JPS6350879B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350879B2 JPS6350879B2 JP53078968A JP7896878A JPS6350879B2 JP S6350879 B2 JPS6350879 B2 JP S6350879B2 JP 53078968 A JP53078968 A JP 53078968A JP 7896878 A JP7896878 A JP 7896878A JP S6350879 B2 JPS6350879 B2 JP S6350879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- metal thin
- forming
- end surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路板に関し特に基板の端面で表、裏
面の両回路を接続する方法に関するものである。
面の両回路を接続する方法に関するものである。
セラミツク基板の両面を接続する場合は通常、
基板内におけるスルホールにテープリボンを通し
て、機械的に両面にボンデイングする接続方法
や、セラミツク基板の表および裏の両面を金属化
し、更に基板端面に独自に金属化して両面を接続
する方法がとられる。しかしながら、前者の方法
では１ケ１ケのスルホール毎にリボンテープを機
械的にボンデイングする必要があり、多大な労力
を費するものである。また生産量の多いばあいは
セラミツク基板焼成時に型を準備しておけば孔あ
き基板を多量に入手できるが少量多種の穴位置の
異なる基板の際には膜回路パターンを形成した
後、ダイヤモンドドリル等で孔を貫通させる作業
も前工程として必要である。一方、後者において
は表、裏および端面からの計３回の真空蒸着等の
金属化作業が必要であり、中でも端面への蒸着作
業は技術的に容易ではない。また真空蒸着におけ
る金属薄膜の端面への密着強度は著しく信頼度が
低く、尚、かつ基板コーナー部では金属薄膜がう
まく接続できないことも多い。
基板内におけるスルホールにテープリボンを通し
て、機械的に両面にボンデイングする接続方法
や、セラミツク基板の表および裏の両面を金属化
し、更に基板端面に独自に金属化して両面を接続
する方法がとられる。しかしながら、前者の方法
では１ケ１ケのスルホール毎にリボンテープを機
械的にボンデイングする必要があり、多大な労力
を費するものである。また生産量の多いばあいは
セラミツク基板焼成時に型を準備しておけば孔あ
き基板を多量に入手できるが少量多種の穴位置の
異なる基板の際には膜回路パターンを形成した
後、ダイヤモンドドリル等で孔を貫通させる作業
も前工程として必要である。一方、後者において
は表、裏および端面からの計３回の真空蒸着等の
金属化作業が必要であり、中でも端面への蒸着作
業は技術的に容易ではない。また真空蒸着におけ
る金属薄膜の端面への密着強度は著しく信頼度が
低く、尚、かつ基板コーナー部では金属薄膜がう
まく接続できないことも多い。
本発明の目的は、高能率な基板両面導体回路の
接続方法を提供するにある。
接続方法を提供するにある。
本発明による回路基板の製造方法は、絶縁基板
の端面で基板の表面の膜回路パターンと基板の裏
面の膜回路パターンとを接続する回路基板の製造
方法において、 スパツタホルダー治具の一部に基板の端面に金
属薄膜がまわり込みやすくするための隙間を設
け、 基板の表面と裏面とを貫く孔を有しない基板を
前記スパツタホルダー治具に設置し、 スパツタリング法により前記基板表面の全面に
所定の厚みの金属薄膜を形成すると共に前記基板
端面の所定領域に基板の表面側で厚く、基板の裏
面側で薄い膜厚分布をもつ金属薄膜を形成する工
程と、 次に、スパツタリング法により前記基板裏面の
全面に前記所定の厚みの金属薄膜を形成すると共
に前記基板端面の前記所定領域の金属薄膜に接し
て基板の裏面側で厚く、基板の表面側で薄い膜厚
分布をもつ金属薄膜を重ねて形成する工程と、 前記基板の表面、裏面および端面の前記金属薄
膜上に同時に良導電金属層をメツキによつて形成
する工程と、 前記基板の両面に金属薄膜と良導電金属層とか
らなる所望の膜回路パターンを形成する工程とを
含むことる特徴とする。
の端面で基板の表面の膜回路パターンと基板の裏
面の膜回路パターンとを接続する回路基板の製造
方法において、 スパツタホルダー治具の一部に基板の端面に金
属薄膜がまわり込みやすくするための隙間を設
け、 基板の表面と裏面とを貫く孔を有しない基板を
前記スパツタホルダー治具に設置し、 スパツタリング法により前記基板表面の全面に
所定の厚みの金属薄膜を形成すると共に前記基板
端面の所定領域に基板の表面側で厚く、基板の裏
面側で薄い膜厚分布をもつ金属薄膜を形成する工
程と、 次に、スパツタリング法により前記基板裏面の
全面に前記所定の厚みの金属薄膜を形成すると共
に前記基板端面の前記所定領域の金属薄膜に接し
て基板の裏面側で厚く、基板の表面側で薄い膜厚
分布をもつ金属薄膜を重ねて形成する工程と、 前記基板の表面、裏面および端面の前記金属薄
膜上に同時に良導電金属層をメツキによつて形成
する工程と、 前記基板の両面に金属薄膜と良導電金属層とか
らなる所望の膜回路パターンを形成する工程とを
含むことる特徴とする。
次に実施例により本発明を図面を参照して、具
体的に説明する。第１図Ａに示すようにセラミツ
ク基板１の表面にニクロム（NiCr）400Åを、次
いで金（Au）3000Åをそれぞれスパツタリング
によつて形成する。一般に行なわれる真空蒸着法
では、基板端面壁に被着することが不可能である
が、スパツタリングを施すことにより、端面壁に
も密着強度の高い薄膜を形成することができる。
ここで薄膜を被着すべき端面壁はスパツタリング
時、金属薄膜がまわり込みやすくするため、第１
図Ｂの様にスパツタホルダー治具に1.0mm程度の
隙間ｌを設けておき、所望の端面に表面と同時に
薄膜が被着されるようにしておく。同様に基板裏
面よりNiCr400Å、Au3000Åをスパツタリング
し、第２図の如き、端面壁で接続された基板を得
ることができる。この時も、第１図Ｂと同様、所
望の端面にまわり込ませるための隙間ｌをスパツ
タホルダー治具に設けておく。
体的に説明する。第１図Ａに示すようにセラミツ
ク基板１の表面にニクロム（NiCr）400Åを、次
いで金（Au）3000Åをそれぞれスパツタリング
によつて形成する。一般に行なわれる真空蒸着法
では、基板端面壁に被着することが不可能である
が、スパツタリングを施すことにより、端面壁に
も密着強度の高い薄膜を形成することができる。
ここで薄膜を被着すべき端面壁はスパツタリング
時、金属薄膜がまわり込みやすくするため、第１
図Ｂの様にスパツタホルダー治具に1.0mm程度の
隙間ｌを設けておき、所望の端面に表面と同時に
薄膜が被着されるようにしておく。同様に基板裏
面よりNiCr400Å、Au3000Åをスパツタリング
し、第２図の如き、端面壁で接続された基板を得
ることができる。この時も、第１図Ｂと同様、所
望の端面にまわり込ませるための隙間ｌをスパツ
タホルダー治具に設けておく。
次に接続の信頼度を高めるために第３図の如く
電解メツキにより金（Au）5μ４を形成する。次
にかくして得られた端面接続基板において、フオ
トレジストで表面および裏面を選択的にマスキン
グした後、ヨウ素、ヨウ化カリ溶液および、塩化
第２鉄溶液にてエツチングする、いわゆる衆知の
フオトレジストによる化学的食刻法を施して、第
４図の如き、表、裏面の接続された導体回路基板
を得る事ができる。なおこのエツチングは金属薄
膜２をスパツタした後にこの薄膜２をエツチング
し、その後メツキをするようにしても良い。
電解メツキにより金（Au）5μ４を形成する。次
にかくして得られた端面接続基板において、フオ
トレジストで表面および裏面を選択的にマスキン
グした後、ヨウ素、ヨウ化カリ溶液および、塩化
第２鉄溶液にてエツチングする、いわゆる衆知の
フオトレジストによる化学的食刻法を施して、第
４図の如き、表、裏面の接続された導体回路基板
を得る事ができる。なおこのエツチングは金属薄
膜２をスパツタした後にこの薄膜２をエツチング
し、その後メツキをするようにしても良い。
本法の如き方式では表面および裏面からスパツ
タリングすると同時に端面接続も形成させるもの
で労力、資材費、接続密着度の信頼性において、
多大なメリツトを有するものである。なお本発明
は上述の実施例に限定されるものではなく、任意
の絶縁基板に対して適用しうるものである。
タリングすると同時に端面接続も形成させるもの
で労力、資材費、接続密着度の信頼性において、
多大なメリツトを有するものである。なお本発明
は上述の実施例に限定されるものではなく、任意
の絶縁基板に対して適用しうるものである。
第１図Ａないし第４図はそれぞれ本発明の一実
施例を順次示す断面図、第１図Ｂは第１図Ａに対
応する平面状態を示す図である。 １……セラミツク基板、２……表面よりスパツ
タされた金属薄膜層（NiCr＋Au）、３……裏面
よりスパツタされた金属薄膜層（NiCr＋Au）、
４……メツキ層（Au）、５……スパツタホルダー
の略図である。
施例を順次示す断面図、第１図Ｂは第１図Ａに対
応する平面状態を示す図である。 １……セラミツク基板、２……表面よりスパツ
タされた金属薄膜層（NiCr＋Au）、３……裏面
よりスパツタされた金属薄膜層（NiCr＋Au）、
４……メツキ層（Au）、５……スパツタホルダー
の略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板の端面で基板の表面の膜回路パター
ンと基板の裏面の薄回路パターンとを接続する回
路基板の製造方法において、 スパツタホルダー治具の一部に基板の端面に金
属薄膜がまわり込みやすくするための隙間を設
け、基板の表面と裏面とを貫く孔を有しない基板
を前記スパツタホルダー治具に設置し、 スパツタリング法により前記基板表面の全面に
所定の厚みの金属薄膜を形成すると共に、前記基
板端面の所定領域に基板の表面側で厚く、基板の
裏面側で薄い膜厚分布をもつ金属薄膜を形成する
工程と、 次に、スパツタリング法により前記基板裏面の
全面に前記所定の厚みの金属薄膜を形成すると共
に前記基板端面の前記所定領域の金属薄膜に接し
て基板の裏面側で厚く、基板の表面側で薄い膜厚
分布をもつ金属薄膜を重ねて形成する工程と、 前記基板の表面、裏面および端面の前記金属薄
膜上に同時に良導電金属層をメツキによつて形成
する工程と、 前記基板の両面に金属薄膜と良導電金属層とか
らなる所望の膜回路パターンを形成する工程とを
含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7896878A JPS556836A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of manufacturing circuit substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7896878A JPS556836A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of manufacturing circuit substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS556836A JPS556836A (en) | 1980-01-18 |
| JPS6350879B2 true JPS6350879B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13676692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7896878A Granted JPS556836A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of manufacturing circuit substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS556836A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5958889A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | アンリツ株式会社 | プリント板 |
| JPS614455U (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-11 | 富士プリント工業株式会社 | 印刷配線板 |
| JPS6142192A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-28 | オ−ケ−プリント配線株式会社 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPS61223488A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 直接熱交換装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5210564A (en) * | 1975-07-16 | 1977-01-26 | Citizen Watch Co Ltd | Method of manufacturing opposite printed surfaced substrate having throughhholes therein |
-
1978
- 1978-06-28 JP JP7896878A patent/JPS556836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS556836A (en) | 1980-01-18 |
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