JPH0451531A - 絶縁封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
絶縁封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0451531A JPH0451531A JP2160611A JP16061190A JPH0451531A JP H0451531 A JPH0451531 A JP H0451531A JP 2160611 A JP2160611 A JP 2160611A JP 16061190 A JP16061190 A JP 16061190A JP H0451531 A JPH0451531 A JP H0451531A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- oxide film
- resin
- type semiconductor
- lead
- Prior art date
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁封止型半導体装置の製造方法に関する
ものである。
ものである。
第２図は従来及びこの発明による絶縁封止型半導体装置
の製造方法を説明する説明図で、図において、（１）は
絶縁封止型半導体装置、（６）は半導体装置（１）の絶
縁封圧部、（６）は外部リード、（γ）は酸化膜等のエ
ツチング対象層、Ｃ８）は樹脂バリである。
の製造方法を説明する説明図で、図において、（１）は
絶縁封止型半導体装置、（６）は半導体装置（１）の絶
縁封圧部、（６）は外部リード、（γ）は酸化膜等のエ
ツチング対象層、Ｃ８）は樹脂バリである。
製造された半導体装置には、半導体装置の絶縁封止部（
５）から突出する外部リード（６）上に、半導体装置製
造中にできた酸化膜等のエツチング対象層（７）が存在
し、その層上、半導体装置の絶縁封止部（６）近傍に樹
脂バリ（８）が存在する。
５）から突出する外部リード（６）上に、半導体装置製
造中にできた酸化膜等のエツチング対象層（７）が存在
し、その層上、半導体装置の絶縁封止部（６）近傍に樹
脂バリ（８）が存在する。
次に動作について説明する。半導体装置の外装処理（樹
脂バリ取り、化学エツチング、外装加工）工程を第３図
によって説明する。
脂バリ取り、化学エツチング、外装加工）工程を第３図
によって説明する。
すなわち、半導体素子（図示せず）を樹脂により絶縁封
止し念時に発生した樹脂バＩ７１８）を樹脂膨潤液に浸
漬或は、電解印加することで、樹脂膨潤液が電気分解を
おこし、水素・酸素ガスを発生させることで樹脂バリを
除去した後、外部リード（６）上に所在する酸化膜等エ
ッチ／グ対象層（７）ｔ−化学エツチング液に浸漬或は
電解印加し研摩する。その後、外装加工として、めっき
を施し、次工程送シとしていた。
止し念時に発生した樹脂バＩ７１８）を樹脂膨潤液に浸
漬或は、電解印加することで、樹脂膨潤液が電気分解を
おこし、水素・酸素ガスを発生させることで樹脂バリを
除去した後、外部リード（６）上に所在する酸化膜等エ
ッチ／グ対象層（７）ｔ−化学エツチング液に浸漬或は
電解印加し研摩する。その後、外装加工として、めっき
を施し、次工程送シとしていた。
従来の半導体装置の製造方法は、以上の様に行われてい
たので、樹脂バリ取り用の樹脂膨潤液とエツチング対象
層を研摩するエツチング液の２つが必要であり、また、
工程の複雑等の問題点があった。
たので、樹脂バリ取り用の樹脂膨潤液とエツチング対象
層を研摩するエツチング液の２つが必要であり、また、
工程の複雑等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消する為にな？れ
たもので、工程の蘭略化、処理液数の減少、工期短縮等
を図るようにした絶縁封止型半導体装置の製造方法を得
ることを目的とするう〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂バリ工程
と酸化膜エツチング工程とを同時に行う様にし次もので
ある。
たもので、工程の蘭略化、処理液数の減少、工期短縮等
を図るようにした絶縁封止型半導体装置の製造方法を得
ることを目的とするう〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂バリ工程
と酸化膜エツチング工程とを同時に行う様にし次もので
ある。
この発明における絶縁封止型半導体装置の製造方法は、
酸或はアルカリ系の酸化膜等をエツチングするエツチン
グ液中で絶縁封止型半導体素子に電解を印加することで
、そのエツチング液が電気分解を起こし、水素・酸素ガ
スを発生することによりリード上の樹脂バリを除去し、
またかつ、酸化膜等も化学的エツチングによって除去さ
れる。
酸或はアルカリ系の酸化膜等をエツチングするエツチン
グ液中で絶縁封止型半導体素子に電解を印加することで
、そのエツチング液が電気分解を起こし、水素・酸素ガ
スを発生することによりリード上の樹脂バリを除去し、
またかつ、酸化膜等も化学的エツチングによって除去さ
れる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は絶縁封止型半導体装置（以下
、半導体装置と略す）％（２）は不溶性金属の電極、（
８）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に存在
する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系のエツ
チング溶液、（４）はエツチング液（８）が滴たされた
槽である。
、半導体装置と略す）％（２）は不溶性金属の電極、（
８）は半導体装置（１）内のリードフレーム表面に存在
する酸化膜等をエツチングする酸或はアルカリ系のエツ
チング溶液、（４）はエツチング液（８）が滴たされた
槽である。
次に動作について説明する。
第１図において、第２図に示す様に外部リード（６）上
に酸化膜等エツチング対象層（ア）及び樹脂バ１７１Ｑ
Ｉが発生している半導体装置（１）と電極とする不溶性
金属（２）とをエツチング液（８）が滴たされた槽（４
）内く浸漬する。
に酸化膜等エツチング対象層（ア）及び樹脂バ１７１Ｑ
Ｉが発生している半導体装置（１）と電極とする不溶性
金属（２）とをエツチング液（８）が滴たされた槽（４
）内く浸漬する。
次に、槽（４）内のエツチング液（８）を攪拌しながら
、その半導体装置（１）に負極（或は正極）、不溶性金
属の電極（２）に正極（或は負極）となる様な直流電Ｉ
ＥＥを印加すると、この電圧によって、エツチング液〈
８）が電気分解を起こし、水素酸素ガスを発生する。こ
れによって、リード（６）上の樹脂バ＋７ ｔ８）を除
去するとともに、酸化膜（γ）等も化学的エツチングに
よって除去でれる。
、その半導体装置（１）に負極（或は正極）、不溶性金
属の電極（２）に正極（或は負極）となる様な直流電Ｉ
ＥＥを印加すると、この電圧によって、エツチング液〈
８）が電気分解を起こし、水素酸素ガスを発生する。こ
れによって、リード（６）上の樹脂バ＋７ ｔ８）を除
去するとともに、酸化膜（γ）等も化学的エツチングに
よって除去でれる。
以上のように、この発明によれば、酸化膜エツチング用
のエツチング液に絶縁封止型半導体装置を浸漬しながら
電圧を印加する様に構成したので、樹脂バリと酸化膜等
とを同一の工程で除去できるので、工程の簡略化ができ
、処理液の数が減少し、ま九、半導体装置の製造工期の
短縮等が得られる効果妙１ある。
のエツチング液に絶縁封止型半導体装置を浸漬しながら
電圧を印加する様に構成したので、樹脂バリと酸化膜等
とを同一の工程で除去できるので、工程の簡略化ができ
、処理液の数が減少し、ま九、半導体装置の製造工期の
短縮等が得られる効果妙１ある。
第１図はこの発明の一実施例による絶縁封止型半導体装
置の製造方法の概略図、第２図は絶縁封止型半導体装置
の断面説明図、第３図は従来の絶縁封止型半導体装置の
外装処理工程図である。 図において、（１）は絶縁封止型半導体装置、（２）は
不溶性金属の電極、（８）はエツチング液、（４）は槽
、（６）は半導体装置の絶縁封止部、（６）は外部リー
ド、（７）は酸化膜等エツチング対象層、ｒ８）は樹脂
バリである。 々お、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
置の製造方法の概略図、第２図は絶縁封止型半導体装置
の断面説明図、第３図は従来の絶縁封止型半導体装置の
外装処理工程図である。 図において、（１）は絶縁封止型半導体装置、（２）は
不溶性金属の電極、（８）はエツチング液、（４）は槽
、（６）は半導体装置の絶縁封止部、（６）は外部リー
ド、（７）は酸化膜等エツチング対象層、ｒ８）は樹脂
バリである。 々お、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止
工程により発生したリード上のバリと、めつきを析出さ
せるリード上の酸化膜とを同一の工程で除去することを
特徴とする絶縁封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160611A JPH0451531A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160611A JPH0451531A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451531A true JPH0451531A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15718681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160611A Pending JPH0451531A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 絶縁封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0620589A1 (en) * | 1993-03-30 | 1994-10-19 | AT&T Corp. | Leadframe structure for molded package arrangements |
| EP0620590A1 (en) * | 1993-03-30 | 1994-10-19 | AT&T Corp. | Leadframe processing for molded package arrangements |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160611A patent/JPH0451531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0620589A1 (en) * | 1993-03-30 | 1994-10-19 | AT&T Corp. | Leadframe structure for molded package arrangements |
| EP0620590A1 (en) * | 1993-03-30 | 1994-10-19 | AT&T Corp. | Leadframe processing for molded package arrangements |
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