄膜キャパシターは、
たとえば回路装置の基板上に実装するか、もしくは基板
上に直接形成することにより設けることも可能である。
たとえば回路装置の基板上に実装するか、もしくは基板
上に直接形成することにより設けることも可能である。
【００１５】次に、上記構成の膜型キャパシターのトリ
ミングについて説明する。たとえば図１ (a)に平面的に
図示した構成の膜型キャパシターをレーザビームでトリ
ミングする場合、主たるキャパシター部を成す電極層
５，７と細分化された電極層5a，7aとを接続する導体5
b，7bの厚さや金属の種類、誘電体層６の厚さや組成な
どを考慮して予めパワーを設定したレーザビームを、電
極層５と細分化された電極層5aとを接続するいずれかの
導体5bに照射・切断して、その導体5bによって接続され
ていた電極層５と細分化された電極層5aとを電気的に切
断する。つまり、前記電気的に切断された電極層5aとこ
れに対応する電極層7aとで構成していたキャパシター分
の容量が低減され、少なくともその分だけ容量値が低減
・調整されることになる。さらに、容量値の低減・調整
を要する場合は、電極層５と他の細分化された電極層5a
とを接続する導体5bに、レーザビームを照射・切断し
て、その導体5bによって接続されていた電極層５と細分
化された電極層5aとを電気的に切断する工程を順次繰り
返すことにより、所要の容量値の低減化・調整を図るこ
とが可能である。また、この際、前記電気的に切断され
る細分化された電極層5aに対応する細分化された電極層
7aと電極層７とを接続する導体7bに、レーザビームを照
射して切断することも可能である。
ミングについて説明する。たとえば図１ (a)に平面的に
図示した構成の膜型キャパシターをレーザビームでトリ
ミングする場合、主たるキャパシター部を成す電極層
５，７と細分化された電極層5a，7aとを接続する導体5
b，7bの厚さや金属の種類、誘電体層６の厚さや組成な
どを考慮して予めパワーを設定したレーザビームを、電
極層５と細分化された電極層5aとを接続するいずれかの
導体5bに照射・切断して、その導体5bによって接続され
ていた電極層５と細分化された電極層5aとを電気的に切
断する。つまり、前記電気的に切断された電極層5aとこ
れに対応する電極層7aとで構成していたキャパシター分
の容量が低減され、少なくともその分だけ容量値が低減
・調整されることになる。さらに、容量値の低減・調整
を要する場合は、電極層５と他の細分化された電極層5a
とを接続する導体5bに、レーザビームを照射・切断し
て、その導体5bによって接続されていた電極層５と細分
化された電極層5aとを電気的に切断する工程を順次繰り
返すことにより、所要の容量値の低減化・調整を図るこ
とが可能である。また、この際、前記電気的に切断され
る細分化された電極層5aに対応する細分化された電極層
7aと電極層７とを接続する導体7bに、レーザビームを照
射して切断することも可能である。
【００１６】ところで、前記膜型キャパシターの容量値
トリミングにおいては、電極層５，７と細分化された電
極層5a，7aとを、レーザビームの照射により導体5b，7b
を切断し、電気的に切り離すとき、レーザビームの照射
領域ないしその近傍領域の誘電体層６が部分的に劣化し
ても、この劣化領域はキャパシターとして機能する領域
から外れるため、容量値を調整した（トリミング済み）
膜型キャパシターの特性に何等悪影響が及ぶ恐れも解消
される。つまり、電極層間の電流リーク，耐圧低下，容
量値の温度係数（TCR)変化，容量値の経時変化などなど
解消・回避され、たとえば高周波整合回路用などに適す
る機能を常に呈する特性の安定した膜型キャパシターに
トリミングすることが可能となる。
トリミングにおいては、電極層５，７と細分化された電
極層5a，7aとを、レーザビームの照射により導体5b，7b
を切断し、電気的に切り離すとき、レーザビームの照射
領域ないしその近傍領域の誘電体層６が部分的に劣化し
ても、この劣化領域はキャパシターとして機能する領域
から外れるため、容量値を調整した（トリミング済み）
膜型キャパシターの特性に何等悪影響が及ぶ恐れも解消
される。つまり、電極層間の電流リーク，耐圧低下，容
量値の温度係数（TCR)変化，容量値の経時変化などなど
解消・回避され、たとえば高周波整合回路用などに適す
る機能を常に呈する特性の安定した膜型キャパシターに
トリミングすることが可能となる。
【００１７】なお、本発明に係る膜型キャパシターおよ
びそのトリミング方法は、前記例示の形態に限定される
ものでなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で、いろ
いろの変形を採り得ることは勿論である。たとえば、電
極は膜厚タイプでもよいし、また接続導体以外の電極層
は必ずしも正対称に対向させておかなくともよい。
びそのトリミング方法は、前記例示の形態に限定される
ものでなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で、いろ
いろの変形を採り得ることは勿論である。たとえば、電
極は膜厚タイプでもよいし、また接続導体以外の電極層
は必ずしも正対称に対向させておかなくともよい。
【００１８】
【発明の効果】上記の如く本発明によれば、膜型キャパ
シターは、容量値調整部を予め備えており、容量値調整
部における接続導体の一部を電気的に順次切断し、細分
化された電極層部のキャパシター機能を消失させること
によって、容量値を任意に微調整しえる構成を成してい
る。そして、前記接続導体の一部を、レーザ光の照射に
より順次電気的に切断したとき、レーザ光を照射した対
向面にキャパシターとして機能する電極層も存在しない
ため、前記レーザ光の照射に伴う誘電体層の劣化に起因
する悪影響も全面的に解消・回避される。つまり、対向
する電極層間の電流リーク，耐圧低下，容量値の温度係
数（TCR)変化，容量値の経時変化など不都合な問題が容
易かつ確実に解消され、高周波整合回路用などに適する
とともに、レーザ光による高速トリミング可能な膜型キ
ャパシターが提供されることになる。
シターは、容量値調整部を予め備えており、容量値調整
部における接続導体の一部を電気的に順次切断し、細分
化された電極層部のキャパシター機能を消失させること
によって、容量値を任意に微調整しえる構成を成してい
る。そして、前記接続導体の一部を、レーザ光の照射に
より順次電気的に切断したとき、レーザ光を照射した対
向面にキャパシターとして機能する電極層も存在しない
ため、前記レーザ光の照射に伴う誘電体層の劣化に起因
する悪影響も全面的に解消・回避される。つまり、対向
する電極層間の電流リーク，耐圧低下，容量値の温度係
数（TCR)変化，容量値の経時変化など不都合な問題が容
易かつ確実に解消され、高周波整合回路用などに適する
とともに、レーザ光による高速トリミング可能な膜型キ
ャパシターが提供されることになる。
【図１】(a)， (b)は本発明に係る膜型キャパシターの
それぞれ異なる要部構成例を示す平面図。
それぞれ異なる要部構成例を示す平面図。
【図２】図１ (a)のＡ−Ｂ線に沿った断面図。
【図３】従来の膜型キャパシターの要部構成を示す断面
図。
図。
１，８…支持基板 ２，７…第１の金属系電極層（下
層電極層） ３，６…誘電体層 ４，５…第２の金
属系電極層（上層電極層） 5a,7a …細分化された電
極層 5b，7b…接続導体部
層電極層） ３，６…誘電体層 ４，５…第２の金
属系電極層（上層電極層） 5a,7a …細分化された電
極層 5b，7b…接続導体部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/01 ３２１
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体層を介して一体的に配設された対
向電極層を具備して成る膜型キャパシターにおいて、 前記電極層の少なくとも一部の対向領域が細分化され、
かつ細分化された電極層同士の接続導体を対向面間で非
対称的に配置して成ることを特徴とする膜型キャパシタ
ー。 - 【請求項２】 誘電体層を介して一体的に配設された対
向電極層を具備して成る膜型キャパシターを絶縁性基板
上に実装もしくは形成した回路装置において、 前記電
極層の少なくとも一部の対向領域が細分化され、かつ細
分化された電極層同士の接続導体を対向面間で非対称的
に配置し、この接続導体の内少なくとも一つをトリミン
グして電気的接続を断絶して成ることを特徴とする回路
装置。 - 【請求項３】 誘電体層を介して一体的に配設された対
向電極層を具備して成る膜型キャパシターのレーザ光ト
リミングにおいて、 前記電極層の少なくとも一部の対向領域が細分化され、
かつ細分化された電極層同士の接続導体を対向面間で非
対称的に配置した構成と成し、前記対向面間では非対称
的に配置されている細分化された電極層同士の接続導体
に選択的にレーザ光を照射し、電気的に切り離してキャ
パシターをトリミングすることを特徴とする膜型キャパ
シターのトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181283A JPH0738060A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 膜型キャパシターおよびそのトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181283A JPH0738060A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 膜型キャパシターおよびそのトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738060A true JPH0738060A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16097989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5181283A Withdrawn JPH0738060A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 膜型キャパシターおよびそのトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738060A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1517596A3 (en) * | 2003-09-18 | 2006-11-02 | E.I. du Pont de Nemours and Company | High tollerance embedded capacitors |
| CN110168682A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-08-23 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容器的制作方法及电容器 |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5181283A patent/JPH0738060A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1517596A3 (en) * | 2003-09-18 | 2006-11-02 | E.I. du Pont de Nemours and Company | High tollerance embedded capacitors |
| CN110168682A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-08-23 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容器的制作方法及电容器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |