JPH0436042Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は撮像管に係わり、とくに真空容器の内
面にデフレクトロンと称されるジグザグパターン
からなる静電偏向電極が被着された構造の撮像管
に関する。

〔考案の技術的背景およびその問題点〕

通常の電磁集束・電磁偏向形撮像管は、電子ビ
ームの集束、偏向領域に長い円筒状加速電極を有
する。そして管内のバイアスライト光源からの光
を光導電体ターゲツト面に一様な照度で到達させ
るために、ガラス容器内面あるいは長い円筒電極
の内面を凹凸面にすることは、既に実開昭52−
112724号公報または実開昭51−137214号公報など
に開示されている。しかしこのような撮像管はガ
ラス容器あるいは円筒電極が単に平坦な円筒部品
であるため、それによる光反射がほぼ均一で特別
なパターン化された疑似信号が生ずるおそれがな
い。

一方、電磁集束・静電偏向形撮像管は、第３図
に示すようにガラス製真空容器１１の内面にデフ
レクトロンと称されるジグザグパターンの導電膜
１２からなる静電偏向電極１３が被着形成されて
いる。そして真空容器１１の内部には、ステム１
４に植設されたリードピン１５に支持された電子
銃１６が配置されている。この電子銃１６は、カ
ソード１７、加熱ヒータ１８、第１製御グリツド
電極１９、リミツテングアパーチヤ２０を有する
第２グリツド電極２１を備えている。この電子銃
と反対側に、フエースプレート２２が気密接合さ
れ、その内面に透明導電層、光導電体層からなる
光電変換ターゲツト２３が形成され、これから少
し離れてメツシユ電極２４が設けられている。静
電偏向電極１３は、真空容器１１の内面にクロム
を蒸着したＸ−Ｙ偏向用の２組の導電膜１２が被
着されてなり、電子銃から発する電子ビームを偏
向走査するようになつている。なお電子ビーム
は、真空容器の外周の配置された図示しない電磁
集束コイルによる集束磁界で電磁集束される。

ところでこのような撮像管においては、電子銃
から発生され静電偏向された電子ビームの一部が
戻りビームとなつて電子銃方向に戻る現象が避け
られない。この戻りビームは、電子銃の第２グリ
ツド電極等で反射され反射ビームとして再び光導
電層の方向に進行する。これら戻ビームおよび反
射ビームは、ともにデフレクトロン形静電偏向電
極による電界および電磁集束磁界のために複雑な
軌道をとる。そして反射ビームは透明導電層上に
入射し疑似信号として信号電極に現われる。これ
を防止する一解決策として、電子銃のとくに第２
グリツドの直径を可及的に小さくして戻りビーム
の反射を抑制するようにしている。そのため、グ
リツド電極と静電偏向電極が被着された真空容器
内面との間隔が広くなる。すると加熱ヒータで発
する光の一部が、矢印Ｐの如くステムの一部で反
射し、金属光沢のある静電偏向電極の内面で反射
を繰り返し、光電変換ターゲツトに入射する度合
いが増加してしまう。それによりジグザグパター
ンの偏向電極による特殊なパターンの疑似信号の
発生が顕著となつてしまう。

〔考案の目的〕

本考案は、以上のような不都合を解決し反射ビ
ームによる疑似信号の発生を抑制しつつヒータか
ら発するターゲツトへの入射を抑制および均一化
し、特殊なパターンの疑似信号の発生を確実に抑
制しうる構造の撮像管を提供するものである。

〔考案の概要〕

本考案は、静電偏向電極の導電簿膜が被着され
た真空容器の内面が微細な凹凸面とされ、この凹
凸面上にこの凹凸面の平均凹凸深さ寸法よりも薄
い膜厚で静電偏向電極用導電簿膜が被着されてな
る撮像管である。そしてとくに好ましくは、導電
簿膜の内面がヒータから発する光に対し、約45度
の入反射角で測定した反射率が65％以下の凹凸面
とする。これによつて電子銃のヒータから発する
光を拡散反射させ、ターゲツトへの入射量を低減
するとともに全面に均一化し、静電偏向電極のジ
グザグパターンによる特殊な疑似信号の発生を抑
制することができる。

〔考案の実施例〕

以下図面を参照してその実施例を説明する。な
お同一部分は同一符号であらわす。

本考案の撮像管は、第１図示すようにガラス製
真空容器１１の偏向電極が形成される領域の内面
を、例えば弗酸を含む溶液で適当な時間腐蝕して
形成した微細な凹凸面１１ａを有する。そしてこ
の凹凸面に、クロム（Cr）を真空蒸着してジグ
ザグパターンの静電偏向電極１３となる導電膜１
２を被着形成する。なお図中の符号２５は入射光
の乱反射防止用ガラスプレート、２６は透明導電
層に電気的に接続され透明面板を気密に貫通して
設けられた信号電極ピン、２７は外部信号電極リ
ード、２８は電磁集束コイル、２９はアライメン
トコイル、３０は外枠、３１は各コイルのリード
線、３２はヘツドキヤツプ、３３は固定用リン
グ、ｅは電子ビームをあらわしている。

この導電膜１２は、膜厚が例えば2000Åで、凹
凸面の凹凸深さに比べて十分小さい寸法である。
これによつて導電膜内面も微細な凹凸面のままと
なる。とくにこの静電偏向電極を構成する導電膜
の内面凹凸面は、第２図に示すように真空容器面
に対する入射角および出射角θを約45度として、
電子銃の加熱ヒータ１８から放射される光に対応
するおよそ1600°Kの色温度の光線での反射率
（微小な入出光面積における入射光量と出射光量
との比）が、65％以下、とくに好ましくは60％以
下、例えば55％となるように形成されている。こ
の偏向電極導電膜内面の反射率がこの範囲を越え
ると、ジグザグパターンの偏向電極による特殊な
疑似信号が無視できなくなり、充分な特性が得ら
れない。なお反射率の下限値は、ある程度光沢性
のある導電膜なのでおよそ30％程度である。図中
の符号３４は反射率測定用の投光器、３５は受光
器をあらわしている。

なお角度θをおよそ45度とした理由は、ヒータ
からターゲツトへ至る光が不所望な疑似信号源と
なりやすい主要な光の電極反射の角度にほぼ対応
するからである。

なおこの凹凸面は、真空容器の内面をサンドブ
ラストなどによつて微細な凹凸面とし、その面上
にクロム、あるいは他の静電偏向電極となる金属
蒸着膜を被着して形成してもよい。また真空容器
の内面に表面が微細な凹凸面となる被膜を塗布
し、その面上に静電偏向電極となる導電膜を被着
してもよい。

〔考案の効果〕

以上説明した本考案によれば、電子銃の加熱ヒ
ータから発し光電変換ターゲツトへ反射して向か
う光量が、デフレクトロン形静電偏向電極の導電
膜の凹凸面により低減され疑似信号の発生が抑制
される。またこの凹凸面により拡散されて全面に
わたり均一化するので、これがいわゆるバイアス
ライトの作用をし、残像特性の改善も得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例を要部を拡大して示す
半縦断面図、第２図はその要部を示す模式図、第
３図は従来構造の構成を示す要部縦断面図であ
る。 １１……真空容器、１６……電子銃、２３……
ターゲツト、１１ａ……凹凸面、１２……導電
膜、１３……静電偏向電極。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ガラス製真空容器内の一方にヒータを内蔵す
   る電子銃、他方に光電変換ターゲツトが設けら
   れ、前記真空容器内面にジグザグパターンの導
   電簿簿膜からなる静電偏向電極が被着されてな
   る撮像管において、 上記静電偏向電極の導電簿膜が被着された真
   空容器の内面が、微細な凹凸面とされ、この凹
   凸面上に該凹凸面の平均凹凸深さ寸法よりも薄
   い膜厚で前記導電簿膜が被着されてなることを
   特徴とする撮像管。 (2) 静電偏向電極を構成する導電簿膜の内面凹凸
   面は、電子銃のヒータから発する光に対し、約
   45度の入反射角で測定した反射率が、65％以下
   である実用新案登録請求の範囲第１項記載の撮
   像管。