JPH04360893A - 有機錫化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜の製造原料
として好適に用いることができる有機錫化合物の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】酸化錫化合物からなる透明導電膜は光透
過性があり、物理的および化学的な耐久性に優れており
、しかも比較的安価である。このため、例えば表示素子
等の電気光学素子、タッチパネル等の透明電極材、赤外
線反射用窓材、太陽電池用表面膜材、帯電防止用コーテ
ィング材、ガスセンサーなどとして広い分野で用いられ
ている。

【０００３】従来、上記のような用途に用いる透明導電
膜は、スプレー法、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング
法などの形成法によって作製されている。しかし、これ
らの形成法には、装置が複雑であったり、膜形成速度が
遅かったり、作業効率が悪かったり、また大面積化に適
さないなどの問題がある。

【０００４】これに対して、四塩化錫、２−エチルヘキ
サン酸などの酸化錫前駆体を含有している水系コーティ
ング液を、基板にコーティングし焼成して透明導電膜を
形成する塗布法は、比較的簡単な操作で当該膜を形成す
ることができ、成膜コストも安価である。また、この方
法は大面積の基板や管の作製にも適用することができる
。

【０００５】しかしながら、上記塗布法においては、酸
化錫前駆体を水に溶解させるために、一般的には水に強
酸または強塩基を添加しなければならない。ところが、
これらの強酸または強塩基にはＮａ、Ｋ、Ｃｌなどが含
まれており、形成された透明導電膜中にＮａ、Ｋ、Ｃｌ
などのイオンが残存し、これらの不純物が透明導電膜を
形成した基板およびこの基板の周辺のエレクトロニクス
部品を汚染し、この基板または部品を使用している機器
に損傷を与えるという問題もある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
塗布法における問題を解決しうる有機錫化合物の製造方
法を提供することにある。すなわち本発明は、塗布法に
よる透明導電膜の形成に適する前駆体であって、得られ
るコーティング液が安定で良好な成膜性を有する、有機
錫化合物の製造方法を提供しようとするものである。さ
らに本発明の別の目的は、透明導電膜としてばかりでは
なく、固体触媒、めっき組成物、合成樹脂組成物、安定
化剤、感光剤、抗菌剤、防虫剤などの製造原料としても
利用できる有機錫化合物の製造方法を提供しようとする
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
： Ｒ１　Ｓｎ（ＯＲ２　）３　　　…………（Ｉ）（ここ
で、Ｒ１　は水素原子、アルキル基またはアリール基で
あり、Ｒ２　は水素原子、アルキル基、アリール基また
はアシル基である。）で表わされるスズ化合物と、一般
式（ＩＩ）： ＨＯ−Ａ−ＣＯＯＨ　　　　…………（ＩＩ）（ここで
、Ａはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル
基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基およ
びカルボニル基からなるグループから選ばれた少なくと
も１種の構造を有する、２価の有機基である。）で表わ
されるヒドロキシカルボン酸とを、反応させることを特
徴とする有機錫化合物の製造方法を提供するものである
。

【０００８】上記一般式（Ｉ）において、Ｒ１　は水素
原子、アルキル基好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基またはアリール基好ましくは炭素数６〜１０のアリー
ル基である。Ｒ１　のアルキル基の炭素数が１０をまた
はアリール基の炭素数が１０を越える場合、得られる透
明導電膜の緻密性が低下する。

【０００９】上記Ｒ１　のアルキル基の例としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基などを、アリール基
の例としては、フェニル基、トリル基、エチルフェニル
基、メシチル基、ナフチル基などを挙げることができる
。これらＲ１　の中で特に好ましいものは、メチル基、
エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オ
クチル基およびフェニル基である。

【００１０】また、一般式（Ｉ）のＲ２　は、水素原子
、アルキル基好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、
、アリール基好ましくは炭素数６〜１０のアリール基ま
たはアシル基好ましくは炭素数１〜１０のアシル基であ
る。Ｒ２　のアルキル基の炭素数が１０を、アリール基
の炭素数が１０をまたはアシル基の炭素数が１０を越え
るものは、得られる透明導電膜の緻密性が低下する。

【００１１】上記Ｒ２　のアルキル基およびアリール基
の例としては、Ｒ１　で例示したものと同様の基を挙げ
ることができ、アシル基の例としては、アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基、ヘキサノイル基、２−エチ
ルヘキサノイル基、デカノイル基、ベンゾイル基などが
挙げられる。これらのＲ２　の中で特に好ましいものは
炭素数１〜１０のアルキル基であり、さらに好ましいも
のは、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基およびｎ−ブチル
基である。

【００１２】上記一般式（Ｉ）で表わされるスズ化合物
の具体例としては、メチルトリエトキシスズ、メチルト
リ−ｎ−ブトキシスズ、エチルトリエトキシスズ、エチ
ルトリ−ｎ−ブトキシスズ、ｎ−ブチルトリメトキシス
ズ、ｎ−ブチルトリエトキシスズ、ｎ−ブチルトリ−ｉ
ｓｏ−プロポキシスズ、ｎ−ブチルトリ−フェノキシス
ズ、フェニルトリメトキシスズ、フェニルトリエトキシ
スズ、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシスズ、フェニ
ルトリ−ｎ−ブトキシスズ、エチルトリアセトキシスズ
、ｎ−ブチルトリアセトキシスズ、フェニルトリアセト
キシスズなどを挙げることができる。この中でさらに好
ましいものは、メチルトリエトキシスズ、メチルトリ−
ｎ−ブトキシスズ、ｎ−ブチルトリメトキシスズ、ｎ−
ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシスズ、フェニルトリメ
トキシスズ、フェニルトリエトキシスズおよびｎ−ブチ
ルトリアセトキシスズである。

【００１３】一般式（ＩＩ）において、Ａはアルキル基
、アルケニル基、アリール基、アシル基、アルキレン基
、アルケニレン基、アリーレン基およびカルボニル基か
らなるグループから選ばれた少なくとも１種の構造を有
する、２価の有機基であり、好ましくは炭素数１〜１５
の前記２価の有機基から選ぶことができる。前記２価の
有機基の炭素数が１５を越える場合、得られる透明導電
膜の緻密性が低下する。

【００１４】上記Ａとして選ぶことができる２価の有機
基としては、次の構造式で表わされるものを例示するこ
とができる。

【００１５】

【化１】

【化２】

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【００１６】これらの２価の有機基は、ヒドロキシカル
ボン酸中に複数有していてもよい。一般式（ＩＩ）で表
わされるヒドロキシカルボン酸の中で好ましいものとし
て、２−ヒドロキシイソ酪酸、４−ヒドロキシ安息香酸
、サリチル酸、４−ヒドロキシけい皮酸、４−ヒドロキ
シ−３−メトキシ安息香酸、１２−ヒドロキシデカン酸
、グリコール酸などを挙げることができる。さらに好ま
しいものとしては、グリコール酸、２−ヒドロキシイソ
酪酸および４−ヒドロキシ安息香酸を挙げることができ
る。

【００１７】次に、本発明の製造方法における代表的な
反応方法について説明する。まず、一般式（Ｉ）で表わ
されるスズ化合物と一般式（ＩＩ）で表わされるヒドロ
キシカルボン酸とを、それぞれ別々に有機溶剤中に溶解
したのち２つの溶液を混合する。このとき、スズ化合物
とヒドロキシカルボン酸との使用量は、好ましくは１：
１〜１：３の範囲となるようにする。これ以外の範囲で
は収率が低下する。

【００１８】また、用いる有機溶剤としては、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノアセテートなどの１価のアルコール、エチレングリコ
ール、ジエチレングリコール、ポリ（エチレングリコー
ル）、プロピレングリコール、ポリ（プロピレングリコ
ール）、１，４−ブタンジオール、ポリ（テトラメチレ
ングリコール）などの２価のアルコール、テトラヒドロ
フラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物、アセチル
アセトン、アセト酢酸エチル、マロン酸ジエチルなどの
β−ジケトン類、ホルムアミド、アセトアミド、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルホルムアミドなどのアミド類
、ジエチルケトン、メチルイソプロピルケトンなどのケ
トン類を挙げることができる。

【００１９】これらの中で好ましい有機溶剤は、イソプ
ロパノール、ｎ−ブタノール、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコール、テトラヒド
ロフラン、キシレン、トルエン、アセチルアセトン、ア
セト酢酸エチル、ジメチルアセトアミドおよびメチルイ
ソプロピルケトンである。

【００２０】反応温度は、使用する有機溶媒の融点およ
び沸点によっても異なるが、好ましくは２０℃〜１００
℃の範囲である。反応は、外部からの水分の混入を防ぐ
ために、窒素などの不活性ガス雰囲気中または乾燥空気
中で実施するのが好ましく、反応器具および有機溶剤は
十分乾燥して用いることが好ましい。

【００２１】反応に要する時間は、反応温度、撹拌状態
あるいは用いるスズ化合物とヒドロキシカルボン酸との
組み合せによっても異なるが、一般的には混合後瞬時〜
５時間である。

【００２２】反応は、例えばマグネチックスターラーな
どで十分に撹拌しながら行なう。この際、反応生成物で
ある有機錫化合物は固体状沈澱物であることもあるので
、反応スケールを５００ｍｌ以上にする場合は、ガラス
製あるいはテフロン製の撹拌棒により撹拌するのが好ま
しい。

【００２３】上記の如き反応条件下において生成する有
機錫化合物を、透明導電膜の製造原料として用いる場合
は、好ましくは次のようにして精製する。

【００２４】まず、反応生成物が、有機溶剤から析出し
、固体状の沈澱物となる場合は、これを濾別し、トルエ
ン、ベンゼンなどの芳香族系、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどのアセトン系ある
いはメタノール、エタノール、ｉｓｏ−プロパノールな
どのアルコール系の低沸点有機溶剤を用いて、十分洗浄
する。このとき、精製は、窒素等の不活性ガス雰囲気下
で、十分乾燥した溶剤を用いて行なう。

【００２５】続いて、減圧下で加熱、乾燥する。このと
き、好ましくは減圧度は１０ｍｍＨｇ〜３０ｍｍＨｇで
あり、加熱温度は６０〜１１０℃である。加熱、乾燥が
不十分な場合は、有機溶剤が残留し、透明導電膜として
の成膜性が悪くなる原因となる。

【００２６】また、逆に減圧度が低く、加熱温度が高い
状態で長時間加熱、乾燥すると、有機錫化合物が分解を
起こす場合がある。

【００２７】一方、反応生成物が有機溶剤にほとんど溶
解している場合は、不純物などの少量の析出物を濾過し
て除き、室温に戻したのちこれをそのまま透明導電膜の
製造原料の溶液として用いることができる。

【００２８】上記のようにして得られる有機錫化合物の
中でも、蒸気圧浸透法による分子量が１５０〜１５００
０であるものは、透明導電膜の製造原料として特に好ま
しい。

【００２９】次に、本発明により得られる有機錫化合物
を製造原料とする透明導電膜の形成法について述べる。

【００３０】塗布液の調製には、上記有機錫化合物の合
成において例示した有機溶剤の他に、メチルイソブチル
ケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、γ−ブ
チロラクトン、２−アミノエタノール、２，４−ヘキサ
ンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，６−ジメチル
−３，５−ヘプタンジオン、ｔ−ブチルアセトアセテー
ト、アセト酢酸イソペンチル、アセト酢酸ベンジル、フ
タル酸、マロン酸などの有機溶剤を用いることができる
。また、塗布液の調製における有機溶剤に対する有機錫
化合物の含量は、通常、３〜４０重量％、好ましくは５
〜３０重量％である。

【００３１】また、塗布液には、ドープ剤としてアンチ
モン化合物を有機錫化合物１００重量部に対して０．５
〜２０重量部配合することが好ましく、得られる透明導
電膜中のアンチモン原子の含量がスズ原子に対して１〜
１０モル％、特に３〜７モル％になるように選ばれる。 得られる透明導電膜中のアンチモン原子の含量がスズ原
子に対して１モル％未満であると導電性が低下し、１０
モル％を越えると、透明導電膜の成膜性が著しく低下す
る。ここで、アンチモン化合物としては、酸化アンチモ
ン（ＩＩＩ）、トリエトキシアンチモン、トリ−ｎ−プ
ロポキシアンチモン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシアンチ
モン、トリ−ｎ−ブトキシアンチモン、トリ−ｉｓｏ−
ブトキシアンチモンなどを挙げることができる。また、
ドープ剤としては、フッ化第一スズ、硝酸カドミウム、
五酸化ニオブ、酸化タンタル、シュウ酸クロムなどを用
いることもできる。

【００３２】なお、透明導電膜を形成する基板としては
、シリコンウェハ、石英ガラス、ソーダ石灰ガラスなど
を用いることができる。

【００３３】透明導電膜を形成する際の焼成条件は、塗
布液として用いる一般式（Ｉ）で表わされるスズ化合物
と一般式（ＩＩ）で表わされるヒドロキシカルボン酸の
種類および有機溶剤の種類によって異なるが、一般には
前処理として３０〜１５０℃で０．１〜３時間加熱し、
その後３５０〜５５０℃で０．１〜６時間加熱する。な
お、これらの規定温度への昇温速度は通常、１０℃／毎
分程度で行なう。

【００３４】

【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない
。

【００３５】実施例１ （１）　　蒸留精製したイソプロパノール（以下、「無
水イソプロパノール」という）３０ｍｌに、ブチルスズ
トリｉｓｏプロポキシド３．６７ｇ（１０．４ｍｍｏｌ
）を加えて溶解し、これに無水イソプロパノール１０ｍ
ｌにグリコール酸０．７９ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）を溶
解したものを加え、窒素気流中で攪拌下、８０℃にて３
時間加熱した。次いで、生成した有機錫化合物（白色沈
澱物）を、アセトンおよびイソプロパノールで十分に洗
浄し、８０〜１１０℃、減圧度２０〜３０ｍｍＨｇ程度
で６〜７時間加熱減圧乾燥した。このときの有機錫化合
物の収率は６３％であった。この有機錫化合物をジメチ
ルホルムアミドに溶解し、蒸気圧浸透法（日立製作所製
１１７型分子量測定装置を使用）で分子量を測定したと
ころ、５６０〜５８０であった。次に、この有機錫化合
物の元素分析、フーリエ変換ＩＲの測定（日本分光製Ｊ
ＩＲ−５５００型フーリエ変換赤外分光光度計を使用）
、　１Ｈおよび１３Ｃ−ＮＭＲの測定（日本分光製ＪＮ
Ｍ−ＥＸ９０型フーリエ変換ＮＭＲ装置を使用）、熱重
量分析（セイコー電子製ＳＳＣ５０００型熱分析装置を
使用）を行なった。その結果を次に示す。

【００３６】１．　　元素分析 示性式は、Ｃ１２Ｈ２４Ｏ８　Ｓｎ２　を示すことがわ
かった。 また、５５０℃燃焼温度での灰分（ＳｎＯ２　分）は５
６〜５８％を示した。

【００３７】２．　　フーリエ変換ＩＲ１５８７ｃｍ−
１と１６４５ｃｍ−１付近にＳｎに結合することによっ
て低波数側にシフトしたケトン基由来のピーク；３４０
０ｃｍ−１〜３２００ｃｍ−１にＯＨ基由来のブロード
なピーク；ならびに６７８ｃｍ−１と５７０ｃｍ−１に
−Ｓｎ−Ｏ−および−Ｓｎ−Ｃ−に由来するピークがあ
ることがわかった。このときのＩＲのチャート図を図１
に示す。

【００３８】３．　　　１Ｈ−ＮＭＲ ノンデカップリングでＣＯＳＹを行った結果、ブチル基
とメチレン基を含む構造であり、イソプロポキシ基は含
まないことがわかった。 ４．　　１３Ｃ−ＮＭＲ ブチル基、メチレン基およびケトン基があることがわか
った。

【００３９】５．　　熱重量分析（ＴＧ−ＤＴＡ）熱分
解開始温度は、２２０℃付近であり、熱分解終了温度は
、４８５〜５００℃であった。

【００４０】（２）　　（１）で得られた有機錫化合物
０．３４３ｇをアセチルアセトン２ｍｌに溶解し、さら
にドープ剤としてトリ−ｎ−ブトキシアンチモンを〔Ｓ
ｂ／（Ｓｎ＋Ｓｂ）＝３モル％〕となるように添加し塗
布液を調製した。これを石英ガラスおよびシリコンウェ
ハ上に３０００ｒｐｍの回転速度でスピンコートした。 このときの塗膜性の評価結果を、表１に示す。なお、塗
膜性の評価は、窒素気流中、室温で１時間乾燥し、クラ
ック、ボイドなどが無く平滑であるものを良好とした。

【００４１】（３）　　塗布液をスピンコートした石英
ガラスおよびシリコンウェハを１時間窒素気流中で乾燥
したのち、空気中にて１００℃で３時間、続いて５００
℃で５時間焼成し、透明導電膜を作製した。この透明導
電膜をフーリエ変換ＩＲ反射法で石英ガラスおよびシリ
コンウェハ基板上にて測定することにより、有機分が完
全に分解し、消失した状態であることを確認した。また
、この透明導電膜の焼成後の成膜性（クラック、ボイド
などが無く平滑であるものを良好と評価）、膜厚（Ｄｅ
ｋｔａｋ社製３０３０型触針式膜厚計を使用）、シート
抵抗（ヒューレッドパッカード社製ＨＰ−３４５７Ａ型
マルチメーターを使用）および可視光透過率（日立製作
所製Ｕ−３４１０型スペクトロフォトメーターを使用）
を評価あるいは測定した結果を、表１に示す。

【００４２】実施例２ ブチルスズトリｉｓｏプロポキシド３．５３ｇ（１０−
３ｍｏｌ）と２−ヒドロキシイソ酪酸０．１０４ｇ（１
０−３ｍｏｌ）を、無水イソプロパノールを用いて実施
例１と同様に反応させて、有機錫化合物（白色沈澱物）
を得、洗浄し乾燥した。蒸気圧浸透法で分子量を測定し
たところ、５８０〜５９０であった。この有機錫化合物
に対して、実施例１と同様にアセチルアセトンおよびド
ープ剤を加えて〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕塗
布液を調整し、石英ガラスおよびシリコンウェハに塗布
した。次いで、１時間窒素気流中で乾燥したのち、空気
中にて１００℃で３時間、続いて５００℃で６時間焼成
し、透明導電膜を作製した。このときの塗膜性、膜厚、
シート抵抗、可視光透過率および焼成後の成膜性を評価
あるいは測定した結果を、表１に示す。

【００４３】実施例３ ブチルスズトリｉｓｏプロポキシド３．５３ｇ（１０−
３ｍｏｌ）と、４−ヒドロキシ安息香酸０．１３８ｇ（
１０−３ｍｏｌ）を、無水イソプロパノールを用いて実
施例１と同様に反応させて、有機錫化合物（白色沈澱物
）を得、洗浄し乾燥した。蒸気圧浸透法で分子量を測定
したところ、６１０〜６３０であった。この有機錫化合
物に対して、実施例１と同様にアセチルアセトンおよび
ドープ剤を加えて〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕
塗布液を調製し、石英ガラスおよびシリコンウェハに塗
布した。次いで１時間窒素気流中で乾燥したのち、空気
中にて１００℃で３時間、続いて５００℃で５時間焼成
し、透明導電膜を作製した。このときの塗膜性、膜厚、
シート抵抗、可視光透過率および焼成後の成膜性を評価
あるいは測定した結果を、表１に示す。

【００４４】実施例４ ブチルスズトリｉｓｏプロポキシド３．５３ｇ（１０−
３ｍｏｌ）と、４−ヒドロキシけい皮酸０．１６４ｇ（
１０−３ｍｏｌ）を、無水イソプロパノールを用いて実
施例１と同様に反応させて、有機錫化合物（白色沈澱物
）を得、洗浄し乾燥した。蒸気圧浸透法で分子量を測定
したところ、６３０〜６４０であった。この有機錫化合
物に対して、実施例１と同様にアセチルアセトンおよび
ドープ剤を加えて〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕
塗布液を調製し、石英ガラスおよびシリコンウェハに塗
布した。次いで１時間窒素気流中で乾燥したのち、空気
中にて１００℃で３時間、続いて５００℃で５時間焼成
し、透明導電膜を作製した。このときの塗膜性、膜厚、
シート抵抗、可視光透過率および焼成後の成膜性を評価
あるいは測定した結果を、表１に示す。

【００４５】実施例５ ブチルスズトリｉｓｏプロポキシド３．５３ｇ（１０−
３ｍｏｌ）と１２−ヒドロキシデカン酸０．２１６ｇ（
１０−３ｍｏｌ）を、無水イソプロパノールを用いて実
施例１と同様に反応させて、有機錫化合物（白色沈澱物
）を得、洗浄し乾燥した。蒸気圧浸透法で分子量を測定
したところ、７００〜７１０であった。この有機錫化合
物に対して、実施例１と同様にアセチルアセトンおよび
ドープ剤を加えて〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕
塗布液を調製し、石英ガラスおよびシリコンウェハに塗
布した。次いで１時間窒素気流中で乾燥したのち、、空
気中にて１００℃で３時間、続いて５００℃で６時間焼
成し、透明導電膜を作製した。このときの塗膜性、膜厚
、シート抵抗、可視光透過率および焼成後の成膜性を評
価あるいは測定した結果を、表１に示す。

【００４６】実施例６ フェニルスズトリｉｓｏプロポキシド３．７３ｇ（１０
−３ｍｏｌ）とグリコール酸０．０７６ｇ（１０−３ｍ
ｏｌ）を、無水イソプロパノールを用いて実施例１と同
様に反応させて、有機錫化合物（白色沈澱物）を得、洗
浄し乾燥した。蒸気圧浸透法で分子量を測定したところ
、５８０〜５８５であった。この有機錫化合物に対して
実施例１と同様にアセチルアセトンおよびドープ剤を加
えて〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕塗布液を調製
し、石英ガラスおよびシリコンウェハに塗布した。次い
で１時間窒素気流中で乾燥したのち、空気中にて１００
℃で３時間、続いて５００℃で６時間焼成し、透明導電
膜を作製した。このときの塗膜性、膜厚、シート抵抗、
可視光透過率および焼成後の成膜性を評価あるいは測定
した結果を、表１に示す。

【００４７】比較例１ ２−エチルヘキサン酸錫０．３３４ｇをアセチルアセト
ン２ｍｌに溶解し、実施例１と同様にドープ剤を加えて
〔Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｓｎ）＝３モル％〕塗布液を調製し、
石英ガラスおよびシリコンウェハに塗布した。次いで１
時間窒素気流中で乾燥したのち、空気中にて１００℃で
３時間、続いて５００℃で６時間焼成し、透明導電膜を
作製した。このときの塗膜性、膜厚、シート抵抗、可視
光透過率および焼成後の成膜性を評価あるいは測定した
結果を、表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【発明の効果】本発明の有機錫化合物の製造方法によれ
ば、塗布法によって酸化錫膜を形成することができる酸
化錫膜前駆体が得られ、この酸化錫膜前駆体は、強酸や
強塩基を用いることなく水に溶解することができ、しか
も得られるコーティング液は安定である。したがって、
上記酸化錫膜前駆体によれば、良好な成膜性を有する透
明導電性酸化錫膜を得ることができる。

【００５０】また、本発明の製造方法により得られる有
機錫化合物の用途は透明導電性膜に限定されず、固体触
媒、めっき組成物、合成樹脂組成物、安定化剤、感光剤
、抗菌剤、防虫剤などとしても有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１において得られた有機錫化合物のフー
リエ変換ＩＲによるチャート図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（Ｉ）： Ｒ１　Ｓｎ（ＯＲ２　）３　　　…………（Ｉ）（ここ
   で、Ｒ１　は水素原子、アルキル基またはアリール基で
   あり、Ｒ２　は水素原子、アルキル基、アリール基また
   はアシル基である。）で表わされるスズ化合物と、一般
   式（ＩＩ）： ＨＯ−Ａ−ＣＯＯＨ　　　　…………（ＩＩ）（ここで
   、Ａはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル
   基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基およ
   びカルボニル基からなるグループから選ばれた少なくと
   も１種の構造を有する、２価の有機基である。）で表わ
   されるヒドロキシカルボン酸とを、反応させることを特
   徴とする有機錫化合物の製造方法。