JPH06283261A - パネルヒーター及びその製造方法 - Google Patents
パネルヒーター及びその製造方法Info
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- JPH06283261A JPH06283261A JP6006789A JP678994A JPH06283261A JP H06283261 A JPH06283261 A JP H06283261A JP 6006789 A JP6006789 A JP 6006789A JP 678994 A JP678994 A JP 678994A JP H06283261 A JPH06283261 A JP H06283261A
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- transparent
- electrode
- film
- planar heater
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明基板の上の、全面に透明導電層、全面
に耐酸性を有する透明保護層、両端に金属電極層、前面
もしくは一部に透明樹脂保護層を順次設けた構成を有
し、透明導電層に電圧を印加するための電極が、真空成
膜法を基本とするドライプロセスと無電解めっきもしく
は電解めっきを基本とするウエットプロセスを組み合わ
せて形成されることを特徴とする透明面状ヒーター。 【効果】 信頼性が極めて高く、電極形成工程におけ
る生産性が著しく向上した、液晶表示パネルに好適に用
いうる透明面状ヒーターが提供される。
に耐酸性を有する透明保護層、両端に金属電極層、前面
もしくは一部に透明樹脂保護層を順次設けた構成を有
し、透明導電層に電圧を印加するための電極が、真空成
膜法を基本とするドライプロセスと無電解めっきもしく
は電解めっきを基本とするウエットプロセスを組み合わ
せて形成されることを特徴とする透明面状ヒーター。 【効果】 信頼性が極めて高く、電極形成工程におけ
る生産性が著しく向上した、液晶表示パネルに好適に用
いうる透明面状ヒーターが提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窓部分に使用される透
明な面状ヒーターに関し、特に、液晶表示素子、冷蔵シ
ョーケース、冷凍ショーケース、自動車用デフロスター
などに使用される透明面状ヒーターに関するものであ
る。
明な面状ヒーターに関し、特に、液晶表示素子、冷蔵シ
ョーケース、冷凍ショーケース、自動車用デフロスター
などに使用される透明面状ヒーターに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、冷凍、冷蔵ショーケースは、その
窓部を構成するガラス表面への結露防止をする必要があ
り、このためガラス表面に透明導電膜を形成し、これに
所定の電力を印加して窓面を加熱することが行われてい
る。また、近年、液晶表示素子の需要が大きくなってい
るが、寒冷地で使用した場合に液晶の動作が遅くなる等
の問題があり、液晶表示素子にも温度制御用の透明面状
ヒーターを備えることの必要性が高まってきた。従来、
寒冷地などの条件下で使用される液晶表示素子として
は、例えば特開昭58−126517号公報に提案され
るように、メッシュ状の発熱抵抗体を配置して加熱する
ものがあった。しかしながら、この方法では、液晶素子
全体を均一に加熱することは困難であり、また、不透明
な金属からなる発熱抵抗体が液晶表示を見る際の邪魔に
なったりする不都合がある。
窓部を構成するガラス表面への結露防止をする必要があ
り、このためガラス表面に透明導電膜を形成し、これに
所定の電力を印加して窓面を加熱することが行われてい
る。また、近年、液晶表示素子の需要が大きくなってい
るが、寒冷地で使用した場合に液晶の動作が遅くなる等
の問題があり、液晶表示素子にも温度制御用の透明面状
ヒーターを備えることの必要性が高まってきた。従来、
寒冷地などの条件下で使用される液晶表示素子として
は、例えば特開昭58−126517号公報に提案され
るように、メッシュ状の発熱抵抗体を配置して加熱する
ものがあった。しかしながら、この方法では、液晶素子
全体を均一に加熱することは困難であり、また、不透明
な金属からなる発熱抵抗体が液晶表示を見る際の邪魔に
なったりする不都合がある。
【0003】透明基板上に透明導電膜を形成した透明な
発熱体は、例えば米国特許4,952,783号公報が
提案されている。このような発熱体の構成の一例が図1
に示されている。すなわち、透明基板51上の全面に透
明導電膜52が形成され、透明導電膜52に電力を供給
するための一対の電極53が透明導電膜52の両端部に
設けられている。さらに、透明導電膜52や電極53を
保護するための透明保護層54が、発熱体の全面に設け
られている。ここで電極53は、透明導電膜52上に、
銀ペースト等の導電性塗料をスクリーン印刷法等によっ
て塗布し、更に熱処理を行なうことで形成されている。
さらに電極の信頼性を向上するために、特開平4−28
9685号公報には、金属箔を導電性塗料で挟み込んだ
構成の電極が開示されている。
発熱体は、例えば米国特許4,952,783号公報が
提案されている。このような発熱体の構成の一例が図1
に示されている。すなわち、透明基板51上の全面に透
明導電膜52が形成され、透明導電膜52に電力を供給
するための一対の電極53が透明導電膜52の両端部に
設けられている。さらに、透明導電膜52や電極53を
保護するための透明保護層54が、発熱体の全面に設け
られている。ここで電極53は、透明導電膜52上に、
銀ペースト等の導電性塗料をスクリーン印刷法等によっ
て塗布し、更に熱処理を行なうことで形成されている。
さらに電極の信頼性を向上するために、特開平4−28
9685号公報には、金属箔を導電性塗料で挟み込んだ
構成の電極が開示されている。
【0004】しかしながら、この種の透明面状ヒーター
において電極を銀ペースト等の導電性塗料で構成した場
合、透明導電膜の抵抗に比較して導電性塗料自身の抵抗
が大きいことや、電極と透明導電膜との間の接触抵抗が
高くなりやすい。接触抵抗が大きくなると、透明面状ヒ
ーターの大型化にともない、透明導電膜内での通電状態
が不均一となって発熱量の不均一が生じ、透明面状ヒー
ター全体が均一に昇温しないという問題や、電極接点近
傍部分に電流集中が起こって透明面状ヒーターの電極近
傍が異常発熱し、断線する等の問題が発生する。前述の
特開平4−289685号公報に示されるような電極と
した場合、通電状態の不均一さの改善はなされるもの
の、透明導電膜と電極との密着性が不十分であって、使
用中に両者が剥がれ易い等の問題や、電極を形成するた
めの製作工程が複雑となり、かつ作業性が悪いので製品
のコストアップにつながるなどの問題がある。
において電極を銀ペースト等の導電性塗料で構成した場
合、透明導電膜の抵抗に比較して導電性塗料自身の抵抗
が大きいことや、電極と透明導電膜との間の接触抵抗が
高くなりやすい。接触抵抗が大きくなると、透明面状ヒ
ーターの大型化にともない、透明導電膜内での通電状態
が不均一となって発熱量の不均一が生じ、透明面状ヒー
ター全体が均一に昇温しないという問題や、電極接点近
傍部分に電流集中が起こって透明面状ヒーターの電極近
傍が異常発熱し、断線する等の問題が発生する。前述の
特開平4−289685号公報に示されるような電極と
した場合、通電状態の不均一さの改善はなされるもの
の、透明導電膜と電極との密着性が不十分であって、使
用中に両者が剥がれ易い等の問題や、電極を形成するた
めの製作工程が複雑となり、かつ作業性が悪いので製品
のコストアップにつながるなどの問題がある。
【0005】本発明者らは、特願平5−189560に
おいて、透明導電膜上に実質的に透光性のある金属薄膜
層を形成したのち、ウェットプロセスにより金属薄膜層
上に金属電極を形成して透明面状ヒーターを提供出来る
ことを提案した。該発明は、透明面状ヒーターを提供す
る有効な発明であるが、ウェットプロセスにより透明面
状ヒーターの金属電極を形成する際の処理に熟練が必要
であった。
おいて、透明導電膜上に実質的に透光性のある金属薄膜
層を形成したのち、ウェットプロセスにより金属薄膜層
上に金属電極を形成して透明面状ヒーターを提供出来る
ことを提案した。該発明は、透明面状ヒーターを提供す
る有効な発明であるが、ウェットプロセスにより透明面
状ヒーターの金属電極を形成する際の処理に熟練が必要
であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
性塗料を使用しない電極を有し、透明導電膜への電極形
成方法が改善され、金属電極を形成する際のウェットプ
ロセスにおいても透明導電膜への損傷を無くし、高い生
産性で製造できる透明面状ヒーター及びそれに使用する
透明積層体を提供することにある。本発明の別の目的
は、導電性塗料を用いることなく電極が形成され、か
つ、生産性が向上した透明面状ヒーター製造法を提供す
ることにある。
性塗料を使用しない電極を有し、透明導電膜への電極形
成方法が改善され、金属電極を形成する際のウェットプ
ロセスにおいても透明導電膜への損傷を無くし、高い生
産性で製造できる透明面状ヒーター及びそれに使用する
透明積層体を提供することにある。本発明の別の目的
は、導電性塗料を用いることなく電極が形成され、か
つ、生産性が向上した透明面状ヒーター製造法を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意検討した結果、透明基板上に設け
られた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電
膜に通電するための一対の電極を備えた透明面状ヒータ
ーにおいて、前記透明導電膜上に耐酸性を有する透明保
護層が形成され、さらに、前記電極が金属で構成され、
かつドライプロセスの中から選ばれた方法とウェットプ
ロセスの中から選ばれた方法とを組み合わせることによ
り、本発明を完成した。
を解決するため、鋭意検討した結果、透明基板上に設け
られた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電
膜に通電するための一対の電極を備えた透明面状ヒータ
ーにおいて、前記透明導電膜上に耐酸性を有する透明保
護層が形成され、さらに、前記電極が金属で構成され、
かつドライプロセスの中から選ばれた方法とウェットプ
ロセスの中から選ばれた方法とを組み合わせることによ
り、本発明を完成した。
【0008】すなわち、本発明は、透明基板上に設けら
れた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜
に通電するための一対の電極を備えた透明面状ヒーター
において、前記透明導電膜上に耐酸性を有する透明保護
層が形成され、さらに、前記電極が金属で構成され、か
つドライプロセスの中から選ばれた方法とウエットプロ
セスの中から選ばれた方法とを組み合わせることによっ
て形成することを特徴とする透明面状ヒーター、であ
り、または、透明基板上に設けられた透明導電膜を発熱
面として使用し、前記透明導電膜に通電するための一対
の電極を備えた透明面状ヒーターにおいて、前記透明導
電膜上に耐酸性を有する透明保護層が設けられ、さらに
その上に実質的に透光性の電極下地層を有し、前記電極
が前記電極下地層上に形成されていることを特徴とする
透明面状ヒーター、であり、または、前記透明面状ヒー
ターであって、前記金属電極が形成されない部分に前記
電極下地層を被覆する第1の透明樹脂保護層を有するこ
とを特徴とする透明面状ヒーター、であり、または、前
記耐酸性を有する透明保護層がpH5以下の酸性溶液に
対し不溶な耐酸性を有する透明保護膜であることを特徴
とする透明面状ヒーター、であり、または、前記透明保
護層が、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリ
ウム、窒化珪素、窒化錫、窒化硼素、炭化珪素、アモル
ファスカーボン、ダイヤモンド状カーボン、酸化スズ、
酸化チタン、酸化アルミニウムからなる高屈折率透明薄
膜からなることを特徴とする透明面状ヒーター、であ
り、または、前記窒化物及び/または炭化物からなる透
明薄膜層が一部酸化していることを特徴とする透明面状
ヒーター、であり、または、前記窒化物及び/または炭
化物からなる透明薄膜層が一部水素化していることを特
徴とする透明面状ヒーター、であり、または、前記電極
下地層が銅、ニッケル、クロム、パラジウム、鉛、白
金、金、銀のうち少なくとも1種を含む金属又は合金か
らなることを特徴とする透明面状ヒーター、であり、ま
たは、前記金属電極が銅、ニッケル、クロム、金、ス
ズ、鉛、銀、はんだのうちの少なくとも1種含む金属又
は合金からなる単層体または積層体であることを特徴と
する透明面状ヒーター、であり、または、前記金属電極
および前記第1の透明樹脂保護層を被覆する第2の透明
樹脂保護層とを有することを特徴とする透明面状ヒータ
ー、であり、または、前記第2の透明樹脂保護層及び/
または前記透明基板に接着層が設けられていることを特
徴とする透明面状ヒーター、である。
れた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜
に通電するための一対の電極を備えた透明面状ヒーター
において、前記透明導電膜上に耐酸性を有する透明保護
層が形成され、さらに、前記電極が金属で構成され、か
つドライプロセスの中から選ばれた方法とウエットプロ
セスの中から選ばれた方法とを組み合わせることによっ
て形成することを特徴とする透明面状ヒーター、であ
り、または、透明基板上に設けられた透明導電膜を発熱
面として使用し、前記透明導電膜に通電するための一対
の電極を備えた透明面状ヒーターにおいて、前記透明導
電膜上に耐酸性を有する透明保護層が設けられ、さらに
その上に実質的に透光性の電極下地層を有し、前記電極
が前記電極下地層上に形成されていることを特徴とする
透明面状ヒーター、であり、または、前記透明面状ヒー
ターであって、前記金属電極が形成されない部分に前記
電極下地層を被覆する第1の透明樹脂保護層を有するこ
とを特徴とする透明面状ヒーター、であり、または、前
記耐酸性を有する透明保護層がpH5以下の酸性溶液に
対し不溶な耐酸性を有する透明保護膜であることを特徴
とする透明面状ヒーター、であり、または、前記透明保
護層が、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリ
ウム、窒化珪素、窒化錫、窒化硼素、炭化珪素、アモル
ファスカーボン、ダイヤモンド状カーボン、酸化スズ、
酸化チタン、酸化アルミニウムからなる高屈折率透明薄
膜からなることを特徴とする透明面状ヒーター、であ
り、または、前記窒化物及び/または炭化物からなる透
明薄膜層が一部酸化していることを特徴とする透明面状
ヒーター、であり、または、前記窒化物及び/または炭
化物からなる透明薄膜層が一部水素化していることを特
徴とする透明面状ヒーター、であり、または、前記電極
下地層が銅、ニッケル、クロム、パラジウム、鉛、白
金、金、銀のうち少なくとも1種を含む金属又は合金か
らなることを特徴とする透明面状ヒーター、であり、ま
たは、前記金属電極が銅、ニッケル、クロム、金、ス
ズ、鉛、銀、はんだのうちの少なくとも1種含む金属又
は合金からなる単層体または積層体であることを特徴と
する透明面状ヒーター、であり、または、前記金属電極
および前記第1の透明樹脂保護層を被覆する第2の透明
樹脂保護層とを有することを特徴とする透明面状ヒータ
ー、であり、または、前記第2の透明樹脂保護層及び/
または前記透明基板に接着層が設けられていることを特
徴とする透明面状ヒーター、である。
【0009】本発明はまた、透明基板上に設けられた透
明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜に通電
するための一対の電極を備えた透明面状ヒーターの製造
法において;前記透明導電膜が形成された透明基板を使
用し、前記透明導電膜上にpH5以下酸性溶液に対し不
溶な耐酸性を有する透明保護膜をドライプロセスによっ
て形成する第1の工程と;前記透明基板上の耐酸性を有
する透明保護膜上にドライプロセスによって金属または
合金を付着させて実質的に透光性の金属薄膜層を形成す
る電極下地層を形成する第2の工程と;前記金属電極が
形成される部位以外の場所に透明保護層を設ける第3の
工程と;湿式めっき法によって前記電極を前記電極下地
層上に形成する第4の工程とを有することを特徴とする
透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記金
属下地層の厚さが0.5nm〜20nmであることを特
徴とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、また
は、前記湿式めっき法が電気めっき法であることを特徴
とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、
前記湿式めっき法が無電解めっき法であることを特徴と
する透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前
記第4の工程において無電解めっき法と電気めっき法と
が組み合わされて前記電極が形成されることを特徴とす
る透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記
第3の工程が、紫外線硬化型レジストインキ、電子線、
硬化型レジストインキ、熱硬化型レジストインキ、紫外
線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂のうち
いずれかのもの/またはそれらの組合せ又は混合物を塗
布硬化させることによって行われることを特徴とする透
明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記第3
の工程が、接着層を有する透明フィルムを積層させるこ
とによって行われることを特徴とする透明面状ヒーター
の製造方法、であり、または、前記第3の工程が、ドラ
イフィルムを積層硬化させることによって行われること
を特徴とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、ま
たは、前記第3の工程が、塗料を塗布積層させることに
よって行われることを特徴とする透明面状ヒーターの製
造方法、である。
明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜に通電
するための一対の電極を備えた透明面状ヒーターの製造
法において;前記透明導電膜が形成された透明基板を使
用し、前記透明導電膜上にpH5以下酸性溶液に対し不
溶な耐酸性を有する透明保護膜をドライプロセスによっ
て形成する第1の工程と;前記透明基板上の耐酸性を有
する透明保護膜上にドライプロセスによって金属または
合金を付着させて実質的に透光性の金属薄膜層を形成す
る電極下地層を形成する第2の工程と;前記金属電極が
形成される部位以外の場所に透明保護層を設ける第3の
工程と;湿式めっき法によって前記電極を前記電極下地
層上に形成する第4の工程とを有することを特徴とする
透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記金
属下地層の厚さが0.5nm〜20nmであることを特
徴とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、また
は、前記湿式めっき法が電気めっき法であることを特徴
とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、
前記湿式めっき法が無電解めっき法であることを特徴と
する透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前
記第4の工程において無電解めっき法と電気めっき法と
が組み合わされて前記電極が形成されることを特徴とす
る透明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記
第3の工程が、紫外線硬化型レジストインキ、電子線、
硬化型レジストインキ、熱硬化型レジストインキ、紫外
線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂のうち
いずれかのもの/またはそれらの組合せ又は混合物を塗
布硬化させることによって行われることを特徴とする透
明面状ヒーターの製造方法、であり、または、前記第3
の工程が、接着層を有する透明フィルムを積層させるこ
とによって行われることを特徴とする透明面状ヒーター
の製造方法、であり、または、前記第3の工程が、ドラ
イフィルムを積層硬化させることによって行われること
を特徴とする透明面状ヒーターの製造方法、であり、ま
たは、前記第3の工程が、塗料を塗布積層させることに
よって行われることを特徴とする透明面状ヒーターの製
造方法、である。
【0010】かくして、透明導電膜上に密着性の良い電
極を設けると共に、第1の透明保護層を用いて電極の位
置決定と透明導電膜の保護層とを兼用した作用効果を奏
せしめることが出来るものであって、作業効率と信頼性
を格段に高めた透明面状ヒーターの製造方法が提供され
るものである。
極を設けると共に、第1の透明保護層を用いて電極の位
置決定と透明導電膜の保護層とを兼用した作用効果を奏
せしめることが出来るものであって、作業効率と信頼性
を格段に高めた透明面状ヒーターの製造方法が提供され
るものである。
【0011】以下、図面を参照しつつ本発明の好まし
い、実施の態様の一例を説明する。まず、添付図面につ
いて説明するに、図1は、比較例を示す構成の断面図で
あり、図2は、本発明の構成の平面図、図3a、図3b
は本発明の好ましい構成の一例を示す図2のA−A線で
の断面図であり、図4は、本発明の構成の斜視図であ
り、図5a、図5bは本発明の好ましい一例を示す構成
の断面図である。図2、図3a、図3b、図4に示され
る透明面状ヒーター1は、略4角形の面状のものであっ
て、プラスチック等からなる透明基板2と、透明基板2
の主面上に積層された透明導電膜3、耐酸性を有する透
明薄膜10および金属下地層4と、透明導電膜3に通電
するために金属薄膜層4上であってヒーター1の両端部
に設けられた一対の電極5と、金属薄膜層4の表面で電
極5が形成されない部分を被覆する第1の透明樹脂保護
層6と、電極5および第1の透明樹脂保護層6を覆う第
2の透明樹脂保護層7とによって、構成されている。電
極5は細長い形状であって、その一端が接続部5aとな
っている。接続部5aは、電極5に電圧を印加するため
の電線などが接続される部位であり、接続部5aの上に
は第2の透明樹脂保護層7は設けられていない。図2、
図4に示されるように、接続部5aはヒーター1の本体
部分から面内方向に突出している。金属薄膜層4は、透
明導電膜3上に、蒸着粒子のエネルギーが特定の値以
上、好ましくは1eV以上となる、ドライプロセスから
選ばれた方法により形成される。金属薄膜層4の厚さ
は、例えば、0.5nm〜20nmである。電極5は、
金属薄膜層4の表面であって電極5が形成される領域以
外の部位に第1の透明樹脂保護層6を形成した後に、金
属薄膜層4の表面に無電解めっき法や電気めっき法等の
ウェットプロセスから選ばれた方法により形成される。
第2の透明樹脂保護層7は、電極5や透明導電膜3の機
械的、化学的な保護のために設けられるものであって、
樹脂またはフィルムからなる可視光線透過率が例えば7
0%以上のものである。
い、実施の態様の一例を説明する。まず、添付図面につ
いて説明するに、図1は、比較例を示す構成の断面図で
あり、図2は、本発明の構成の平面図、図3a、図3b
は本発明の好ましい構成の一例を示す図2のA−A線で
の断面図であり、図4は、本発明の構成の斜視図であ
り、図5a、図5bは本発明の好ましい一例を示す構成
の断面図である。図2、図3a、図3b、図4に示され
る透明面状ヒーター1は、略4角形の面状のものであっ
て、プラスチック等からなる透明基板2と、透明基板2
の主面上に積層された透明導電膜3、耐酸性を有する透
明薄膜10および金属下地層4と、透明導電膜3に通電
するために金属薄膜層4上であってヒーター1の両端部
に設けられた一対の電極5と、金属薄膜層4の表面で電
極5が形成されない部分を被覆する第1の透明樹脂保護
層6と、電極5および第1の透明樹脂保護層6を覆う第
2の透明樹脂保護層7とによって、構成されている。電
極5は細長い形状であって、その一端が接続部5aとな
っている。接続部5aは、電極5に電圧を印加するため
の電線などが接続される部位であり、接続部5aの上に
は第2の透明樹脂保護層7は設けられていない。図2、
図4に示されるように、接続部5aはヒーター1の本体
部分から面内方向に突出している。金属薄膜層4は、透
明導電膜3上に、蒸着粒子のエネルギーが特定の値以
上、好ましくは1eV以上となる、ドライプロセスから
選ばれた方法により形成される。金属薄膜層4の厚さ
は、例えば、0.5nm〜20nmである。電極5は、
金属薄膜層4の表面であって電極5が形成される領域以
外の部位に第1の透明樹脂保護層6を形成した後に、金
属薄膜層4の表面に無電解めっき法や電気めっき法等の
ウェットプロセスから選ばれた方法により形成される。
第2の透明樹脂保護層7は、電極5や透明導電膜3の機
械的、化学的な保護のために設けられるものであって、
樹脂またはフィルムからなる可視光線透過率が例えば7
0%以上のものである。
【0012】このように透明面状ヒーターを構成するこ
とにより、透明導電膜に損傷を与えることなく、透明導
電膜上に金属からなる電極を実質的に直接形成しうるこ
とになるから、電極と透明導電膜との電気的接続が良好
なものとなって両者間の接触抵抗が小さくなり、透明面
状ヒーターとしての性能が向上し、信頼性も格段に向上
する。透明樹脂保護層は、電極の形成されるべき位置を
決定するとともに透明導電膜の保護も行うこととなり、
透明面状ヒーター製造時の作業効率も格段に高められ
る。
とにより、透明導電膜に損傷を与えることなく、透明導
電膜上に金属からなる電極を実質的に直接形成しうるこ
とになるから、電極と透明導電膜との電気的接続が良好
なものとなって両者間の接触抵抗が小さくなり、透明面
状ヒーターとしての性能が向上し、信頼性も格段に向上
する。透明樹脂保護層は、電極の形成されるべき位置を
決定するとともに透明導電膜の保護も行うこととなり、
透明面状ヒーター製造時の作業効率も格段に高められ
る。
【0013】図3bは接着層7aとプラスチックフィル
ム7bからなる第2の透明樹脂保護層7を有する更生を
示している。プラスチックフィルム7bは接着層7aを
介して、金属電極5及び第1の透明樹脂保護層6上に設
けられている。図5aは、本発明の他の好ましい一例を
示す構成の断面図である。プラスチック等からなる透明
基板2と、透明基板2の主面上に順次積層された透明導
電膜3耐酸性を有する透明薄膜10および金属薄膜層4
と、透明導電膜3に通電するために金属薄膜層4上であ
ってヒーター1の両端部に設けられた一対の電極5と、
金属薄膜層4の表面で電極5が形成されない部分を被覆
する第1の透明樹脂保護層6と、電極5および第1の透
明樹脂保護層6を覆う第2の透明樹脂保護層7と、透明
基板2の透明導電膜3の反対側に接着層8と、セパレー
タ9とによって、構成されている。接着層8は、本透明
面状ヒーターを他の部材に固定するときに使用されるも
のであり、目的に応じてセパレータを積層しておくこと
が好ましい。図5aにおいて、接着層8は透明基板2に
接して設けられているが、使用目的により第2の透明樹
脂保護層の上に設けても良い。また、図5bのように、
接着層8を第1の透明樹脂保護層と金属電極の上に設け
ても良い。この場合、接着層8の保護膜とてPETやポ
リエチレンフィルムをセパレーター9として接着層8に
積層することが好ましい。セパレーター9は使用時、剥
離して使用する。
ム7bからなる第2の透明樹脂保護層7を有する更生を
示している。プラスチックフィルム7bは接着層7aを
介して、金属電極5及び第1の透明樹脂保護層6上に設
けられている。図5aは、本発明の他の好ましい一例を
示す構成の断面図である。プラスチック等からなる透明
基板2と、透明基板2の主面上に順次積層された透明導
電膜3耐酸性を有する透明薄膜10および金属薄膜層4
と、透明導電膜3に通電するために金属薄膜層4上であ
ってヒーター1の両端部に設けられた一対の電極5と、
金属薄膜層4の表面で電極5が形成されない部分を被覆
する第1の透明樹脂保護層6と、電極5および第1の透
明樹脂保護層6を覆う第2の透明樹脂保護層7と、透明
基板2の透明導電膜3の反対側に接着層8と、セパレー
タ9とによって、構成されている。接着層8は、本透明
面状ヒーターを他の部材に固定するときに使用されるも
のであり、目的に応じてセパレータを積層しておくこと
が好ましい。図5aにおいて、接着層8は透明基板2に
接して設けられているが、使用目的により第2の透明樹
脂保護層の上に設けても良い。また、図5bのように、
接着層8を第1の透明樹脂保護層と金属電極の上に設け
ても良い。この場合、接着層8の保護膜とてPETやポ
リエチレンフィルムをセパレーター9として接着層8に
積層することが好ましい。セパレーター9は使用時、剥
離して使用する。
【0014】本発明においてドライプロセスとは、非溶
液中で膜を形成する方法であって、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、スパッタリング法、分子線エピタキ
ー法(MBE)等の物理的蒸着法やCVD法、MOCV
D法、プラズマCVD法等の化学堆積法が挙げられる。
また、ウェットプロセスとは、溶液中で膜を形成するも
のであって、特に、湿式めっきである電気めっき、無電
解めっき(化学めっき)を指すものである。
液中で膜を形成する方法であって、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、スパッタリング法、分子線エピタキ
ー法(MBE)等の物理的蒸着法やCVD法、MOCV
D法、プラズマCVD法等の化学堆積法が挙げられる。
また、ウェットプロセスとは、溶液中で膜を形成するも
のであって、特に、湿式めっきである電気めっき、無電
解めっき(化学めっき)を指すものである。
【0015】本発明において透明基板としては、波長が
400nm〜800nmの可視光線領域において光線透
過率が70%以上、より好ましくは80%以上の基板で
あって、ガラスの他、透明なプラスチックフィルムを用
いることが出来る。薄さ、可撓性、耐衝撃性、連続生産
性などの面から、透明基板としてはプラスチックフィル
ムが好ましく用いられる。
400nm〜800nmの可視光線領域において光線透
過率が70%以上、より好ましくは80%以上の基板で
あって、ガラスの他、透明なプラスチックフィルムを用
いることが出来る。薄さ、可撓性、耐衝撃性、連続生産
性などの面から、透明基板としてはプラスチックフィル
ムが好ましく用いられる。
【0016】透明基板を構成するフィルムの素材として
好ましいプラスチックを例示するならば、ポリエチレン
テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル、ポリアミド、ポリエーテ
ル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン(PE
S)、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、
ポリイミド、アラミドなどのホモポリマーまたはコポリ
マーからなるものが挙げられる。透明基板に用いられる
プラスチックフィルムの厚みは、通常は5〜500μm
であり、好ましくは10〜200μmであり、さらに好
ましくは50〜150μmである。
好ましいプラスチックを例示するならば、ポリエチレン
テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル、ポリアミド、ポリエーテ
ル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン(PE
S)、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、
ポリイミド、アラミドなどのホモポリマーまたはコポリ
マーからなるものが挙げられる。透明基板に用いられる
プラスチックフィルムの厚みは、通常は5〜500μm
であり、好ましくは10〜200μmであり、さらに好
ましくは50〜150μmである。
【0017】本発明おいて透明導電膜としては、酸化
スズ、酸化インジウム等の化合物半導体、金、銀、
銅、パラジウム等の単体または合金の薄膜からなる金属
層、金、銀、銅、パラジウム等の単体または合金の薄
膜からなる金属薄膜と酸化インジウムや酸化チタンなど
の透明高屈折率薄膜とをサンドイッチ状構造に積層され
たもの、などが用いられる。透明性および導電性から
の構造の積層体が好ましい。ここで金属層としては銀ま
たは銀を主成分とする薄膜が好ましく、銀を主成分とす
る薄膜の場合は銀の含有量は望ましくは30重量%以
上、好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは50
重量%以上、である。勿論、ここで述べた範囲外であっ
ても、場合によっては使用可能である。また、劣化防止
の観点から、導電性、透明性を損なわない範囲で、銀薄
膜中に金、銅、パラジウム、白金、タングステン、ニッ
ケル等の金属を含ませても良い。
スズ、酸化インジウム等の化合物半導体、金、銀、
銅、パラジウム等の単体または合金の薄膜からなる金属
層、金、銀、銅、パラジウム等の単体または合金の薄
膜からなる金属薄膜と酸化インジウムや酸化チタンなど
の透明高屈折率薄膜とをサンドイッチ状構造に積層され
たもの、などが用いられる。透明性および導電性から
の構造の積層体が好ましい。ここで金属層としては銀ま
たは銀を主成分とする薄膜が好ましく、銀を主成分とす
る薄膜の場合は銀の含有量は望ましくは30重量%以
上、好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは50
重量%以上、である。勿論、ここで述べた範囲外であっ
ても、場合によっては使用可能である。また、劣化防止
の観点から、導電性、透明性を損なわない範囲で、銀薄
膜中に金、銅、パラジウム、白金、タングステン、ニッ
ケル等の金属を含ませても良い。
【0018】また、透明薄膜層への金属層の密着力を向
上するために銀以外の金属薄膜を銀または銀を主成分と
する薄膜層に積層してここで使用する金属層としても良
い。これらの層の厚みは基本的に1nmから500nm
であり、好ましくは5nmから50nmであり、さらに
好ましくは10nmから30nmである。なお積層構造
の場合は金属層が1nmから100nmで好ましくは5
nmから50nmであり、さらに好ましくは10nmか
ら30nmである。透明導電膜を透明基板上に形成する
方法としては、スプレ−法、塗布法の他、物理的蒸着法
等の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法と
は、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する方
法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レ−ティング法、イオンビ−ムアシスト蒸着法、イオン
クラスタ−ビ−ム法等が例示される。
上するために銀以外の金属薄膜を銀または銀を主成分と
する薄膜層に積層してここで使用する金属層としても良
い。これらの層の厚みは基本的に1nmから500nm
であり、好ましくは5nmから50nmであり、さらに
好ましくは10nmから30nmである。なお積層構造
の場合は金属層が1nmから100nmで好ましくは5
nmから50nmであり、さらに好ましくは10nmか
ら30nmである。透明導電膜を透明基板上に形成する
方法としては、スプレ−法、塗布法の他、物理的蒸着法
等の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法と
は、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する方
法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レ−ティング法、イオンビ−ムアシスト蒸着法、イオン
クラスタ−ビ−ム法等が例示される。
【0019】本発明に用いられる耐酸性を有する透明保
護層としては、pH5以下、好ましくはpH3以下、さ
らに好ましくはpH1以下、の酸性溶液中でも不溶もし
くは著しく溶解せず、光学的バンドギャップが好ましく
は3eV以上の酸化物、窒化物、炭化物からなるもので
あればいかなるものであってもよい。このような透明保
護層としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化スズ、
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化珪素、酸化ジルコニウム、
窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒
化珪素、窒化錫、窒化硼素、炭化珪素、窒化炭化珪素、
アモルファスカーボン、ダイヤモンド状カーボン等が挙
げられ、好ましくは窒化物及び/または炭化物からなる
高屈折率透明薄膜が望ましい。この場合、透明保護層の
一部が酸化または水素化していてもよい。
護層としては、pH5以下、好ましくはpH3以下、さ
らに好ましくはpH1以下、の酸性溶液中でも不溶もし
くは著しく溶解せず、光学的バンドギャップが好ましく
は3eV以上の酸化物、窒化物、炭化物からなるもので
あればいかなるものであってもよい。このような透明保
護層としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化スズ、
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化珪素、酸化ジルコニウム、
窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒
化珪素、窒化錫、窒化硼素、炭化珪素、窒化炭化珪素、
アモルファスカーボン、ダイヤモンド状カーボン等が挙
げられ、好ましくは窒化物及び/または炭化物からなる
高屈折率透明薄膜が望ましい。この場合、透明保護層の
一部が酸化または水素化していてもよい。
【0020】一部酸化されたものの透明保護層として
は、例えば、酸窒化インジウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化錫、酸窒化硼素、
酸窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら酸窒化物の金
属または/および炭素を除く成分中の窒素分は30原子
%以上が好ましく、さらに好ましくは50原子%以上で
ある。
は、例えば、酸窒化インジウム、酸窒化アルミニウム、
酸窒化ガリウム、酸窒化珪素、酸窒化錫、酸窒化硼素、
酸窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら酸窒化物の金
属または/および炭素を除く成分中の窒素分は30原子
%以上が好ましく、さらに好ましくは50原子%以上で
ある。
【0021】一部水素化されたものの透明保護層として
は、例えば、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウ
ム、水素化窒化珪素、水素化窒化錫、水素化窒化硼素、
水素化窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら水素化窒
化物の金属または/および炭素を除く成分化中の窒素分
は50原子%以上が好ましく、さらに好ましくは80原
子%以上である。
は、例えば、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウ
ム、水素化窒化珪素、水素化窒化錫、水素化窒化硼素、
水素化窒化炭化珪素、等が挙げられる。これら水素化窒
化物の金属または/および炭素を除く成分化中の窒素分
は50原子%以上が好ましく、さらに好ましくは80原
子%以上である。
【0022】本発明の耐酸性の透明保護層の厚みは、通
常1nm〜100nm、好ましくは5nm〜50nmで
あり、さらに好ましくは10nm〜30nmである。本
発明の耐酸性の透明保護層を透明導電膜上に形成する方
法としては、スプレー法、塗布法の他、物理的蒸着法等
の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法と
は、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する方
法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レ−ティング法、イオンビ−ムアシスト蒸着法、イオン
クラスタ−ビ−ム法等が例示される。本発明において電
極下地層としては、銅、ニッケル、パラジウム、クロ
ム、金、銀、鉛、白金等の金属またはそれらを少なくと
も1種含む合金等、通常の電極材料として用いられる金
属が用いられる。
常1nm〜100nm、好ましくは5nm〜50nmで
あり、さらに好ましくは10nm〜30nmである。本
発明の耐酸性の透明保護層を透明導電膜上に形成する方
法としては、スプレー法、塗布法の他、物理的蒸着法等
の公知の方法が利用できる。ここで、物理的蒸着法と
は、減圧下もしくは真空下で金属等の薄膜を形成する方
法であって、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプ
レ−ティング法、イオンビ−ムアシスト蒸着法、イオン
クラスタ−ビ−ム法等が例示される。本発明において電
極下地層としては、銅、ニッケル、パラジウム、クロ
ム、金、銀、鉛、白金等の金属またはそれらを少なくと
も1種含む合金等、通常の電極材料として用いられる金
属が用いられる。
【0023】金属薄膜層は、透明導電膜上に蒸着粒子
が、直接的にもしくは間接的に電磁界からエネルギーを
得る、ドライプロセスから選ばれた方法により形成され
る。直接的にエネルギーを得るとは、イオンが電磁界中
で受ける力により加速されエネルギーを得ることを意味
する。間接的にエネルギーを得るとは、直接的にエネル
ギーを得た粒子から、衝突過程を通してエネルギーを得
ることを意味する。前述の過程により蒸着粒子が得るエ
ネルギーは、好ましくは0.5eV以上100eV以下
であり、より好ましくは、1eV以上50eV以下であ
る。0.5eV未満では金属薄膜層の密着力が充分でな
いことが多く、100eVを越えると蒸着粒子により薄
膜がスパッタリングされる過程が顕著になってくる。な
お、前述の範囲のエネルギーを持たない粒子が、金属薄
膜層を作製するための蒸着粒子中に数%乃至数10%混
在してもよい。金属薄膜層の具体的な形成方法を例示す
るならば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法、分子線エピタキー法(MBE)、CVD
法、MOCVD法、プラズマCVD法等の方法が挙げら
れ、透明基板の耐熱温度等に応じて適宜選択することが
出来る。金属薄膜層のより好ましい形成方法として、蒸
着粒子のエネルギーが特定の値、例えば1eV以上とな
るようなスパッタリング法、イオンプレーティング法、
イオンビームアシスト蒸着法、イオンクラスタービーム
法、イオン蒸着薄膜形成法等イオンを用いた方法が挙げ
られる。
が、直接的にもしくは間接的に電磁界からエネルギーを
得る、ドライプロセスから選ばれた方法により形成され
る。直接的にエネルギーを得るとは、イオンが電磁界中
で受ける力により加速されエネルギーを得ることを意味
する。間接的にエネルギーを得るとは、直接的にエネル
ギーを得た粒子から、衝突過程を通してエネルギーを得
ることを意味する。前述の過程により蒸着粒子が得るエ
ネルギーは、好ましくは0.5eV以上100eV以下
であり、より好ましくは、1eV以上50eV以下であ
る。0.5eV未満では金属薄膜層の密着力が充分でな
いことが多く、100eVを越えると蒸着粒子により薄
膜がスパッタリングされる過程が顕著になってくる。な
お、前述の範囲のエネルギーを持たない粒子が、金属薄
膜層を作製するための蒸着粒子中に数%乃至数10%混
在してもよい。金属薄膜層の具体的な形成方法を例示す
るならば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法、分子線エピタキー法(MBE)、CVD
法、MOCVD法、プラズマCVD法等の方法が挙げら
れ、透明基板の耐熱温度等に応じて適宜選択することが
出来る。金属薄膜層のより好ましい形成方法として、蒸
着粒子のエネルギーが特定の値、例えば1eV以上とな
るようなスパッタリング法、イオンプレーティング法、
イオンビームアシスト蒸着法、イオンクラスタービーム
法、イオン蒸着薄膜形成法等イオンを用いた方法が挙げ
られる。
【0024】電極下地層は、透明導電膜上に均一な連続
層として形成されることが望ましいが、形成する厚さ相
当により、透明導電膜上に島状に形成されてもよく、ま
た、透明導電膜上に局部的に形成されても良い。電極下
地層の厚さは、0.5nm〜20nmが望ましい。膜厚
が0.5nm未満の場合には、めっき処理によって形成
される電極の厚みが不均一になり易い。また、20nm
を越える場合には、可視光線透過率が著しく低下し、透
明面状ヒーターの光線透過率が損なわれ、本発明の目的
にそぐわなくなる。
層として形成されることが望ましいが、形成する厚さ相
当により、透明導電膜上に島状に形成されてもよく、ま
た、透明導電膜上に局部的に形成されても良い。電極下
地層の厚さは、0.5nm〜20nmが望ましい。膜厚
が0.5nm未満の場合には、めっき処理によって形成
される電極の厚みが不均一になり易い。また、20nm
を越える場合には、可視光線透過率が著しく低下し、透
明面状ヒーターの光線透過率が損なわれ、本発明の目的
にそぐわなくなる。
【0025】本発明に用いられる第1の透明樹脂保護層
としては、550nmの波長の光線透過率が少なくとも
70%以上、好ましくは80%以上であり、かつめっき
処理時に耐えうるような保護層であれば如何なるもので
あってもよい。このような第1の透明樹脂保護層として
は、例えば、従来公知のUV硬化型のレジストインキを
塗布硬化せしめたもの、電子線硬化型のレジストインキ
を塗布硬化せしめたもの、熱硬化型のレジストインキを
塗布硬化せしめたもの、UV硬化型樹脂を塗布硬化せし
めたもの、電子線硬化型樹脂を塗布硬化せしめたもの、
熱硬化型樹脂を塗布硬化せしめたものの他、ドライフィ
ルムなどが挙げられる。この他、耐水性、耐薬品性のあ
る透明な膜が得られるものであれば、第1の透明樹脂保
護層として使用でき、例えば、透明な塗料、硬化性モノ
マーまたはオリゴマー、ポリエステル等のプラスチック
フィルムに接着剤を塗布したものや、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体等の自己粘着性を有するフィルムを積層し
て、第1の透明樹脂保護層を形成することができる。第
1の透明樹脂保護層の厚みは、通常1μm〜100μ
m、好ましくは5μm〜50μmであり、さらに好まし
くは10μm〜30μmである。
としては、550nmの波長の光線透過率が少なくとも
70%以上、好ましくは80%以上であり、かつめっき
処理時に耐えうるような保護層であれば如何なるもので
あってもよい。このような第1の透明樹脂保護層として
は、例えば、従来公知のUV硬化型のレジストインキを
塗布硬化せしめたもの、電子線硬化型のレジストインキ
を塗布硬化せしめたもの、熱硬化型のレジストインキを
塗布硬化せしめたもの、UV硬化型樹脂を塗布硬化せし
めたもの、電子線硬化型樹脂を塗布硬化せしめたもの、
熱硬化型樹脂を塗布硬化せしめたものの他、ドライフィ
ルムなどが挙げられる。この他、耐水性、耐薬品性のあ
る透明な膜が得られるものであれば、第1の透明樹脂保
護層として使用でき、例えば、透明な塗料、硬化性モノ
マーまたはオリゴマー、ポリエステル等のプラスチック
フィルムに接着剤を塗布したものや、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体等の自己粘着性を有するフィルムを積層し
て、第1の透明樹脂保護層を形成することができる。第
1の透明樹脂保護層の厚みは、通常1μm〜100μ
m、好ましくは5μm〜50μmであり、さらに好まし
くは10μm〜30μmである。
【0026】本発明において金属電極としては、めっき
によって堆積させることの出来る金属であればいずれの
ものも使用できるが、電気的特性や耐久性の観点から、
銅、銀、金、ニッケル、クロム、スズ、鉛、はんだを少
なくとも1種を含む金属又はこれら金属の合金の単層ま
たは積層体からなることが好ましい。金属電極の厚み
は、透明導電膜が発熱面として機能できるだけの電流が
流すことができるだけの厚みがあれば良く、0.5μm
以上あることが好ましい。この金属電極は、上述したよ
うに、一般に電気めっきあるいは無電解めっきで形成さ
れる。電気めっきと無電解めっきとを併用してもよい。
によって堆積させることの出来る金属であればいずれの
ものも使用できるが、電気的特性や耐久性の観点から、
銅、銀、金、ニッケル、クロム、スズ、鉛、はんだを少
なくとも1種を含む金属又はこれら金属の合金の単層ま
たは積層体からなることが好ましい。金属電極の厚み
は、透明導電膜が発熱面として機能できるだけの電流が
流すことができるだけの厚みがあれば良く、0.5μm
以上あることが好ましい。この金属電極は、上述したよ
うに、一般に電気めっきあるいは無電解めっきで形成さ
れる。電気めっきと無電解めっきとを併用してもよい。
【0027】さらに、金属電極および第1の透明樹脂保
護層の機械的保護、水分などによる腐食防止等の化学的
保護の為に、電極や第1の透明樹脂保護層の上を覆うよ
うに第2の透明樹脂保護層を設けることが好ましい。第
2の透明樹脂保護層には、550nmの波長の光線透過
率が少なくとも70%以上、さらに好ましくは80%以
上であるものが使用される。第2の透明樹脂保護層は、
透明基板として用いたのと同種のプラスチックフィルム
を接着剤を用いて積層することによって形成できるし、
あるいは、ポリエステル、ポリオレフィン、アクリル樹
脂などの有機物や、シリコーン系ハードコート剤等を塗
布して形成することできる。また同様の機能を有するシ
リカゾル剤等も第2の透明樹脂保護層として使用でき
る。
護層の機械的保護、水分などによる腐食防止等の化学的
保護の為に、電極や第1の透明樹脂保護層の上を覆うよ
うに第2の透明樹脂保護層を設けることが好ましい。第
2の透明樹脂保護層には、550nmの波長の光線透過
率が少なくとも70%以上、さらに好ましくは80%以
上であるものが使用される。第2の透明樹脂保護層は、
透明基板として用いたのと同種のプラスチックフィルム
を接着剤を用いて積層することによって形成できるし、
あるいは、ポリエステル、ポリオレフィン、アクリル樹
脂などの有機物や、シリコーン系ハードコート剤等を塗
布して形成することできる。また同様の機能を有するシ
リカゾル剤等も第2の透明樹脂保護層として使用でき
る。
【0028】第2の透明樹脂保護層としてプラスチック
フィルムを用いる場合には、透明性のある一般の粘着剤
や接着剤を使用することが出来る。好ましい接着剤を例
示するならば、アクリル系の感圧粘着剤、シアノアクリ
レート系反応型接着剤が望ましい。第2の透明樹脂保護
層の厚みとしては、通常1μm〜200μmであり、好
ましくは2μm〜100μmであり、さらに好ましくは
5μm〜50μmである。
フィルムを用いる場合には、透明性のある一般の粘着剤
や接着剤を使用することが出来る。好ましい接着剤を例
示するならば、アクリル系の感圧粘着剤、シアノアクリ
レート系反応型接着剤が望ましい。第2の透明樹脂保護
層の厚みとしては、通常1μm〜200μmであり、好
ましくは2μm〜100μmであり、さらに好ましくは
5μm〜50μmである。
【0029】本発明の透明面状ヒーターを支持体に接着
する場合に用いられる接着層としては、透明性のある一
般の粘着剤や接着剤を使用することが出来る。好ましい
接着剤を例示するならば、アクリル系の感圧粘着剤、シ
アノアクリレート系反応型接着剤を用いることが出来
る。接着剤面は、必要に応じてセパレータを積層してお
くことが出来、製品を搬送する場合には、接着剤面が付
着しないようにしておくことが望ましい。セパレータと
しては、通常使用される離型紙の他、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリエステルフィルム等を用いることが出来
る。セパレータの厚みとしては、通常10μm〜200
μmであり、好ましくは2μm〜100μmであり、さ
らに好ましくは5μm〜50μmである。以下、実施例
により本発明の実施の態様の一例を説明する。
する場合に用いられる接着層としては、透明性のある一
般の粘着剤や接着剤を使用することが出来る。好ましい
接着剤を例示するならば、アクリル系の感圧粘着剤、シ
アノアクリレート系反応型接着剤を用いることが出来
る。接着剤面は、必要に応じてセパレータを積層してお
くことが出来、製品を搬送する場合には、接着剤面が付
着しないようにしておくことが望ましい。セパレータと
しては、通常使用される離型紙の他、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリエステルフィルム等を用いることが出来
る。セパレータの厚みとしては、通常10μm〜200
μmであり、好ましくは2μm〜100μmであり、さ
らに好ましくは5μm〜50μmである。以下、実施例
により本発明の実施の態様の一例を説明する。
【0030】
実施例1 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に酸化インジウム
(厚さ40nm)/銀(厚さ12nm)/酸化インジウ
ム(厚さ40nm)からなる積層膜をDCマグネトロン
スパッタリング法により、堆積させ、透明導電性フィル
ムを形成した。DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、この透明導電性フィルム上に厚さ10nmの窒化珪
素からなる耐酸性を有する保護膜を設け、さらににこの
上に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明
ウレタンアクリレートを塗布硬化し、厚さ10μmの第
1の透明樹脂保護層を形成した。その後、pH2の酸水
溶液に浸した後、pH4.5のスルファミン酸ニッケル
めっき浴で電気めっきを行い、20μm厚みのニッケル
膜を形成し、金属電極とした。
レフタレート(PET)フィルム上に酸化インジウム
(厚さ40nm)/銀(厚さ12nm)/酸化インジウ
ム(厚さ40nm)からなる積層膜をDCマグネトロン
スパッタリング法により、堆積させ、透明導電性フィル
ムを形成した。DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、この透明導電性フィルム上に厚さ10nmの窒化珪
素からなる耐酸性を有する保護膜を設け、さらににこの
上に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明
ウレタンアクリレートを塗布硬化し、厚さ10μmの第
1の透明樹脂保護層を形成した。その後、pH2の酸水
溶液に浸した後、pH4.5のスルファミン酸ニッケル
めっき浴で電気めっきを行い、20μm厚みのニッケル
膜を形成し、金属電極とした。
【0031】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
【0032】実施例2 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム・スズ(ITO)
(厚さ350nm)を堆積させ、透明導電性フィルムを
形成した。得られた透明導電性フィルムの可視光線透過
率は75%、表面抵抗は30Ω/□であった。DCマグ
ネトロンスパッタ法により、この透明導電性フィルム上
に厚さ10nmの炭化珪素からなる耐酸性を有する透明
保護膜を設け、さらに、この上に銅からなる金属下地層
を2nmの厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた
積層体の金属下地層の上に、電極形成領域部を除いて
(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリレートを塗布
硬化し、第1の透明樹脂保護層を形成した。その後、p
H2の酸水溶液にこの積層体を浸した、さらに、pH
4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっき
を行って20μm厚みのニッケル膜を形成して金属電極
とし、透明面状ヒーターを完成させた。得られた透明面
状ヒーターの両金属電極間に通電したところ、十分発熱
した。
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム・スズ(ITO)
(厚さ350nm)を堆積させ、透明導電性フィルムを
形成した。得られた透明導電性フィルムの可視光線透過
率は75%、表面抵抗は30Ω/□であった。DCマグ
ネトロンスパッタ法により、この透明導電性フィルム上
に厚さ10nmの炭化珪素からなる耐酸性を有する透明
保護膜を設け、さらに、この上に銅からなる金属下地層
を2nmの厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた
積層体の金属下地層の上に、電極形成領域部を除いて
(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリレートを塗布
硬化し、第1の透明樹脂保護層を形成した。その後、p
H2の酸水溶液にこの積層体を浸した、さらに、pH
4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっき
を行って20μm厚みのニッケル膜を形成して金属電極
とし、透明面状ヒーターを完成させた。得られた透明面
状ヒーターの両金属電極間に通電したところ、十分発熱
した。
【0033】実施例3 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム(厚さ30nm)/
銀(厚さ12nm)/酸化インジウム(厚さ30nm)
の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成した。
該透明導電性フィルム上に同法により窒化珪素からなる
耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形成し、
更にパラジウムからなる金属下地層を2nmの厚みで形
成した。得られた積層体の可視光線透過率は80%、表
面抵抗は7Ωであった。
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム(厚さ30nm)/
銀(厚さ12nm)/酸化インジウム(厚さ30nm)
の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成した。
該透明導電性フィルム上に同法により窒化珪素からなる
耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形成し、
更にパラジウムからなる金属下地層を2nmの厚みで形
成した。得られた積層体の可視光線透過率は80%、表
面抵抗は7Ωであった。
【0034】得られた積層体の金属下地層上に、電極形
成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明レジストを
塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。pH1の酸
水溶液に浸した後、pH4のスルファミン酸ニッケルめ
っき浴で電気めっきを行い15μm厚みのニッケル膜を
形成し、金属電極とした。
成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明レジストを
塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。pH1の酸
水溶液に浸した後、pH4のスルファミン酸ニッケルめ
っき浴で電気めっきを行い15μm厚みのニッケル膜を
形成し、金属電極とした。
【0035】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層とした。以上によって、図2〜図4に示す構成の透
明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒー
ターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒ
ーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、
13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表
面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であ
った。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層とした。以上によって、図2〜図4に示す構成の透
明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒー
ターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒ
ーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、
13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表
面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であ
った。
【0036】実施例4 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム(厚さ40nm)/
銀(厚さ13nm)/酸化インジウム(厚さ40nm)
の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成した。
該透明導電性フィルム上に同法により酸化スズからなる
耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形成し、
更に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで形成した。
得られた積層体の可視光線透過率は80%、表面抵抗は
7Ωであった。
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ法により、酸化インジウム(厚さ40nm)/
銀(厚さ13nm)/酸化インジウム(厚さ40nm)
の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成した。
該透明導電性フィルム上に同法により酸化スズからなる
耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形成し、
更に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで形成した。
得られた積層体の可視光線透過率は80%、表面抵抗は
7Ωであった。
【0037】得られた積層体の金属下地層上に、電極形
成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型アクリル樹脂を
塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。pH2の酸
水溶液に浸した後、pH12の無電解メッキ浴で1μm
の銅膜を形成し、次いでpH4の電気メッキ溶液中で電
気メッキを行い、15μm厚みの銅膜を形成し、金属電
極とした。
成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型アクリル樹脂を
塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。pH2の酸
水溶液に浸した後、pH12の無電解メッキ浴で1μm
の銅膜を形成し、次いでpH4の電気メッキ溶液中で電
気メッキを行い、15μm厚みの銅膜を形成し、金属電
極とした。
【0038】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層とした。以上によって、図2〜図5に示す構成の透
明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒー
ターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒ
ーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、
13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表
面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であ
った。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層とした。以上によって、図2〜図5に示す構成の透
明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒー
ターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒ
ーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、
13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表
面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であ
った。
【0039】実施例5 実施例1のPETフィルム上に高周波(rf)マグネト
ロンスパッタリング法により酸化チタン(厚さ30n
m)/銀(厚さ11nm)/酸化インジウム(厚さ30
nm)の積層膜からなる導電膜を形成した。更に同法に
より窒化珪素からなる耐酸性を有する透明保護層を10
nmの厚みで形成し、更にパラジウムからなる金属下地
層を前記積層体上に1.5nmの厚みで形成した。得ら
れた積層体の可視光線透過率は80%、表面抵抗は7Ω
であった。
ロンスパッタリング法により酸化チタン(厚さ30n
m)/銀(厚さ11nm)/酸化インジウム(厚さ30
nm)の積層膜からなる導電膜を形成した。更に同法に
より窒化珪素からなる耐酸性を有する透明保護層を10
nmの厚みで形成し、更にパラジウムからなる金属下地
層を前記積層体上に1.5nmの厚みで形成した。得ら
れた積層体の可視光線透過率は80%、表面抵抗は7Ω
であった。
【0040】35mm(長さ)×4mm(幅)の大きさ
で、両電極間の距離が90mmになるようにUV硬化型
エポキシシアクリレートを塗布硬化し、第1の透明保護
層を形成した。pH2の酸水溶液に浸した後、pH12
の無電解銅メッキ浴で2μmの銅膜を形成し、次いで、
pH4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気メ
ッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成し、電極と
した。さらに電極の接続部を残して、UV硬化型アクリ
ル樹脂を20μm厚みで塗布硬化して第2の透明保護層
を形成し、図2〜図4に示す構成の透明面状ヒーターを
完成させた。このようにして形成された透明面状ヒータ
ーの両電極間の抵抗は14Ωであった。ガラス板ととも
に−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13V
の電力を投入したところ、1分間で+1℃まで表面温度
が上昇した。すなわち温度上昇分は21℃であった。
で、両電極間の距離が90mmになるようにUV硬化型
エポキシシアクリレートを塗布硬化し、第1の透明保護
層を形成した。pH2の酸水溶液に浸した後、pH12
の無電解銅メッキ浴で2μmの銅膜を形成し、次いで、
pH4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気メ
ッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成し、電極と
した。さらに電極の接続部を残して、UV硬化型アクリ
ル樹脂を20μm厚みで塗布硬化して第2の透明保護層
を形成し、図2〜図4に示す構成の透明面状ヒーターを
完成させた。このようにして形成された透明面状ヒータ
ーの両電極間の抵抗は14Ωであった。ガラス板ととも
に−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13V
の電力を投入したところ、1分間で+1℃まで表面温度
が上昇した。すなわち温度上昇分は21℃であった。
【0041】実施例6 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、DCマグネトロンスパッタリング法により酸化
インジウム(厚さ40nm)/銀(厚さ13nm)/酸
化インジウム(厚さ40nm)/からなる積層体を形成
した。さらに同法により酸窒化炭化珪素からなる耐酸性
を有する透明保護層を20nmの厚みで形成し、更に銅
からなる金属下地層を2nmの厚みで形成した。得られ
た積層体に対し、電極形成領域部を除いて熱硬化型透明
ポリエステル樹脂を塗布硬化し、第1の透明樹脂保護層
を形成した。pH1の酸水溶液に浸した後、アルカノー
ルスルフォン酸浴中で電気めっきを行い、約10μm厚
みのスズ−鉛合金からなるはんだ層を形成して電極を形
成した。
ム上に、DCマグネトロンスパッタリング法により酸化
インジウム(厚さ40nm)/銀(厚さ13nm)/酸
化インジウム(厚さ40nm)/からなる積層体を形成
した。さらに同法により酸窒化炭化珪素からなる耐酸性
を有する透明保護層を20nmの厚みで形成し、更に銅
からなる金属下地層を2nmの厚みで形成した。得られ
た積層体に対し、電極形成領域部を除いて熱硬化型透明
ポリエステル樹脂を塗布硬化し、第1の透明樹脂保護層
を形成した。pH1の酸水溶液に浸した後、アルカノー
ルスルフォン酸浴中で電気めっきを行い、約10μm厚
みのスズ−鉛合金からなるはんだ層を形成して電極を形
成した。
【0042】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間距離が90mmであった。次
に、電極の接続部を残して、20μm厚みの粘着剤付き
の50μm厚のPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層を形成した。このようにして形成された透明面状ヒ
ーターの両電極間の抵抗は6Ωであった。この透明面状
ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その
後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃ま
で表面温度が上昇した。温度上昇分は22℃であった。
m(幅)であり、電極間距離が90mmであった。次
に、電極の接続部を残して、20μm厚みの粘着剤付き
の50μm厚のPETフィルムを積層し、第2の透明保
護層を形成した。このようにして形成された透明面状ヒ
ーターの両電極間の抵抗は6Ωであった。この透明面状
ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その
後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃ま
で表面温度が上昇した。温度上昇分は22℃であった。
【0043】実施例7 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ装置を用いて、酸化インジウム(厚さ40n
m)/銀(厚さ12nm)/酸化インジウム(厚さ40
nm)の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成
した。該透明導電性フィルム上に同法により窒化珪素か
らなる耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形
成し、更に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで形成
した。得られた積層体上の金属薄膜の上に、電極形成領
域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリ
レートを塗布硬化し、第1の透明樹脂保護層を10μm
の厚みで形成した。pH1の酸水溶液に浸した後、pH
3のスルファミン酸でニッケルめっき浴電気めっきを行
い20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とし
た。
レフタレート(PET)フィルム上にDCマグネトロン
スパッタ装置を用いて、酸化インジウム(厚さ40n
m)/銀(厚さ12nm)/酸化インジウム(厚さ40
nm)の積層膜が形成された透明導電性フィルムを形成
した。該透明導電性フィルム上に同法により窒化珪素か
らなる耐酸性を有する透明保護層を10nmの厚みで形
成し、更に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで形成
した。得られた積層体上の金属薄膜の上に、電極形成領
域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリ
レートを塗布硬化し、第1の透明樹脂保護層を10μm
の厚みで形成した。pH1の酸水溶液に浸した後、pH
3のスルファミン酸でニッケルめっき浴電気めっきを行
い20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とし
た。
【0044】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
【0045】実施例8 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエーテルス
ルフォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ
40nm)/銀+白金9重量%(厚さ13nm)/酸化
インジウム(厚さ40nm)からなる積層膜をDCマグ
ネトロンスパッタリング法により、堆積させ、透明導電
性フィルムを形成した。DCマグネトロンスパッタリン
グ法により、この透明導電性フィルム上に厚さ10nm
の厚みの酸化スズからなる耐酸性を有する保護膜を設
け、さらににこの上に銅からなる金属下地層を2nmの
厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた積層体上の
金属下地層の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫
外線硬化型透明ポリオールアクリレートと紫外線硬化型
透明ウレタンアクリレートとの3対1の混合物を塗布硬
化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護層を形成し
た。その後、pH2の酸水溶液に浸した後、pH4.5
のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行
い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とし
た。
ルフォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ
40nm)/銀+白金9重量%(厚さ13nm)/酸化
インジウム(厚さ40nm)からなる積層膜をDCマグ
ネトロンスパッタリング法により、堆積させ、透明導電
性フィルムを形成した。DCマグネトロンスパッタリン
グ法により、この透明導電性フィルム上に厚さ10nm
の厚みの酸化スズからなる耐酸性を有する保護膜を設
け、さらににこの上に銅からなる金属下地層を2nmの
厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた積層体上の
金属下地層の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫
外線硬化型透明ポリオールアクリレートと紫外線硬化型
透明ウレタンアクリレートとの3対1の混合物を塗布硬
化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護層を形成し
た。その後、pH2の酸水溶液に浸した後、pH4.5
のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行
い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とし
た。
【0046】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
【0047】実施例9 可視光線透過率89%、50μm厚のポリエーテルスル
フォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ4
0nm)/銀+金3重量%(厚さ12nm)/酸化イン
ジウム(厚さ40nm)からなる積層膜を高周波イオン
プレーティング法により、堆積させ、透明導電性フィル
ムを形成した。更に、同法によりこの透明導電性フィル
ム上に厚さ10nmの厚みの酸化スズからなる耐酸性を
有する保護膜を設け、さらににこの上に銅からなる金属
下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を形成した。得
られた積層体上の金属下地層の上に、電極形成領域部を
除いて(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリレート
を塗布硬化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護層を
形成した。その後、pH2の酸水溶液に浸した後、pH
4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっき
を行い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極
とした。
フォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ4
0nm)/銀+金3重量%(厚さ12nm)/酸化イン
ジウム(厚さ40nm)からなる積層膜を高周波イオン
プレーティング法により、堆積させ、透明導電性フィル
ムを形成した。更に、同法によりこの透明導電性フィル
ム上に厚さ10nmの厚みの酸化スズからなる耐酸性を
有する保護膜を設け、さらににこの上に銅からなる金属
下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を形成した。得
られた積層体上の金属下地層の上に、電極形成領域部を
除いて(UV)紫外線硬化型透明ウレタンアクリレート
を塗布硬化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護層を
形成した。その後、pH2の酸水溶液に浸した後、pH
4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっき
を行い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極
とした。
【0048】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
【0049】実施例10 可視光線透過率89%、50μm厚のポリエーテルスル
フォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ4
0nm)/銀(厚さ13nm )/酸化インジウム(厚
さ40nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッ
タリング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形
成した。更に、反応性DCマグネトロンスパッタリング
法ににより、該積層膜上に厚さ10nmの厚みの窒化珪
素を耐酸性を有する保護膜として設け、さらににこの上
に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積層
体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上に、
電極形成領域部を除いて、熱硬化型アクリル・エポキシ
樹脂を塗布硬化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護
層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に浸した後、
pH4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気め
っきを行い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属
電極とした。
フォン(PES)フィルム上に酸化インジウム(厚さ4
0nm)/銀(厚さ13nm )/酸化インジウム(厚
さ40nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッ
タリング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形
成した。更に、反応性DCマグネトロンスパッタリング
法ににより、該積層膜上に厚さ10nmの厚みの窒化珪
素を耐酸性を有する保護膜として設け、さらににこの上
に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積層
体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上に、
電極形成領域部を除いて、熱硬化型アクリル・エポキシ
樹脂を塗布硬化し、厚さ10μmの第1の透明樹脂保護
層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に浸した後、
pH4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気め
っきを行い、20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属
電極とした。
【0050】電極の大きさは125mm(長さ)×4m
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
m(幅)であり、電極間の距離は90mmであった。さ
らに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの
25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹
脂保護層を形成した。以上によって、図2〜図4に示す
構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
【0051】比較例1 実施例1と同様サイズ、同構成の透明導電性フィルムを
透明面状ヒーター基材として用い、この両端に4mm幅
に導電性塗料(銀ペースト)を塗布し、透明面状ヒータ
ーの電極とした。これに13Vの電圧を投入し、昇温試
験を行ったところ透明面状ヒーターの透明導電膜と電極
部(導電性塗料)との間で異常発熱し、ヤケが発生し、
透明導電膜が断線した。
透明面状ヒーター基材として用い、この両端に4mm幅
に導電性塗料(銀ペースト)を塗布し、透明面状ヒータ
ーの電極とした。これに13Vの電圧を投入し、昇温試
験を行ったところ透明面状ヒーターの透明導電膜と電極
部(導電性塗料)との間で異常発熱し、ヤケが発生し、
透明導電膜が断線した。
【0052】比較例2 実施例1と同様のPETの片面に実施例2で用いた高周
波イオンプレーティング装置により酸化インジウム(厚
さ30nm)/銀(厚さ10nm)/酸化インジウム
(厚さ30nm)からなる積層体を形成した。更に同法
により銅からなる金属薄膜層を2nmの厚みで形成し
た。これをpH2の酸水溶液に浸して前処理し、水洗、
乾燥したところ、積層体の表面抵抗は500Ω/□と高
抵抗に成り電解めっきが行えなくなった。
波イオンプレーティング装置により酸化インジウム(厚
さ30nm)/銀(厚さ10nm)/酸化インジウム
(厚さ30nm)からなる積層体を形成した。更に同法
により銅からなる金属薄膜層を2nmの厚みで形成し
た。これをpH2の酸水溶液に浸して前処理し、水洗、
乾燥したところ、積層体の表面抵抗は500Ω/□と高
抵抗に成り電解めっきが行えなくなった。
【0053】比較例3 実施例1と同サイズ、同構成の透明導電性フィルムを透
明面状ヒーター基材として用い、金属薄膜層を形成せず
に実施例1と同様にニッケル膜を形成した。
明面状ヒーター基材として用い、金属薄膜層を形成せず
に実施例1と同様にニッケル膜を形成した。
【0054】形成したパネルヒーターの電極間抵抗は、
10Ωであった。電解めっきにより形成したニッケル膜
は、めっきむらがありピンホールが多く透明導電膜より
簡単に剥がれてしまった。
10Ωであった。電解めっきにより形成したニッケル膜
は、めっきむらがありピンホールが多く透明導電膜より
簡単に剥がれてしまった。
【0055】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明によって、製造工程が改善され、かつ
信頼性の高い透明面状ヒーターの製造が可能となるので
あり、産業上きわめて有用な発明であると言わざるを得
ない。
なように、本発明によって、製造工程が改善され、かつ
信頼性の高い透明面状ヒーターの製造が可能となるので
あり、産業上きわめて有用な発明であると言わざるを得
ない。
【図1】比較例1の構成を示す構成の断面図
【図2】本発明の透明面状ヒーターの一例を示す構成の
平面図
平面図
【図3】本発明の透明面状ヒーターの一例を示す構成の
断面図
断面図
【図4】本発明の透明面状ヒーターの一例を示す構成の
斜視図
斜視図
【図5】本発明の透明面状ヒーターの一例を示す構成の
断面図
断面図
1 透明面状ヒーター 2 透明基板 3 透明導電膜 4 金属下地層 5 電極 5a 接続部 6 第1の透明樹脂保護層 7 第2の透明樹脂保護層 7a 接着層 7b 透明プラスチックフィルム 8 接着層 9 セパレーター 10 耐酸性を有する透明薄膜 51 透明基板 52 透明導電膜 53 導電性塗料 54 透明保護層
Claims (17)
- 【請求項1】 透明基板上に設けられた透明導電膜を発
熱面として使用し、前記透明導電膜に通電するための一
対の金属電極を備えた透明面状ヒーターにおいて、前記
透明導電膜の上に耐酸性を有する透明保護層および前記
透明保護層の上に設けられ実質的に透光性の電極下地層
を有し、前記金属電極が前記電極下地層上に形成されて
いることを特徴とする透明面状ヒーター。 - 【請求項2】 前記金属電極が形成されない部分に前記
電極下地層を被覆する第1の透明樹脂保護層を有する請
求項1記載の透明面状ヒーター。 - 【請求項3】 前記耐酸性を有する透明保護層がpH5
以下の酸性溶液に対し不溶な耐酸性を有する透明保護膜
であることを特徴とする請求項1記載の透明面状ヒータ
ー。 - 【請求項4】 前記電極下地層が銅、ニッケル、クロ
ム、パラジウム、鉛、白金、金、銀のうち少なくとも1
種を含む金属又は合金からなることを特徴とする請求項
1記載の透明面状ヒーター。 - 【請求項5】 前記金属電極が銅、ニッケル、クロム、
金、スズ、鉛、銀、はんだのうちの少なくとも1種含む
金属又は合金からなる単層体または積層体であることを
特徴とする請求項1記載の透明面状ヒーター。 - 【請求項6】 前記電極下地層が、0.5nm〜20n
m厚みに金属をドライプロセスによって前記透明導電膜
上に設けたものであることを特徴とする請求項1記載の
透明面状ヒーター。 - 【請求項7】 前記金属電極および前記第1の透明樹脂
保護層を被覆する第2の透明樹脂保護層とをさらに有す
る請求項1記載の透明面状ヒーター。 - 【請求項8】 前記第2の透明樹脂保護層及び/または
前記透明基板にさらに接着層が設けられていることを特
徴とする請求項1記載の透明面状ヒーター。 - 【請求項9】 透明基板上に設けらた透明導電極膜を発
熱面として使用し、前記透明導電極膜に通電するための
一対の金属電極を備えた透明面状ヒーターの製造法にお
いて、前記透明導電極膜上にpH5以下の酸性溶液に不
溶な耐酸性を有する透明保護層をドライプロイセスによ
って形成する第1の工程と、前記透明基板上にドライプ
ロイセスによって金属または合金を付着させ実質的に透
光性の電極下地層を形成する第2の工程と、前記金属電
極が形成される部位以外の場所に第1の透明樹脂保護層
を設ける第3の工程と、湿式めっき法によって前記金属
電極を前記電極下地層上に形成する第4の工程とを有す
ることを特徴とする透明面状ヒーターの製造方法。 - 【請求項10】 前記電極下地層の厚さが0.5nm〜
20nmであることを特徴とする請求項9記載の透明面
状ヒーターの製造方法。 - 【請求項11】 前記湿式めっき法が電気めっき法であ
ることを特徴とする請求項11記載の透明面状ヒーター
の製造方法。 - 【請求項12】 前記湿式めっき法が無電解めっき法で
あることを特徴とする請求項9記載の透明面状ヒーター
の製造方法。 - 【請求項13】 前記第4の工程において無電解めっき
法と電気めっき法とが組み合わされて前記電極が形成さ
れることを特徴とする請求項9記載の透明面状ヒーター
の製造方法。 - 【請求項14】 前記第3の工程が、紫外線硬化型レジ
ストインキ、電子線硬化型レジストインキ、熱硬化型レ
ジストインキ、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、
熱硬化型樹脂のうちいずれかのもの/またはそれらの組
合せ又は混合物を塗布硬化させることによって行われる
ことを特徴とする請求項9記載の透明面状ヒーターの製
造方法。 - 【請求項15】 前記第3の工程が、接着層を有する透
明フィルムを積層させることによって行われることを特
徴とする請求項9記載の透明面状ヒーターの製造方法。 - 【請求項16】 前記第3の工程が、ドライフィルムを
積層硬化させることによって行われることを特徴とする
請求項9記載の透明面状ヒーターの製造方法。 - 【請求項17】 前記第3の工程が、塗料を塗布積層さ
せることによって行われることを特徴とする請求項9記
載の透明面状ヒーターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006789A JPH06283261A (ja) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | パネルヒーター及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-11536 | 1993-01-27 | ||
| JP1153693 | 1993-01-27 | ||
| JP6006789A JPH06283261A (ja) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | パネルヒーター及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283261A true JPH06283261A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=26340994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006789A Pending JPH06283261A (ja) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | パネルヒーター及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283261A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196307A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Optrex Corp | 液晶表示素子用パネルヒータ |
| KR20020088908A (ko) * | 2001-05-22 | 2002-11-29 | 주식회사 제이디텍 | 전도성 물질을 이용한 면상 발열체 |
| JP2007199339A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| US8058592B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-11-15 | Denso Corporation | Ceramic heater, gas sensor, and method of producing ceramic heater |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216945A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-09-24 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 少なくとも1枚の導電性面状被覆を備えた基板を有する透明板ガラス及びその製法 |
| JPS63187203A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 | Dainippon Printing Co Ltd | カラ−フイルタ−の製造方法 |
| JPH01173591A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-10 | Hitachi Cable Ltd | 面状発熱体 |
| JPH04123096A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Ngk Insulators Ltd | 表示ブロック |
| JPH04355425A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Teijin Ltd | 透明面状ヒーター |
| JPH04357692A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-12-10 | Gunze Ltd | 薄膜ヒータ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-26 JP JP6006789A patent/JPH06283261A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| US8058592B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-11-15 | Denso Corporation | Ceramic heater, gas sensor, and method of producing ceramic heater |
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