JPH04348592A - 薄膜回路基板の製造方法 - Google Patents
薄膜回路基板の製造方法Info
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- JPH04348592A JPH04348592A JP12056091A JP12056091A JPH04348592A JP H04348592 A JPH04348592 A JP H04348592A JP 12056091 A JP12056091 A JP 12056091A JP 12056091 A JP12056091 A JP 12056091A JP H04348592 A JPH04348592 A JP H04348592A
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- hole
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- thin
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Links
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜回路基板の製造方法
に関し、特に貫通孔を通して表面回路と裏面回路とが接
続された薄膜回路基板の製造方法に関する。
に関し、特に貫通孔を通して表面回路と裏面回路とが接
続された薄膜回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】貫通孔接続のなされた薄膜回路基板の製
作は、一般に次の様に行なわれていた。
作は、一般に次の様に行なわれていた。
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、貫通孔２を
有した絶縁基板１Ａの表面及び裏面にＡｕ薄膜３を真空
蒸着法やスパッタリング法により被着させる。この表面
及び裏面への被着と同時に蒸着金属やスパッタリング金
属の回り込みを利用して貫通孔２の内壁へもＡｕ薄膜３
を被着させる。次に図２（ｂ）に示すように、金メッキ
法によりＡｕ薄膜３上に厚さ２〜５μｍのＡｕメッキ膜
４を形成する。
有した絶縁基板１Ａの表面及び裏面にＡｕ薄膜３を真空
蒸着法やスパッタリング法により被着させる。この表面
及び裏面への被着と同時に蒸着金属やスパッタリング金
属の回り込みを利用して貫通孔２の内壁へもＡｕ薄膜３
を被着させる。次に図２（ｂ）に示すように、金メッキ
法によりＡｕ薄膜３上に厚さ２〜５μｍのＡｕメッキ膜
４を形成する。
【０００４】次に図２（ｃ）に示すように、貫通孔２を
含む貫通孔近傍領域にホトレジスト膜７Ａを形成する。 次に図２（ｄ）に示すように、このホトレジスト膜７Ａ
をマスクとし絶縁基板１Ａの表面と裏面のＡｕ薄膜とＡ
ｕメッキ膜４をエッチングし、貫通孔接続のなされた薄
膜回路基板を完成させる。
含む貫通孔近傍領域にホトレジスト膜７Ａを形成する。 次に図２（ｄ）に示すように、このホトレジスト膜７Ａ
をマスクとし絶縁基板１Ａの表面と裏面のＡｕ薄膜とＡ
ｕメッキ膜４をエッチングし、貫通孔接続のなされた薄
膜回路基板を完成させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の薄膜回
路基板の製造方法においては、金メッキ膜を用いた導電
体パターン形成法として、一般に貫通孔の内壁もエッチ
ングされない様、ホトレジスト膜で保護する必要がある
ため、スピンナーによる塗布やホトレジスト液中に絶縁
基板をディッピングする方法により、ホトレジスト膜を
５μｍ以上の膜厚に形成する必要がある。しかしながら
、貫通孔の内壁はもちろん、貫通孔の角部ではホトレジ
スト膜が極端に薄くなりがちで、その結果、図２（ｄ）
に示すように、貫通孔の角部でＡｕメッキ膜４に欠損部
８が生じやすいという問題点があった。
路基板の製造方法においては、金メッキ膜を用いた導電
体パターン形成法として、一般に貫通孔の内壁もエッチ
ングされない様、ホトレジスト膜で保護する必要がある
ため、スピンナーによる塗布やホトレジスト液中に絶縁
基板をディッピングする方法により、ホトレジスト膜を
５μｍ以上の膜厚に形成する必要がある。しかしながら
、貫通孔の内壁はもちろん、貫通孔の角部ではホトレジ
スト膜が極端に薄くなりがちで、その結果、図２（ｄ）
に示すように、貫通孔の角部でＡｕメッキ膜４に欠損部
８が生じやすいという問題点があった。
【０００６】この問題点を解決するために従来、必要以
上に厚いホトレジスト膜の形成が試みられたが、ファイ
ンパターンが形成できないという問題点が生じた。また
貫通孔の角部に筆などによりホトレジスト液を塗ってホ
トレジスト膜を補強する方法がとられてきたが、膜形成
が不完全であるばかりでなく、多大の工数を必要とする
という問題点があった。
上に厚いホトレジスト膜の形成が試みられたが、ファイ
ンパターンが形成できないという問題点が生じた。また
貫通孔の角部に筆などによりホトレジスト液を塗ってホ
トレジスト膜を補強する方法がとられてきたが、膜形成
が不完全であるばかりでなく、多大の工数を必要とする
という問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜回路基板の
製造方法は、貫通孔が設けられた絶縁基板の表面と裏面
に金の薄膜を形成する工程と、前記貫通孔を含む貫通孔
近傍領域を除いた領域にホトレジスト膜を形成したのち
この貫通孔近傍領域の前記金の薄膜上に厚い金メッキ膜
とニッケルメッキ膜とを順次形成する工程と、前記ホト
レジスト膜を除去したのち前記ニッケルメッキ膜をマス
クとし前記金の薄膜をエッチングして除去する工程と、
マスクとして用いた前記ニッケルメッキ膜を除去する工
程とを含むものである。
製造方法は、貫通孔が設けられた絶縁基板の表面と裏面
に金の薄膜を形成する工程と、前記貫通孔を含む貫通孔
近傍領域を除いた領域にホトレジスト膜を形成したのち
この貫通孔近傍領域の前記金の薄膜上に厚い金メッキ膜
とニッケルメッキ膜とを順次形成する工程と、前記ホト
レジスト膜を除去したのち前記ニッケルメッキ膜をマス
クとし前記金の薄膜をエッチングして除去する工程と、
マスクとして用いた前記ニッケルメッキ膜を除去する工
程とを含むものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの基板の断面図である。
。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの基板の断面図である。
【０００９】まず図１（ａ）に示すように、貫通孔２を
有するアルミナ基板１の表面と裏面に導電体層としてＡ
ｕ薄膜３を約０．３μｍの厚さにスパッタリング法によ
り別々に成膜する。この時、Ａｕ薄膜３のアルミナ基板
１との密着を強化するために、ＮｉＣｒ膜やＴｉ膜等を
介してＡｕ薄膜を成膜しても良い。この操作で貫通孔２
の側面にもＡｕ薄膜３が形成される。次でホトレジスト
膜を衆知の方法で塗布し、露光・現像処理を施し貫通孔
近傍領域を除いた領域にホトレジスト膜７を約８μｍの
厚さに形成する。
有するアルミナ基板１の表面と裏面に導電体層としてＡ
ｕ薄膜３を約０．３μｍの厚さにスパッタリング法によ
り別々に成膜する。この時、Ａｕ薄膜３のアルミナ基板
１との密着を強化するために、ＮｉＣｒ膜やＴｉ膜等を
介してＡｕ薄膜を成膜しても良い。この操作で貫通孔２
の側面にもＡｕ薄膜３が形成される。次でホトレジスト
膜を衆知の方法で塗布し、露光・現像処理を施し貫通孔
近傍領域を除いた領域にホトレジスト膜７を約８μｍの
厚さに形成する。
【００１０】次に図１（ｂ）に示すように、このホトレ
ジスト膜７をマスクとして貫通孔近傍領域に金メッキ法
により厚さ約５μｍのＡｕメッキ膜４を形成し、続いて
その表面にＮｉメッキ膜５を約１〜２μｍの厚さに形成
する。Ａｕメッキ膜４は衆知の電解メッキを用いれば良
く、またＮｉメッキ膜５は無電解メッキ法により簡単に
形成できる。
ジスト膜７をマスクとして貫通孔近傍領域に金メッキ法
により厚さ約５μｍのＡｕメッキ膜４を形成し、続いて
その表面にＮｉメッキ膜５を約１〜２μｍの厚さに形成
する。Ａｕメッキ膜４は衆知の電解メッキを用いれば良
く、またＮｉメッキ膜５は無電解メッキ法により簡単に
形成できる。
【００１１】次に図１（ｃ）に示すように、ホトレジス
ト膜７を有機溶剤で除去した後、Ｎｉメッキ膜５をマス
クとしヨウ素とヨウ化カリウムの溶液でＡｕ薄膜３をエ
ッチング除去する。
ト膜７を有機溶剤で除去した後、Ｎｉメッキ膜５をマス
クとしヨウ素とヨウ化カリウムの溶液でＡｕ薄膜３をエ
ッチング除去する。
【００１２】次に図１（ｄ）に示すように、Ａｕメッキ
膜４上のＮｉメッキ膜５を硝酸溶液で溶解することによ
り、表面と裏面が貫通孔部に於いてＡｕ膜で接続された
薄膜回路基板が得られる。
膜４上のＮｉメッキ膜５を硝酸溶液で溶解することによ
り、表面と裏面が貫通孔部に於いてＡｕ膜で接続された
薄膜回路基板が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、貫通孔を
有した絶縁基板の表面と裏面の両面からＡｕの薄膜を形
成し、貫通孔近傍領域以外をホトレジスト膜で被覆した
後、貫通孔近傍領域にＡｕメッキ膜を形成し、続いてＮ
ｉ膜を形成し、ホトレジスト膜を除去後、Ｎｉメッキ膜
をマスクとしてＡｕ薄膜をエッチング除去し、その後Ｎ
ｉメッキ膜を除去することにより、貫通孔の角部に欠損
のないＡｕメッキ膜による接続導体を有する薄膜回路基
板が得られる。
有した絶縁基板の表面と裏面の両面からＡｕの薄膜を形
成し、貫通孔近傍領域以外をホトレジスト膜で被覆した
後、貫通孔近傍領域にＡｕメッキ膜を形成し、続いてＮ
ｉ膜を形成し、ホトレジスト膜を除去後、Ｎｉメッキ膜
をマスクとしてＡｕ薄膜をエッチング除去し、その後Ｎ
ｉメッキ膜を除去することにより、貫通孔の角部に欠損
のないＡｕメッキ膜による接続導体を有する薄膜回路基
板が得られる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための絶縁基板の
断面図。
断面図。
【図２】従来の薄膜回路基板の製造方法を説明するため
の絶縁基板の断面図。
の絶縁基板の断面図。
１ アルミナ基板
１Ａ 絶縁基板
２ 貫通孔
３ Ａｕ薄膜
４ Ａｕメッキ膜
５ Ｎｉメッキ膜
７，７Ａ ホトレジスト膜
８ 欠損部
Claims (1)
- 【請求項１】 貫通孔が設けられた絶縁基板の表面と
裏面に金の薄膜を形成する工程と、前記貫通孔を含む貫
通孔近傍領域を除いた領域にホトレジスト膜を形成した
のちこの貫通孔近傍領域の前記金の薄膜上に厚い金メッ
キ膜とニッケルメッキ膜とを順次形成する工程と、前記
ホトレジスト膜を除去したのち前記ニッケルメッキ膜を
マスクとし前記金の薄膜をエッチングして除去する工程
と、マスクとして用いた前記ニッケルメッキ膜を除去す
る工程とを含むことを特徴とする薄膜回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12056091A JPH04348592A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 薄膜回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12056091A JPH04348592A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 薄膜回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348592A true JPH04348592A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14789335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12056091A Pending JPH04348592A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 薄膜回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348592A (ja) |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12056091A patent/JPH04348592A/ja active Pending
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