JPH0436109Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436109Y2 JPH0436109Y2 JP15596886U JP15596886U JPH0436109Y2 JP H0436109 Y2 JPH0436109 Y2 JP H0436109Y2 JP 15596886 U JP15596886 U JP 15596886U JP 15596886 U JP15596886 U JP 15596886U JP H0436109 Y2 JPH0436109 Y2 JP H0436109Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- pattern
- mask
- end point
- masks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案はウエツトエツチにより基板上に所定の
素子を形成するための素子用パターンを有し、複
数のエツチングプロセスに対応して複数用意され
るエツチングマスクに係り、特にそのエツチング
終点検出に好適とするための改良に関する。
素子を形成するための素子用パターンを有し、複
数のエツチングプロセスに対応して複数用意され
るエツチングマスクに係り、特にそのエツチング
終点検出に好適とするための改良に関する。
[考案の概要]
本考案によるエツチング用マスクは基板に素子
を形成するためのマスクパターンと共にエツチン
グプロセスの各工程のエツチング終点を確認する
ためのエツチング終点検出用マスクパターンが形
成され、かつこのパターンによりエツチングされ
るパターン位置部分を明示するための認識用マー
クを形成してある。
を形成するためのマスクパターンと共にエツチン
グプロセスの各工程のエツチング終点を確認する
ためのエツチング終点検出用マスクパターンが形
成され、かつこのパターンによりエツチングされ
るパターン位置部分を明示するための認識用マー
クを形成してある。
[従来の技術]
ウエハに所定の素子を形成するためのウエツト
エツチにおけるエツチング終点検出は、エツチン
グプロセスの初期においてはウエハの裏側やスク
ライブラインを用いて膜厚測定器を使つて行なわ
れている。しかし、プロセス後半では、スクライ
ブラインさえも完全にエツチングしないことが多
く、エツチングの終点検出には実パターンを使用
しなければならない。しかし実パターンを使用し
ても、該パターンの特にコンタクトなどの孔あけ
については、プロセスにより膜厚が異なる部分が
あり、またコンタクト寸法は、マスク上最小パタ
ーンとなることが多いので、実パターンに対する
膜厚測定器による終点検出も難しい。プロセス上
の欠陥のうち、アンダーエツチ、オーバーエツチ
によるコンタクト不良によるものが可成りの割合
を占めているので、終点検出を正確に行なうこと
が望まれる。
エツチにおけるエツチング終点検出は、エツチン
グプロセスの初期においてはウエハの裏側やスク
ライブラインを用いて膜厚測定器を使つて行なわ
れている。しかし、プロセス後半では、スクライ
ブラインさえも完全にエツチングしないことが多
く、エツチングの終点検出には実パターンを使用
しなければならない。しかし実パターンを使用し
ても、該パターンの特にコンタクトなどの孔あけ
については、プロセスにより膜厚が異なる部分が
あり、またコンタクト寸法は、マスク上最小パタ
ーンとなることが多いので、実パターンに対する
膜厚測定器による終点検出も難しい。プロセス上
の欠陥のうち、アンダーエツチ、オーバーエツチ
によるコンタクト不良によるものが可成りの割合
を占めているので、終点検出を正確に行なうこと
が望まれる。
[考案が解決しようとする課題]
しかしながら、従来のエツチング終点検出は経
験的な技術を要し、またエツチングの度合いが、
パターン形状によつても左右されるという不都合
があつた。
験的な技術を要し、またエツチングの度合いが、
パターン形状によつても左右されるという不都合
があつた。
本考案の目的は、経験的な技術を要することな
く、容易にエツチング終点を検出することを可能
にするエツチング用マスクを提供することであ
る。
く、容易にエツチング終点を検出することを可能
にするエツチング用マスクを提供することであ
る。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本考案は、複数の
エツチングプロセスに対応して複数用意され、基
板に素子を形成するための素子用エツチングパタ
ーンが形成されたエツチング用マスクにおいて、
上記マスクによつて施されるエツチングプロセス
に対応したエツチング終点検出用エツチングパタ
ーンが上記各エツチング用マスクに形成されると
共に該各マスクの終点検出用エツチングパターン
によつてエツチングされる位置を示すエツチング
位置認識用マークが上記各マスクに形成されたこ
とを特徴とする。
エツチングプロセスに対応して複数用意され、基
板に素子を形成するための素子用エツチングパタ
ーンが形成されたエツチング用マスクにおいて、
上記マスクによつて施されるエツチングプロセス
に対応したエツチング終点検出用エツチングパタ
ーンが上記各エツチング用マスクに形成されると
共に該各マスクの終点検出用エツチングパターン
によつてエツチングされる位置を示すエツチング
位置認識用マークが上記各マスクに形成されたこ
とを特徴とする。
[作用]
各エツチング段階でエツチング終点検出用パタ
ーンを使用し、そのパターンを目視あるいは膜厚
測定器によつてパターンの抜け具合、即ち、エツ
チング終点を判断する。
ーンを使用し、そのパターンを目視あるいは膜厚
測定器によつてパターンの抜け具合、即ち、エツ
チング終点を判断する。
[実施例]
以下図面に示す本考案の実施例を説明する。
第1図及び第2図は本考案によるエツチング用
マスクの一実施例を示す。
マスクの一実施例を示す。
基板上に所定の素子を形成するためのエツチン
グプロセスは周知の如く通常複数のエツチング工
程から成り、各工程に対応したエツチングパター
ンを有する複数のエツチング用マスクが使用され
る。
グプロセスは周知の如く通常複数のエツチング工
程から成り、各工程に対応したエツチングパター
ンを有する複数のエツチング用マスクが使用され
る。
第1図で、1はある素子を形成するのに必要な
各エツチング工程毎に用いられる本考案のエツチ
ング用マスクパターンを、例えば11個重ねて示し
たもので、第2図は、これらマスクを使用した
〜の各工程を示す。即ち、〜の各工程で、
斜線部はこれら各工程にて用いられるエツチング
用マスクパターンをあらわし、〜の各工程を
経ることにより前記素子が形成されるので、第1
図は該素子を得るための全エツチング工程を示し
ていると見ることもできる。
各エツチング工程毎に用いられる本考案のエツチ
ング用マスクパターンを、例えば11個重ねて示し
たもので、第2図は、これらマスクを使用した
〜の各工程を示す。即ち、〜の各工程で、
斜線部はこれら各工程にて用いられるエツチング
用マスクパターンをあらわし、〜の各工程を
経ることにより前記素子が形成されるので、第1
図は該素子を得るための全エツチング工程を示し
ていると見ることもできる。
また第1図で、2はエツチング位置認識マーク
で、第2図の各エツチング工程において、このマ
ークで指示された部分がエツチング終点検出用マ
スクパターンをあらわすと共に、このパターンで
エツチングされる位置を示す。
で、第2図の各エツチング工程において、このマ
ークで指示された部分がエツチング終点検出用マ
スクパターンをあらわすと共に、このパターンで
エツチングされる位置を示す。
エツチングを確認する際には、上記マーク2で
指示された前記終点検出用パターンの部分を目視
あるいは膜厚測定器によつてそのパターンの抜け
具合を判断する。同時にその時点で完全に抜けて
いるパターンを示すマークが示される。
指示された前記終点検出用パターンの部分を目視
あるいは膜厚測定器によつてそのパターンの抜け
具合を判断する。同時にその時点で完全に抜けて
いるパターンを示すマークが示される。
上記パターンに、第3図に示すような、アンダ
ーエツチやオーバーエツチとなり易いパターンを
追加して構成することにより、マスク上の様々な
パターンに対応するエツチングが可能となる。第
3図中、3は基準エツチングパターン、4はアン
ダーエツチ、オーバーエツチのトラブルが発生し
易いパターンを表わす。
ーエツチやオーバーエツチとなり易いパターンを
追加して構成することにより、マスク上の様々な
パターンに対応するエツチングが可能となる。第
3図中、3は基準エツチングパターン、4はアン
ダーエツチ、オーバーエツチのトラブルが発生し
易いパターンを表わす。
[考案の効果]
以上説明した通り、本考案によれば、エツチン
グ終点を判断する際に、常に前記マークで指示さ
れたパターンを確認すれば良く、安定したエツチ
ングが可能となる。さらに、複数の作業者がエツ
チング作業を行なう場合でも、統一してこのパタ
ーンを基準とすることにより平均したエツチング
パターンを得ることが可能である。
グ終点を判断する際に、常に前記マークで指示さ
れたパターンを確認すれば良く、安定したエツチ
ングが可能となる。さらに、複数の作業者がエツ
チング作業を行なう場合でも、統一してこのパタ
ーンを基準とすることにより平均したエツチング
パターンを得ることが可能である。
第1図は本考案によるエツチング終点検出用マ
スクパターンを有するエツチング用マスクパター
ンの夫々を積み重ねたものの平面図、第2図は本
考案による上記エツチング用マスクパターンの
夫々を使用したエツチング工程を示す平面図、第
3図は本考案によるエツチング終点検出用マスク
パターンの一変形を示す平面図である。 1……エツチングパターン、2……エツチング
位置認識マーク、3……基準エツチングパター
ン、4……アンダーエツチ、オーバーエツチのト
ラブルが発生し易いパターン。
スクパターンを有するエツチング用マスクパター
ンの夫々を積み重ねたものの平面図、第2図は本
考案による上記エツチング用マスクパターンの
夫々を使用したエツチング工程を示す平面図、第
3図は本考案によるエツチング終点検出用マスク
パターンの一変形を示す平面図である。 1……エツチングパターン、2……エツチング
位置認識マーク、3……基準エツチングパター
ン、4……アンダーエツチ、オーバーエツチのト
ラブルが発生し易いパターン。
Claims (1)
- 複数のエツチングプロセスに対応して複数用意
され、基板に素子を形成するための素子用エツチ
ングパターンが形成されたエツチング用マスクに
おいて、上記マスクによつて施されるエツチング
プロセスに対応したエツチング終点検出用エツチ
ングパターンが上記各エツチング用マスクに形成
されると共に該各マスクの終点検出用エツチング
パターンによつてエツチングされる位置を示すエ
ツチング位置認識用マークが上記各マスクに形成
されたことを特徴とするエツチング用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15596886U JPH0436109Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15596886U JPH0436109Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361124U JPS6361124U (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0436109Y2 true JPH0436109Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=31077146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15596886U Expired JPH0436109Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436109Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP15596886U patent/JPH0436109Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361124U (ja) | 1988-04-22 |
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