JPH04354342A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04354342A JPH04354342A JP3156133A JP15613391A JPH04354342A JP H04354342 A JPH04354342 A JP H04354342A JP 3156133 A JP3156133 A JP 3156133A JP 15613391 A JP15613391 A JP 15613391A JP H04354342 A JPH04354342 A JP H04354342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- semiconductor device
- leads
- contact pads
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、多数の接点パッドを
形成した半導体チップと絶縁フィルムの表面にあらかじ
めリードを形成した配線シートとを、前記リードが半導
体チップの接点パッドにバンプを介して重なるように重
ね合わせて加熱接合し、プラスチックで封止してなる半
導体装置、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で作製したＴＣＰ（Ｔａｐ
ｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋｅｇｅ）に関するもので
ある。
形成した半導体チップと絶縁フィルムの表面にあらかじ
めリードを形成した配線シートとを、前記リードが半導
体チップの接点パッドにバンプを介して重なるように重
ね合わせて加熱接合し、プラスチックで封止してなる半
導体装置、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で作製したＴＣＰ（Ｔａｐ
ｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋｅｇｅ）に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢは、有機絶縁フィルム（例えばポ
リイミド製）にＣｕ箔を張り、このＣｕ箔をエッチング
して配線パターン（リード）を形成したテープ（ＴＡＢ
テープ）を準備し、このＴＡＢテープのリードを、バン
プを介して半導体チップの接点パッドに重ね合わせ加熱
接合して半導体チップを実装する技術である。このＴＡ
Ｂは、従来用いられてきたワイヤーボンディングに比べ
て、■半導体チップに形成する接点パッド及びそのピッ
チを狭くできるので、接点パッドの数を数多くとること
ができる。■ワイヤーを引き回すことがないので、実装
に必要な空間を薄くすることができる。■リード・パタ
ーンの形状は制約がないので、自由に変えることができ
る。■折り曲げることができる。■複数個の接点パッド
とリードとを、同時に接合することができるので、接合
時間を短縮することができる。等の特徴を有しているた
め、近年の高密度化、多ピン化、薄型化の要請に有利に
適合する、有望な技術と言える。
リイミド製）にＣｕ箔を張り、このＣｕ箔をエッチング
して配線パターン（リード）を形成したテープ（ＴＡＢ
テープ）を準備し、このＴＡＢテープのリードを、バン
プを介して半導体チップの接点パッドに重ね合わせ加熱
接合して半導体チップを実装する技術である。このＴＡ
Ｂは、従来用いられてきたワイヤーボンディングに比べ
て、■半導体チップに形成する接点パッド及びそのピッ
チを狭くできるので、接点パッドの数を数多くとること
ができる。■ワイヤーを引き回すことがないので、実装
に必要な空間を薄くすることができる。■リード・パタ
ーンの形状は制約がないので、自由に変えることができ
る。■折り曲げることができる。■複数個の接点パッド
とリードとを、同時に接合することができるので、接合
時間を短縮することができる。等の特徴を有しているた
め、近年の高密度化、多ピン化、薄型化の要請に有利に
適合する、有望な技術と言える。
【０００３】ＴＣＰは、このようなＴＡＢ技術によって
半導体チップとリードとを電気的に接続した後、プラス
チックで封止することで得られている。
半導体チップとリードとを電気的に接続した後、プラス
チックで封止することで得られている。
【０００４】しかしながら、かかるＴＣＰは、多ピン化
すなわち半導体チップの高集積度化に伴って半導体チッ
プからの発熱量が増大する傾向にあるにもかかわらず、
ＴＡＢテープやモールド用樹脂の熱伝導性が良好とは言
い難いため、半導体チップの放熱性の点で問題があり、
半導体チップが良好な特性を安定して得るために問題で
あった。この問題は通常用いられる、いわゆるリードフ
レームとワイヤボンディング法とを用いて作製される半
導体装置と比べても、ダイパッドがない分、放熱性が悪
くなっていて、問題であった。
すなわち半導体チップの高集積度化に伴って半導体チッ
プからの発熱量が増大する傾向にあるにもかかわらず、
ＴＡＢテープやモールド用樹脂の熱伝導性が良好とは言
い難いため、半導体チップの放熱性の点で問題があり、
半導体チップが良好な特性を安定して得るために問題で
あった。この問題は通常用いられる、いわゆるリードフ
レームとワイヤボンディング法とを用いて作製される半
導体装置と比べても、ダイパッドがない分、放熱性が悪
くなっていて、問題であった。
【０００５】上述のＴＣＰの放熱問題に対して、パッケ
ージに放熱フィンを突設することが考えられたが、かか
る放熱フィンを突設することは、ＴＣＰの特徴である薄
型化というメリットを失ってしまう問題があり、またコ
ストも増大させてしまうという問題もあった。
ージに放熱フィンを突設することが考えられたが、かか
る放熱フィンを突設することは、ＴＣＰの特徴である薄
型化というメリットを失ってしまう問題があり、またコ
ストも増大させてしまうという問題もあった。
【０００６】この他、半導体チップをリードフレームの
ダイパッドにダイボンディングした半導体装置において
は、放熱フィンを、リードフレームに沿って配設した構
造のデバイスや、封止材のクラックの伝播を防止するた
めにダイパッドの裏面の封止材をあらかじめ解放した構
造のデバイスがあるが、これらの半導体装置はいずれも
ワイヤーボンディングを行うために、ワイヤーの引き回
しの制約から薄型化が困難であるばかりでなく、前者は
、アウターリード数は放熱フィンの占有分だけ減少する
ことになって多ピン化に不適合であり、また後者は、Ｔ
ＣＰにはダイパッドがないために適用できない。
ダイパッドにダイボンディングした半導体装置において
は、放熱フィンを、リードフレームに沿って配設した構
造のデバイスや、封止材のクラックの伝播を防止するた
めにダイパッドの裏面の封止材をあらかじめ解放した構
造のデバイスがあるが、これらの半導体装置はいずれも
ワイヤーボンディングを行うために、ワイヤーの引き回
しの制約から薄型化が困難であるばかりでなく、前者は
、アウターリード数は放熱フィンの占有分だけ減少する
ことになって多ピン化に不適合であり、また後者は、Ｔ
ＣＰにはダイパッドがないために適用できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したＴＣＰの放熱
問題を有利に解決し、ＴＣＰの半導体チップが良好な特
性を安定して得ることのできる半導体装置を提案するこ
とがこの発明の目的である。
問題を有利に解決し、ＴＣＰの半導体チップが良好な特
性を安定して得ることのできる半導体装置を提案するこ
とがこの発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、多数の接点
パッドを形成した半導体チップと絶縁フィルムの表面に
あらかじめリードを形成した配線シートとを、前記リー
ドが半導体チップの接点パッドにバンプを介して重なる
ように重ね合わせて加熱接合し、プラスチックで封止し
てなる半導体装置において、上記半導体チップの少なく
とも片面に、放熱板を配設したことを特徴とする半導体
装置である。
パッドを形成した半導体チップと絶縁フィルムの表面に
あらかじめリードを形成した配線シートとを、前記リー
ドが半導体チップの接点パッドにバンプを介して重なる
ように重ね合わせて加熱接合し、プラスチックで封止し
てなる半導体装置において、上記半導体チップの少なく
とも片面に、放熱板を配設したことを特徴とする半導体
装置である。
【０００９】
【作用】この発明の半導体装置は、半導体チップの表面
及び／又は背面に放熱板を配設することから、プラスチ
ックでパッケージした半導体装置の熱容量を下げる他、
放熱効率が向上するのでＴＣＰの半導体チップの良好な
特性を安定かつ低コストに得ることが可能となる。
及び／又は背面に放熱板を配設することから、プラスチ
ックでパッケージした半導体装置の熱容量を下げる他、
放熱効率が向上するのでＴＣＰの半導体チップの良好な
特性を安定かつ低コストに得ることが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下図面を用いてこの発明の半導体装置を具
体的に説明する。図１は、この発明の半導体装置の一例
を示す断面図である。かかる半導体装置１は、半導体チ
ップ２と、ＴＡＢテープ３上に形成したＣｕリード４と
を、バンプ５を介して加熱接合して、電気的に接合する
ように構成し、かつこれらをプラスチックパッケージ６
により封止している。
体的に説明する。図１は、この発明の半導体装置の一例
を示す断面図である。かかる半導体装置１は、半導体チ
ップ２と、ＴＡＢテープ３上に形成したＣｕリード４と
を、バンプ５を介して加熱接合して、電気的に接合する
ように構成し、かつこれらをプラスチックパッケージ６
により封止している。
【００１１】この発明では、かかる半導体装置１内部の
半導体チップ２に、放熱板７を配設したことが特徴であ
る。このように半導体装置１内部の半導体チップ２に、
放熱板７を配設することによって、パッケージの薄型化
というＴＣＰのメリットを失うことなく、また比較的少
ないコストで、パッケージの熱容量を十分に下げること
ができるので、放熱板７がプラスチックパッケージ６内
に埋め込まれている図１の例でも半導体チップ２の放熱
は十分満足できる。これに対して図２に示すように、パ
ッケージ６に放熱フィン８を突設した従来の半導体装置
では、ＴＣＰの特徴である薄型化というメリットを失っ
てしまう問題があり、またコストも増大させてしまうの
は前述したとおりである。
半導体チップ２に、放熱板７を配設したことが特徴であ
る。このように半導体装置１内部の半導体チップ２に、
放熱板７を配設することによって、パッケージの薄型化
というＴＣＰのメリットを失うことなく、また比較的少
ないコストで、パッケージの熱容量を十分に下げること
ができるので、放熱板７がプラスチックパッケージ６内
に埋め込まれている図１の例でも半導体チップ２の放熱
は十分満足できる。これに対して図２に示すように、パ
ッケージ６に放熱フィン８を突設した従来の半導体装置
では、ＴＣＰの特徴である薄型化というメリットを失っ
てしまう問題があり、またコストも増大させてしまうの
は前述したとおりである。
【００１２】図３に、この発明の他の実施例を断面で示
す。同図では、放熱板７の厚みを、プラスチックパッケ
ージの表面と面一になるように選択した例である。この
例では、放熱板７がプラスチックパッケージの表面に面
一で露出していることから、ＴＣＰの薄型化を維持した
ままで放熱効率がさらに向上する。
す。同図では、放熱板７の厚みを、プラスチックパッケ
ージの表面と面一になるように選択した例である。この
例では、放熱板７がプラスチックパッケージの表面に面
一で露出していることから、ＴＣＰの薄型化を維持した
ままで放熱効率がさらに向上する。
【００１３】図１及び図３に示したように放熱板７は、
ＴＣＰの利点である薄型化を損ねないために、プラスチ
ックパッケージ６から突出しないようにする。したがっ
て放熱板７の厚みは、プラスチックパッケージ６の厚み
にもよるが、０．１ 〜０．５ ｍｍ程度とすることが
好ましい。
ＴＣＰの利点である薄型化を損ねないために、プラスチ
ックパッケージ６から突出しないようにする。したがっ
て放熱板７の厚みは、プラスチックパッケージ６の厚み
にもよるが、０．１ 〜０．５ ｍｍ程度とすることが
好ましい。
【００１４】図４にこの発明の他の実施例を断面で示す
。同図では、放熱板７及び９を、半導体チップの表面に
配設（放熱板７）しかつ背面にも配設（放熱板９）した
例である。このように放熱板を、半導体チップの表面及
び背面のいずれにも配設することによって、半導体チッ
プの放熱効率はさらに向上するのである。
。同図では、放熱板７及び９を、半導体チップの表面に
配設（放熱板７）しかつ背面にも配設（放熱板９）した
例である。このように放熱板を、半導体チップの表面及
び背面のいずれにも配設することによって、半導体チッ
プの放熱効率はさらに向上するのである。
【００１５】放熱板の配設は、半導体チップの組立て工
程、なかでもインナーリードボンディングの前、後に、
放熱板例えば銅板、アルミニウム板等の金属板を半導体
チップの表面及び／又は背面に熱伝導性接着剤等を用い
て貼付すればよい。図１及び図３に示すように、放熱板
を半導体チップの表面に貼付する場合には、電気絶縁性
の接着剤を用いることがチップの信頼性の観点から好ま
しい。かかる接着剤としては、シリコン樹脂等が挙げら
れる。
程、なかでもインナーリードボンディングの前、後に、
放熱板例えば銅板、アルミニウム板等の金属板を半導体
チップの表面及び／又は背面に熱伝導性接着剤等を用い
て貼付すればよい。図１及び図３に示すように、放熱板
を半導体チップの表面に貼付する場合には、電気絶縁性
の接着剤を用いることがチップの信頼性の観点から好ま
しい。かかる接着剤としては、シリコン樹脂等が挙げら
れる。
【００１６】この発明は上述した実施例に限られること
はなく、例えば放熱板を半導体チップの裏面のみに配設
しても良いことは言うまでもない。
はなく、例えば放熱板を半導体チップの裏面のみに配設
しても良いことは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】この発明の半導体装置は、半導体チップ
の表面及び／又は背面に放熱板を配設することから、Ｔ
ＣＰの半導体チップの良好な特性を安定かつ低コストに
得ることができる。
の表面及び／又は背面に放熱板を配設することから、Ｔ
ＣＰの半導体チップの良好な特性を安定かつ低コストに
得ることができる。
【図１】図１は、この発明の半導体装置の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図２は、従来の半導体装置を示す断面図である
。
。
【図３】図３は、この発明の半導体装置の他の例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図４は、この発明の半導体装置の他の例を示す
断面図である。
断面図である。
１ 半導体装置
２ 半導体チップ
３ ＴＡＢテープ
４ Ｃｕリード
５ バンプ
６ プラスチックパッケージ
７ 放熱板
Claims (1)
- 【請求項１】 多数の接点パッドを形成した半導体チ
ップと絶縁フィルムの表面にあらかじめリードを形成し
た配線シートとを、前記リードが半導体チップの接点パ
ッドにバンプを介して重なるように重ね合わせて加熱接
合し、プラスチックで封止してなる半導体装置において
、上記半導体チップの表面及び／又は背面に、放熱板を
配設したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156133A JPH04354342A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156133A JPH04354342A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354342A true JPH04354342A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15621048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156133A Pending JPH04354342A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321252A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270335A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02306654A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびこれを用いた電子装置 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3156133A patent/JPH04354342A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270335A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02306654A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびこれを用いた電子装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321252A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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