JPH04364721A - 液相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法Info
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- JPH04364721A JPH04364721A JP14039191A JP14039191A JPH04364721A JP H04364721 A JPH04364721 A JP H04364721A JP 14039191 A JP14039191 A JP 14039191A JP 14039191 A JP14039191 A JP 14039191A JP H04364721 A JPH04364721 A JP H04364721A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液相エピタキシャル成
長を行なったウェハから残留Ｇａメルトを除去する後処
理方法に関するものである。
長を行なったウェハから残留Ｇａメルトを除去する後処
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スライドボード法による液相エピタキシ
ャル成長では、ワイプオフが十分されずに、成長後のウ
ェハの表面に溶媒の残りが生じる。
ャル成長では、ワイプオフが十分されずに、成長後のウ
ェハの表面に溶媒の残りが生じる。
【０００３】ＧａＡｓ系化合物半導体の場合には、Ｇａ
Ａｓ基板１上にエピタキシャル層が形成され、図２に示
すようにＧａメルト４がエピタキシャル成長ウェハ表面
２ｂの主に端部に残る。
Ａｓ基板１上にエピタキシャル層が形成され、図２に示
すようにＧａメルト４がエピタキシャル成長ウェハ表面
２ｂの主に端部に残る。
【０００４】このＧａは取り出し時には液状であり、こ
のままではフォトリソグラフィーの工程でフォトマスク
を汚すので、前記Ｇａを除去しなければならない。また
この残留Ｇａは、フォトリソグラフィーだけでなく、蒸
着など後加工一般において障害となる。
のままではフォトリソグラフィーの工程でフォトマスク
を汚すので、前記Ｇａを除去しなければならない。また
この残留Ｇａは、フォトリソグラフィーだけでなく、蒸
着など後加工一般において障害となる。
【０００５】従来、残留Ｇａを除去するには、残留Ｇａ
の部分をスクライブにより割って除去する方法が知られ
ている。
の部分をスクライブにより割って除去する方法が知られ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
クライブによる残留Ｇａの除去方法では、良好な液相エ
ピタキシャル成長ウェハ表面も、ある程度犠牲にしなけ
ればならず、前記ウェハ表面の良品歩留まりを低下させ
る原因となっていた。
クライブによる残留Ｇａの除去方法では、良好な液相エ
ピタキシャル成長ウェハ表面も、ある程度犠牲にしなけ
ればならず、前記ウェハ表面の良品歩留まりを低下させ
る原因となっていた。
【０００７】また、残留Ｇａは主に端部で生じるが、と
きにはわずかながら中央部に残ることもあり、この中央
部の残留Ｇａはスクライブではうまく除去できないこと
が問題となっていた。
きにはわずかながら中央部に残ることもあり、この中央
部の残留Ｇａはスクライブではうまく除去できないこと
が問題となっていた。
【０００８】本発明は上記の事情にかんがみてなされた
ものであり、その目的とするところは、前記した従来技
術の欠点を解消し、液相エピタキシャル成長後のウェハ
の表面に残ったＧａを除去する、新しい方法を提供する
ものである。
ものであり、その目的とするところは、前記した従来技
術の欠点を解消し、液相エピタキシャル成長後のウェハ
の表面に残ったＧａを除去する、新しい方法を提供する
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は鋭意検討を重ね
た結果、液相エピタキシャル成長後のウェハ表面に保護
膜を形成して、エッチングを行えば、この発明の目的達
成に有効であることを見いだし、この発明を完成するに
至った。
た結果、液相エピタキシャル成長後のウェハ表面に保護
膜を形成して、エッチングを行えば、この発明の目的達
成に有効であることを見いだし、この発明を完成するに
至った。
【００１０】すなわち、本発明の液相エピタキシャル成
長ウェハの後処理方法は、（ａ） ＧａＡｓ基板上に
液相エピタキシャル成長を行った後、スパッタリング法
により、残留Ｇａメルト表面以外のエピタキシャル成長
ウェハ表面上に保護膜を形成する工程、（ｂ） 保護
膜が形成された液相エピタキシャル成長ウェハを、エッ
チング液に浸し、残留Ｇａを選択的に除去する工程、（
ｃ） 残留Ｇａが除去された液相エピタキシャル成長
ウェハ保護膜をエッチング除去する工程、を含むことを
特徴とするものである。
長ウェハの後処理方法は、（ａ） ＧａＡｓ基板上に
液相エピタキシャル成長を行った後、スパッタリング法
により、残留Ｇａメルト表面以外のエピタキシャル成長
ウェハ表面上に保護膜を形成する工程、（ｂ） 保護
膜が形成された液相エピタキシャル成長ウェハを、エッ
チング液に浸し、残留Ｇａを選択的に除去する工程、（
ｃ） 残留Ｇａが除去された液相エピタキシャル成長
ウェハ保護膜をエッチング除去する工程、を含むことを
特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明は、液相エピタキシャル成長ウェハの後
処理方法では、後述のように作用する。
処理方法では、後述のように作用する。
【００１２】ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長
を行うと、液相エピタキシャル成長ウェハ上にＧａメル
トが残留する。このＧａメルトが残留した液相エピタキ
シャル成長ウェハに、スパッタリングによりスパッタ層
を形成しようとすると、正常なエピタキシャル成長ウェ
ハ表面にはスパッタ層が形成するが、液状の残留Ｇａ上
には形成されない。従って、スパッタ保護層が形成し、
正常なエピタキシャル成長ウェハ表面ウェハ表面にのみ
形成され、残留Ｇａメルト面がスパッタ保護層から露出
する。
を行うと、液相エピタキシャル成長ウェハ上にＧａメル
トが残留する。このＧａメルトが残留した液相エピタキ
シャル成長ウェハに、スパッタリングによりスパッタ層
を形成しようとすると、正常なエピタキシャル成長ウェ
ハ表面にはスパッタ層が形成するが、液状の残留Ｇａ上
には形成されない。従って、スパッタ保護層が形成し、
正常なエピタキシャル成長ウェハ表面ウェハ表面にのみ
形成され、残留Ｇａメルト面がスパッタ保護層から露出
する。
【００１３】次いで、エッチングにより露出したＧａが
溶出して除去される。最後に、液相エピタキシャル成長
ウェハ表面から、保護層を脱離させる。
溶出して除去される。最後に、液相エピタキシャル成長
ウェハ表面から、保護層を脱離させる。
【００１４】
【実施例】スライドボード法により、１２ｍｍ×１８ｍ
ｍのＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓのエピタキシャル成長
を行なった。このとき図２に示すように、ワイプオフで
きなかった残留Ｇａ４が、液相エピタキシャルウェハ表
面２ｂ上の端部および中央部に点在していた。
ｍのＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓのエピタキシャル成長
を行なった。このとき図２に示すように、ワイプオフで
きなかった残留Ｇａ４が、液相エピタキシャルウェハ表
面２ｂ上の端部および中央部に点在していた。
【００１５】このウェハに、進行波４００ＷのＲＦスパ
ッタリング法により、膜厚１５００オングストロームで
ＳｉＯ２保護膜を形成した。図１に、ＧａＡｓエピタキ
シャル層２ａ上にＳｉＯ２層３を形成したウェハの断面
を示した。このときＧａＡｓウェハ表面は、ＳｉＯ２膜
の干渉作用により、金属光沢から青色に変化した。
ッタリング法により、膜厚１５００オングストロームで
ＳｉＯ２保護膜を形成した。図１に、ＧａＡｓエピタキ
シャル層２ａ上にＳｉＯ２層３を形成したウェハの断面
を示した。このときＧａＡｓウェハ表面は、ＳｉＯ２膜
の干渉作用により、金属光沢から青色に変化した。
【００１６】このスパッタ保護膜３は、エピタキシャル
ウェハ表面２ｂとの密着性をよくするためエピタキシャ
ル成長の直後に形成するのが良く、スパッタリングにお
ける真空度は１×１０−３パスカル以下、基板の加熱は
１５０℃程度で行なうのが好ましい。
ウェハ表面２ｂとの密着性をよくするためエピタキシャ
ル成長の直後に形成するのが良く、スパッタリングにお
ける真空度は１×１０−３パスカル以下、基板の加熱は
１５０℃程度で行なうのが好ましい。
【００１７】図１に示すように、ＳｉＯ２スパッタ膜３
は正常なエピタキシャルウェハ表面２ｂには形成される
が、液体状の残留Ｇａ４の上には形成されない。このこ
とを利用して、その後の工程において、残留Ｇａ４のみ
をエッチングにより除去することができる。
は正常なエピタキシャルウェハ表面２ｂには形成される
が、液体状の残留Ｇａ４の上には形成されない。このこ
とを利用して、その後の工程において、残留Ｇａ４のみ
をエッチングにより除去することができる。
【００１８】このＳｉＯ２保護膜付きの液相エピタキシ
ャル基板をＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１のエッチング液に
浸した。攪拌しながら、しばらくすると残留Ｇａ４が黒
化し、エピタキシャルウェハから離脱を始めた。５分か
ら１０分で表面の残留Ｇａ４のみをすべて除去できた。 エッチング液の浸漬時間は残留Ｇａ４の量によるので、
エッチングの状態を観察しながら除去し、除去完了時点
で純水洗浄により停止した。
ャル基板をＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１のエッチング液に
浸した。攪拌しながら、しばらくすると残留Ｇａ４が黒
化し、エピタキシャルウェハから離脱を始めた。５分か
ら１０分で表面の残留Ｇａ４のみをすべて除去できた。 エッチング液の浸漬時間は残留Ｇａ４の量によるので、
エッチングの状態を観察しながら除去し、除去完了時点
で純水洗浄により停止した。
【００１９】その後、ＨＦとＮＨ３Ｆの混合溶液でＳｉ
Ｏ２保護層３をエッチングにより除去した。このように
して、正常な液相エピタキシャルウェハ表面２ｂがダメ
ージをうけることなく、ワイプオフされなかった残留Ｇ
ａ４を除去することができた。
Ｏ２保護層３をエッチングにより除去した。このように
して、正常な液相エピタキシャルウェハ表面２ｂがダメ
ージをうけることなく、ワイプオフされなかった残留Ｇ
ａ４を除去することができた。
【００２０】なお、上記実施例では保護膜としてＳｉＯ
２を使用しているが、Ｓｉ３Ｎ４など他の保護膜材料で
も同様の効果が期待できる。
２を使用しているが、Ｓｉ３Ｎ４など他の保護膜材料で
も同様の効果が期待できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板上に液相エピタキシャル成長を行なった場合に、ワイ
プオフされずに残ったＧａをスクライブにより除去する
必要がなく、前記Ｇａの部分だけをエッチングにより除
去することができる。
板上に液相エピタキシャル成長を行なった場合に、ワイ
プオフされずに残ったＧａをスクライブにより除去する
必要がなく、前記Ｇａの部分だけをエッチングにより除
去することができる。
【００２２】したがって、液相エピタキシャルウェハ表
面の有効利用率が上昇し、中央部の残留Ｇａも除去でき
る。フォトリソグラフィーでのマスクの汚染の心配もな
い。
面の有効利用率が上昇し、中央部の残留Ｇａも除去でき
る。フォトリソグラフィーでのマスクの汚染の心配もな
い。
【００２３】また、エッチングにより正常なエピタキシ
ャルウェハ表面にダメージを与えることもないので、デ
バイス化したときの素子特性に影響がない。
ャルウェハ表面にダメージを与えることもないので、デ
バイス化したときの素子特性に影響がない。
【図１】 本発明により保護膜を形成した液相エピタ
キシャルウェハの断面図である。
キシャルウェハの断面図である。
【図２】 液相エピタキシャル成長後のウェハ表面を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１ ＧａＡｓ基板
２ａ ＧａＡｓエピタキシャル層
２ｂ ＧａＡｓエピタキシャルウェハ表面３
ＳｉＯ２スパッタ膜 ４ ウェハ表面に残ったＧａ
ＳｉＯ２スパッタ膜 ４ ウェハ表面に残ったＧａ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル
成長を行なった後、エピタキシャル成長ウェハから残留
Ｇａメルトを除去する後処理方法であって、スパッタリ
ングにより、エピタキシャル成長ウェハ表面上に残留Ｇ
ａメルトを除いて保護膜を形成し、エッチングにより前
記Ｇａメルトを選択的に除去し、エピタキシャル成長ウ
ェハ表面から前記保護膜を除去することを特徴とする液
相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14039191A JPH04364721A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14039191A JPH04364721A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364721A true JPH04364721A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15267717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14039191A Pending JPH04364721A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 液相エピタキシャル成長ウェハの後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364721A (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP14039191A patent/JPH04364721A/ja active Pending
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