JPH06252313A - 半導体リードフレーム鍍金装置 - Google Patents
半導体リードフレーム鍍金装置Info
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- JPH06252313A JPH06252313A JP6085693A JP6085693A JPH06252313A JP H06252313 A JPH06252313 A JP H06252313A JP 6085693 A JP6085693 A JP 6085693A JP 6085693 A JP6085693 A JP 6085693A JP H06252313 A JPH06252313 A JP H06252313A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング処理で生じるリードフレーム表面
に残留するスマットを除去し、密着不良等の鍍金不良が
発生することのない半導体リードフレーム鍍金装置を提
供すること。 【構成】 脱脂処理手段１、水洗処理手段２、エッチン
グ処理手段３、水洗処理手段４、プレディップ処理手段
５、ハンダ鍍金処理手段６、水洗処理手段７、アルカリ
中和処理手段８、水洗処理手段及び乾燥処理手段１１を
具備する半導体リードフレーム鍍金装置において、エッ
チング処理手段３とハンダ鍍金処理手段６との間に超音
波洗浄を行なう超音波洗浄手段１１を設け、エッチング
処理手段でエッチング処理を施した後、該超音波洗浄処
理手段１１で超音波洗浄し、その後ハンダ鍍金処理を施
す。
に残留するスマットを除去し、密着不良等の鍍金不良が
発生することのない半導体リードフレーム鍍金装置を提
供すること。 【構成】 脱脂処理手段１、水洗処理手段２、エッチン
グ処理手段３、水洗処理手段４、プレディップ処理手段
５、ハンダ鍍金処理手段６、水洗処理手段７、アルカリ
中和処理手段８、水洗処理手段及び乾燥処理手段１１を
具備する半導体リードフレーム鍍金装置において、エッ
チング処理手段３とハンダ鍍金処理手段６との間に超音
波洗浄を行なう超音波洗浄手段１１を設け、エッチング
処理手段でエッチング処理を施した後、該超音波洗浄処
理手段１１で超音波洗浄し、その後ハンダ鍍金処理を施
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体リードフレームの
外装部分にハンダ鍍金処理を施す半導体リードフレーム
鍍金装置に関するものである。
外装部分にハンダ鍍金処理を施す半導体リードフレーム
鍍金装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】図４は従来のこの種の半導体リードフレー
ム鍍金装置の構成を示す図である。半導体リードフレー
ム鍍金装置は、図示するように、脱脂処理手段１、水洗
処理手段２、エッチング処理手段３、水洗処理手段４、
プレディップ処理手段５、ハンダ鍍金処理手段６、水洗
処理手段７、アルカリ中和処理手段８、水洗処理手段９
及び乾燥処理手段１０を具備する。
ム鍍金装置の構成を示す図である。半導体リードフレー
ム鍍金装置は、図示するように、脱脂処理手段１、水洗
処理手段２、エッチング処理手段３、水洗処理手段４、
プレディップ処理手段５、ハンダ鍍金処理手段６、水洗
処理手段７、アルカリ中和処理手段８、水洗処理手段９
及び乾燥処理手段１０を具備する。
【０００３】脱脂処理手段１は半導体リードフレームの
機械加工等においてリードフレーム表面に付着した脂を
除去する処理手段で、通常脱脂液を収容する液槽にリー
ドフレームを浸漬して脱脂する。水洗処理手段２は脱脂
処理により付着した脱脂液を除去するための水洗いで、
通常純水を収容した水槽の中に脱脂処理したリードフレ
ームを浸漬して行なう。エッチング処理手段３はエッチ
ング処理を施す手段で、通常硫酸＋過酸化水素系のエッ
チング液を収容した液槽に所定時間して浸漬して行な
う。
機械加工等においてリードフレーム表面に付着した脂を
除去する処理手段で、通常脱脂液を収容する液槽にリー
ドフレームを浸漬して脱脂する。水洗処理手段２は脱脂
処理により付着した脱脂液を除去するための水洗いで、
通常純水を収容した水槽の中に脱脂処理したリードフレ
ームを浸漬して行なう。エッチング処理手段３はエッチ
ング処理を施す手段で、通常硫酸＋過酸化水素系のエッ
チング液を収容した液槽に所定時間して浸漬して行な
う。
【０００４】水洗処理手段４はエッチング処理の終了し
たリードフレームを水洗いする処理で通常純水を収容し
た水槽の中にエッチング処理したリードフレームを浸漬
して行なう。プレディップ処理手段５はハンダ鍍金処理
の直前の処理で、通常鍍金液と同じ酸性の液を収容した
液槽に浸漬して行なう。このプレディップ処理は、エッ
チング処理の後、エッチング処理液を除去するため水洗
いを行なうが、この水洗いによってもエッチング処理液
は完全に除去されず極僅かのエッチング液が表面に付着
し、リードフレーム表面に酸化膜を形成するので、この
酸化皮膜の除去と表面に付着するその他の不純物の除
去、更にプレディップ液に鍍金液と同じ液を用い、これ
により鍍金液の濃度を所定の値に維持するために行な
う。ハンダ鍍金処理手段６はリードフレームの外装部分
にハンダ鍍金処理を行なう手段で、鍍金液中でハンダ材
を陽極、リードフレームを陰極として通電することによ
り行なう。水洗処理手段７はハンダ鍍金処理により付着
した鍍金処理液を除去する水洗いで、通常純水を収容し
た水槽の中に鍍金処理の終了したリードフレームを浸漬
して行なう。
たリードフレームを水洗いする処理で通常純水を収容し
た水槽の中にエッチング処理したリードフレームを浸漬
して行なう。プレディップ処理手段５はハンダ鍍金処理
の直前の処理で、通常鍍金液と同じ酸性の液を収容した
液槽に浸漬して行なう。このプレディップ処理は、エッ
チング処理の後、エッチング処理液を除去するため水洗
いを行なうが、この水洗いによってもエッチング処理液
は完全に除去されず極僅かのエッチング液が表面に付着
し、リードフレーム表面に酸化膜を形成するので、この
酸化皮膜の除去と表面に付着するその他の不純物の除
去、更にプレディップ液に鍍金液と同じ液を用い、これ
により鍍金液の濃度を所定の値に維持するために行な
う。ハンダ鍍金処理手段６はリードフレームの外装部分
にハンダ鍍金処理を行なう手段で、鍍金液中でハンダ材
を陽極、リードフレームを陰極として通電することによ
り行なう。水洗処理手段７はハンダ鍍金処理により付着
した鍍金処理液を除去する水洗いで、通常純水を収容し
た水槽の中に鍍金処理の終了したリードフレームを浸漬
して行なう。
【０００５】アルカリ中和処理手段８は残留鍍金液の中
和処理を行なう手段で、通常中和液が収容された液槽に
水洗処理手段７で水洗いの終了したリードフレームを浸
漬して行なう。水洗処理手段９は最後の水洗い手段で通
常純水が収容された水槽に浸漬して行なう。乾燥処理手
段１０は水洗後の乾燥を行なうものである。
和処理を行なう手段で、通常中和液が収容された液槽に
水洗処理手段７で水洗いの終了したリードフレームを浸
漬して行なう。水洗処理手段９は最後の水洗い手段で通
常純水が収容された水槽に浸漬して行なう。乾燥処理手
段１０は水洗後の乾燥を行なうものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】最近半導体素子の微細
化に伴いリードフレームも年々薄くなり、そのピッチも
狭ピッチ化している。そして銅（Ｃｕ）系の半導体リー
ドフレームにおいては、このような薄形化及び狭ピッチ
化傾向に対応してニッケル（Ｎｉ）やシリコン（Ｓｉ）
元素を混合させてリードフレーム材の強度を上げる場合
が多くなった。
化に伴いリードフレームも年々薄くなり、そのピッチも
狭ピッチ化している。そして銅（Ｃｕ）系の半導体リー
ドフレームにおいては、このような薄形化及び狭ピッチ
化傾向に対応してニッケル（Ｎｉ）やシリコン（Ｓｉ）
元素を混合させてリードフレーム材の強度を上げる場合
が多くなった。
【０００７】上記ニッケル（Ｎｉ）やシリコン（Ｓｉ）
元素を混合させた銅（Ｃｕ）系の半導体リードフレーム
の外装部分にハンダ鍍金処理を行なう場合、上記のよう
にハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金処理を行なう前に
エッチング処理手段３でエッチング処理を行なってい
る。このエッチング処理手段３では、硫酸＋過酸化水素
系のエッチング液を使用する場合が多いが、リードフレ
ーム材に含まれるＮｉやＳｉがこのエッチング処理によ
り溶解した後、リードフレーム表面から離脱することな
く黒い粉末状の所謂スマットとして残留する場合が多
い。リードフレーム表面にこのスマットが残量したまま
ハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金処理を行なうと密着
不良等の鍍金不良が生じるという問題があった。
元素を混合させた銅（Ｃｕ）系の半導体リードフレーム
の外装部分にハンダ鍍金処理を行なう場合、上記のよう
にハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金処理を行なう前に
エッチング処理手段３でエッチング処理を行なってい
る。このエッチング処理手段３では、硫酸＋過酸化水素
系のエッチング液を使用する場合が多いが、リードフレ
ーム材に含まれるＮｉやＳｉがこのエッチング処理によ
り溶解した後、リードフレーム表面から離脱することな
く黒い粉末状の所謂スマットとして残留する場合が多
い。リードフレーム表面にこのスマットが残量したまま
ハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金処理を行なうと密着
不良等の鍍金不良が生じるという問題があった。
【０００８】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、このスマットをリードフレーム表面から除去し、密
着不良等の鍍金不良が発生することのない半導体リード
フレーム鍍金装置を提供することを目的とする。
で、このスマットをリードフレーム表面から除去し、密
着不良等の鍍金不良が発生することのない半導体リード
フレーム鍍金装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、少なくともエッチング処理を施すエッチング
処理手段と鍍金処理を施すハンダ鍍金処理手段を具備
し、半導体リードフレームの外装部分にエッチング処理
手段でエッチング処理を施した後、ハンダ鍍金処理を施
す半導体リードフレーム鍍金装置において、エッチング
処理手段とハンダ鍍金処理手段との間に超音波洗浄を行
なう超音波洗浄手段を設け、エッチング処理手段でエッ
チング処理を施した後、該洗浄手段で超音波洗浄し、そ
の後ハンダ鍍金処理を施すことを特徴とする。
本発明は、少なくともエッチング処理を施すエッチング
処理手段と鍍金処理を施すハンダ鍍金処理手段を具備
し、半導体リードフレームの外装部分にエッチング処理
手段でエッチング処理を施した後、ハンダ鍍金処理を施
す半導体リードフレーム鍍金装置において、エッチング
処理手段とハンダ鍍金処理手段との間に超音波洗浄を行
なう超音波洗浄手段を設け、エッチング処理手段でエッ
チング処理を施した後、該洗浄手段で超音波洗浄し、そ
の後ハンダ鍍金処理を施すことを特徴とする。
【００１０】また、超音波洗浄手段は、超音波振動子を
設置した水洗槽であることを特徴とする。
設置した水洗槽であることを特徴とする。
【００１１】また、エッチング処理手段の次に水洗いを
行なう水洗槽を設置し、その次に超音波振動子を設置し
た水洗槽を設置したことを特徴とする。
行なう水洗槽を設置し、その次に超音波振動子を設置し
た水洗槽を設置したことを特徴とする。
【００１２】また、半導体リードフレーム鍍金装置はハ
ンダ鍍金処理手段の前にハンダ鍍金処理直前のプレディ
ップ処理を行なうプレディップ処理槽を具備し、該プレ
ディップ処理槽の中に超音波振動子を設置したことを特
徴とする。
ンダ鍍金処理手段の前にハンダ鍍金処理直前のプレディ
ップ処理を行なうプレディップ処理槽を具備し、該プレ
ディップ処理槽の中に超音波振動子を設置したことを特
徴とする。
【００１３】また、エッチング処理手段の処理槽の中に
超音波振動子を設置したことを特徴とする。
超音波振動子を設置したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】エッチング処理手段とハンダ鍍金処理手段との
間に超音波洗浄を行なう超音波洗浄手段を設けたことに
より、エッチング処理で生ずるリードフレーム表面に付
着するスマットは完全に除去され、ハンダ鍍金の不良等
の不具合は発生しなくなる。
間に超音波洗浄を行なう超音波洗浄手段を設けたことに
より、エッチング処理で生ずるリードフレーム表面に付
着するスマットは完全に除去され、ハンダ鍍金の不良等
の不具合は発生しなくなる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の半導体リードフレーム鍍金装置の
一構成を示す図である。図１において、図４と同一符号
を付した部分は同一又は相当部分を示す。本半導体リー
ドフレーム鍍金装置は、図１に示すように、脱脂処理手
段１、水洗処理手段２、エッチング処理手段３、水洗処
理手段４、プレディップ処理手段５、ハンダ鍍金処理手
段６、水洗処理手段７、アルカリ中和処理手段８、水洗
処理手段９及び乾燥処理手段１０を具備し、エッチング
処理手段３と水洗処理手段４との間に超音波洗浄手段１
１を具備する。
する。図１は本発明の半導体リードフレーム鍍金装置の
一構成を示す図である。図１において、図４と同一符号
を付した部分は同一又は相当部分を示す。本半導体リー
ドフレーム鍍金装置は、図１に示すように、脱脂処理手
段１、水洗処理手段２、エッチング処理手段３、水洗処
理手段４、プレディップ処理手段５、ハンダ鍍金処理手
段６、水洗処理手段７、アルカリ中和処理手段８、水洗
処理手段９及び乾燥処理手段１０を具備し、エッチング
処理手段３と水洗処理手段４との間に超音波洗浄手段１
１を具備する。
【００１６】上記構成の鍍金装置において、超音波洗浄
手段１１は水槽の中に超音波振動子を設置した構成であ
る。板金等の機械加工で加工された半導体リードフレー
ムは、脱脂処理手段１及び水洗処理手段２の各処理を経
てエッチング処理手段３でエッチング処理が施される。
この点は従来例と同一である。エッチング処理は硫酸＋
過酸化水素系のエッチング液に所定時間して浸漬して行
なうが、上述のように銅（Ｃｕ）系の半導体リードフレ
ームにおいては強度を上げるためニッケル（Ｎｉ）やシ
リコン（Ｓｉ）元素を混合させているため、エッチング
処理を行なうとこのＮｉやＳｉ元素が溶解し、リードフ
レーム表面に黒い粉末状のスマットとして残留する場合
が多い。このスマットが残留するリードフレームを純水
が収容された該超音波洗浄手段１１の水槽の中に浸漬し
て、超音波振動子から超音波を発射することにより、リ
ードフレーム表面に残留するこのスマットは完全に除去
される。
手段１１は水槽の中に超音波振動子を設置した構成であ
る。板金等の機械加工で加工された半導体リードフレー
ムは、脱脂処理手段１及び水洗処理手段２の各処理を経
てエッチング処理手段３でエッチング処理が施される。
この点は従来例と同一である。エッチング処理は硫酸＋
過酸化水素系のエッチング液に所定時間して浸漬して行
なうが、上述のように銅（Ｃｕ）系の半導体リードフレ
ームにおいては強度を上げるためニッケル（Ｎｉ）やシ
リコン（Ｓｉ）元素を混合させているため、エッチング
処理を行なうとこのＮｉやＳｉ元素が溶解し、リードフ
レーム表面に黒い粉末状のスマットとして残留する場合
が多い。このスマットが残留するリードフレームを純水
が収容された該超音波洗浄手段１１の水槽の中に浸漬し
て、超音波振動子から超音波を発射することにより、リ
ードフレーム表面に残留するこのスマットは完全に除去
される。
【００１７】前記スマットが除去されたリードフレーム
は水洗処理手段４で水洗い、プレディップ処理手段５で
プレディップ処理、ハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金
される。このハンダ鍍金は上記のように超音波洗浄を行
なうことにより、エッチング処理で生ずる残留スマット
が除去されているから、密着の良好な鍍金となる。ハン
ダ鍍金されたリードフレームは、その後水洗処理手段７
で水洗い、アルカリ中和処理手段８でアルカリ中和処
理、水洗処理手段９で水洗いされ、最後に乾燥処理手段
１０で乾燥されて終了する。
は水洗処理手段４で水洗い、プレディップ処理手段５で
プレディップ処理、ハンダ鍍金処理手段６でハンダ鍍金
される。このハンダ鍍金は上記のように超音波洗浄を行
なうことにより、エッチング処理で生ずる残留スマット
が除去されているから、密着の良好な鍍金となる。ハン
ダ鍍金されたリードフレームは、その後水洗処理手段７
で水洗い、アルカリ中和処理手段８でアルカリ中和処
理、水洗処理手段９で水洗いされ、最後に乾燥処理手段
１０で乾燥されて終了する。
【００１８】図２は本発明の半導体リードフレーム鍍金
装置の他の構成を示す図である。図示するように、本鍍
金装置では、水洗処理槽４をエッチング処理手段３の直
後に配置し、超音波洗浄手段１１を配置している点が異
なるが、その他の点は図１と同じである。このように構
成しても、エッチング処理によりリードフレーム表面に
残留するスマットは超音波洗浄手段１１の超音波洗浄に
より完全に除去され、密着の良好なハンダ鍍金がなされ
る。
装置の他の構成を示す図である。図示するように、本鍍
金装置では、水洗処理槽４をエッチング処理手段３の直
後に配置し、超音波洗浄手段１１を配置している点が異
なるが、その他の点は図１と同じである。このように構
成しても、エッチング処理によりリードフレーム表面に
残留するスマットは超音波洗浄手段１１の超音波洗浄に
より完全に除去され、密着の良好なハンダ鍍金がなされ
る。
【００１９】図３は本発明の半導体リードフレーム鍍金
装置の他の構成を示す図である。図示するように、本鍍
金装置では、プレディップ処理手段５’の液槽に超音波
振動子１２を配置している。プレディップ処理手段５’
の液槽にはハンダ鍍金液と同じ液（酸性液）が収容され
ており、この液槽にエッチング処理手段３でエッチング
し、水洗処理手段４で水洗したリードフレームを浸漬
し、超音波振動子１２から超音波を発射することによ
り、本来のプレディップ処理、即ち残留エッチング液に
よるリードフレーム表面に形成される酸化皮膜や表面に
付着する不純物の除去と、エッチング処理による残留ス
マットの除去とが同時に効果的に実施できる。従って、
ハンダ鍍金処理手段６によるハンダ鍍金も密着の良好な
ものとなる。
装置の他の構成を示す図である。図示するように、本鍍
金装置では、プレディップ処理手段５’の液槽に超音波
振動子１２を配置している。プレディップ処理手段５’
の液槽にはハンダ鍍金液と同じ液（酸性液）が収容され
ており、この液槽にエッチング処理手段３でエッチング
し、水洗処理手段４で水洗したリードフレームを浸漬
し、超音波振動子１２から超音波を発射することによ
り、本来のプレディップ処理、即ち残留エッチング液に
よるリードフレーム表面に形成される酸化皮膜や表面に
付着する不純物の除去と、エッチング処理による残留ス
マットの除去とが同時に効果的に実施できる。従って、
ハンダ鍍金処理手段６によるハンダ鍍金も密着の良好な
ものとなる。
【００２０】なお、上記実施例ではエッチング処理手段
３の次に超音波洗浄処理手段１１を配置し（図１参
照）、又はエッチング処理手段３に続く水洗処理手段４
の次に超音波洗浄処理手段１１を配置し（図２参照）、
又はプレディップ処理手段５’に超音波振動子１２を設
けた（図３参照）が、本願発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えばエッチング処理手段の処理槽中に超音
波振動子を配置し、エッチング処理と同時に超音波洗浄
を行うか、或いはエッチング処理の終了後に該処理槽内
で超音波洗浄するようにしてもよい。
３の次に超音波洗浄処理手段１１を配置し（図１参
照）、又はエッチング処理手段３に続く水洗処理手段４
の次に超音波洗浄処理手段１１を配置し（図２参照）、
又はプレディップ処理手段５’に超音波振動子１２を設
けた（図３参照）が、本願発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えばエッチング処理手段の処理槽中に超音
波振動子を配置し、エッチング処理と同時に超音波洗浄
を行うか、或いはエッチング処理の終了後に該処理槽内
で超音波洗浄するようにしてもよい。
【００２１】上記のようにエッチング処理と同時に、或
いはエッチング処理の終了後に該処理槽内で超音波洗浄
することにより、リードフレームを構成する合金の種類
によっては、リードフレーム表面に付着するスマット等
を効果的に除去できる場合もある。
いはエッチング処理の終了後に該処理槽内で超音波洗浄
することにより、リードフレームを構成する合金の種類
によっては、リードフレーム表面に付着するスマット等
を効果的に除去できる場合もある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ッチング処理手段とハンダ鍍金処理手段との間に超音波
洗浄を行なう超音波洗浄手段を設け、エッチング処理に
よりリードフレーム表面に付着するスマットを超音波洗
浄により完全に除去した後、ハンダ鍍金を行なうので、
ハンダ鍍金に密着不良等の不具合は発生しないという優
れた効果が得られる。
ッチング処理手段とハンダ鍍金処理手段との間に超音波
洗浄を行なう超音波洗浄手段を設け、エッチング処理に
よりリードフレーム表面に付着するスマットを超音波洗
浄により完全に除去した後、ハンダ鍍金を行なうので、
ハンダ鍍金に密着不良等の不具合は発生しないという優
れた効果が得られる。
【図１】本発明の半導体リードフレーム鍍金装置の一構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】本発明の半導体リードフレーム鍍金装置の他の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】本発明の半導体リードフレーム鍍金装置の他の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】従来の半導体リードフレーム鍍金装置の他の構
成を示す図である。
成を示す図である。
１ 脱脂処理手段 ２ 水洗処理手段 ３ エッチング処理手段 ４ 水洗処理手段 ５ プレディップ処理手段 ５’ プレディップ処理手段 ６ ハンダ鍍金処理手段 ７ 水洗処理手段 ８ アルカリ中和処理手段 ９ 水洗処理手段 １０ 乾燥処理手段 １１ 超音波洗浄手段 １２ 超音波振動子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 2/34
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともエッチング処理を施すエッチ
ング処理手段と鍍金処理を施すハンダ鍍金処理手段を具
備し、半導体リードフレームの外装部分に前記エッチン
グ処理手段でエッチング処理を施した後、ハンダ鍍金処
理を施す半導体リードフレーム鍍金装置において、 前記エッチング処理手段とハンダ鍍金処理手段との間に
超音波洗浄を行なう超音波洗浄手段を設け、前記エッチ
ング処理手段でエッチング処理中又はエッチング処理を
施した後、該洗浄手段で超音波洗浄し、その後ハンダ鍍
金処理を施すことを特徴とする半導体リードフレーム鍍
金装置。 - 【請求項２】 前記超音波洗浄手段は、超音波振動子を
設置した水洗槽であることを特徴とする請求項１記載の
半導体リードフレーム鍍金装置。 - 【請求項３】 前記エッチング処理手段の次に水洗いを
行なう水洗槽を設置し、その次に前記超音波振動子を設
置した水洗槽を設置したことを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体リードフレーム鍍金装置。 - 【請求項４】 前記半導体リードフレーム鍍金装置はハ
ンダ鍍金処理手段の前にハンダ鍍金処理直前のプレディ
ップ処理を行なうプレディップ処理槽を具備し、該プレ
ディップ処理槽の中に超音波振動子を設置したことを特
徴とする請求項１記載の半導体リードフレーム鍍金装
置。 - 【請求項５】 前記エッチング処理手段の処理槽の中に
超音波振動子を設置したことを特徴とする請求項１記載
の半導体リードフレーム鍍金装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6085693A JPH06252313A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体リードフレーム鍍金装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6085693A JPH06252313A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体リードフレーム鍍金装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252313A true JPH06252313A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13154448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6085693A Pending JPH06252313A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体リードフレーム鍍金装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252313A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000012443A (ko) * | 1999-12-04 | 2000-03-06 | 김무 | 반도체 패키지용 리드프레임 자재의 세정 방법 |
| WO2002085790A3 (en) * | 2001-04-19 | 2003-01-09 | Ebara Corp | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof for use in ultrasonic cleaning equipment |
| KR100564539B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 패키지의 디플래싱 장치 및 이를 이용한 디플래싱 방법 |
| KR101346584B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-01-03 | 한수경 | 동의 표면에 부착된 흑연의 제거방법 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP6085693A patent/JPH06252313A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564539B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 패키지의 디플래싱 장치 및 이를 이용한 디플래싱 방법 |
| KR20000012443A (ko) * | 1999-12-04 | 2000-03-06 | 김무 | 반도체 패키지용 리드프레임 자재의 세정 방법 |
| WO2002085790A3 (en) * | 2001-04-19 | 2003-01-09 | Ebara Corp | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof for use in ultrasonic cleaning equipment |
| US6921063B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-07-26 | Ebara Corporation | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof and ultrasonic cleaning equipment and method thereof |
| KR101346584B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-01-03 | 한수경 | 동의 표면에 부착된 흑연의 제거방법 |
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