JPH0436115B2 - - Google Patents
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- JPH0436115B2 JPH0436115B2 JP62102349A JP10234987A JPH0436115B2 JP H0436115 B2 JPH0436115 B2 JP H0436115B2 JP 62102349 A JP62102349 A JP 62102349A JP 10234987 A JP10234987 A JP 10234987A JP H0436115 B2 JPH0436115 B2 JP H0436115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- raw material
- mullite
- sio
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、新規なムライト質焼結体及びその製
造方法に関する。 従来技術及びその問題点 ムライトセラミツクスは、古くから化学磁器、
耐火物等として利用されてきたが、その熱安定性
が非酸化物系セラミツクスに比して優れているこ
とから、最近耐熱性構造材料として脚光を浴びる
ようになつてきた。 従来ムライトセラミツクスは、カオリン、アル
ミナ等の天然原料から製造されている。この様な
セラミツクスにおいては、焼結性を改善するため
に、ムライトの組成よりはシリカが過剰に使用さ
れているので、原料中に含まれる不純物が過剰に
存在するシリカと結合して、焼結体中にガラス相
を多量に形成する。従つて、ムライト焼結体の熱
的性質は、このガラス相に支配され、高温強度が
低下する。 近年、Al2O3／SiO2比をコントロールして化学
的に高純度のムライト原料粉体を調製し、これを
使用してガラス相の少ないムライト質焼結体を製
造する試みがなされており（例えば特願昭61−
286264号）、従来のムライト質焼結体に比して高
温強度に優れた焼結体が得られている。しかしな
がら、この新しいムライト質焼結体においても、
実用的な観点からは、高温における耐クリープ特
性が不充分であり、耐熱性構造材料としては、よ
り一層の耐熱性の向上が要望されている。 問題点を解決する為の手段 本発明者は、従来技術の上記の如き問題点に鑑
みて、研究を進めた結果、Al2O3／SiO2比をコン
トロールするとともに、ムライトの結晶粒径を
2μｍ以上としたムライト焼結体が、優れた耐熱
性を発揮することを見い出した。 そして引続く研究において、本願発明者は、
Al2O3とSiO2の合計100重量部に対してTiO2を
0.02〜５重量％含有させる場合には、耐熱性特に
耐クリープ特性により優れたムライト焼結体が得
られることを見出した。 即ち、本発明は、下記のムライト焼結体及びそ
の製造方法を提供するものである： () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなること
を特徴とする耐熱性ムライト質焼結体； 及び () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、且つ () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含む粉体原料を成形
した後、焼成することを特徴とする () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなる耐熱
性ムライト質焼結体の製造方法。 本発明によるムライト焼結体は、下記の各要件
を充足する必要がある。 () Al2O3とSiO2との配合割合は、 Al2O3／SiO2＝73／27〜78／22（重量比）の範
囲内とする。この範囲内で特に焼結体の耐クリ
ープ性が高くなる。SiO2が過剰となると、焼
結工程でSiO2又は非晶質相が生成し易くなり、
常温における強度等は向上するが、耐クリープ
性が低下するので、好ましくない。一方、
Al2O3が過剰になりすぎると、アルミナが多量
に析出し、またムライト結晶が針状から粒状に
変つてアスペクト比の小さな結晶となるととも
に強度及び耐熱性が低下し、耐クリープ性も低
下する。Al2O3／SiO2＝73／27〜77／23とする
ことがより好ましい。 () TiO2の含有量は、Al2O3と SiO2との合計量に対し、0.02〜５重量部とす
る。この範囲内の量が、焼結体の耐熱性向上に
特に顕著な効果を奏する。TiO2の含有量が
0.02重量部未満の場合には、ムライト結晶への
固溶量が少なくなるので、配合効果が充分に発
揮されない。一方、TiO2の含有量が５重量％
を上回る場合には、Al2O3とTiO2との化合物や
TiO2が結晶粒界層に析出するため、焼結体の
機械的特性の低下を招く。TiO2の含有量は、
0.1〜３重量部とすることがより好ましい。
TiO2の存在は、焼結温度を低下させる利点を
も生ずる。 () 焼結体中のムライト結晶の粒径を2.0μｍ以
上とする。結晶粒径が2.0μｍを下回る場合に
は、焼結体の耐クリープ特性が充分には改善さ
れない。ムライト結晶の粒径は、2.5μｍ以上で
あることがより好ましい。尚、焼結体の製造を
以下に示す本発明方法により行なう場合には、
ムライト結晶の粒径は、最大20μｍ程度であ
り、この様な焼結体は、所望の優れた性能を発
揮する。 () 焼結体中の結晶相が主にムライト晶からな
つている。上記Al2O3とSiO2との割合において
は、アルミナ相が５％程度まで含まれる場合が
あるが、これによつて焼結体の物性が阻害され
ることはない。 本発明焼結体は、通常かさ密度3.00ｇ／cm3以上
で且つ室温強度25Kgｆ／mm2以上の特性を有しお
り、適切な製造条件で製造されるものは、かさ密
度3.05ｇ／cm3以上で且つ室温強度30Kgｆ／mm2以上
の特性を有する場合がある。 尚、本発明のムライト質焼結体は、その重量の
２％を上限として、ZrO2、Cr2O3等を含んでいて
も良い。この許容版以内であれば、焼結体の物性
に悪影響を及ぼすことはなく、靭性や強度を向上
させたり、焼結を促進する効果が得られることが
ある。又、アルカリ金属酸化物の含有量は、0.1
重量％以下とすることが好ましい。 本発明焼結体を製造するには、Al2O3とSiO2と
の比が所定の範囲内にあり、この両者に対する
TiO2の割合が所定の範囲内にあり、且つAl2O3と
SiO2とからなる主たる成分が予め仮焼によりム
ライト化している粉体原料を常法に従つて成形
し、焼結する。この様な粉体原料は、液体原料を
使用する公知の種々の方法で調製可能であり、製
造方法は、特に限定されない。具体的には、ゾル
ーゲル法、共沈法、液状原料から水分を蒸発させ
て粉体化する方法、液状原料を噴霧して熱分解す
る方法等により得た粉体を900〜1500℃程度の温
度で、好ましくは1000〜1350℃程度の温度で仮焼
する方法等が例示される。 最も一般的な方法である共沈法の場合には、例
えば、メライト質成形焼結体中のAl／Si／Ti比
に相当するAl化合物、Si化合物及びTi化合物を
含む液状原料を調製し、均一となるまで混合し、
各化合物を共沈させた後、乾燥して、粉体を得
る。次いで、ムライト形成温度である900〜1500
℃で仮焼した後、粉砕して分散させ、好ましくは
平均粒径2μｍ以下の焼結用の粉体原料とすれば
よい。或いは、ムライト質成形焼結体中のAl／
Si比に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液
状原料を調製し、均一となるまで混合し、両化合
物を共沈させた後、乾燥して、粉体を得る。次い
で、900〜1500℃で仮焼した後、これにTiO2粉末
を加え、全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体
原料としても良い。或いは更に、ムライト質成形
焼結体中のAl／Si比よりも低い割合でAl化合物
及びSi化合物を含む液状原料を調製し、均一とな
るまで混合し、両化合物を共沈させた後、乾燥し
て、粉体を得る。次いで、900〜1500℃で仮焼し
た後、これにAl2O3粉末及びTiO2粉末を加え、全
体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料として
も良い。或は、ムライト質焼結体中のAl／Si比
に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液状原
料を調製し、均一となるまで混合し、両化合物を
共沈させた後、乾燥して、粉体を得る。次いで、
900〜1500℃で仮焼した後、これにケイ酸アルミ
ニウム化合物粉末及びTiO2粉末を加え、全体を
粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料としても良
い。或いは更に、ムライト質成形焼結体中の
Al／Si比に相当する割合でAl化合物及びSi化合
物を含む液状原料を調製し、均一となるまで混合
し、両化合物を共沈させた後、乾燥して、粉体を
得る。次いで、900〜1500℃で仮焼した後、これ
をTiを含む液状原料に加えて調製した粉体を粉
砕して分散させ、焼結用の粉体原料としても良
い。 更に、やはり一般的な方法であるゾル−ゲル法
による場合には、例えば、ムライト質焼結体中の
Al／Si／Ti比に相当するAl化合物、Si化合物及
びTi化合物を含む液状原料を調製し、均一とな
るまで混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲ
ルを得、これを900〜1500℃で仮焼した後、粉砕
して分散させ、好ましくは平均粒径2μｍ以下の
焼結用の粉体原料とすれば良い。或は、ムライト
質焼結体中のAl／Si比に相当するAl化合物及び
Si化合物を含む液状原料を調製し、均一となるま
で混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲルを
得、これを900〜1500℃で仮焼した後、TiO2粉末
を加え、全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体
原料としても良い。或は更に、ムライト質焼結体
中のAl／Si比よりも低い割合でAl化合物及びSi
化合物を含む液状原料を調製し、均一となるまで
混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲルを
得、これを900〜1500℃で仮焼した後、Al2O3粉
末及びTiO2粉末を加え、全体を粉砕して分散さ
せ、焼結用の粉体原料としても良い。更に、ムラ
イト質焼結体中のAl／Si比に相当する割合でAl
化合及びSi化合物を含む液状原料を調製し、均一
となるまで混合し、PHの調整により或は乾燥によ
りゲルを得、これを900〜1500℃で仮焼した後、
ケイ酸アルミニウム粉末及びTiO2粉末を加え、
全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料とし
ても良い。更に又、ムライト質焼結体中のAl／
Si比に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液
状原料を調製し、均一となるまで混合し、PHの調
製により或は乾燥によりゲルを得、これを900〜
1500℃で仮焼した後、Tiを含む液状原料を加え、
全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料とし
ても良い。 粉体原料製造の為のAl源としては、アルミナ
ゾル、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝
酸アルミニウム等が使用され、Si源としては、シ
リカゾル、エチルシリケート等が使用され、Ti
源としては、塩化チタニウム、チタンアルコキシ
ド等がそれぞれ通常使用される。 上記の様にして製造された原料粉体は、常法に
従つて成形され、1550〜1800℃程度で焼結され
て、本発明のムライト質焼結体となる。 発明の効果 本発明のムライト質焼結体は、高温における耐
クリープ性及び熱安定性、高温強度等に優れてい
るので、高温用ローラー、高温用治具、炉心管、
保護管等として有用である。 実施例 以下に実施例を示し、本発明の特徴とするとこ
ろをより一層明らかにする。 実施例 １ 0.5モル％塩化アルミニウム溶液とSiO2分10重
量％のシリカゾルとを混合して、第１表に示す通
りのAl2O3及びSiO2としての重量比を有する均一
な液状原料を得た後、アンモニア水を加えて中和
共沈させ、得られた沈澱物を乾燥し、1250℃で８
時間焼成して、ムライト粉体を得た。このムライ
ト粉体100重量部に所定量のTiO2粉体を加え、粉
砕して分散させた後、混合粉体重量の２％のポリ
ビニルアルコールを加え、静水圧成形法により成
形圧１トン／cm2で60×60×５mmの板状に成形し、
1650℃で２時間焼成してムライト質焼結体（アル
カリ金属酸化物含有量0.1％以下）を得た。 第１表にその結果を示す。尚、第１表における
各項目は、それぞれ以下の事項を示す。 ()…Al2O3／SiO2（重量比） ()…TiO2（重量部） ()…ムライト結晶粒径（μｍ） ()…歪み速度（１／ｈ；1500℃、２Kgｆ／mm2の
応力で測定）
造方法に関する。 従来技術及びその問題点 ムライトセラミツクスは、古くから化学磁器、
耐火物等として利用されてきたが、その熱安定性
が非酸化物系セラミツクスに比して優れているこ
とから、最近耐熱性構造材料として脚光を浴びる
ようになつてきた。 従来ムライトセラミツクスは、カオリン、アル
ミナ等の天然原料から製造されている。この様な
セラミツクスにおいては、焼結性を改善するため
に、ムライトの組成よりはシリカが過剰に使用さ
れているので、原料中に含まれる不純物が過剰に
存在するシリカと結合して、焼結体中にガラス相
を多量に形成する。従つて、ムライト焼結体の熱
的性質は、このガラス相に支配され、高温強度が
低下する。 近年、Al2O3／SiO2比をコントロールして化学
的に高純度のムライト原料粉体を調製し、これを
使用してガラス相の少ないムライト質焼結体を製
造する試みがなされており（例えば特願昭61−
286264号）、従来のムライト質焼結体に比して高
温強度に優れた焼結体が得られている。しかしな
がら、この新しいムライト質焼結体においても、
実用的な観点からは、高温における耐クリープ特
性が不充分であり、耐熱性構造材料としては、よ
り一層の耐熱性の向上が要望されている。 問題点を解決する為の手段 本発明者は、従来技術の上記の如き問題点に鑑
みて、研究を進めた結果、Al2O3／SiO2比をコン
トロールするとともに、ムライトの結晶粒径を
2μｍ以上としたムライト焼結体が、優れた耐熱
性を発揮することを見い出した。 そして引続く研究において、本願発明者は、
Al2O3とSiO2の合計100重量部に対してTiO2を
0.02〜５重量％含有させる場合には、耐熱性特に
耐クリープ特性により優れたムライト焼結体が得
られることを見出した。 即ち、本発明は、下記のムライト焼結体及びそ
の製造方法を提供するものである： () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなること
を特徴とする耐熱性ムライト質焼結体； 及び () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、且つ () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含む粉体原料を成形
した後、焼成することを特徴とする () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなる耐熱
性ムライト質焼結体の製造方法。 本発明によるムライト焼結体は、下記の各要件
を充足する必要がある。 () Al2O3とSiO2との配合割合は、 Al2O3／SiO2＝73／27〜78／22（重量比）の範
囲内とする。この範囲内で特に焼結体の耐クリ
ープ性が高くなる。SiO2が過剰となると、焼
結工程でSiO2又は非晶質相が生成し易くなり、
常温における強度等は向上するが、耐クリープ
性が低下するので、好ましくない。一方、
Al2O3が過剰になりすぎると、アルミナが多量
に析出し、またムライト結晶が針状から粒状に
変つてアスペクト比の小さな結晶となるととも
に強度及び耐熱性が低下し、耐クリープ性も低
下する。Al2O3／SiO2＝73／27〜77／23とする
ことがより好ましい。 () TiO2の含有量は、Al2O3と SiO2との合計量に対し、0.02〜５重量部とす
る。この範囲内の量が、焼結体の耐熱性向上に
特に顕著な効果を奏する。TiO2の含有量が
0.02重量部未満の場合には、ムライト結晶への
固溶量が少なくなるので、配合効果が充分に発
揮されない。一方、TiO2の含有量が５重量％
を上回る場合には、Al2O3とTiO2との化合物や
TiO2が結晶粒界層に析出するため、焼結体の
機械的特性の低下を招く。TiO2の含有量は、
0.1〜３重量部とすることがより好ましい。
TiO2の存在は、焼結温度を低下させる利点を
も生ずる。 () 焼結体中のムライト結晶の粒径を2.0μｍ以
上とする。結晶粒径が2.0μｍを下回る場合に
は、焼結体の耐クリープ特性が充分には改善さ
れない。ムライト結晶の粒径は、2.5μｍ以上で
あることがより好ましい。尚、焼結体の製造を
以下に示す本発明方法により行なう場合には、
ムライト結晶の粒径は、最大20μｍ程度であ
り、この様な焼結体は、所望の優れた性能を発
揮する。 () 焼結体中の結晶相が主にムライト晶からな
つている。上記Al2O3とSiO2との割合において
は、アルミナ相が５％程度まで含まれる場合が
あるが、これによつて焼結体の物性が阻害され
ることはない。 本発明焼結体は、通常かさ密度3.00ｇ／cm3以上
で且つ室温強度25Kgｆ／mm2以上の特性を有しお
り、適切な製造条件で製造されるものは、かさ密
度3.05ｇ／cm3以上で且つ室温強度30Kgｆ／mm2以上
の特性を有する場合がある。 尚、本発明のムライト質焼結体は、その重量の
２％を上限として、ZrO2、Cr2O3等を含んでいて
も良い。この許容版以内であれば、焼結体の物性
に悪影響を及ぼすことはなく、靭性や強度を向上
させたり、焼結を促進する効果が得られることが
ある。又、アルカリ金属酸化物の含有量は、0.1
重量％以下とすることが好ましい。 本発明焼結体を製造するには、Al2O3とSiO2と
の比が所定の範囲内にあり、この両者に対する
TiO2の割合が所定の範囲内にあり、且つAl2O3と
SiO2とからなる主たる成分が予め仮焼によりム
ライト化している粉体原料を常法に従つて成形
し、焼結する。この様な粉体原料は、液体原料を
使用する公知の種々の方法で調製可能であり、製
造方法は、特に限定されない。具体的には、ゾル
ーゲル法、共沈法、液状原料から水分を蒸発させ
て粉体化する方法、液状原料を噴霧して熱分解す
る方法等により得た粉体を900〜1500℃程度の温
度で、好ましくは1000〜1350℃程度の温度で仮焼
する方法等が例示される。 最も一般的な方法である共沈法の場合には、例
えば、メライト質成形焼結体中のAl／Si／Ti比
に相当するAl化合物、Si化合物及びTi化合物を
含む液状原料を調製し、均一となるまで混合し、
各化合物を共沈させた後、乾燥して、粉体を得
る。次いで、ムライト形成温度である900〜1500
℃で仮焼した後、粉砕して分散させ、好ましくは
平均粒径2μｍ以下の焼結用の粉体原料とすれば
よい。或いは、ムライト質成形焼結体中のAl／
Si比に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液
状原料を調製し、均一となるまで混合し、両化合
物を共沈させた後、乾燥して、粉体を得る。次い
で、900〜1500℃で仮焼した後、これにTiO2粉末
を加え、全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体
原料としても良い。或いは更に、ムライト質成形
焼結体中のAl／Si比よりも低い割合でAl化合物
及びSi化合物を含む液状原料を調製し、均一とな
るまで混合し、両化合物を共沈させた後、乾燥し
て、粉体を得る。次いで、900〜1500℃で仮焼し
た後、これにAl2O3粉末及びTiO2粉末を加え、全
体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料として
も良い。或は、ムライト質焼結体中のAl／Si比
に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液状原
料を調製し、均一となるまで混合し、両化合物を
共沈させた後、乾燥して、粉体を得る。次いで、
900〜1500℃で仮焼した後、これにケイ酸アルミ
ニウム化合物粉末及びTiO2粉末を加え、全体を
粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料としても良
い。或いは更に、ムライト質成形焼結体中の
Al／Si比に相当する割合でAl化合物及びSi化合
物を含む液状原料を調製し、均一となるまで混合
し、両化合物を共沈させた後、乾燥して、粉体を
得る。次いで、900〜1500℃で仮焼した後、これ
をTiを含む液状原料に加えて調製した粉体を粉
砕して分散させ、焼結用の粉体原料としても良
い。 更に、やはり一般的な方法であるゾル−ゲル法
による場合には、例えば、ムライト質焼結体中の
Al／Si／Ti比に相当するAl化合物、Si化合物及
びTi化合物を含む液状原料を調製し、均一とな
るまで混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲ
ルを得、これを900〜1500℃で仮焼した後、粉砕
して分散させ、好ましくは平均粒径2μｍ以下の
焼結用の粉体原料とすれば良い。或は、ムライト
質焼結体中のAl／Si比に相当するAl化合物及び
Si化合物を含む液状原料を調製し、均一となるま
で混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲルを
得、これを900〜1500℃で仮焼した後、TiO2粉末
を加え、全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体
原料としても良い。或は更に、ムライト質焼結体
中のAl／Si比よりも低い割合でAl化合物及びSi
化合物を含む液状原料を調製し、均一となるまで
混合し、PHの調製により或は乾燥によりゲルを
得、これを900〜1500℃で仮焼した後、Al2O3粉
末及びTiO2粉末を加え、全体を粉砕して分散さ
せ、焼結用の粉体原料としても良い。更に、ムラ
イト質焼結体中のAl／Si比に相当する割合でAl
化合及びSi化合物を含む液状原料を調製し、均一
となるまで混合し、PHの調整により或は乾燥によ
りゲルを得、これを900〜1500℃で仮焼した後、
ケイ酸アルミニウム粉末及びTiO2粉末を加え、
全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料とし
ても良い。更に又、ムライト質焼結体中のAl／
Si比に相当するAl化合物及びSi化合物を含む液
状原料を調製し、均一となるまで混合し、PHの調
製により或は乾燥によりゲルを得、これを900〜
1500℃で仮焼した後、Tiを含む液状原料を加え、
全体を粉砕して分散させ、焼結用の粉体原料とし
ても良い。 粉体原料製造の為のAl源としては、アルミナ
ゾル、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝
酸アルミニウム等が使用され、Si源としては、シ
リカゾル、エチルシリケート等が使用され、Ti
源としては、塩化チタニウム、チタンアルコキシ
ド等がそれぞれ通常使用される。 上記の様にして製造された原料粉体は、常法に
従つて成形され、1550〜1800℃程度で焼結され
て、本発明のムライト質焼結体となる。 発明の効果 本発明のムライト質焼結体は、高温における耐
クリープ性及び熱安定性、高温強度等に優れてい
るので、高温用ローラー、高温用治具、炉心管、
保護管等として有用である。 実施例 以下に実施例を示し、本発明の特徴とするとこ
ろをより一層明らかにする。 実施例 １ 0.5モル％塩化アルミニウム溶液とSiO2分10重
量％のシリカゾルとを混合して、第１表に示す通
りのAl2O3及びSiO2としての重量比を有する均一
な液状原料を得た後、アンモニア水を加えて中和
共沈させ、得られた沈澱物を乾燥し、1250℃で８
時間焼成して、ムライト粉体を得た。このムライ
ト粉体100重量部に所定量のTiO2粉体を加え、粉
砕して分散させた後、混合粉体重量の２％のポリ
ビニルアルコールを加え、静水圧成形法により成
形圧１トン／cm2で60×60×５mmの板状に成形し、
1650℃で２時間焼成してムライト質焼結体（アル
カリ金属酸化物含有量0.1％以下）を得た。 第１表にその結果を示す。尚、第１表における
各項目は、それぞれ以下の事項を示す。 ()…Al2O3／SiO2（重量比） ()…TiO2（重量部） ()…ムライト結晶粒径（μｍ） ()…歪み速度（１／ｈ；1500℃、２Kgｆ／mm2の
応力で測定）
【表】
本発明のムライト質焼結体No.１〜５は、歪み速
度が小さく、優れた耐クリープ性を備えているこ
とが明らかである。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順により、TiO2含有量
0.05％（Al2O3とSiO2との合計重量に対し）、ムラ
イト結晶粒径2.3μｍで Al2O3とSiO2との重量比が種々異なるムライト
質焼結体を製造した。 第１図にAl2O3／SiO2比と歪み速度（１／ｈ）
との関係を示す。 Al2O3／SiO2比が73／27〜78／22の範囲で良好
な耐クリープ性が得られている。
度が小さく、優れた耐クリープ性を備えているこ
とが明らかである。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順により、TiO2含有量
0.05％（Al2O3とSiO2との合計重量に対し）、ムラ
イト結晶粒径2.3μｍで Al2O3とSiO2との重量比が種々異なるムライト
質焼結体を製造した。 第１図にAl2O3／SiO2比と歪み速度（１／ｈ）
との関係を示す。 Al2O3／SiO2比が73／27〜78／22の範囲で良好
な耐クリープ性が得られている。
第１図は、ムライト質焼結体におけるAl2O3／
SiO2比と耐クリープ性との関係を示すグラフで
ある。
SiO2比と耐クリープ性との関係を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなることを
特徴とする耐熱性ムライト質焼結体。 ２ () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、且つ () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含む粉体原料を成形し
た後、焼成することを特徴とする () Al2O3／SiO2（重量比）が 73／27〜78／22の範囲内にあり、 () Al2O3とSiO2との合計100重量部に対し
TiO20.02〜５重量部を含み、 () 結晶粒径が2μｍ以上で、 () 主たる結晶相がムライト相からなる耐熱
性ムライト質焼結体の製造方法。 ３ (イ) 所定の割合でAlとSiとTiとを含む液状
原料から調製した粉体を900〜1500℃で仮焼し
て得た粉体原料、 (ロ) AlとSiとを含む液状原料から調製した粉体
を900〜1500℃で仮焼し、これにTiO2粉末を加
えて得た粉体原料、 (ハ) AlとSiとを含む液状原料から調製した粉体
を900〜1500℃で仮焼し、これにAl2O3粉末及
びTiO2粉末を加えて得た粉体原料、 (ニ) AlとSiとを含む液状原料から調製した粉体
を900〜1500℃で仮焼し、これにケイ酸アルミ
ニウム化合物粉末及び TiO2粉末を加えて得た粉体原料、又は (ホ) AlとSiとを含む液状原料から調製した粉体
を900〜1500℃で仮焼し、これをTiを含む液状
原料に加えて得た粉体原料 を粉砕して分散させた後、成形し、焼成する特許
請求の範囲第２項に記載の耐熱性ムライト質焼結
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62102349A JPS63270352A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 耐熱性ムライト質焼結体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62102349A JPS63270352A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 耐熱性ムライト質焼結体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270352A JPS63270352A (ja) | 1988-11-08 |
| JPH0436115B2 true JPH0436115B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=14325006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62102349A Granted JPS63270352A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 耐熱性ムライト質焼結体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63270352A (ja) |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP62102349A patent/JPS63270352A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63270352A (ja) | 1988-11-08 |
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