JPH01238148A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01238148A
JPH01238148A JP63065431A JP6543188A JPH01238148A JP H01238148 A JPH01238148 A JP H01238148A JP 63065431 A JP63065431 A JP 63065431A JP 6543188 A JP6543188 A JP 6543188A JP H01238148 A JPH01238148 A JP H01238148A
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Masato Nishizawa
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ワイヤレスボンディング方式による半導体チ
ップの支持基板上への実装のために、半導体チップに形
成された回路素子部上には絶縁膜を介して配線導体およ
びバンプｉ＆ｔｉを設けた半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
バンプ電極を用いて半導体チップを支持基板上に実装す
るのにワイヤレスボンディング方式を用いた場合、安定
した支持を目的として第２図に示すようにチップ１の周
辺の図示しないパッドの上にバンプ電８ｉ２を形成する
ことが一触的であることはよく知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、チップ１の面積が大きくなるに伴い、バンプ電
極２の間の最大距離は大きくなり、半導体材料とセラミ
ックなどの支持基板材料との熱膨腸係数差から起こるし
一トサイクル時の熱応力のため、バンプ電極接続部の損
傷ないし破壊などの故障が起こり、半導体装置の信鯨性
が低下する欠点があった。この欠点を除（ために、本出
願人の出願に係る特願昭６２−２７９６７６号明細書に
記載されているように、バンプ電極をチップの中心部に
隣接するバンプ電極間の間隔がほぼ等しくなるように配
置することが提案されている。
本発明の課題は、上記提案の半導体装置の信頼性をさら
に向上せしめることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題の解決のために、本発明は、半導体チップの
一面上の中心部に隣接するバンプ電極相互間の間隔をほ
ぼ等しくして配置されたバンプ電極を用いてワイヤレス
ボンディング方式により半導体チップ面上の導体と対向
する支持基板面上の導体が接続される半導体装置におい
て、半導体ナツプの周辺全域にわたって半導体チップ面
および支持１＆板面の少なくとも一方の前記導体と接続
される導体の存在しない個所で対向面に接触し、樹脂に
よって被覆される複数のダミーバンプが設けられたもの
とする。
〔作用〕
半導体チップの実装のためにチップ中央部にほぼ等間隔
を保って配置されたバンプ電極の周囲を全域にわたって
チップおよび半導体基板に接触するダミーバンプで囲む
ことにより、チップと基板の平行度が保持され、ねじれ
等に対する接続強度が向上する。さらにダミーバンプを
樹脂の被覆により補強することにより接続強度が一層高
（なる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例のバンプ電極の配置を示し、
バンプ電極２はチップ１の中央部にそれぞれ正三角形の
頂点を占める位置にチップ内の各回路素子と支持基板の
配線導体との接続のために設けられている。従って隣接
バンプ電極２間の間隔はほぼ等しい、これらのバンプ電
極２を取囲んで、チップ１の周縁部にダミーバンプ３が
ほぼ等間隔で設けられていて、さらに樹脂４によって包
囲されている。
第３図はチップ１の一部を拡大して示したもので、チッ
プ１のＧＭ域１１に酸化膜５１の開口部で接触するＭか
らなる第一配線導体６１の上に低温ＣＶＤ酸化物からな
る眉間絶縁１１！５２を介して第二配線導体６２が形成
され、絶縁［５２の開口部で第一配線導体６１と接触し
ている。この第二配線導体６２の上および眉間絶縁ＩＩ
！５２の上を窒化物からなるパソシベーンッン１ｔｆｉ
８で覆い、フォトエツチングで第二配線導体６２の上お
よびチップｌの外周近くに開口部を設ける。さらにＣｒ
、　Ｃｕ、　ＡｕＭ４を積層して下地金属層７を形成後
、フォトエツチング加工でパターンニングし、はんだめ
っきで下地金属層７上にはんだを被着し、約３５０℃に
加熱して球軟化し、バンプ電極２およびそれよりやや径
の大きいダミーバンプ３を形成する。はんだの被着は、
約５０−の厚さに真空蒸着することによってもよい。
第４図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例の実装工程を
示し、第２図あるいは第３図に示したように半導体チッ
プｌを下向きにして配線支持基板９の上に載せる　（図
ａＬ　ごの際、ダミーバンプ３とバンプ電極２の高さの
差を補償する厚さの予備はんだ層ｌＯを基Ｆｉ９の配線
上に被着しておく、このあと、はんだをリフローさせる
が、径の小さいバンプ電極３が先に融けて予備はんだ層
と接着し、その間径の大きいダミーバンプ３で一定に保
たれるチップ１．Ｍ板９間の距離だけの高さのはんだ柱
にバンプ電極２がなる。しばらく後にダミーバンプ３が
融けて基板９とチップ１の外周部が接着される。
なお、ダミーバンプ３の接着性をよくするため、予めダ
ミーバンプ接触部のＭｉ９あるいはチップｌに導体層を
独立して設け、予備はんだ層を設けてもよい。例えば、
バンプ電極２の直径が５０賜。
ダミーバンプ３のＩｎが６２ｎとすれば、体積について
はダミーバンプはバンプ電極の２倍となり、リフロー時
間も加える熱漬を一定とすればほぼ２倍となるので上述
のようにバンプ電極３は細長い柱状となり、断面に比し
て高さが長いので、チップｌと基板９との熱膨張係数差
による応力が分散し、接続部の撰傷ないし破壊が起こる
ことがない。
さらに、第４口出）に示すようにダミーバンプ、３にエ
ポキシ４ＪＡ脂などの樹脂４を被覆し、て固定すること
によりダミーバンプ３によるチップｌと配線基（反９の
平行保持は補強され、ねじれ、熱応力等の歪に対する強
度が向上する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、゛Ｐ−導体材料と実装支持基板材料と
の熱膨張係数の差による熱応力を小さくするためチップ
中央にバンプｍｌをほぼ等間隔にして配置した場合、電
極の設けられないチップ周辺部に全周にわたってダミー
バンプを設けることにより、チップと実装基板の固着が
中央部ばかりでなく周辺部でも行われて両者の平行保持
が確実にでき、さらにダミーバンプを樹脂で被覆するこ
とにより、熱応力の負荷の大きい周辺部の接続強度がよ
り強くなるので、実装の信鯨性の向上への寄与は大きい
、またチップに形成したダミーバンプの径をバンプを極
より大きくすることにより、バンプ電極はチップと基板
間で引きのばされた柱状にすることも可能で、バンプ電
極内の応力の分散を図ることができ、信頼性の一層の向
上が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の半導体チップの平面図、第
２図は従来の半導体チップの平面図、第３図は本発明の
一実施例の実装前の半導体チップの要部断面図、第４図
（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例の実装工程を順に示
す断面図である。 ｌ二手導体チップ、２：バンプ電極、３：ダミーバンプ
、４：樹脂、９：配線基板。 代理人弁理士　山　口　　厳・　′） ２バ２τ（啄 ｓ１図 ′　　　　７ １１２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）半導体チップの一面上の中心部に隣接するバンプ電
    極相互間の間隔をほぼ等しくして配置されたバンプ電極
    を用いてワイヤレスボンディング方式により半導体チッ
    プ面上の導体と対向する支持基板面上の導体が接続され
    るものにおいて、半導体チップ周辺の全域にわたって半
    導体チップ面および支持基板面の少なくとも一方の前記
    導体に接続される導体の存在しない個所で対向面に接触
    し、樹脂によって被覆される複数のダミーバンプが設け
    られたことを特徴とする半導体装置。
JP63065431A 1988-03-18 1988-03-18 半導体装置 Pending JPH01238148A (ja)

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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU653610B2 (en) * 1991-07-10 1994-10-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device
WO1996003020A1 (en) * 1994-07-19 1996-02-01 Olin Corporation Integrally bumped electronic package components
US5637925A (en) * 1988-02-05 1997-06-10 Raychem Ltd Uses of uniaxially electrically conductive articles
US5700715A (en) * 1994-06-14 1997-12-23 Lsi Logic Corporation Process for mounting a semiconductor device to a circuit substrate
US6097097A (en) * 1996-08-20 2000-08-01 Fujitsu Limited Semiconductor device face-down bonded with pillars
US6462420B2 (en) * 1999-02-12 2002-10-08 Rohm Co., Ltd. Semiconductor chip and semiconductor device having a chip-on-chip structure
KR20030026206A (ko) * 2001-09-25 2003-03-31 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치
KR20030058703A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 엘지전자 주식회사 베어 칩의 인쇄 회로 기판 접속구조
JP2004104102A (ja) * 2002-08-21 2004-04-02 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
WO2003079439A3 (en) * 2002-03-19 2004-05-21 Koninkl Philips Electronics Nv Chip stack with intermediate cavity
US6750552B1 (en) * 2002-12-18 2004-06-15 Netlogic Microsystems, Inc. Integrated circuit package with solder bumps
US6946732B2 (en) * 2000-06-08 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Stabilizers for flip-chip type semiconductor devices and semiconductor device components and assemblies including the same
US6960830B2 (en) * 2002-10-31 2005-11-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device with dummy bumps
EP1029346A4 (en) * 1997-08-22 2006-01-18 Vertical Circuits Inc VERTICAL CONNECTION PROCESS FOR SILICON SEGMENTS WITH THERMAL-LEADING EPOXY COMPONENTS
JP2006165209A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP1167068A4 (en) * 1999-10-08 2007-04-04 Dainippon Printing Co Ltd TOUCH-FREE DATA CARRIER AND IC CHIP
US7242093B2 (en) 2002-07-29 2007-07-10 Nec Electronics Corporation Semiconductor device
JP2007251053A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の実装構造及びその実装構造の製造方法
US7360874B2 (en) 2003-06-30 2008-04-22 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Ink-jet printer, ink-jet head and method of manufacturing the ink-jet head
JP2008258380A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびそれに用いる配線基板
JP2009016557A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Fujikura Ltd 半導体装置
WO2011104779A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 パナソニック株式会社 半導体集積回路装置
US8101459B2 (en) 2001-08-24 2012-01-24 Micron Technology, Inc. Methods for assembling semiconductor devices in stacked arrangements by positioning spacers therebetween
CN102956590A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 台湾积体电路制造股份有限公司 用于减少应力的伪倒装芯片凸块
JP2013214557A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Olympus Corp 電極形成体、配線基板、および半導体装置
JP2014132635A (ja) * 2012-12-05 2014-07-17 Murata Mfg Co Ltd バンプ付き電子部品及びバンプ付き電子部品の製造方法
WO2014112458A1 (ja) * 2013-01-16 2014-07-24 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置の製造方法

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5637925A (en) * 1988-02-05 1997-06-10 Raychem Ltd Uses of uniaxially electrically conductive articles
AU653610B2 (en) * 1991-07-10 1994-10-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device
US5700715A (en) * 1994-06-14 1997-12-23 Lsi Logic Corporation Process for mounting a semiconductor device to a circuit substrate
WO1996003020A1 (en) * 1994-07-19 1996-02-01 Olin Corporation Integrally bumped electronic package components
US6097097A (en) * 1996-08-20 2000-08-01 Fujitsu Limited Semiconductor device face-down bonded with pillars
EP1029346A4 (en) * 1997-08-22 2006-01-18 Vertical Circuits Inc VERTICAL CONNECTION PROCESS FOR SILICON SEGMENTS WITH THERMAL-LEADING EPOXY COMPONENTS
US6462420B2 (en) * 1999-02-12 2002-10-08 Rohm Co., Ltd. Semiconductor chip and semiconductor device having a chip-on-chip structure
EP1167068A4 (en) * 1999-10-08 2007-04-04 Dainippon Printing Co Ltd TOUCH-FREE DATA CARRIER AND IC CHIP
US7041533B1 (en) 2000-06-08 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Stereolithographic method for fabricating stabilizers for semiconductor devices
US6946732B2 (en) * 2000-06-08 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Stabilizers for flip-chip type semiconductor devices and semiconductor device components and assemblies including the same
US8101459B2 (en) 2001-08-24 2012-01-24 Micron Technology, Inc. Methods for assembling semiconductor devices in stacked arrangements by positioning spacers therebetween
US6677677B2 (en) 2001-09-25 2004-01-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
KR20030026206A (ko) * 2001-09-25 2003-03-31 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치
KR20030058703A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 엘지전자 주식회사 베어 칩의 인쇄 회로 기판 접속구조
WO2003079439A3 (en) * 2002-03-19 2004-05-21 Koninkl Philips Electronics Nv Chip stack with intermediate cavity
US7242093B2 (en) 2002-07-29 2007-07-10 Nec Electronics Corporation Semiconductor device
JP2004104102A (ja) * 2002-08-21 2004-04-02 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US7560810B2 (en) 2002-08-21 2009-07-14 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US6960830B2 (en) * 2002-10-31 2005-11-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device with dummy bumps
US6943060B1 (en) * 2002-12-18 2005-09-13 Netlogic Microsystems, Inc. Method for fabricating integrated circuit package with solder bumps
US6750552B1 (en) * 2002-12-18 2004-06-15 Netlogic Microsystems, Inc. Integrated circuit package with solder bumps
US8474138B2 (en) 2003-06-30 2013-07-02 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method of manufacturing the ink-jet head
US7360874B2 (en) 2003-06-30 2008-04-22 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Ink-jet printer, ink-jet head and method of manufacturing the ink-jet head
JP2006165209A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007251053A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の実装構造及びその実装構造の製造方法
JP2008258380A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびそれに用いる配線基板
JP2009016557A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Fujikura Ltd 半導体装置
WO2011104779A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 パナソニック株式会社 半導体集積回路装置
CN102956590A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 台湾积体电路制造股份有限公司 用于减少应力的伪倒装芯片凸块
US8912649B2 (en) 2011-08-17 2014-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy flip chip bumps for reducing stress
US9287234B2 (en) 2011-08-17 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy flip chip bumps for reducing stress
US9711477B2 (en) 2011-08-17 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy flip chip bumps for reducing stress
US10290600B2 (en) 2011-08-17 2019-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy flip chip bumps for reducing stress
US10734347B2 (en) 2011-08-17 2020-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy flip chip bumps for reducing stress
JP2013214557A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Olympus Corp 電極形成体、配線基板、および半導体装置
JP2014132635A (ja) * 2012-12-05 2014-07-17 Murata Mfg Co Ltd バンプ付き電子部品及びバンプ付き電子部品の製造方法
WO2014112458A1 (ja) * 2013-01-16 2014-07-24 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置の製造方法

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