JPH0436124Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0436124Y2 JPH0436124Y2 JP1984131072U JP13107284U JPH0436124Y2 JP H0436124 Y2 JPH0436124 Y2 JP H0436124Y2 JP 1984131072 U JP1984131072 U JP 1984131072U JP 13107284 U JP13107284 U JP 13107284U JP H0436124 Y2 JPH0436124 Y2 JP H0436124Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insb
- cdte
- thin film
- crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案はCdTe結晶と格子定数が近接し、か
つ、バンドギヤツプの狭い結晶構造を有する薄膜
を用いた光伝導形赤外線検出器（以下、赤外線検
出器という）の特性の改善に関する。
つ、バンドギヤツプの狭い結晶構造を有する薄膜
を用いた光伝導形赤外線検出器（以下、赤外線検
出器という）の特性の改善に関する。
＜従来技術＞
従来、赤外線検出器は第２図ａに拡大断面図に
て示す如く、CdTe基板１上に一定の距離を隔て
て電極２，２ａを形成し、第２図ｂに拡大断面図
にて示す如く電極２，２ａおよびCdTe基板１上
にCdTe結晶と格子定数が近接し、かつ、バンド
ギヤツプの小さい結晶構造を有する結晶（例えば
Hg1−xCdxTe結晶）３を蒸着等により形成し、
このHg1−xCdxTe結晶に照射された赤外線を光
伝導効果により電気信号に変換し電極２，２ａに
印加したバイアス電圧（図示せず）の変化から赤
外線の強さを検出している。
て示す如く、CdTe基板１上に一定の距離を隔て
て電極２，２ａを形成し、第２図ｂに拡大断面図
にて示す如く電極２，２ａおよびCdTe基板１上
にCdTe結晶と格子定数が近接し、かつ、バンド
ギヤツプの小さい結晶構造を有する結晶（例えば
Hg1−xCdxTe結晶）３を蒸着等により形成し、
このHg1−xCdxTe結晶に照射された赤外線を光
伝導効果により電気信号に変換し電極２，２ａに
印加したバイアス電圧（図示せず）の変化から赤
外線の強さを検出している。
HgTeとCdTeの混晶であるHg1−xCdxTe結晶
はＸの値によつてバンドギヤツプが変化する。こ
の結晶を用いた光伝導形赤外線検出器は、優れた
赤外線検出器として知られており、この赤外線検
出器の検出カツトオフ波長はバンドギヤツプの変
化（Ｘの値の変化）に伴つて変化し、Ｘ＝0.2〜
0.3のとき赤外線のカツトオフ波長が３〜14μm程
度となる。
はＸの値によつてバンドギヤツプが変化する。こ
の結晶を用いた光伝導形赤外線検出器は、優れた
赤外線検出器として知られており、この赤外線検
出器の検出カツトオフ波長はバンドギヤツプの変
化（Ｘの値の変化）に伴つて変化し、Ｘ＝0.2〜
0.3のとき赤外線のカツトオフ波長が３〜14μm程
度となる。
このHg1−xCdxTe結晶を蒸着等により形成し
たCdTe基板は不活性ガスまたは真空に引いた冷
却容器に封入して赤外線検出器として構成する
が、Hg1−xCdxTe結晶を蒸着する工程から冷却
容器に封入するまでの間に大気に晒され、その表
面に酸化などにより表面変成層が形成される。そ
の結果赤外線検出器の動作特性を著しく損う原因
となつていた。この表面変成層はブリツジマン法
等で成長させた結晶を検出器の大きさに切断し、
表面処理を行ない、その表面に電極を形成し、不
活性ガスまたは真空に引いた冷却容器に封入して
赤外線検出器を構成するものにおいても同様の理
由で発生する。
たCdTe基板は不活性ガスまたは真空に引いた冷
却容器に封入して赤外線検出器として構成する
が、Hg1−xCdxTe結晶を蒸着する工程から冷却
容器に封入するまでの間に大気に晒され、その表
面に酸化などにより表面変成層が形成される。そ
の結果赤外線検出器の動作特性を著しく損う原因
となつていた。この表面変成層はブリツジマン法
等で成長させた結晶を検出器の大きさに切断し、
表面処理を行ない、その表面に電極を形成し、不
活性ガスまたは真空に引いた冷却容器に封入して
赤外線検出器を構成するものにおいても同様の理
由で発生する。
＜考案の目的＞
本考案は上記従来技術に鑑みてなされたもの
で、CdTe結晶基板上に形成されたAlSb結晶構造
を有する薄膜が大気に晒されても表面変成層が発
生しない赤外線検出器を提供することを目的とす
る。
で、CdTe結晶基板上に形成されたAlSb結晶構造
を有する薄膜が大気に晒されても表面変成層が発
生しない赤外線検出器を提供することを目的とす
る。
＜考案の構成＞
この目的を達成する本考案の構成はCdTe結晶
からなる基板と、該基板の表面に形成された
InSbからなる薄膜と、該InSb薄膜に接して形成
した一組の電極と、少なくとも前記InSb薄膜を
覆つてCdTeの薄膜を形成したことを構成上の特
徴とするものである。
からなる基板と、該基板の表面に形成された
InSbからなる薄膜と、該InSb薄膜に接して形成
した一組の電極と、少なくとも前記InSb薄膜を
覆つてCdTeの薄膜を形成したことを構成上の特
徴とするものである。
＜実施例＞
第１図は本考案による赤外線検出器の拡大断面
図を示すもので、１はCdTe基板であり、この基
板上に一定の距離を隔てて２，２ａの一組の電極
が真空蒸着等により形成されている。３は電極
２，２ａ間に形成されたInSbで例えば分子線エ
ピタキシヤル成長法等により形成されている。本
考案においては、InSb３の上に例えばエピタキ
シヤル成長法等によりCdTeの薄膜４を形成した
ものである。このCdTeの薄膜４は蒸発源の切り
替えのみによりInSbのエピタキシヤル成長工程
に引続いて超高真空の清浄雰囲気中で行なうこと
が可能である。
図を示すもので、１はCdTe基板であり、この基
板上に一定の距離を隔てて２，２ａの一組の電極
が真空蒸着等により形成されている。３は電極
２，２ａ間に形成されたInSbで例えば分子線エ
ピタキシヤル成長法等により形成されている。本
考案においては、InSb３の上に例えばエピタキ
シヤル成長法等によりCdTeの薄膜４を形成した
ものである。このCdTeの薄膜４は蒸発源の切り
替えのみによりInSbのエピタキシヤル成長工程
に引続いて超高真空の清浄雰囲気中で行なうこと
が可能である。
上記構成の赤外線検出器によれば、赤外線が矢
印の方向から照射されると、表面に形成された
CdTeは１〜30μm程度の波長域に対しては透過特
性が良いので窓として作用する。この赤外線が
InSbに達すると、キヤリアを発生しInSbに吸収
される。このキヤリアは電極２，２ａに印加され
たバイアス電圧による電界により加速され、電極
２，２ａから光伝導電流信号として取り出され
る。CdTeは高抵抗であり、また、InSb光伝導型
赤外線検出器は通常低温で動作させるので、さら
にCdTeの抵抗が高くなる。CdTeはバンドキヤ
ツプが1.5eV程度でInSbに比較し非常に大きく、
従つてCdTe／InSbの界面には電位差が生じ光吸
収によつて生じたキヤリアはInSb中を移動する。
印の方向から照射されると、表面に形成された
CdTeは１〜30μm程度の波長域に対しては透過特
性が良いので窓として作用する。この赤外線が
InSbに達すると、キヤリアを発生しInSbに吸収
される。このキヤリアは電極２，２ａに印加され
たバイアス電圧による電界により加速され、電極
２，２ａから光伝導電流信号として取り出され
る。CdTeは高抵抗であり、また、InSb光伝導型
赤外線検出器は通常低温で動作させるので、さら
にCdTeの抵抗が高くなる。CdTeはバンドキヤ
ツプが1.5eV程度でInSbに比較し非常に大きく、
従つてCdTe／InSbの界面には電位差が生じ光吸
収によつて生じたキヤリアはInSb中を移動する。
＜考案の効果＞
以上、実施例とともに具体的に説明したように
本考案によれば、InSbの表面を覆ってCdTeの薄
膜を形成したので、表面保護膜を有する２層構造
の光伝導型赤外線検出器を実現することができ
る。また、InSbはHg1-xCdxTeに比較してCdTe
との格子定数が小さいため層欠陥ができにくく、
組成xの制御を基本的に不要にできると言う効果
があり、さらにInSbを用いた場合、蒸気圧の高
いHgをその組成に含まないため、温度上昇によ
る組成の変化に伴う素子の劣化がないと言う特徴
がある。また、表面保護膜はInSbのエピタキシ
ヤル成長工程に引続いて形成することができるの
で、安いコストで実現することができる。
本考案によれば、InSbの表面を覆ってCdTeの薄
膜を形成したので、表面保護膜を有する２層構造
の光伝導型赤外線検出器を実現することができ
る。また、InSbはHg1-xCdxTeに比較してCdTe
との格子定数が小さいため層欠陥ができにくく、
組成xの制御を基本的に不要にできると言う効果
があり、さらにInSbを用いた場合、蒸気圧の高
いHgをその組成に含まないため、温度上昇によ
る組成の変化に伴う素子の劣化がないと言う特徴
がある。また、表面保護膜はInSbのエピタキシ
ヤル成長工程に引続いて形成することができるの
で、安いコストで実現することができる。
第１図は本考案の一実施例を示す拡大断面図、
第２図ａ，ｂは従来例を示す拡大断面図である。 １……CdTe基板、２，２ａ……電極、３……
InSb薄膜、４……CdTe薄膜。
第２図ａ，ｂは従来例を示す拡大断面図である。 １……CdTe基板、２，２ａ……電極、３……
InSb薄膜、４……CdTe薄膜。
Claims (1)
- CdTe結晶からなる基板と、該基板の表面に形
成されたInSbからなる薄膜と、該InSb薄膜に接
して形成した一組の電極と、少なくとも前記
InSb薄膜を覆つてCdTeの薄膜を形成したことを
特徴とする赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13107284U JPS6144856U (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13107284U JPS6144856U (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144856U JPS6144856U (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0436124Y2 true JPH0436124Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=30689666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13107284U Granted JPS6144856U (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144856U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59189685A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP13107284U patent/JPS6144856U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144856U (ja) | 1986-03-25 |
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