JPH04354860A - はんだめっきの前処理方法 - Google Patents
はんだめっきの前処理方法Info
- Publication number
- JPH04354860A JPH04354860A JP12737891A JP12737891A JPH04354860A JP H04354860 A JPH04354860 A JP H04354860A JP 12737891 A JP12737891 A JP 12737891A JP 12737891 A JP12737891 A JP 12737891A JP H04354860 A JPH04354860 A JP H04354860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- stage
- borofluoric acid
- acid
- solder plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、４２アロイ上にはんだ
めっきを施す場合の前処理方法に関するものである。
めっきを施す場合の前処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は４２アロイ上にホウフッ酸系はん
だめっきを施す場合の従来のめっき工程を示すものであ
る。同図において、例えば通常のアセンブリ工程により
組立てられた電子部品（ＩＣ等）が、モールド時に発生
する薄バリを第１の工程１で、除去するバリ取り工程を
行ったのち、第２の工程２の化学研磨により、４２アロ
イ表面の酸化膜除去および密着力向上のための適当な表
面エッチングを行う。第３の工程３の硫酸浸漬では、硫
酸活性により第２の工程２で表面に生成した酸化膜の除
去と表面調整を行う。次いで第４の工程４１で、第５の
工程５におけるホウフッ酸系はんだめっき液のなじみと
表面活性の目的で、ホウフッ酸浸漬を行う。そして、第
５の工程５で、ホウフッ酸系はんだめっきを行う。
だめっきを施す場合の従来のめっき工程を示すものであ
る。同図において、例えば通常のアセンブリ工程により
組立てられた電子部品（ＩＣ等）が、モールド時に発生
する薄バリを第１の工程１で、除去するバリ取り工程を
行ったのち、第２の工程２の化学研磨により、４２アロ
イ表面の酸化膜除去および密着力向上のための適当な表
面エッチングを行う。第３の工程３の硫酸浸漬では、硫
酸活性により第２の工程２で表面に生成した酸化膜の除
去と表面調整を行う。次いで第４の工程４１で、第５の
工程５におけるホウフッ酸系はんだめっき液のなじみと
表面活性の目的で、ホウフッ酸浸漬を行う。そして、第
５の工程５で、ホウフッ酸系はんだめっきを行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のはんだめっきの前処理方法では、第５の工程に
おけるホウフッ酸系はんだめっき液の液のなじみと表面
活性を目的として第４の工程でホウフッ酸浸漬を行うが
、浸漬のみでは充分な表面活性の効果は得られず、めっ
きの密着力が弱いといった問題点が生じる。本発明は上
記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、はんだめっき前の４２アロイ表面
のエッチングおよび表面還元による表面活性により、は
んだめっきの密着力を向上させるめっき前処理工程を提
供することにある。
た従来のはんだめっきの前処理方法では、第５の工程に
おけるホウフッ酸系はんだめっき液の液のなじみと表面
活性を目的として第４の工程でホウフッ酸浸漬を行うが
、浸漬のみでは充分な表面活性の効果は得られず、めっ
きの密着力が弱いといった問題点が生じる。本発明は上
記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、はんだめっき前の４２アロイ表面
のエッチングおよび表面還元による表面活性により、は
んだめっきの密着力を向上させるめっき前処理工程を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、４２アロイ上のホウフッ酸系はんだめっ
きの前処理方法であって、５〜１０％のホウフッ酸浸漬
工程で、１８〜２５℃において２〜５Ａ／ｃｍ２の直流
陰極電解を２０〜６０秒併用するものである。
に、本発明は、４２アロイ上のホウフッ酸系はんだめっ
きの前処理方法であって、５〜１０％のホウフッ酸浸漬
工程で、１８〜２５℃において２〜５Ａ／ｃｍ２の直流
陰極電解を２０〜６０秒併用するものである。
【０００５】
【作用】本発明に係るはんだめっきの前処理方法におい
ては、ホウフッ酸浸漬時に直流陰極電解を併用すること
により、４２アロイ表面をエッチングすると同時に陰極
電解により発生する水素ガスにより４２アロイ表面を還
元することにより、清浄な表面にはんだめっきが施され
るため、４２アロイとはんだめっき（Ｓｎ）との拡散が
容易に進行し、密着力が向上する。
ては、ホウフッ酸浸漬時に直流陰極電解を併用すること
により、４２アロイ表面をエッチングすると同時に陰極
電解により発生する水素ガスにより４２アロイ表面を還
元することにより、清浄な表面にはんだめっきが施され
るため、４２アロイとはんだめっき（Ｓｎ）との拡散が
容易に進行し、密着力が向上する。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図にもとづいて説
明する。図１において、第１の工程１におけるバリ取り
工程、第２の工程２における酸化膜除去およびエッチン
グのための化学研磨、および第３の工程３における前工
程の化学研磨で生成した酸化皮膜の除去と表面調整を行
う硫酸浸漬までの工程は従来と同じである。本発明の特
徴とするところは、第４の工程４において、ホウフッ酸
浸漬時に２〜５Ａ／ｃｍ２の直流陰極電解を併用した点
にある。第５の工程５はホウフッ酸系はんだめっき工程
である。
明する。図１において、第１の工程１におけるバリ取り
工程、第２の工程２における酸化膜除去およびエッチン
グのための化学研磨、および第３の工程３における前工
程の化学研磨で生成した酸化皮膜の除去と表面調整を行
う硫酸浸漬までの工程は従来と同じである。本発明の特
徴とするところは、第４の工程４において、ホウフッ酸
浸漬時に２〜５Ａ／ｃｍ２の直流陰極電解を併用した点
にある。第５の工程５はホウフッ酸系はんだめっき工程
である。
【０００７】以下、上記基本工程にもとづき、本発明の
具体的工程を説明する。通常のバリ取りを完了した４２
アロイフレームを市販の化学研磨液で、５５℃で３０秒
化学研磨後、１５％硫酸４５℃で６０秒浸漬処理後、７
％ホウフッ酸中で２３℃において、３Ａ／ｃｍ２、３０
秒直流陰極電解を実施後、直ちにホウフッ酸系はんだめ
っき液において４Ａ／ｃｍ２で５分間（約１０μｍ）の
めっきを行った。なお、化学研磨および硫酸浸漬は水洗
を行った。以上の工程による本発明と従来法でめっきし
たはんだめっき皮膜について、はんだ付け後、表面性試
験機を用いて引張り試験を実施した結果、図３に示すよ
うに本発明は従来法と比較して約２倍の密着力の向上が
みられた。なお、従来法については、化学研磨、硫酸浸
漬後水洗し、７％ホウフッ酸中で２３℃において３０秒
間浸漬後、直ちに本発明と同条件のめっきを行った。
具体的工程を説明する。通常のバリ取りを完了した４２
アロイフレームを市販の化学研磨液で、５５℃で３０秒
化学研磨後、１５％硫酸４５℃で６０秒浸漬処理後、７
％ホウフッ酸中で２３℃において、３Ａ／ｃｍ２、３０
秒直流陰極電解を実施後、直ちにホウフッ酸系はんだめ
っき液において４Ａ／ｃｍ２で５分間（約１０μｍ）の
めっきを行った。なお、化学研磨および硫酸浸漬は水洗
を行った。以上の工程による本発明と従来法でめっきし
たはんだめっき皮膜について、はんだ付け後、表面性試
験機を用いて引張り試験を実施した結果、図３に示すよ
うに本発明は従来法と比較して約２倍の密着力の向上が
みられた。なお、従来法については、化学研磨、硫酸浸
漬後水洗し、７％ホウフッ酸中で２３℃において３０秒
間浸漬後、直ちに本発明と同条件のめっきを行った。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
はんだめっきの前処理方法において、ホウフッソ酸浸漬
時に直流陰極電解を併用することにより、４２アロイ表
面をエッチングすると同時に陰極電解により発生する水
素ガスにより４２アロイ表面を還元することにより、清
浄な表面にはんだめっきが施されるため、４２アロイと
はんだめっき（Ｓｎ）との拡散が容易に進行し、密着力
の向上とともに品質の安定化が図れる効果がある。
はんだめっきの前処理方法において、ホウフッソ酸浸漬
時に直流陰極電解を併用することにより、４２アロイ表
面をエッチングすると同時に陰極電解により発生する水
素ガスにより４２アロイ表面を還元することにより、清
浄な表面にはんだめっきが施されるため、４２アロイと
はんだめっき（Ｓｎ）との拡散が容易に進行し、密着力
の向上とともに品質の安定化が図れる効果がある。
【図１】本発明の工程図である。
【図２】従来の工程図である。
【図３】本発明と従来との密着力の比較図である。
１ バリ取り工程
２ 化学研磨工程
３ 硫酸浸漬工程
４ ホウフッ酸浸漬工程
Claims (1)
- 【請求項１】 ４２アロイ上のホウフッ酸系はんだめ
っきの前処理方法であって、５〜１０％のホウフッ酸浸
漬工程で、１８〜２５℃において２〜５Ａ／ｃｍ２の直
流陰極電解を２０〜６０秒併用するはんだめっきの前処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12737891A JPH04354860A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | はんだめっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12737891A JPH04354860A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | はんだめっきの前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354860A true JPH04354860A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=14958508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12737891A Pending JPH04354860A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | はんだめっきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354860A (ja) |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP12737891A patent/JPH04354860A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0121618B2 (ja) | ||
| CN113113321B (zh) | 半导体高密度引线框架及其制造工艺 | |
| US3104167A (en) | Method and solution for selectively stripping electroless nickel from a substrate | |
| KR960015549B1 (ko) | 알루미늄 위에 철을 직접 도금하는 방법 | |
| JPH0653262A (ja) | 半導体デバイス等の金属表面からプラスチックのばり等を電解除去する方法及びその方法に使用する溶液組成物 | |
| JPH04354860A (ja) | はんだめっきの前処理方法 | |
| JPH1197298A (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP2003096573A (ja) | 無電解めっき皮膜の形成方法 | |
| JPH1129894A (ja) | 連続鋳造に用いる鋳型片のめっき方法 | |
| JPH04365891A (ja) | はんだめっき方法 | |
| US20030153164A1 (en) | Method of regenerating semiconductor wafer | |
| US7147896B2 (en) | Electroless nickel plating method for the preparation of zirconia ceramic | |
| US4363705A (en) | Passivating and silver removal method | |
| JP3484367B2 (ja) | 無電解めっき方法およびその前処理方法 | |
| JP3728964B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP4616490B2 (ja) | Ｃｖｔ用プーリーへのめっき方法 | |
| JPH06116782A (ja) | チタン材のめっき前処理方法 | |
| JPS5826168B2 (ja) | 導電性電極パタ−ンを形成する方法 | |
| JPH02240292A (ja) | 耐食性に優れたアルミニウム材料の陽極酸化処理方法 | |
| JPH06252313A (ja) | 半導体リードフレーム鍍金装置 | |
| JPS62230996A (ja) | アルミニウム基板にめつきをする方法 | |
| JPH03214689A (ja) | 印刷回路の製造のための減少された一群の工程及びこの工程を実施するための組成物 | |
| US11898264B2 (en) | Treatment methods and solutions for improving adhesion of gold electroplating on metal surfaces | |
| JPH0451531A (ja) | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 | |
| TWI228157B (en) | ECP method and apparatus thereof |