JPH0436114Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436114Y2 JPH0436114Y2 JP1986131950U JP13195086U JPH0436114Y2 JP H0436114 Y2 JPH0436114 Y2 JP H0436114Y2 JP 1986131950 U JP1986131950 U JP 1986131950U JP 13195086 U JP13195086 U JP 13195086U JP H0436114 Y2 JPH0436114 Y2 JP H0436114Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chip
- wiring
- bump
- connection wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本考案は、半導体チツプ上の電極配線に絶縁膜
に形成されたコンタクト穴において接続されるは
んだからなる、実装のためのバンプ電極を有する
半導体集積回路に関する。
に形成されたコンタクト穴において接続されるは
んだからなる、実装のためのバンプ電極を有する
半導体集積回路に関する。
半導体集積回路のチツプをセラミツク基板のよ
うな外部基板へワイヤレスボンデイング方式で実
装するために、チツプの電極に接触し、その他の
部分では酸化膜を介してチツプと絶縁されるAl
あるいはAl合金からなる電極配線に、その上を
覆う絶縁膜に開けられたコンタクト穴において下
地金属層を介して接触するはんだバンプ電極を形
成し、このバンプ電極を基板導体部に融着させる
方式がある。しかしこのようにしてセラミツク基
板等へチツプを実装した場合、ヒートサイクル等
の熱応力によりはんだ接合部が破損することが起
こるという問題があつた。
うな外部基板へワイヤレスボンデイング方式で実
装するために、チツプの電極に接触し、その他の
部分では酸化膜を介してチツプと絶縁されるAl
あるいはAl合金からなる電極配線に、その上を
覆う絶縁膜に開けられたコンタクト穴において下
地金属層を介して接触するはんだバンプ電極を形
成し、このバンプ電極を基板導体部に融着させる
方式がある。しかしこのようにしてセラミツク基
板等へチツプを実装した場合、ヒートサイクル等
の熱応力によりはんだ接合部が破損することが起
こるという問題があつた。
本考案は、上述の問題を解決して半導体チツプ
をはんだバンプ電極により外部基板へ実装した場
合に、熱応力によりはんだバンプ電極と基板との
接合部が破損することのない半導体集積回路を提
供することを目的とする。
をはんだバンプ電極により外部基板へ実装した場
合に、熱応力によりはんだバンプ電極と基板との
接合部が破損することのない半導体集積回路を提
供することを目的とする。
本考案は、一端が半導体チツプ上の電極配線に
絶縁膜に開けられたコンタクト穴において接触
し、他端がチツプの中央部に位置する接続配線を
設け、その接続配線の他端上にははんだよりなる
接続用パンプ電極を備え、それ以外の接続配線部
分もはんだにより被覆するものである。接続用バ
ンプ電極がチツプ中央部に位置するため、半導体
材料と基板材料との熱膨張係数の差に基づく熱応
力が小さくなつてバンプ電極接合部での破損が生
ぜず、また接続配線がすべてはんだで覆われるこ
とにより接続配線の腐食が防止される。
絶縁膜に開けられたコンタクト穴において接触
し、他端がチツプの中央部に位置する接続配線を
設け、その接続配線の他端上にははんだよりなる
接続用パンプ電極を備え、それ以外の接続配線部
分もはんだにより被覆するものである。接続用バ
ンプ電極がチツプ中央部に位置するため、半導体
材料と基板材料との熱膨張係数の差に基づく熱応
力が小さくなつてバンプ電極接合部での破損が生
ぜず、また接続配線がすべてはんだで覆われるこ
とにより接続配線の腐食が防止される。
第１図は本考案の一実施例の半導体集積回路チ
ツプの上面を示し、チツプ１の上を覆う絶縁膜２
の上に一端に接続用バンプ電極３、他端に取出し
バンプ４を有する接続配線５が設けられている。
第２図は接続配線５を拡大して示し、接続用バン
プ電極３は直径140〜220μmで直径60〜140μmの
取出しバンプ４大きい。第３図は接続配線部の断
面を示し、チツプ１の一部に接触し、その他の部
分では酸化膜６を介してチツプ１と絶縁される
AlあるいはAl合金からなる電極配線７に、その
上の絶縁膜２に開けられたコンタクト穴８におい
て接触する接続配線５が形成されている。この接
続配線５は、Alと密着性のよい接合金属として
のTiからなる膜５１とバリア金属としてのNiか
らなる膜５２をめつきにより積層し、フオトリソ
グラフイ法でパターニングしたのち、その上には
んだめつき後リフローしてバンプ電極３、取出し
バンプ４および配線５を覆うはんだ層９を形成し
たものである。バンプ電極３は第１図に示すよう
にチツプ１の中央部に配置され、接続配線５はコ
ンタクト穴８に露出する電極配線７とこのバンプ
電極３とを接続する役目をする。取出しバンプ４
は直径100μm程度のコンタクト穴８の部分を保護
する役目をする。はんだ層９はバンプ電極３およ
び取出しバンプ４と共に接続配線５の全面を覆つ
て腐食より保護する役目をする。
ツプの上面を示し、チツプ１の上を覆う絶縁膜２
の上に一端に接続用バンプ電極３、他端に取出し
バンプ４を有する接続配線５が設けられている。
第２図は接続配線５を拡大して示し、接続用バン
プ電極３は直径140〜220μmで直径60〜140μmの
取出しバンプ４大きい。第３図は接続配線部の断
面を示し、チツプ１の一部に接触し、その他の部
分では酸化膜６を介してチツプ１と絶縁される
AlあるいはAl合金からなる電極配線７に、その
上の絶縁膜２に開けられたコンタクト穴８におい
て接触する接続配線５が形成されている。この接
続配線５は、Alと密着性のよい接合金属として
のTiからなる膜５１とバリア金属としてのNiか
らなる膜５２をめつきにより積層し、フオトリソ
グラフイ法でパターニングしたのち、その上には
んだめつき後リフローしてバンプ電極３、取出し
バンプ４および配線５を覆うはんだ層９を形成し
たものである。バンプ電極３は第１図に示すよう
にチツプ１の中央部に配置され、接続配線５はコ
ンタクト穴８に露出する電極配線７とこのバンプ
電極３とを接続する役目をする。取出しバンプ４
は直径100μm程度のコンタクト穴８の部分を保護
する役目をする。はんだ層９はバンプ電極３およ
び取出しバンプ４と共に接続配線５の全面を覆つ
て腐食より保護する役目をする。
本考案によれば、チツプ上の接続用バンプ電極
をチツプ中央に集めているのでチツプの外部基板
への実装後のはんだ接合部への熱応力が小さくな
り、実装の信頼性が向上し、またコンタクト穴部
とバンプ電極との間をつなぐ接続配線をはんだで
覆うことにより耐食性の高い半導体集積回路が得
られる。
をチツプ中央に集めているのでチツプの外部基板
への実装後のはんだ接合部への熱応力が小さくな
り、実装の信頼性が向上し、またコンタクト穴部
とバンプ電極との間をつなぐ接続配線をはんだで
覆うことにより耐食性の高い半導体集積回路が得
られる。
第１図は本考案の一実施例の半導体チツプの平
面図、第２図はその接続配線の拡大平面図、第３
図は接続配線部の断面図である。 １……チツプ、２……絶縁膜、３……接続用バ
ンプ電極、４……取出しバンプ、５……接続配
線、７……電極配線、９……はんだ層。
面図、第２図はその接続配線の拡大平面図、第３
図は接続配線部の断面図である。 １……チツプ、２……絶縁膜、３……接続用バ
ンプ電極、４……取出しバンプ、５……接続配
線、７……電極配線、９……はんだ層。
Claims (1)
- 半導体チツプ上の電極配線に絶縁膜に開けられ
たコンタクト穴において接続される実装のための
バンプ電極を有するものにおいて、一端がコンタ
クト穴において電極配線に接触し他端がチツプの
中央部に位置する接続配線が設けられ、該接続配
線の他端上にバンプ電極を備え、それ以外の接続
配線部分もはんだにより被覆されたことを特徴と
する半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986131950U JPH0436114Y2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986131950U JPH0436114Y2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338328U JPS6338328U (ja) | 1988-03-11 |
| JPH0436114Y2 true JPH0436114Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=31030878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986131950U Expired JPH0436114Y2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436114Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0834210B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1996-03-29 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の突起電極 |
| KR20140041975A (ko) * | 2012-09-25 | 2014-04-07 | 삼성전자주식회사 | 범프 구조체 및 이를 포함하는 전기적 연결 구조체 |
| JP2015228472A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-17 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP1986131950U patent/JPH0436114Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338328U (ja) | 1988-03-11 |
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