JPH04348003A - 永久磁石粉末の製造方法 - Google Patents
永久磁石粉末の製造方法Info
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- JPH04348003A JPH04348003A JP3149457A JP14945791A JPH04348003A JP H04348003 A JPH04348003 A JP H04348003A JP 3149457 A JP3149457 A JP 3149457A JP 14945791 A JP14945791 A JP 14945791A JP H04348003 A JPH04348003 A JP H04348003A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、各種モーター、アク
チュエーターなどに用いることが可能な高保磁力を有す
る新規なR(希土類元素)−T(鉄族元素)−M−C−
N系のボンド磁石用および焼結磁石用永久磁石粉末の製
造方法に係り、本系粗粉砕粉にH2ガスの単独または不
活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中での加熱処理
並びに所定雰囲気で加熱保持する脱H2処理を行い、微
小結晶粒径を有する集合組織粉体となし、さらに窒化処
理することにより、粉末の取扱いが容易でかつ高保磁力
を得るR−T−M−C−N系永久磁石粉末の製造方法に
関する。
チュエーターなどに用いることが可能な高保磁力を有す
る新規なR(希土類元素)−T(鉄族元素)−M−C−
N系のボンド磁石用および焼結磁石用永久磁石粉末の製
造方法に係り、本系粗粉砕粉にH2ガスの単独または不
活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中での加熱処理
並びに所定雰囲気で加熱保持する脱H2処理を行い、微
小結晶粒径を有する集合組織粉体となし、さらに窒化処
理することにより、粉末の取扱いが容易でかつ高保磁力
を得るR−T−M−C−N系永久磁石粉末の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】Nd−Fe−B系永久磁石用粉末として
は、超急冷法、メカニカルアロイング法などにより得ら
れた超微細組織を有する磁石用粉末が用いられてきた。
は、超急冷法、メカニカルアロイング法などにより得ら
れた超微細組織を有する磁石用粉末が用いられてきた。
【0003】Nd−Fe−B系永久磁石用粉末は、キュ
ーリ点(Tc)が300℃前後と低くBr、iHcの温
度係数が大きいため、Co等の添加によりTcを上昇さ
せてBrの温度係数を改善することが可能であるが、B
rの温度係数αはせいぜい−0.08/deg程度が限
度であった。
ーリ点(Tc)が300℃前後と低くBr、iHcの温
度係数が大きいため、Co等の添加によりTcを上昇さ
せてBrの温度係数を改善することが可能であるが、B
rの温度係数αはせいぜい−0.08/deg程度が限
度であった。
【0004】最近、R2Fe17化合物はN2を吸蔵す
ることにより、Tcが絶対温度で2倍近く高くなり、N
d−Fe−B系のTcよりも160℃も高く、さらにS
m2Fe17窒化物ではR2Fe14Bの異方性を上回
る異方性磁界が得られることが報告されている。
ることにより、Tcが絶対温度で2倍近く高くなり、N
d−Fe−B系のTcよりも160℃も高く、さらにS
m2Fe17窒化物ではR2Fe14Bの異方性を上回
る異方性磁界が得られることが報告されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記Sm2Fe17窒
化物は、通常の製造方法では実用上必要とされるiHc
が6kOe以上得られる磁石用粉末が製造できず、必要
な超微細結晶の該磁石用粉末はメカニカルアロイング法
などの特殊な製造方法でのみ得られるため、工業的規模
の量産上問題があった。
化物は、通常の製造方法では実用上必要とされるiHc
が6kOe以上得られる磁石用粉末が製造できず、必要
な超微細結晶の該磁石用粉末はメカニカルアロイング法
などの特殊な製造方法でのみ得られるため、工業的規模
の量産上問題があった。
【0006】また、Sm2Fe17窒化物を得るための
窒化反応は、反応速度が遅いため窒化処理前に原料粉を
予め10μm以下に微粉砕しておかないと、N原子が粉
末の内部まで拡散せず、しかも前記の10μm以下の微
粉砕粉は後工程での取扱いが困難で、細心の注意をはら
わないと、発火あるいは容易に酸化して特性が劣化、さ
らには腐食する問題があった。
窒化反応は、反応速度が遅いため窒化処理前に原料粉を
予め10μm以下に微粉砕しておかないと、N原子が粉
末の内部まで拡散せず、しかも前記の10μm以下の微
粉砕粉は後工程での取扱いが困難で、細心の注意をはら
わないと、発火あるいは容易に酸化して特性が劣化、さ
らには腐食する問題があった。
【0007】また、Sm2Fe17窒化物には資源的に
少ないSmを多く含有することから比較的高価になる問
題があり、資源的に豊富な他元素を含有する永久磁石粉
末が求められている。
少ないSmを多く含有することから比較的高価になる問
題があり、資源的に豊富な他元素を含有する永久磁石粉
末が求められている。
【0008】この発明は、Sm2Fe17N2■3系永
久磁石に代わる組成の永久磁石を得るため、6kOe以
上の保磁力が得られる超微細結晶の該磁石用粉末を容易
に製造でき、かつその後の粉末の取り扱いが容易な新規
な永久磁石粉末の製造方法の提供を目的としている。
久磁石に代わる組成の永久磁石を得るため、6kOe以
上の保磁力が得られる超微細結晶の該磁石用粉末を容易
に製造でき、かつその後の粉末の取り扱いが容易な新規
な永久磁石粉末の製造方法の提供を目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、R 7〜
9at%(R:希土類元素の少なくとも1種でかつPr
またはNdの1種または2種を50%以上含有)、T
67〜90.5at%(T:FeあるいはFeの一部
を50%以下のCo、Niにて置換)、M 3.5〜
17at%(M:Ti,V,Cr,Moの少なくとも1
種含有)、C 0.5〜7at%からなる鋳塊を粗粉
砕して、平均粒度が50〜500μmの少なくとも80
vol%以上がThMn12型結晶構造を有する化合物
からなる粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を0.1〜
10atm(常温換算)のH2ガスまたはそれに等しい
H2分圧を有する不活性ガス(N2ガスを除く)中(但
し全圧力は常温換算で10atm以下)で、500〜9
00℃に30分〜8時間加熱保持し、さらにH2分圧1
×10−2Torr以下の真空中またはN2を除く不活
性ガスとの混合気中にて500〜900℃に30分〜8
時間保持する脱H2処理を行い、平均結晶粒径が0.0
5〜0.5μmの集合組織を有する粉体となし、次に前
記粉体をN2圧力0.5〜50atmのN2ガス中で3
50〜550℃に30分〜6時間保持した後、冷却して
、R 7〜9at%、T 67〜90.5at%、
M 3.5〜17at%、C0.5〜7at%、N
0.8〜8at%を含有し高保磁力を有する永久磁石
粉末を得ることを特徴とする永久磁石粉末の製造方法で
ある。
9at%(R:希土類元素の少なくとも1種でかつPr
またはNdの1種または2種を50%以上含有)、T
67〜90.5at%(T:FeあるいはFeの一部
を50%以下のCo、Niにて置換)、M 3.5〜
17at%(M:Ti,V,Cr,Moの少なくとも1
種含有)、C 0.5〜7at%からなる鋳塊を粗粉
砕して、平均粒度が50〜500μmの少なくとも80
vol%以上がThMn12型結晶構造を有する化合物
からなる粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を0.1〜
10atm(常温換算)のH2ガスまたはそれに等しい
H2分圧を有する不活性ガス(N2ガスを除く)中(但
し全圧力は常温換算で10atm以下)で、500〜9
00℃に30分〜8時間加熱保持し、さらにH2分圧1
×10−2Torr以下の真空中またはN2を除く不活
性ガスとの混合気中にて500〜900℃に30分〜8
時間保持する脱H2処理を行い、平均結晶粒径が0.0
5〜0.5μmの集合組織を有する粉体となし、次に前
記粉体をN2圧力0.5〜50atmのN2ガス中で3
50〜550℃に30分〜6時間保持した後、冷却して
、R 7〜9at%、T 67〜90.5at%、
M 3.5〜17at%、C0.5〜7at%、N
0.8〜8at%を含有し高保磁力を有する永久磁石
粉末を得ることを特徴とする永久磁石粉末の製造方法で
ある。
【0010】
【作用】この発明は、R−T−N系永久磁石において、
粉の取扱いが容易で、6kOe以上の保磁力が得られる
超微細結晶からなる該磁石用粉末の製造方法を目的に種
々検討した結果、Sm2Fe17N2■3に代表される
R−T−N化合物は母体であるR−T化合物を約0.3
μmの単磁区粒子臨界径程度の微結晶の集合組織を有す
る粉体にした後、窒化処理することにより高保磁力を有
するR−T−N系永久磁石用粉末が得られることを知見
した。
粉の取扱いが容易で、6kOe以上の保磁力が得られる
超微細結晶からなる該磁石用粉末の製造方法を目的に種
々検討した結果、Sm2Fe17N2■3に代表される
R−T−N化合物は母体であるR−T化合物を約0.3
μmの単磁区粒子臨界径程度の微結晶の集合組織を有す
る粉体にした後、窒化処理することにより高保磁力を有
するR−T−N系永久磁石用粉末が得られることを知見
した。
【0011】すなわち、発明者らはH2ガス中でR−T
合金を加熱すると、R−T化合物はRH2■3とαFe
等に分解してさらに脱H2処理により以前と同じR−T
化合物が生成されること、さらにその際、H2ガス中加
熱及び脱H2処理の温度、保持時間を制御することによ
り生成するR−T化合物の結晶粒径を制御でき、その後
窒化処理することにより高保磁力を発現する超微細組織
を有するR−T−N系永久磁石用粉末が得られることを
知見した。
合金を加熱すると、R−T化合物はRH2■3とαFe
等に分解してさらに脱H2処理により以前と同じR−T
化合物が生成されること、さらにその際、H2ガス中加
熱及び脱H2処理の温度、保持時間を制御することによ
り生成するR−T化合物の結晶粒径を制御でき、その後
窒化処理することにより高保磁力を発現する超微細組織
を有するR−T−N系永久磁石用粉末が得られることを
知見した。
【0012】また、R2Fe17化合物のみならず、鉄
族元素の希土類化合物は上述の如く、特定の条件のH2
ガス中加熱及び脱H2処理を行うことにより、超微細結
晶の集合組織にすることができ、後続のN2拡散処理に
より磁石特性を制御できることを知見した。
族元素の希土類化合物は上述の如く、特定の条件のH2
ガス中加熱及び脱H2処理を行うことにより、超微細結
晶の集合組織にすることができ、後続のN2拡散処理に
より磁石特性を制御できることを知見した。
【0013】さらに、Sm2Fe17N2■3に代表さ
れるR−T窒化物にかわる組成を種々検討した結果、T
を主成分としRとして少なくともPrまたはNdを含有
し、かつTi,V,Cr,Moの少なくとも1種含有し
た組成のR−T−M窒化物がR−T窒化物と同等の異方
性磁界が得られることを知見し、またCはNと同様に、
R2T17化合物の格子間に入り磁石特性を向上させ、
特にNと併用した場合に良好な磁石特性が得られことを
知見し、上記の特定の条件のH2ガス中加熱及び脱H2
処理を行うことにより、新規なNdFe11TiN0.
1■1に代表されるR−T−M−C−N系永久磁石用粉
末は、所要平均粒度の粗粉砕粉のままで平均結晶粒径が
0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体となすこ
とができ、6kOe以上の保磁力が得られるのみならず
、後工程での粉末の取扱いが極めて容易になることを知
見し、この発明を完成した。
れるR−T窒化物にかわる組成を種々検討した結果、T
を主成分としRとして少なくともPrまたはNdを含有
し、かつTi,V,Cr,Moの少なくとも1種含有し
た組成のR−T−M窒化物がR−T窒化物と同等の異方
性磁界が得られることを知見し、またCはNと同様に、
R2T17化合物の格子間に入り磁石特性を向上させ、
特にNと併用した場合に良好な磁石特性が得られことを
知見し、上記の特定の条件のH2ガス中加熱及び脱H2
処理を行うことにより、新規なNdFe11TiN0.
1■1に代表されるR−T−M−C−N系永久磁石用粉
末は、所要平均粒度の粗粉砕粉のままで平均結晶粒径が
0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体となすこ
とができ、6kOe以上の保磁力が得られるのみならず
、後工程での粉末の取扱いが極めて容易になることを知
見し、この発明を完成した。
【0014】粉末組成の限定理由
この発明の粉末組成において、希土類元素RはY、La
、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、
Er、Tm、Luが包含され、これらのうち少なくとも
1種以上で、PrまたはNdの1種または2種をRの5
0%以上含有し、さらにRのすべてがPrまたはNdあ
るいはPrとNdの場合がある。Rの50%以上をPr
またはNdの1種または2種とするのは、PrまたはN
dの1種または2種が50%未満では十分な磁化が得ら
れないためであり、またPrあるいはNdの使用により
Smに比較して原料コストの低減効果がある。Rは、7
at%未満ではα−Feの析出により保磁力が低下し、
また9at%を超えるとR2Fe17相などが析出して
保磁力が劣化するため、7〜9at%とする。
、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、
Er、Tm、Luが包含され、これらのうち少なくとも
1種以上で、PrまたはNdの1種または2種をRの5
0%以上含有し、さらにRのすべてがPrまたはNdあ
るいはPrとNdの場合がある。Rの50%以上をPr
またはNdの1種または2種とするのは、PrまたはN
dの1種または2種が50%未満では十分な磁化が得ら
れないためであり、またPrあるいはNdの使用により
Smに比較して原料コストの低減効果がある。Rは、7
at%未満ではα−Feの析出により保磁力が低下し、
また9at%を超えるとR2Fe17相などが析出して
保磁力が劣化するため、7〜9at%とする。
【0015】鉄族元素TはFe、Co、Niの少なくと
も1種を包含し、FeをTの50%以上含有することが
重要である。すなわち、T中のFeが50%未満では十
分な磁化が得られず好ましくない。なお、CoをTの5
0%未満添加することはキュリー温度が上昇し、異方性
磁界を若干増加させるので特に好ましい。Tは、67a
t%未満では低保磁力の第2相が析出して保磁力が低下
し、90.5at%を超えるとα−Fe析出により保磁
力、角型性が低下するため、67〜90.5at%とす
る。
も1種を包含し、FeをTの50%以上含有することが
重要である。すなわち、T中のFeが50%未満では十
分な磁化が得られず好ましくない。なお、CoをTの5
0%未満添加することはキュリー温度が上昇し、異方性
磁界を若干増加させるので特に好ましい。Tは、67a
t%未満では低保磁力の第2相が析出して保磁力が低下
し、90.5at%を超えるとα−Fe析出により保磁
力、角型性が低下するため、67〜90.5at%とす
る。
【0016】M、すなわちTi,V,Cr,Moの少な
くとも1種は、ThMn12型構造を有するRFe12
−xMx化合物を生成させる必須元素であり、3.5a
t%未満(xが0.5未満)ではR2Fe17相やα−
Feが析出して目的とする上記化合物が得られず、また
17at%を超える(xが2.0を超える)と磁化が著
しく低下するため、3.5〜17at%とする。
くとも1種は、ThMn12型構造を有するRFe12
−xMx化合物を生成させる必須元素であり、3.5a
t%未満(xが0.5未満)ではR2Fe17相やα−
Feが析出して目的とする上記化合物が得られず、また
17at%を超える(xが2.0を超える)と磁化が著
しく低下するため、3.5〜17at%とする。
【0017】Cは、Nと同様に化合物の格子間に介在し
てR−T−M化合物におけるThMn12型化合物のT
cを上げる効果があるが、0.5at%未満ではその効
果が顕著でなく、また7at%を超えるとThMn12
型構造が不安定となりRC、Fe3Cなどの有害な化合
物を生成して磁石特性を劣化させるため、0.5〜7a
t%とする。
てR−T−M化合物におけるThMn12型化合物のT
cを上げる効果があるが、0.5at%未満ではその効
果が顕著でなく、また7at%を超えるとThMn12
型構造が不安定となりRC、Fe3Cなどの有害な化合
物を生成して磁石特性を劣化させるため、0.5〜7a
t%とする。
【0018】この発明において、平均粒度が50〜50
0μmの少なくとも80vol%以上がThMn12型
結晶構造を有する化合物からなる粗粉砕粉に限定した理
由は、この発明では上記の特定の条件のH2ガス中加熱
前の粗粉砕粉が、実質的にThMn12型構造を有する
化合物であることが必要であり、体積比で80%以上の
ThMn12型化合物であることが望ましい。すなわち
、この発明の組成合金を鋳造法にて作製する場合、鋳塊
内にはThMn12型化合物のほかに、α−FeとTh
2Zn17型が共存しており、この共存比は鋳塊冷却条
件等の製造条件に左右されるが、共存比は後続工程のH
2ガス中加熱、脱H2処理や窒化処理よってはほとんど
変化しない。かかるα−Fe相、Th2Zn17型化合
物が存在すると、得られる磁石粉末の特性、とくにiH
cが低下するため、該粗粉砕粉中にThMn12型化合
物が80vol%以上存在することが必要である。体積
比で80%以上のThMn12型化合物を有する粗粉砕
粉を得るためには、鋳造まま鋳塊を900〜1200℃
の温度に1時間以上焼鈍するか、造塊工程の鋳塊の冷却
時に鋳型の冷却条件を制御するなど、適宜選定できる。
0μmの少なくとも80vol%以上がThMn12型
結晶構造を有する化合物からなる粗粉砕粉に限定した理
由は、この発明では上記の特定の条件のH2ガス中加熱
前の粗粉砕粉が、実質的にThMn12型構造を有する
化合物であることが必要であり、体積比で80%以上の
ThMn12型化合物であることが望ましい。すなわち
、この発明の組成合金を鋳造法にて作製する場合、鋳塊
内にはThMn12型化合物のほかに、α−FeとTh
2Zn17型が共存しており、この共存比は鋳塊冷却条
件等の製造条件に左右されるが、共存比は後続工程のH
2ガス中加熱、脱H2処理や窒化処理よってはほとんど
変化しない。かかるα−Fe相、Th2Zn17型化合
物が存在すると、得られる磁石粉末の特性、とくにiH
cが低下するため、該粗粉砕粉中にThMn12型化合
物が80vol%以上存在することが必要である。体積
比で80%以上のThMn12型化合物を有する粗粉砕
粉を得るためには、鋳造まま鋳塊を900〜1200℃
の温度に1時間以上焼鈍するか、造塊工程の鋳塊の冷却
時に鋳型の冷却条件を制御するなど、適宜選定できる。
【0019】またNは、0.8at%未満では一軸異方
性が得られず、また8at%を超えるとThMn12型
構造が不安定となり、母相がR2Fe17相やα−Fe
に分解して好ましくないため、0.8〜8at%とする
。
性が得られず、また8at%を超えるとThMn12型
構造が不安定となり、母相がR2Fe17相やα−Fe
に分解して好ましくないため、0.8〜8at%とする
。
【0020】製造条件の限定理由
この発明は、所要粒度の粗粉砕粉が外観上その大きさを
変化させることなく、微細結晶組織の集合体が得られる
ことを特徴とし、この点が従来のH2吸蔵粉砕法と本質
的に異なるものである。すなわち、ThMn12型R−
T−M−C化合物を高温でH2ガスと反応させると、R
H2■3、α−Fe、T−M合金相などに相分離し、さ
らにH2ガスを脱気により除去すると、再度ThMn1
2型R−T−M−C化合物の再結晶組織が得られる。出
発原料の粗粉砕方法は従来の機械的な粉砕方法やガスア
トマイズ法のほか、H2吸蔵粉砕法で粗粉砕してもよく
、工程の簡略化のためにこのH2吸蔵による粗粉砕法と
この発明による超微細結晶化のためのH2ガス中加熱処
理を組み合せて、同一装置内で連続的に処理する方法を
採用することも好ましい。この発明において、粗粉砕粉
の平均粒度を50〜500μmに限定したのは、50μ
m未満では粉末の酸化による磁性劣化の恐れがあり、ま
た500μmを超えると窒化処理に長時間を要して好ま
しくないためである。
変化させることなく、微細結晶組織の集合体が得られる
ことを特徴とし、この点が従来のH2吸蔵粉砕法と本質
的に異なるものである。すなわち、ThMn12型R−
T−M−C化合物を高温でH2ガスと反応させると、R
H2■3、α−Fe、T−M合金相などに相分離し、さ
らにH2ガスを脱気により除去すると、再度ThMn1
2型R−T−M−C化合物の再結晶組織が得られる。出
発原料の粗粉砕方法は従来の機械的な粉砕方法やガスア
トマイズ法のほか、H2吸蔵粉砕法で粗粉砕してもよく
、工程の簡略化のためにこのH2吸蔵による粗粉砕法と
この発明による超微細結晶化のためのH2ガス中加熱処
理を組み合せて、同一装置内で連続的に処理する方法を
採用することも好ましい。この発明において、粗粉砕粉
の平均粒度を50〜500μmに限定したのは、50μ
m未満では粉末の酸化による磁性劣化の恐れがあり、ま
た500μmを超えると窒化処理に長時間を要して好ま
しくないためである。
【0021】この発明において、H2ガスの単独または
不活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中での加熱に
際し、H2分圧が0.1atm(常温換算)未満では前
述の分解生成の十分な効果が得られず、10atmを超
えると処理設備が大きくなりすぎ、工業生産コスト的に
好ましくないため、H2分圧を0.1〜10atmとす
る。さらに好ましい範囲は0.5〜1.5atmである
。また、N2ガスを除く不活性ガスとH2ガスとの混合
気を前記H2分圧で用いる場合も、同様の理由により最
大圧力は10atm以下とする。
不活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中での加熱に
際し、H2分圧が0.1atm(常温換算)未満では前
述の分解生成の十分な効果が得られず、10atmを超
えると処理設備が大きくなりすぎ、工業生産コスト的に
好ましくないため、H2分圧を0.1〜10atmとす
る。さらに好ましい範囲は0.5〜1.5atmである
。また、N2ガスを除く不活性ガスとH2ガスとの混合
気を前記H2分圧で用いる場合も、同様の理由により最
大圧力は10atm以下とする。
【0022】H2ガスの単独または不活性ガス(N2ガ
スを除く)との混合気中での加熱処理温度は、500℃
未満ではR−T化合物がH2吸蔵するのみで、RH2■
3とαFe等への分解が行われず、また900℃を超え
るとRH2■3が不安定となりかつ生成物が粒成長して
脱H2後、超微細組織を有するR−T化合物にすること
が困難となるため、500〜900℃の範囲とする。ま
た、加熱処理保持時間は上記の分解反応を十分に行わせ
るためには、30分〜8時間の加熱保持が必要である。
スを除く)との混合気中での加熱処理温度は、500℃
未満ではR−T化合物がH2吸蔵するのみで、RH2■
3とαFe等への分解が行われず、また900℃を超え
るとRH2■3が不安定となりかつ生成物が粒成長して
脱H2後、超微細組織を有するR−T化合物にすること
が困難となるため、500〜900℃の範囲とする。ま
た、加熱処理保持時間は上記の分解反応を十分に行わせ
るためには、30分〜8時間の加熱保持が必要である。
【0023】この発明において、H2ガスの脱H2処理
の温度が500℃未満ではRH2■3の分解が進行せず
、目的とするThMn12型化合物が得られず、900
℃を超えるとThMn12型化合物の再結晶組織が得ら
れるが粒成長のため粗大な組織となり、すぐれた高保磁
力が得られないため、500〜900℃の範囲とする。 また、加熱処理保持時間は上記の分解反応を十分に行わ
せるためには、30分〜8時間の加熱保持が必要である
。
の温度が500℃未満ではRH2■3の分解が進行せず
、目的とするThMn12型化合物が得られず、900
℃を超えるとThMn12型化合物の再結晶組織が得ら
れるが粒成長のため粗大な組織となり、すぐれた高保磁
力が得られないため、500〜900℃の範囲とする。 また、加熱処理保持時間は上記の分解反応を十分に行わ
せるためには、30分〜8時間の加熱保持が必要である
。
【0024】脱H2処理時のH2分圧は、1×10−2
Torrを超えると処理に長時間を要し好ましくないた
め、1×10−2Torr以下とする。H2分圧がこの
範囲であれば、N2ガスを除く不活性ガス中でこの処理
を行ってもよく、これにより高気圧に耐える真空容器設
備が不要になり、設備が簡素化でき経済的である。
Torrを超えると処理に長時間を要し好ましくないた
め、1×10−2Torr以下とする。H2分圧がこの
範囲であれば、N2ガスを除く不活性ガス中でこの処理
を行ってもよく、これにより高気圧に耐える真空容器設
備が不要になり、設備が簡素化でき経済的である。
【0025】脱H2処理後の粉末の平均結晶粒径を0.
05〜0.5μmに限定した理由は、0.05μm未満
では事実上生成が困難であり、0.05μm未満の結晶
が得られたとしても特性上の利点がなく、また0.5μ
mを超えると単磁区粒子臨界径より大きくなり、粉末の
保磁力が減少して永久磁石用粉末として好ましくないた
めである。
05〜0.5μmに限定した理由は、0.05μm未満
では事実上生成が困難であり、0.05μm未満の結晶
が得られたとしても特性上の利点がなく、また0.5μ
mを超えると単磁区粒子臨界径より大きくなり、粉末の
保磁力が減少して永久磁石用粉末として好ましくないた
めである。
【0026】窒化処理時の温度を350〜550℃に限
定した理由は、350℃未満では窒化が進行せず、55
0℃を超えるとα−FeとRNが生成してR−T−M化
合物(RT12−xMx)が分解して磁石特性の劣化を
招来するためである。窒化処理時の保持時間は30分未
満で十分な窒化が進行せず、また6時間を超えると分解
が起こり磁石特性の劣化を招来するため、30分〜6時
間とする。
定した理由は、350℃未満では窒化が進行せず、55
0℃を超えるとα−FeとRNが生成してR−T−M化
合物(RT12−xMx)が分解して磁石特性の劣化を
招来するためである。窒化処理時の保持時間は30分未
満で十分な窒化が進行せず、また6時間を超えると分解
が起こり磁石特性の劣化を招来するため、30分〜6時
間とする。
【0027】窒化処理時のN2圧力を0.5〜50at
mに限定した理由は、0.5atm未満では窒化反応速
度が遅く、圧力を上げると反応は速やかに進行するが、
50atmを超えると、処理設備が大きくなりすぎ、工
業生産コスト的に好ましくないためである。
mに限定した理由は、0.5atm未満では窒化反応速
度が遅く、圧力を上げると反応は速やかに進行するが、
50atmを超えると、処理設備が大きくなりすぎ、工
業生産コスト的に好ましくないためである。
【0028】
実施例
高周波溶解炉にて溶製して得られた表1に示すNo.1
〜7の組成の鋳塊を、1100℃、24時間焼鈍して、
鋳塊中のThMn12型化合物を95vol%以上とな
したのち、Arガス雰囲気中でスタンプミルにて平均粒
度100μmに粗粉砕した後、この粗粉砕粉をH2分圧
が1.0atm(常温換算)のH2ガス中で800℃に
加熱し2時間保持した後、H2分圧が1×10−4To
rrの雰囲気で800℃、2時間の脱H2処理を行い、
表1に示す平均結晶粒径の集合組織を有する粉体を得た
。その後、N2分圧が5.0atmのN2ガス中で40
0℃、2時間の窒化処理したのち冷却して表1に示す性
状のR−T−M−C−N磁石粉末を得た。
〜7の組成の鋳塊を、1100℃、24時間焼鈍して、
鋳塊中のThMn12型化合物を95vol%以上とな
したのち、Arガス雰囲気中でスタンプミルにて平均粒
度100μmに粗粉砕した後、この粗粉砕粉をH2分圧
が1.0atm(常温換算)のH2ガス中で800℃に
加熱し2時間保持した後、H2分圧が1×10−4To
rrの雰囲気で800℃、2時間の脱H2処理を行い、
表1に示す平均結晶粒径の集合組織を有する粉体を得た
。その後、N2分圧が5.0atmのN2ガス中で40
0℃、2時間の窒化処理したのち冷却して表1に示す性
状のR−T−M−C−N磁石粉末を得た。
【0029】R−T−M−C−N磁石粉末に2.0wt
%のエポキシ樹脂を混合したのち、10kOeの磁場中
で3.0ton/cm2の圧力で圧縮成型し、さらに温
度150℃、1時間の条件で樹脂硬化させてボンド
磁石を作製した。得られたボンド 磁石の磁石特性を
表2に示す。
%のエポキシ樹脂を混合したのち、10kOeの磁場中
で3.0ton/cm2の圧力で圧縮成型し、さらに温
度150℃、1時間の条件で樹脂硬化させてボンド
磁石を作製した。得られたボンド 磁石の磁石特性を
表2に示す。
【0030】比較例
表1の組成No.1と同一の粗粉砕粉を用いて、H2分
圧が2.0atm(常温換算)のH2ガス中で2時間保
持した後、余剰のH2ガスを排気してから加熱し、80
0℃、2時間、H2分圧1×10−4Torrで脱H2
処理して粉砕粉を得た。このときの平均結晶粒径を表1
に示す。さらに実施例と同一の窒化処理を施したのちの
R−T−M−C−N磁石粉末の性状を表1に示す。その
後実施例と同一の条件でボンド 磁石を作製し、その
磁石特性を表2に示す。
圧が2.0atm(常温換算)のH2ガス中で2時間保
持した後、余剰のH2ガスを排気してから加熱し、80
0℃、2時間、H2分圧1×10−4Torrで脱H2
処理して粉砕粉を得た。このときの平均結晶粒径を表1
に示す。さらに実施例と同一の窒化処理を施したのちの
R−T−M−C−N磁石粉末の性状を表1に示す。その
後実施例と同一の条件でボンド 磁石を作製し、その
磁石特性を表2に示す。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】この発明によるR−T− M−C−N
系永久磁石粉末は、R−T−M系粗粉砕粉をH2ガスの
単独または不活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中
での加熱処理並びに所定雰囲気で加熱保持する脱H2処
理を行い、所要平均粒度の粗粉砕粉のままで平均結晶粒
径が0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体とな
すことができ、後工程での粉末の取扱いが極めて容易に
なり、その後窒化処理して実施例に明らかなように6k
Oe以上の保磁力が得られる。
系永久磁石粉末は、R−T−M系粗粉砕粉をH2ガスの
単独または不活性ガス(N2ガスを除く)との混合気中
での加熱処理並びに所定雰囲気で加熱保持する脱H2処
理を行い、所要平均粒度の粗粉砕粉のままで平均結晶粒
径が0.05〜0.5μmの集合組織を有する粉体とな
すことができ、後工程での粉末の取扱いが極めて容易に
なり、その後窒化処理して実施例に明らかなように6k
Oe以上の保磁力が得られる。
Claims (1)
- 【請求項1】 R 7〜9at%(R:希土類元素
の少なくとも1種でかつPrまたはNdの1種または2
種を50%以上含有)、T 67〜90.5at%(
T:FeあるいはFeの一部を50%以下のCo、Ni
にて置換)、M 3.5〜17at%(M:Ti,V
,Cr,Moの少なくとも1種含有)、C 0.5〜
7at%からなる鋳塊を粗粉砕して、平均粒度が50〜
500μmの少なくとも80vol%以上がThMn1
2型結晶構造を有する化合物からなる粗粉砕粉となした
後、前記粗粉砕粉を0.1〜10atm(常温換算)の
H2ガスまたはそれに等しいH2分圧を有する不活性ガ
ス(N2ガスを除く)中(但し全圧力は常温換算で10
atm以下)で、500〜900℃に30分〜8時間加
熱保持し、さらにH2分圧1×10−2Torr以下に
て500〜900℃に30分〜8時間保持する脱H2処
理を行い、平均結晶粒径が0.05〜0.5μmの集合
組織を有する粉体となし、次に前記粉体をN2圧力0.
5〜50atmのN2ガス中で350〜550℃に30
分〜6時間保持した後、冷却することを特徴とする永久
磁石粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149457A JPH04348003A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 永久磁石粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149457A JPH04348003A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 永久磁石粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348003A true JPH04348003A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15475541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149457A Pending JPH04348003A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 永久磁石粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348003A (ja) |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3149457A patent/JPH04348003A/ja active Pending
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