JPH0436256U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0436256U JPH0436256U JP7823990U JP7823990U JPH0436256U JP H0436256 U JPH0436256 U JP H0436256U JP 7823990 U JP7823990 U JP 7823990U JP 7823990 U JP7823990 U JP 7823990U JP H0436256 U JPH0436256 U JP H0436256U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- silicon layer
- insulating layer
- layer
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は、本考案に係る一実施例の薄膜トラン
ジスタの断面説明図、第２図は電子経路を説明す
るための薄膜トランジスタの部分的断面説明図、
第３図はａ〜ｃはの製造プロセス断面説明図、第
４図は従来の薄膜トランジスタの断面説明図、第
５図は従来の電子経路を説明するための薄膜トラ
ンジスタの部分的断面説明図である。 １……基板、２……ゲート電極、３……下部絶
縁層、４……イントリンシツクアモルフアスシリ
コン層、５……上部絶縁層、６……ｎ＋アモルフ
アスシリコン層、７……金属層、８……ｐ型アモ
ルフアスシリコン層、９……ｎ型アモルフアスシ
リコン層、１１……ドレイン電極、１２……ソー
ス電極。
ジスタの断面説明図、第２図は電子経路を説明す
るための薄膜トランジスタの部分的断面説明図、
第３図はａ〜ｃはの製造プロセス断面説明図、第
４図は従来の薄膜トランジスタの断面説明図、第
５図は従来の電子経路を説明するための薄膜トラ
ンジスタの部分的断面説明図である。 １……基板、２……ゲート電極、３……下部絶
縁層、４……イントリンシツクアモルフアスシリ
コン層、５……上部絶縁層、６……ｎ＋アモルフ
アスシリコン層、７……金属層、８……ｐ型アモ
ルフアスシリコン層、９……ｎ型アモルフアスシ
リコン層、１１……ドレイン電極、１２……ソー
ス電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基板上にゲート電極と、前記ゲート電極を被覆
する下部絶縁層と、前記下部絶縁層を介して前記
ゲート電極上部に形成されたイントリンシツクア
モルフアスシリコン層と、前記イントリンシツク
アモルフアスシリコン層上部に形成された上部絶
縁層と、前記上部絶縁層を挟んで分割形成された
ｎ＋アモルフアスシリコン層と、前記ｎ＋アモル
フアスシリコン層を被覆する金属層とを有する薄
膜トランジスタにおいて、 前記イントリンシツクアモルフアスシリコン層
と前記上部絶縁層との境界にｐ型アモルフアスシ
リコン層を設け、前記イントリンシツクアモルフ
アスシリコン層と前記ｎ＋アモルフアスシリコン
層との境介にｎ型アモルフアスシリコン層を設け
たことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823990U JP2522832Y2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7823990U JP2522832Y2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436256U true JPH0436256U (ja) | 1992-03-26 |
| JP2522832Y2 JP2522832Y2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=31621338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7823990U Expired - Lifetime JP2522832Y2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522832Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101840936B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP7823990U patent/JP2522832Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2522832Y2 (ja) | 1997-01-16 |