JPH0434779B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0434779B2 JPH0434779B2 JP58090981A JP9098183A JPH0434779B2 JP H0434779 B2 JPH0434779 B2 JP H0434779B2 JP 58090981 A JP58090981 A JP 58090981A JP 9098183 A JP9098183 A JP 9098183A JP H0434779 B2 JPH0434779 B2 JP H0434779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sense
- switch
- potential
- turned
- matrix switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M11/00—Coding in connection with keyboards or like devices, i.e. coding of the position of operated keys
- H03M11/20—Dynamic coding, i.e. by key scanning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Input From Keyboards Or The Like (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Push-Button Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マトリツクススイツチの閉接点を検
知する方式に関する。
知する方式に関する。
透明導電シートを用いて多数のスイツチ接点を
XYマトリツクス状に配列形成した如きマトリツ
クススイツチにおいては、一般に、センス線（Ｘ
線）を抵抗を介してある電位までプルアツプして
おき、駆動線（Ｙ線）をスイツチング素子によつ
て順に接地するか、または特定電位点に接続しな
がら（走査）、センス線の電位変化を監視するこ
とにより閉接点（閉スイツチ接点）を検知すると
いうセンス方式を採用している。
XYマトリツクス状に配列形成した如きマトリツ
クススイツチにおいては、一般に、センス線（Ｘ
線）を抵抗を介してある電位までプルアツプして
おき、駆動線（Ｙ線）をスイツチング素子によつ
て順に接地するか、または特定電位点に接続しな
がら（走査）、センス線の電位変化を監視するこ
とにより閉接点（閉スイツチ接点）を検知すると
いうセンス方式を採用している。
しかし、透明導電シートとして酸化インジユー
ム蒸着シートを用いたスイツチマトリツクスのよ
うに、スイツチのオン時抵抗値が高いものに上記
センス方式を適用すると、走査速度が著しく制限
されたり、閉接点を誤つて検出する等の問題があ
つた。即ち、スイツチのオン時抵抗値が高いと、
センス線の電位振幅を十分大きくするためにはプ
ルアツプル用抵抗の抵抗値も増加させなければな
らず、その結果、センス線を含む回路の時定数が
大きくなる。したがつて、ある閉接点の走査を終
つた後もその閉点に接続されているセンス線の電
位が直ぐには回復せず、走査期間が短いと、同セ
ンス線に接続されている他のスイツチ接点の走査
時に同スイツチ接点を閉接点と誤検出してしまう
という問題が起こる。
ム蒸着シートを用いたスイツチマトリツクスのよ
うに、スイツチのオン時抵抗値が高いものに上記
センス方式を適用すると、走査速度が著しく制限
されたり、閉接点を誤つて検出する等の問題があ
つた。即ち、スイツチのオン時抵抗値が高いと、
センス線の電位振幅を十分大きくするためにはプ
ルアツプル用抵抗の抵抗値も増加させなければな
らず、その結果、センス線を含む回路の時定数が
大きくなる。したがつて、ある閉接点の走査を終
つた後もその閉点に接続されているセンス線の電
位が直ぐには回復せず、走査期間が短いと、同セ
ンス線に接続されている他のスイツチ接点の走査
時に同スイツチ接点を閉接点と誤検出してしまう
という問題が起こる。
本発明の目的は、上記のような問題を解決でき
るマトリツクススイツチ・センス方式を提供する
ことにある。
るマトリツクススイツチ・センス方式を提供する
ことにある。
本発明は、センス線のプルアツプ用抵抗にスイ
ツチング素子を並列接続し、このスイツチング素
子を適宜オンさせてセンス線の電位回復を高速化
することにより、上記問題点を解決するものであ
る。
ツチング素子を並列接続し、このスイツチング素
子を適宜オンさせてセンス線の電位回復を高速化
することにより、上記問題点を解決するものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。
る。
１はマトリツクススイツチであり、例えば前述し
たような酸化インジユームを蒸着した透明導電シ
ートによつて作られたものである。Y1〜Yoは駆
動線（Ｙ線）、X1〜Xnはセンス線（Ｘ線）であ
り、それらの交差点（XYマトリツクスの格子
点）にスイツチ接点S11〜Snoが配列形成されてい
る。これらスイツチ接点S11〜Snoは押圧された時
に閉成する。
たような酸化インジユームを蒸着した透明導電シ
ートによつて作られたものである。Y1〜Yoは駆
動線（Ｙ線）、X1〜Xnはセンス線（Ｘ線）であ
り、それらの交差点（XYマトリツクスの格子
点）にスイツチ接点S11〜Snoが配列形成されてい
る。これらスイツチ接点S11〜Snoは押圧された時
に閉成する。
駆動線Y1〜Yoは走査パルスy1〜yoによつて駆
動されるバイポーラトランジスタQ1〜Qoを介し
て接地され、センス線X1〜Xnはプルアツプ用抵
抗R1〜Rnを介して＋Ｖの電位点に接続される。
これら抵抗R1〜Rnの抵抗値は、スイツチ接点S11
〜Sonのオン抵抗より十分大きく（例えば５〜10
倍の値に）選ばれる。
動されるバイポーラトランジスタQ1〜Qoを介し
て接地され、センス線X1〜Xnはプルアツプ用抵
抗R1〜Rnを介して＋Ｖの電位点に接続される。
これら抵抗R1〜Rnの抵抗値は、スイツチ接点S11
〜Sonのオン抵抗より十分大きく（例えば５〜10
倍の値に）選ばれる。
ここまでの構成は従来と同様であるが、本発明
によれば、電界効果トランジスタT1〜Tnが抵抗
R1〜Rnに並列接続される。この電界効果トラン
ジスタT1〜Toとしては、オン時のドレイン・ソ
ース間抵抗値が抵抗R1〜Rnより十分小さいもの
を選ぶ。Ｐは電界効果トランジスタT1〜Tnを一
斉にオンオフさせるための制御パルスである。
によれば、電界効果トランジスタT1〜Tnが抵抗
R1〜Rnに並列接続される。この電界効果トラン
ジスタT1〜Toとしては、オン時のドレイン・ソ
ース間抵抗値が抵抗R1〜Rnより十分小さいもの
を選ぶ。Ｐは電界効果トランジスタT1〜Tnを一
斉にオンオフさせるための制御パルスである。
第２図は動作説明の波形図である。この図を参
照して動作を説明する。
照して動作を説明する。
図示のような走査パルスy1〜yoによつてバイポ
ーラトランジスタQ1〜Qoは順にオンし、駆動線
Y1〜Yoを順に接地する。スイツチ接点S11〜Sno
のすべてが開いている場合、駆動線Y1〜Yoとセ
ンス線X1〜Xoは開路されているから、全センス
線の電位は＋Ｖ電位まで引き上げられたままであ
る。
ーラトランジスタQ1〜Qoは順にオンし、駆動線
Y1〜Yoを順に接地する。スイツチ接点S11〜Sno
のすべてが開いている場合、駆動線Y1〜Yoとセ
ンス線X1〜Xoは開路されているから、全センス
線の電位は＋Ｖ電位まで引き上げられたままであ
る。
今、スイツチ接点S11だけが閉じているとする。
駆動線Y1のバイポーラトランジスタQ1がオンす
ると、センス線X1の電位v1は第２図に示すよう
に略々Qvまで降下し、センス線X1に接続されて
いるセンス回路（図中省略されている）の判定閾
値vthを下回わるため、同センス回路はスイツチ
接点S11を閉接点として検知する。
駆動線Y1のバイポーラトランジスタQ1がオンす
ると、センス線X1の電位v1は第２図に示すよう
に略々Qvまで降下し、センス線X1に接続されて
いるセンス回路（図中省略されている）の判定閾
値vthを下回わるため、同センス回路はスイツチ
接点S11を閉接点として検知する。
その後、バイポーラトランジスタQ1がオフし、
次の駆動線Y2のバイポーラトランジスタQ2がオ
ンすると、センス線X1は＋Ｖ電位に向つてプル
アツプされる。ここで従来であれば、センス線
X1の電位v1は、センス線X1と抵抗R1で決まる時
定数カーブに沿つて図中鎖線２に示すように緩慢
に上昇し、バイポーラトランジスタQ2のオン時
点でもv1＜vthであるため、スイツチ接点S12を閉
接点として誤検知するという問題が起こる。ま
た、それを防止するために、バイポーラトランジ
スタQ2のオンをバイポーラトランジスタQ1のオ
フから相当に遅らせなければならず、マトリツク
ススイツチ１の走査速度が著しく遅くなるという
問題が起こる。
次の駆動線Y2のバイポーラトランジスタQ2がオ
ンすると、センス線X1は＋Ｖ電位に向つてプル
アツプされる。ここで従来であれば、センス線
X1の電位v1は、センス線X1と抵抗R1で決まる時
定数カーブに沿つて図中鎖線２に示すように緩慢
に上昇し、バイポーラトランジスタQ2のオン時
点でもv1＜vthであるため、スイツチ接点S12を閉
接点として誤検知するという問題が起こる。ま
た、それを防止するために、バイポーラトランジ
スタQ2のオンをバイポーラトランジスタQ1のオ
フから相当に遅らせなければならず、マトリツク
ススイツチ１の走査速度が著しく遅くなるという
問題が起こる。
これに対し本実施例においては、電界効果トラ
ンジスタT1が図示のタイミングでオンして抵抗
R1の両端間を短絡するため、センス線X1の電位
v1は急速に上昇し、バイポーラトランジスタQ2
のオン時点でv1＞vthとなり、スイツチ接点S12を
誤つて閉接点として検知することはなくなる。し
たがつて、図示のようなタイミングの走査パルス
y1〜yoにより、マトリツクススイツチ１を高速で
走査することが可能となるわけである。
ンジスタT1が図示のタイミングでオンして抵抗
R1の両端間を短絡するため、センス線X1の電位
v1は急速に上昇し、バイポーラトランジスタQ2
のオン時点でv1＞vthとなり、スイツチ接点S12を
誤つて閉接点として検知することはなくなる。し
たがつて、図示のようなタイミングの走査パルス
y1〜yoにより、マトリツクススイツチ１を高速で
走査することが可能となるわけである。
第３図は本発明の他の実施例を説明するための
波形図である。本実施例は前記実施例と同じ回路
構成において、走査パルスy1〜yoのタイミングを
相互間に休止時間ΔTを空けるように変更し、こ
の休止時間ΔTに電界効果トランジスタT1〜Tn
をオンさせるように制御パルスＰのタイミングを
変更する。本実施例においても、休止時間ΔT中
にセンスX1〜Xnは急速に＋Ｖ電位までプルアツ
プされるから、前記実施例と同様の効果を得られ
る。
波形図である。本実施例は前記実施例と同じ回路
構成において、走査パルスy1〜yoのタイミングを
相互間に休止時間ΔTを空けるように変更し、こ
の休止時間ΔTに電界効果トランジスタT1〜Tn
をオンさせるように制御パルスＰのタイミングを
変更する。本実施例においても、休止時間ΔT中
にセンスX1〜Xnは急速に＋Ｖ電位までプルアツ
プされるから、前記実施例と同様の効果を得られ
る。
なお、電界効果トランジスタT1〜Tnは必ずし
も休止時間ΔTの全期間にわたつてオンさせなく
てもよく、センス線X1〜Xnの電位をvth以上に引
き上げるに足る一部期間のみオンさせてもよい。
も休止時間ΔTの全期間にわたつてオンさせなく
てもよく、センス線X1〜Xnの電位をvth以上に引
き上げるに足る一部期間のみオンさせてもよい。
ここで付言すれば、電界効果トランジスタT1
〜TnやバイポーラトランジスタQ1〜Qoは、他の
適当なスイツチング素子に変更してもよい。ま
た、駆動Y1〜Yoをスイツチング素子により接地
する代りに、他の適当な電位点に接続するように
してもよい。さらに、センス線X1〜Xnの一端を
終端するようにしてもよい。
〜TnやバイポーラトランジスタQ1〜Qoは、他の
適当なスイツチング素子に変更してもよい。ま
た、駆動Y1〜Yoをスイツチング素子により接地
する代りに、他の適当な電位点に接続するように
してもよい。さらに、センス線X1〜Xnの一端を
終端するようにしてもよい。
以上説明したように本発明によれば、スイツチ
接点のオン時抵抗値の高いマトリツクススイツチ
に対しても、高速で走査しながら閉接点を正確に
検知することが可能になるという効果を得られ
る。
接点のオン時抵抗値の高いマトリツクススイツチ
に対しても、高速で走査しながら閉接点を正確に
検知することが可能になるという効果を得られ
る。
第１図は本実施例の一実施例を示す回路図、第
２図は同実施例の動作説明用の波形図、第３図は
本発明の他の実施例を説明するための波形図であ
る。 １……マトリツクススイツチ、Y1〜Yo……駆
動線、X1〜Xn……センス線、S11〜Sno……スイ
ツチ接点、Q1…Qo……バイポーラトランジスタ、
T1〜Tn……電界効果トランジスタ、R1〜Rn……
プルアツプ用抵抗。
２図は同実施例の動作説明用の波形図、第３図は
本発明の他の実施例を説明するための波形図であ
る。 １……マトリツクススイツチ、Y1〜Yo……駆
動線、X1〜Xn……センス線、S11〜Sno……スイ
ツチ接点、Q1…Qo……バイポーラトランジスタ、
T1〜Tn……電界効果トランジスタ、R1〜Rn……
プルアツプ用抵抗。
Claims (1)
- １ マトリツクススイツチのセンス線を抵抗要素
を介して特定電位点に接続すると共に、該マトリ
ツクススイツチの駆動線を第１のスイツチング素
子を介して他の特定電位点に接続し、該第１のス
イツチング素子を一定期間ずつ順にオンとした時
の該センス線の電位から該マトリツクススイツチ
の閉接点を検知するマトリツクススイツチ・セン
ス方式において、該抵抗要素と並列に第２のスイ
ツチング素子を接続し、該第２のスイツチング素
子を次の第１のスイツチング素子がオンする前に
一定期間オンとすることを特徴とするマトリツク
ススイツチ・センス方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090981A JPS59216234A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | マトリツクススイツチ・センス方式 |
| US06/613,630 US4607251A (en) | 1983-05-24 | 1984-05-24 | Matrix switch apparatus including pull-up resistors for sense lines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090981A JPS59216234A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | マトリツクススイツチ・センス方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216234A JPS59216234A (ja) | 1984-12-06 |
| JPH0434779B2 true JPH0434779B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=14013692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090981A Granted JPS59216234A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | マトリツクススイツチ・センス方式 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4607251A (ja) |
| JP (1) | JPS59216234A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320717A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 対向電極形透明タッチ入力パネルの駆動装置 |
| US5486824A (en) * | 1994-10-05 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | Data processor with a hardware keyscan circuit, hardware keyscan circuit, and method therefor |
| DE10360241B4 (de) * | 2003-12-16 | 2006-04-27 | Visteon Global Technologies, Inc., Dearborn | Schaltmatrix für ein Eingabegerät |
| CN109474282A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 光宝电子(广州)有限公司 | 键盘装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831473A (ja) * | 1971-08-30 | 1973-04-25 | ||
| US3990070A (en) * | 1975-06-23 | 1976-11-02 | Rockwell International Corporation | Strobing scheme and keyboard sensing circuit for a one chip calculator |
| US4075621A (en) * | 1976-11-05 | 1978-02-21 | Atari, Inc. | Hand held communication aid for the dumb |
| CH625072A5 (ja) * | 1978-03-08 | 1981-08-31 | Landis & Gyr Ag | |
| US4318087A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-02 | Rca Corporation | Switch closure sensing circuit |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP58090981A patent/JPS59216234A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-24 US US06/613,630 patent/US4607251A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4607251A (en) | 1986-08-19 |
| JPS59216234A (ja) | 1984-12-06 |
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