JPH04365302A - 機能トリミングが可能な薄膜抵抗器 - Google Patents
機能トリミングが可能な薄膜抵抗器Info
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- JPH04365302A JPH04365302A JP3236746A JP23674691A JPH04365302A JP H04365302 A JPH04365302 A JP H04365302A JP 3236746 A JP3236746 A JP 3236746A JP 23674691 A JP23674691 A JP 23674691A JP H04365302 A JPH04365302 A JP H04365302A
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- Japan
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- film
- base board
- thin film
- trimming
- resistor films
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器に使用される
薄膜抵抗器に関するものである。
薄膜抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザビームを用い機能トリミングを行
なうためには抵抗膜が露出している必要があった。
なうためには抵抗膜が露出している必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レーザビームを用い機
能トリミングを行なうためには、抵抗膜が露出している
必要があるが、一般に薄膜抵抗器に於ては抵抗膜が露出
していると耐環境的並びに機械的な影響による抵抗値の
変化が生じ易く抵抗器の性能を悪化させる原因になって
いた。エポキシ系樹脂或はフェノール系樹脂の保護塗装
膜は、その樹脂の特性からレーザビームによる機能トリ
ミングを行ない得る状態にすることは困難である。更に
、感光性を持たない樹脂は保護膜を選択的に加工するこ
とが出来ない。
能トリミングを行なうためには、抵抗膜が露出している
必要があるが、一般に薄膜抵抗器に於ては抵抗膜が露出
していると耐環境的並びに機械的な影響による抵抗値の
変化が生じ易く抵抗器の性能を悪化させる原因になって
いた。エポキシ系樹脂或はフェノール系樹脂の保護塗装
膜は、その樹脂の特性からレーザビームによる機能トリ
ミングを行ない得る状態にすることは困難である。更に
、感光性を持たない樹脂は保護膜を選択的に加工するこ
とが出来ない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基板表面に
着膜した抵抗膜を所定の形状及び抵抗値とした後該抵抗
膜を含む絶縁基板上に感光性ポリイミドを塗布し露光・
現像処理によって必要部のみ露出させた後、加熱硬化さ
せるものである。保護膜として感光性ポリイミドを用い
ることにより、製品の耐環境的特性並びに機械的強度を
維持し、かつ膜の上からの機能トリミングが可能となっ
た。
着膜した抵抗膜を所定の形状及び抵抗値とした後該抵抗
膜を含む絶縁基板上に感光性ポリイミドを塗布し露光・
現像処理によって必要部のみ露出させた後、加熱硬化さ
せるものである。保護膜として感光性ポリイミドを用い
ることにより、製品の耐環境的特性並びに機械的強度を
維持し、かつ膜の上からの機能トリミングが可能となっ
た。
【０００５】
【実施例１】 薄膜ネットワーク抵抗器この実施例に
於ては、電気的絶縁基板として５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚
みが０．６３５ｍｍのセラミック基板を用いた。該基板
に蒸着法によりニッケルクロム系の抵抗膜及び一次電極
膜を着膜し、フォトエッチング法でパターン形成した後
、３５０℃１時間の熱処理を施しレーザトリミングで抵
抗値調整を行なった。本製品の仕様は、６ＫΩ３素子，
±１０ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化型の感
光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μの膜厚
で塗布する。これを露光・現像によって電極部を露出さ
せ３００℃１時間のポストベークによって硬化させる。 次いで該基板をモジュール単位に分割しリード挿入及び
はんだ付を行なって図１に示す製品が完成した。機能ト
リミングの領域は０〜４ＫΩの範囲で調整が可能である
。
於ては、電気的絶縁基板として５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚
みが０．６３５ｍｍのセラミック基板を用いた。該基板
に蒸着法によりニッケルクロム系の抵抗膜及び一次電極
膜を着膜し、フォトエッチング法でパターン形成した後
、３５０℃１時間の熱処理を施しレーザトリミングで抵
抗値調整を行なった。本製品の仕様は、６ＫΩ３素子，
±１０ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化型の感
光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μの膜厚
で塗布する。これを露光・現像によって電極部を露出さ
せ３００℃１時間のポストベークによって硬化させる。 次いで該基板をモジュール単位に分割しリード挿入及び
はんだ付を行なって図１に示す製品が完成した。機能ト
リミングの領域は０〜４ＫΩの範囲で調整が可能である
。
【０００６】
【実施例２】 薄膜抵抗温度センサ
この実施例に於ては、電気的絶縁基板として５０ｍｍ×
６０ｍｍ、厚みが０．６３５ｍｍのセラミック基板を用
いた。該基板に蒸着法によりニッケルを着膜し、フォト
エッチング法にてパターン形成した後、３２０℃１時間
の熱処理を施した。本製品の仕様は、約７０Ω，約＋５
０００ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化型の感
光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μの膜厚
で塗布する。これを露光・現像によって電極部を露出さ
せ３００℃１時間のポストベークによって硬化させる。 次いで該基板を素子単位に分割し、はんだ付を行なって
図２に示す製品が完成した。機能トリミングの領域は０
〜５０Ωの範囲で調整が可能である。
６０ｍｍ、厚みが０．６３５ｍｍのセラミック基板を用
いた。該基板に蒸着法によりニッケルを着膜し、フォト
エッチング法にてパターン形成した後、３２０℃１時間
の熱処理を施した。本製品の仕様は、約７０Ω，約＋５
０００ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化型の感
光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μの膜厚
で塗布する。これを露光・現像によって電極部を露出さ
せ３００℃１時間のポストベークによって硬化させる。 次いで該基板を素子単位に分割し、はんだ付を行なって
図２に示す製品が完成した。機能トリミングの領域は０
〜５０Ωの範囲で調整が可能である。
【０００７】
【実施例３】 薄膜チップ抵抗器
この実施例に於ては、電気的絶縁基板として５０ｍｍ×
６０ｍｍ、厚みが０．４ｍｍのセラミック基板を用いた
。該基板にスパッタ法によりニッケルクロム系の抵抗膜
及び一次電極膜を着膜し、フォトエッチング法でパター
ン形成した後、３５０℃１時間の熱処理を施しレーザト
リミングで抵抗値調整を行なった。本製品の仕様は、２
０Ω，±１０ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化
型の感光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μ
の膜厚で塗布する。これを露光・現像によって電極部を
露出させ３００℃１時間のポストベークによって硬化さ
せる。次いでめっきにより二次電極形成分割を行なって
図３に示す製品が完成した。機能トリミングの領域は０
〜３０Ωの範囲で調整が可能である。
６０ｍｍ、厚みが０．４ｍｍのセラミック基板を用いた
。該基板にスパッタ法によりニッケルクロム系の抵抗膜
及び一次電極膜を着膜し、フォトエッチング法でパター
ン形成した後、３５０℃１時間の熱処理を施しレーザト
リミングで抵抗値調整を行なった。本製品の仕様は、２
０Ω，±１０ｐｐｍ／℃である。次に該基板に低温硬化
型の感光性ポリイミドをスピンコート法によって約２μ
の膜厚で塗布する。これを露光・現像によって電極部を
露出させ３００℃１時間のポストベークによって硬化さ
せる。次いでめっきにより二次電極形成分割を行なって
図３に示す製品が完成した。機能トリミングの領域は０
〜３０Ωの範囲で調整が可能である。
【０００８】
【発明の効果】本発明により機能トリミングが可能で耐
環境的並びに機械的に安定した特性を持つ抵抗器の製造
が可能となった。
環境的並びに機械的に安定した特性を持つ抵抗器の製造
が可能となった。
【０００９】
【図１】本発明の製造法で製造した薄膜ネットワーク抵
抗器を示す上面図である。
抗器を示す上面図である。
【図２】本発明の製造法で製造した薄膜抵抗センサを示
す上面図である。
す上面図である。
【図３】本発明の製造法で製造した薄膜チップ抵抗器を
示す上面図である。
示す上面図である。
１． セラミック基板
２． 感光性ポリイミド膜
３． ニッケルクロム系抵抗膜
４． はんだ電極
５． 一次トリミング領域
６． 機能トリミング領域
７． ニッケル系抵抗膜
８． めっき電極
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック等の絶縁基板表面に着膜した抵
抗膜と電極から成る薄膜抵抗器に於て、該抵抗膜に感光
性を持つ樹脂を保護膜として塗装し、機能トリミングを
可能としたことを特徴とする薄膜抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236746A JPH04365302A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 機能トリミングが可能な薄膜抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236746A JPH04365302A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 機能トリミングが可能な薄膜抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365302A true JPH04365302A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=17005180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236746A Pending JPH04365302A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 機能トリミングが可能な薄膜抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770883A (en) * | 1995-09-19 | 1998-06-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with a built-in amplification circuit |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP3236746A patent/JPH04365302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770883A (en) * | 1995-09-19 | 1998-06-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor sensor with a built-in amplification circuit |
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