JPH0435818B2 - - Google Patents
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- JPH0435818B2 JPH0435818B2 JP1263190A JP26319089A JPH0435818B2 JP H0435818 B2 JPH0435818 B2 JP H0435818B2 JP 1263190 A JP1263190 A JP 1263190A JP 26319089 A JP26319089 A JP 26319089A JP H0435818 B2 JPH0435818 B2 JP H0435818B2
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- waveguide
- grating
- lens
- light beam
- chirp
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
≪産業上の利用分野≫
この発明はレーザデイスクや光カード等に用い
られる光ピツクアツプ装置に関する。
られる光ピツクアツプ装置に関する。
≪従来技術とその問題点≫
周知のように、レーザから出射されるレーザ光
は位相のそろつたコヒーレントな光であり、この
コヒーレント特性のゆえに種々の計測に使用され
ており、また光通信等にも利用されている。
は位相のそろつたコヒーレントな光であり、この
コヒーレント特性のゆえに種々の計測に使用され
ており、また光通信等にも利用されている。
レーザ光のビーム径を絞るためにはレンズが使
用されている。レンズは、例えば通常の凸レンズ
では、レーザ光のビームを数μｍ程度まで絞り込
める。この絞り込みは２次元的に行なえる。これ
に対して２次元のフオーカシングが行なえないレ
ンズとしては例えば、カマボコレンズ（シリンド
リカルレンズ）があり、このレンズでは光ビーム
を一方向にしか絞り込めない（１次元のフオーカ
シングしか行なえない）。
用されている。レンズは、例えば通常の凸レンズ
では、レーザ光のビームを数μｍ程度まで絞り込
める。この絞り込みは２次元的に行なえる。これ
に対して２次元のフオーカシングが行なえないレ
ンズとしては例えば、カマボコレンズ（シリンド
リカルレンズ）があり、このレンズでは光ビーム
を一方向にしか絞り込めない（１次元のフオーカ
シングしか行なえない）。
現在、レーザ光の２次元のフオーカシングはレ
ンズのみによつて行われている。２次元のフオー
カシングを行なえることがレンズの最大の長所で
あるが、レンズには次のような欠点も指摘されて
いる。
ンズのみによつて行われている。２次元のフオー
カシングを行なえることがレンズの最大の長所で
あるが、レンズには次のような欠点も指摘されて
いる。
(A) ………焦点距離が一定であり、焦点距離を変
えることができない。
えることができない。
(B) ………そのため物体の移動等に合せて焦点を
移動させる必要がある場合、レンズを移動させ
なければならず、レンズ系の移動機構および駆
動機構が必要となり、耐久性が劣る。
移動させる必要がある場合、レンズを移動させ
なければならず、レンズ系の移動機構および駆
動機構が必要となり、耐久性が劣る。
(C) ………バルクレンズ、レンズ等レンズ系の移
動機構および駆動機構にはコイルを必要とする
ため、それらの機構は決して小さなものではな
いし、レンズ自体およびそのホルダも決してコ
ンパクトなものではなく、従つて、光ピツクア
ツプ装置の小型軽量化を図ることは従来困難で
あつた。
動機構および駆動機構にはコイルを必要とする
ため、それらの機構は決して小さなものではな
いし、レンズ自体およびそのホルダも決してコ
ンパクトなものではなく、従つて、光ピツクア
ツプ装置の小型軽量化を図ることは従来困難で
あつた。
ところで、レーザビームをコンパクトな装置で
絞り込もうとすれば、上述のような通常のレンズ
に替えて、薄膜光導波路上に作成されたグレーテ
イングレンズを用いることが考えられる。しか
し、従来のグレーテイングレンズでは上記カマボ
コレンズと同様に１次元のみのフオーカシングし
か行なえず、また焦点位置も一定となつてしま
う。
絞り込もうとすれば、上述のような通常のレンズ
に替えて、薄膜光導波路上に作成されたグレーテ
イングレンズを用いることが考えられる。しか
し、従来のグレーテイングレンズでは上記カマボ
コレンズと同様に１次元のみのフオーカシングし
か行なえず、また焦点位置も一定となつてしま
う。
≪発明の目的≫
この発明の目的は、通常のレンズと同様な２次
元の光ビームの絞り込み（フオーカシング）が行
なえるとともに、かつ焦点位置を変化させること
ができ、しかも従来のようなレンズの移動および
駆動系が必要なく、コンパクトにこれを実現する
ことのできる光ピツクアツプ装置を提供すること
にある。
元の光ビームの絞り込み（フオーカシング）が行
なえるとともに、かつ焦点位置を変化させること
ができ、しかも従来のようなレンズの移動および
駆動系が必要なく、コンパクトにこれを実現する
ことのできる光ピツクアツプ装置を提供すること
にある。
≪発明の構成と効果≫
上記の目的を達成するために、この発明は、薄
膜光導波路中を伝搬する光ビームを発生する光ビ
ーム発生手段と、 上記光ビームの上記薄膜光導波路中での進行方
向を電気信号に応じ制御する光ビーム方向制御手
段と、 上記光ビームを該導波路の平面内においてフオ
ーカシングすべく、該導波路上に形成されたグレ
ーテイングレンズと、 このグレーテイングレンズの近傍の上記導波路
上に形成され、印加電圧に応じて、上記グレーテ
イングレンズの屈折率を変化させる電極と、 上記グレーテイングレンズを経た光ビームを上
記導波路の表面から外部に出射させるとともに、
その出射光ビームを該導波路外の空間でフオーカ
シングすべく、該導波路上に形成されたチヤープ
型グレーテイングと、 このチヤープ型グレーテイングの近傍の上記導
波路上に形成され、印加電圧に応じて上記チヤー
プ型グレーテングの屈折率を変化させる電極と、 導波路外に出射した光の対象物による反射光を
受光する受光部と、 を有することを特徴とする。
膜光導波路中を伝搬する光ビームを発生する光ビ
ーム発生手段と、 上記光ビームの上記薄膜光導波路中での進行方
向を電気信号に応じ制御する光ビーム方向制御手
段と、 上記光ビームを該導波路の平面内においてフオ
ーカシングすべく、該導波路上に形成されたグレ
ーテイングレンズと、 このグレーテイングレンズの近傍の上記導波路
上に形成され、印加電圧に応じて、上記グレーテ
イングレンズの屈折率を変化させる電極と、 上記グレーテイングレンズを経た光ビームを上
記導波路の表面から外部に出射させるとともに、
その出射光ビームを該導波路外の空間でフオーカ
シングすべく、該導波路上に形成されたチヤープ
型グレーテイングと、 このチヤープ型グレーテイングの近傍の上記導
波路上に形成され、印加電圧に応じて上記チヤー
プ型グレーテングの屈折率を変化させる電極と、 導波路外に出射した光の対象物による反射光を
受光する受光部と、 を有することを特徴とする。
この発明に係る光ピツクアツプ装置は上記の如
く構成されているため、可動部なしでフオーカシ
ングやトラツキングを行うことができるので、装
置の長寿命化を図ることができるとともに、バル
クレンズやレンズ等を駆動するコイル等が不要と
なるため、小型軽量の光ピツクアツプ装置を実現
できる等の効果を有する。
く構成されているため、可動部なしでフオーカシ
ングやトラツキングを行うことができるので、装
置の長寿命化を図ることができるとともに、バル
クレンズやレンズ等を駆動するコイル等が不要と
なるため、小型軽量の光ピツクアツプ装置を実現
できる等の効果を有する。
≪実施例の説明≫
第１図はこの発明に用いられる薄膜型２次元フ
オーカシング装置を示す。この装置は、LiNbO3
結晶からなる基板１に集積形成されたもので、基
板１の表面には薄膜光導波路２が形成されてい
る。導波路２上にはリフトオフ法を用いた選択ス
パツタリングにより上部層３ａを所定パターンで
蒸着してなるグレーテイングレンズ３が形成され
ている。また、このグレーテイングレンズ３の両
側部には電極４，４が形成されており、この電極
４，４間に直流電源５から適宜な電圧が印加され
る。グレーテイングレンズ３には薄膜光導波路２
上を矢印Ｐで示すように平行に伝搬する光が入射
し、この光を矢印Ｑで示すように、導波路２の平
面内においてフオーカシングする。
オーカシング装置を示す。この装置は、LiNbO3
結晶からなる基板１に集積形成されたもので、基
板１の表面には薄膜光導波路２が形成されてい
る。導波路２上にはリフトオフ法を用いた選択ス
パツタリングにより上部層３ａを所定パターンで
蒸着してなるグレーテイングレンズ３が形成され
ている。また、このグレーテイングレンズ３の両
側部には電極４，４が形成されており、この電極
４，４間に直流電源５から適宜な電圧が印加され
る。グレーテイングレンズ３には薄膜光導波路２
上を矢印Ｐで示すように平行に伝搬する光が入射
し、この光を矢印Ｑで示すように、導波路２の平
面内においてフオーカシングする。
グレーテイングレンズ３を経た光ビームＱの進
行方向側における導波路２上には、ホログラフイ
ツク露光法とイオンスパツタ法により、場所によ
り周期の異なるチヤープ型グレーテイング６が作
成されている。また、このチヤープ型グレーテイ
ング６の両側には電極７，７が形成され、この電
極７，７間に直流電源８により適宜な電圧が印加
される。
行方向側における導波路２上には、ホログラフイ
ツク露光法とイオンスパツタ法により、場所によ
り周期の異なるチヤープ型グレーテイング６が作
成されている。また、このチヤープ型グレーテイ
ング６の両側には電極７，７が形成され、この電
極７，７間に直流電源８により適宜な電圧が印加
される。
矢印Ｑのように導波路２を伝搬してチヤープ型
グレーテイング６に入射した光ビームＱは、矢印
Ｒで示すように導波路２の表面から斜め上方へ出
射するとともに、導波路２の平面と垂直な平面内
においてフオーカシングの作用が働く。
グレーテイング６に入射した光ビームＱは、矢印
Ｒで示すように導波路２の表面から斜め上方へ出
射するとともに、導波路２の平面と垂直な平面内
においてフオーカシングの作用が働く。
次に、上記の構成の動作をより詳細に説明す
る。まず、グレーテイングレンズ３の作用の詳細
について、この部分のみを抽出して示す第２図に
基づいて説明する。このグレーテイングレンズ３
は導波路２上のＢ点に焦点を結ぶように設計され
ている。グレーテイングレンズ３からのビーム光
が集光される位置までの距離ｆは、導波路２の基
板１からの屈折率変化がΔn、レンズ３の中心か
らの距離がＤ／２であると、このフレネル型のグ
レーテイングレンズ３では、 Δn∝cos｛β（√（２）2＋2−ｆ）｝ ………(1) という関係式がある。ここでβは導波路２中のモ
ードの位相定数である。グレーテイングレンズ３
を挾む電極４に電源５より電圧を印加することで
上述のモードの位相定数βが変化する。この位相
定数βの変化によりグレーテイングレンズ３の焦
点距離ｆを変化させ得る。電極４，４の間隔が導
波路２の膜厚に比較して１桁程度大きいならば、
位相定数βの変化量は電極４，４間に印加する電
圧に比例し、屈折率変化Δnは一定である。つま
り、Ｄ／２＜＜ｆであるので、式１より、 β｛√（２）2＋2−ｆ｝＝一定 となるから、 β／ｆ＝一定となる。位相定数βが増加すれば
焦点距離ｆもβに比例して増加し、例えば第２図
のＣ点に移動する。またある電圧で位相定数βが
減少すれば焦点はＡ点に移動する。このように、
矢印Ｐのように入射する平行なレーザビームがグ
レーテイングレンズ３によつて導波路２の平面内
で絞り込まれる（フオーカシング）とともに、そ
の焦点距離は電極４，４に印加する電圧を調整し
てグレーテイングレンズ３の屈折率を変化させる
ことで変えることができる。
る。まず、グレーテイングレンズ３の作用の詳細
について、この部分のみを抽出して示す第２図に
基づいて説明する。このグレーテイングレンズ３
は導波路２上のＢ点に焦点を結ぶように設計され
ている。グレーテイングレンズ３からのビーム光
が集光される位置までの距離ｆは、導波路２の基
板１からの屈折率変化がΔn、レンズ３の中心か
らの距離がＤ／２であると、このフレネル型のグ
レーテイングレンズ３では、 Δn∝cos｛β（√（２）2＋2−ｆ）｝ ………(1) という関係式がある。ここでβは導波路２中のモ
ードの位相定数である。グレーテイングレンズ３
を挾む電極４に電源５より電圧を印加することで
上述のモードの位相定数βが変化する。この位相
定数βの変化によりグレーテイングレンズ３の焦
点距離ｆを変化させ得る。電極４，４の間隔が導
波路２の膜厚に比較して１桁程度大きいならば、
位相定数βの変化量は電極４，４間に印加する電
圧に比例し、屈折率変化Δnは一定である。つま
り、Ｄ／２＜＜ｆであるので、式１より、 β｛√（２）2＋2−ｆ｝＝一定 となるから、 β／ｆ＝一定となる。位相定数βが増加すれば
焦点距離ｆもβに比例して増加し、例えば第２図
のＣ点に移動する。またある電圧で位相定数βが
減少すれば焦点はＡ点に移動する。このように、
矢印Ｐのように入射する平行なレーザビームがグ
レーテイングレンズ３によつて導波路２の平面内
で絞り込まれる（フオーカシング）とともに、そ
の焦点距離は電極４，４に印加する電圧を調整し
てグレーテイングレンズ３の屈折率を変化させる
ことで変えることができる。
次に、チヤープ型グレーテイング６の作用につ
いて、この部分のみの詳細を示す第３図に従つて
説明する。導波路２上に長さＬにわたつて作成し
たチヤープ型グレーテイング６は場所により周期
が異なつており、導波路２を矢印Ｑのように侵入
してくるレーザ光はこのグレーテイング６で外部
に出射するが、その出射場所により出射方向が異
なり、その結果出射した光はある点に集光する。
いて、この部分のみの詳細を示す第３図に従つて
説明する。導波路２上に長さＬにわたつて作成し
たチヤープ型グレーテイング６は場所により周期
が異なつており、導波路２を矢印Ｑのように侵入
してくるレーザ光はこのグレーテイング６で外部
に出射するが、その出射場所により出射方向が異
なり、その結果出射した光はある点に集光する。
第３図に示すように、座標径を取れば、Ｓ（Ｘ、
Ｚ）は、 Ｚ＝βOL（k2−βL 2）1/2／βO（k2−BL 2）1/2−βL（k
2−βO 2）1/2 Ｘ＝［（k2−βO 2）1/2／βO］Zλ で示される点になる。ここでｋ（＝2π／λ）は波
数であり、また、 βO≡kz（０）＝β−2π／Λ（０） βL≡kz（Ｌ）＝β−2π／Λ（Ｌ） である。更に、βは導波路２のモードの位相定数
である。Λ（０）はＺ＝０におけるグレーテイン
グ６の周期であり、Λ（Ｌ）はＺ＝Ｌにおけるグ
レーテイング６の周期である。グレーテイング６
の周期をＺ＝０で0.33μｍ、Ｚ＝Ｌで0.295μｍと
すると、Ｌ＝１cm、λ＝0.6328μｍならば、Ｓ
（Ｘ、Ｚ）≒（4.05、1.28）となる（単位はcm）。
Ｚ）は、 Ｚ＝βOL（k2−βL 2）1/2／βO（k2−BL 2）1/2−βL（k
2−βO 2）1/2 Ｘ＝［（k2−βO 2）1/2／βO］Zλ で示される点になる。ここでｋ（＝2π／λ）は波
数であり、また、 βO≡kz（０）＝β−2π／Λ（０） βL≡kz（Ｌ）＝β−2π／Λ（Ｌ） である。更に、βは導波路２のモードの位相定数
である。Λ（０）はＺ＝０におけるグレーテイン
グ６の周期であり、Λ（Ｌ）はＺ＝Ｌにおけるグ
レーテイング６の周期である。グレーテイング６
の周期をＺ＝０で0.33μｍ、Ｚ＝Ｌで0.295μｍと
すると、Ｌ＝１cm、λ＝0.6328μｍならば、Ｓ
（Ｘ、Ｚ）≒（4.05、1.28）となる（単位はcm）。
グレーテイング６の作成においては、レジスト
としてPMMAを使用し、マイクロコンピユータ
制御の電子ビーム露光機を使用することで、任意
の周期を簡単に得られる。
としてPMMAを使用し、マイクロコンピユータ
制御の電子ビーム露光機を使用することで、任意
の周期を簡単に得られる。
上記チヤープ型グレーテイング６の焦点は、電
極７，７間に電圧を印加し、電極７，７間の導波
路２の屈折率およびモードの位相定数を変化させ
ることで移動することができる。焦点の移動は、
上記のＳ点では導波路２面に垂直にリニアに変化
すると考えて良い。以上により、導波路２面に垂
直な面でのフオーカシングと焦点の移動が可能と
なる。
極７，７間に電圧を印加し、電極７，７間の導波
路２の屈折率およびモードの位相定数を変化させ
ることで移動することができる。焦点の移動は、
上記のＳ点では導波路２面に垂直にリニアに変化
すると考えて良い。以上により、導波路２面に垂
直な面でのフオーカシングと焦点の移動が可能と
なる。
以上の２系統のフオーカシングにより通常のレ
ンズと同じように２次元のフオーカシングが可能
となり、しかも焦点位置は電気的に制御すること
ができ、この制御系には従来のようなレンズを移
動させる可動部分は含まず、非常にコンパクトに
１つの薄膜光導波路上に構成することができる。
ンズと同じように２次元のフオーカシングが可能
となり、しかも焦点位置は電気的に制御すること
ができ、この制御系には従来のようなレンズを移
動させる可動部分は含まず、非常にコンパクトに
１つの薄膜光導波路上に構成することができる。
第４図は上記フオーカシング装置を用いた本発
明に係る光ピツクアツプ装置の説明図であり、こ
の実施例は、デイジタルオーデイオデイスクシス
テムに適用したものである。
明に係る光ピツクアツプ装置の説明図であり、こ
の実施例は、デイジタルオーデイオデイスクシス
テムに適用したものである。
第４図において、第１図〜第３図と同一または
対応する部分に同一符号を付している。レーザダ
イオード９から出射したビームはコリメートレン
ズ１４により平行化される。この平行化されたレ
ーザビームとIDT（櫛形電極超音波発振子１０）
から発生した弾性表面波がブラツグ角で交差し、
光ビームの進行方向が適宜に変化させられる。そ
の後、光ビームは上述したグレーテイングレンズ
３およびチヤープ型グレーテイング６を経て光導
波路２から斜め上方に出射し、デイジタルオーデ
イオデイスク１２上のピツト１３に照射される。
デイスク１２からの反射光は、シリコン基板８上
に上記薄膜光導波路２と同一平面を成して形成さ
れたフオトダイオードアレイＡ１〜Ｃ２からなる
受光部に照射され、フオトダイオードアレイＡ１
〜Ｃ２の出力は同じくシリコン基板８上に集積形
成された制御回路１１（マイクロプロセツサを含
む）に入力され、この回路の演算処理によりフオ
ーカス誤差、トラツキング誤差およびデータ信号
が検知される。また制御回路１１は、上記フオー
カス誤差信号に基づいてグレーテイングレンズ３
の電極４およびチヤープ型グレーテイング６の電
極７に印加する電圧を制御し、デイスク１２上の
ピツト１３に正しく焦点を結ぶようにいわゆるフ
オーカスサーボの制御を行なう。また、IDT１０
に加える高周波信号の周波数を制御することで、
いわゆるトラツキングサーボの制御を行なう。
対応する部分に同一符号を付している。レーザダ
イオード９から出射したビームはコリメートレン
ズ１４により平行化される。この平行化されたレ
ーザビームとIDT（櫛形電極超音波発振子１０）
から発生した弾性表面波がブラツグ角で交差し、
光ビームの進行方向が適宜に変化させられる。そ
の後、光ビームは上述したグレーテイングレンズ
３およびチヤープ型グレーテイング６を経て光導
波路２から斜め上方に出射し、デイジタルオーデ
イオデイスク１２上のピツト１３に照射される。
デイスク１２からの反射光は、シリコン基板８上
に上記薄膜光導波路２と同一平面を成して形成さ
れたフオトダイオードアレイＡ１〜Ｃ２からなる
受光部に照射され、フオトダイオードアレイＡ１
〜Ｃ２の出力は同じくシリコン基板８上に集積形
成された制御回路１１（マイクロプロセツサを含
む）に入力され、この回路の演算処理によりフオ
ーカス誤差、トラツキング誤差およびデータ信号
が検知される。また制御回路１１は、上記フオー
カス誤差信号に基づいてグレーテイングレンズ３
の電極４およびチヤープ型グレーテイング６の電
極７に印加する電圧を制御し、デイスク１２上の
ピツト１３に正しく焦点を結ぶようにいわゆるフ
オーカスサーボの制御を行なう。また、IDT１０
に加える高周波信号の周波数を制御することで、
いわゆるトラツキングサーボの制御を行なう。
以上のように、本発明に係る光ピツクアツプ装
置によれば、レンズ系を駆動するような可動部な
しで、フオーカシング、トラツキングが可能とな
るため、装置の長寿命化を図ることができるとと
もに、バルクレンズやレンズを駆動するコイル等
が不要となるため小型軽量の光ピツクアツプ装置
を実現できる。
置によれば、レンズ系を駆動するような可動部な
しで、フオーカシング、トラツキングが可能とな
るため、装置の長寿命化を図ることができるとと
もに、バルクレンズやレンズを駆動するコイル等
が不要となるため小型軽量の光ピツクアツプ装置
を実現できる。
第１図はこの発明に用いられる薄膜型２次元フ
オーカシング装置の構成を示す斜視図、第２図は
同上装置におけるグレーテイングレンズ３の作用
を示す作用図、第３図は同上装置におけるチヤー
プ型グレーテイング６の作用を示す作用図、第４
図はこの発明に係る光ピツクアツプ装置の説明図
である。 １……結晶基板、２……薄膜光導波路、３……
グレーテイングレンズ、４……電極、６……チヤ
ープ型グレーテイング、７……電極、９……レー
ザダイオード、１１……制御回路、１２……デイ
スク、Ａ１〜Ｃ２……受光部。
オーカシング装置の構成を示す斜視図、第２図は
同上装置におけるグレーテイングレンズ３の作用
を示す作用図、第３図は同上装置におけるチヤー
プ型グレーテイング６の作用を示す作用図、第４
図はこの発明に係る光ピツクアツプ装置の説明図
である。 １……結晶基板、２……薄膜光導波路、３……
グレーテイングレンズ、４……電極、６……チヤ
ープ型グレーテイング、７……電極、９……レー
ザダイオード、１１……制御回路、１２……デイ
スク、Ａ１〜Ｃ２……受光部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜光導波路中を伝搬する光ビームを発生す
る光ビーム発生手段と、 上記光ビームの上記薄膜光導波路中での進行方
向を電気信号に応じ制御する光ビーム方向制御手
段と、 上記光ビームを該導波路の平面内においてフオ
ーカシングすべく、該導波路上に形成されたグレ
ーテイングレンズと、 このグレーテイングレンズの近傍の上記導波路
上に形成され、印加電圧に応じて、上記グレーテ
イングレンズの屈折率を変化させる電極と、 上記グレーテイングレンズを経た光ビームを上
記導波路の表面から外部に出射させるとともに、
その出射光ビームを該導波路外の空間でフオーカ
シングすべく、該導波路上に形成されたチヤープ
型グレーテイングと、 このチヤープ型グレーテイングの近傍の上記導
波路上に形成され、印加電圧に応じて上記チヤー
プ型グレーテングの屈折率を変化させる電極と、 導波路外に出射した光の対象物による反射光を
受光する受光部と、 を有することを特徴とする光ピツクアツプ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263190A JPH02139723A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263190A JPH02139723A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光ピックアップ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180257A Division JPS5969732A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 薄膜型２次元フオ−カシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139723A JPH02139723A (ja) | 1990-05-29 |
| JPH0435818B2 true JPH0435818B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=17386022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263190A Granted JPH02139723A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139723A (ja) |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263190A patent/JPH02139723A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02139723A (ja) | 1990-05-29 |
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