JPH0434976A - Ｓｏｉ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＭｏＳトランジスタ用ＳＯＩ基板に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、素子形成層下の絶縁体にチャネルに含まれる
不純物と同じ導電型の不純物を高濃度に含ませることに
より、素子形成層の絶縁膜界面近傍の不純物濃度を高く
して反転を防ぎ、オフ時のバックチャネルワーク電流を
少なくすることができる。

〔従来の技術〕

従来のＳＯＩ基板の絶縁体５は、半導体の導電度を変化
させるような不純物は含まれていなかった。また、通常
絶縁体５と半導体本基板３の界面近傍には、イオン注入
による高濃度不純物領域６が設けられており、この界面
における空乏層や反転層の形成を防ぎリーク電流を抑え
ている。（第３図） 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、イオン注入法では不純物濃度プロファイ
ルを急峻にすることが困難である。絶縁体との界面に濃
度のピークを作る場合、半導体層の大半は高濃度不純物
領域６になってしまう、しかも、半導体層の表面側にま
でイオン注入の不純物がしみ出してくる可能性が高い、
従って、半導体層の不純物表面濃度をｍｍするのが困難
となる。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題を解決するために、本発明では高濃度不純物を
含む絶縁体をＳｏＩ基板に採用し、固体拡散により、絶
縁体と半導体層との界面を高濃度にした。

〔作用〕

上記手段により、絶縁体から半導体層に不純物が拡散し
、半導体層の絶縁体側界面近傍のみの濃度を高め空乏層
、反転層の形成を防いで、バックチャネルのリーク電流
を抑えた。

〔実施例〕

第１図は本発明による第１実施例の断面図である。１は
半導体板基板、２はボロンを高濃度に含む二酸化シリコ
ン膜（以下ＢＳＧと呼ぶ）である。

これらの上にＰ型半導体本基板３を形成する。形成方法
はエビでも貼り合わせでも構わない、素子形成過程での
熱処理でＢ５Ｇ２から本基板３へ不純物のボロンが拡散
し、高濃度不純物層４が形成される。この存在により、
本基板３の裏側にバックチャネルが形成されにくくなり
、素子のリーク電流が流れな（なる、熱処理は、素子形
成のプロセスで充分な場合もあり、特別な熱処理が必要
な場合もある。その判断は、不純物の偏析と拡散長から
夏山される濃度プロファイルをもとに行う。

第２図は本発明による他の実施例の断面図である。仮基
板１上にリンを高濃度に含む二酸化シリコン膜２′が設
けられ、その上にＮ型半導体本基板３′を形成する。さ
らに、熱処理により高濃度不純物領域４′を形成しハフ
クチャネルの形成を防止する。二酸化シリコン膜中の不
純物はヒ素でもアンチモンでもよい。

第１実施例、第２実施例どちらの場合も、１０半導体板
基板は石英ガラス、サファイア等でもよく、この二酸化
シリコン膜はシリコンチッ化１１！、金属酸化膜、ボロ
ンやリン等の酸化膜、チフ化膜でもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように、ＳＯＩ基板の絶縁体に半導体の導電
度を変化させるような不純物を高濃度に含ませ、それら
を固体拡散により半導体基板にしみ出し空乏や反転によ
るバックチャネルの形成を防止、リーク電流を抑制する
ことが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＳＯＩ基板の断面図、第２図は本
発明による５ｏｉｌ板の他の実施例の断面図、第３図は
従来のＳＯＩ基板の断面図である。 ■　・　・　・ ２、２′ ３　３′ ４、４′ ５　・　・　・ ６　・　・　・ ・半導体板基板 ・・・高濃度不純物絶縁体 ・・・半導体本基板 ・・・拡散による高濃度不純物領域 ・絶縁体 ・イオン注入による高濃度不純物領域 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　林　　敬　之　助 ５ｏｒＨｙ＋ｔｒａａ 夢１図 ＳＯＩ基損の釦の久桁例の断面図 夢２図 従来のＳＯＩ屡瓶の１面図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第１導電型不純物を高濃度に含む絶縁体と、前記絶縁
   体上に設けられた前記第１導電型不純物を低濃度に含む
   素子形成層とから成るＳＯＩ基板。