JPH04367273A - カラー画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ，ディジ
タル複写機等の画像入力部に使用されるカラー画像読取
装置に係り、各色に対応する複数列の受光素子アレイを
配列し、各受光素子で発生した電荷をブロック毎に転送
して信号を読み取る方式のカラー画像読取装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ファクシミリ等には、例えば原稿
等の画像情報を１対１に投影して電気信号に変換する密
着型イメ−ジセンサが使用されている。そして、投影し
た画像を多数の画素に分割し、画素に対応する各受光素
子で発生した電荷を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成
されたスイッチング素子を使って特定のブロック単位で
各配線の配線容量に一時蓄積し、駆動ＩＣにより電気信
号として時系列的に順次読み出すＴＦＴ駆動型イメ−ジ
センサが提案されている。このＴＦＴ駆動型イメ−ジセ
ンサは、ＴＦＴによるマトリックス駆動を行なうことに
より単一の駆動ＩＣで複数のブロックの受光素子の読み
取りが可能となるので、イメ−ジセンサを駆動する駆動
ＩＣの個数を少なくすることができる。

【０００３】ＴＦＴ駆動型イメ−ジセンサは、例えば、
その等価回路図を図８に示すように、複数の受光素子Ｐ
ｋ，ｎ　を一列にライン状に配設し原稿幅と略同じ長さ
とした受光素子アレイ８１と、前記各受光素子Ｐｋ，ｎ
　に１：１に対応する個数の薄膜トランジスタＴｋ，ｎ
　から成る電荷転送部８２と、マトリックス状の多層配
線８３とを具備して構成されている。

【０００４】前記受光素子アレイ８１は、Ｋ個のブロッ
クの受光素子群に分割され、一つの受光素子群を形成す
るｎ個の受光素子Ｐｋ，ｎ　は、フォトダイオ−ドと寄
生容量により等価的に表すことができる。各受光素子Ｐ
ｋ，ｎ　は各薄膜トランジスタＴｋ，ｎのドレイン電極
にそれぞれ接続されている。そして、薄膜トランジスタ
Ｔｋ，ｎ　のソ−ス電極は、マトリックス状に接続され
た多層配線８３を介して受光素子群毎に共通信号線８４
（ｎ本）にそれぞれ接続され、更に共通信号線８４は駆
動ＩＣ８５に接続されている。各薄膜トランジスタＴｋ
，ｎ　のゲ−ト電極には、ブロック毎に導通するように
ゲ−トパルス発生回路８６に接続されている。

【０００５】各受光素子Ｐｋ，ｎ　で発生する光電荷は
一定時間受光素子Ｐｋ，ｎ　の寄生容量と薄膜トランジ
スタＴｋ，ｎ　のドレイン電極・ゲ−ト電極間のオ−バ
−ラップ容量に蓄積された後、薄膜トランジスタＴｋ，
ｎを電荷転送用のスイッチとして用いてブロック毎に順
次多層配線８３の配線容量ＣＬ　に転送蓄積される。す
なわち、ゲ−トパルス発生回路８６からゲ−ト信号線Ｇ
ｋ　を経由して伝達されたゲ−トパルスφＧ１が、第１
のブロックの薄膜トランジスタＴ１，１　〜Ｔ１，ｎ　
をオンにし、第１のブロックの各受光素子Ｐｋ，ｎ　で
発生した電荷が各配線容量ＣＬ　に転送蓄積される。そ
して、各配線容量ＣＬ　に蓄積された電荷により各共通
信号線８４の電位が変化し、この電圧値を駆動ＩＣ８５
内のアナログスイッチＳＷｎを順次オンして時系列的に
出力線８７に抽出する。そして、ゲ−トパルスφＧ２〜
φＧｋにより第２〜第Ｋのブロックの薄膜トランジスタ
Ｔ２，１　〜Ｔ２，ｎ　からＴｋ，１　〜Ｔｋ，ｎ　ま
でがそれぞれオンすることによりブロック毎に受光素子
側の電荷が転送され、順次読み出すことにより原稿の主
走査方向の１ラインの画像信号を得、ロ−ラ等の原稿送
り手段（図示せず）により原稿を移動させて前記動作を
繰り返し、原稿全体の画像信号を得るものである（特開
昭６３−９３５８号公報参照）。

【０００６】上記イメージセンサを使用してカラー画像
読取装置とする場合、例えば図７に具体的な構造平面図
を示すように、受光素子アレイ８１ａ，８１ｂ，８１ｃ
を副走査方向に３列並列に設けて受光素子アレイ列を形
成している。そして、各受光素子アレイの各ビットに対
応するスイッチング素子Ｔのソ−ス電極Ｓ同士を、受光
素子間に副走査方向に沿って形成される信号出力線９０
で接続することにより、図８で示したマトリックス配線
８３に対して前記各受光素子アレイ８１ａ，８１ｂ，８
１ｃがそれぞれ並列になるように接続されている。また
、各受光素子アレイ８１ａ，８１ｂ，８１ｃ上には、一
定範囲の波長の光を選択的に透過させる帯状のフィルタ
ー（図示せず）が載置され、例えば、赤色，緑色，青色
に色分離された画像信号を得ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構造
のカラー画像読取装置によると、各受光素子アレイ８１
の間にスイッチング素子Ｔが存在するため、各色に対応
する受光素子アレイ８１の副走査方向の間隔が大きくな
り、抽出した画像信号から再生画像信号を得るためには
、ライン毎に抽出した信号を記憶するラインメモリの容
量を大きくする必要があった。

【０００８】また、原稿面からの反射光は、カラー画像
読取装置の上に配置されたセルフォックレンズ（図示せ
ず）により各受光素子アレイ８１上に結像されるが、受
光素子アレイ列の幅が広いと中央部と側部で光の強さに
差が生じ、同じ光量の反射光でも各色に対応する受光素
子アレイ８１における入射光量が異なるという問題点が
生じる。

【０００９】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
、各色に対応する受光素子アレイを近接位置に配置可能
なカラー画像読取装置の構造を提供することを目的とし
ている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
消するため本発明に係るカラー画像読取装置は、複数の
受光素子を１ブロックとして複数ブロックを主走査方向
にライン状に配列した受光素子アレイを副走査方向に複
数列並列に設けた受光素子アレイ列と、前記各受光素子
にそれぞれ接続し、前記各受光素子で発生した電荷をブ
ロック毎に転送する複数のスイッチング素子と、各受光
素子アレイの各ビットに対応するスイッチング素子同士
を接続して成る信号出力線とを具備している。そして、
前記各受光素子アレイを互に近接して配置し、前記各ス
イッチング素子を受光素子アレイ列外側の両側に配置し
ている。また、中央側に位置する受光素子アレイの各受
光素子と、該受光素子に対応するスイッチング素子とを
接続する配線を、受光素子とスイッチング素子との間に
位置する受光素子アレイの下層に位置させている。

【００１１】

【作用】本発明の構成によれば、各色の画像信号を読み
取る受光素子アレイを近接して配置したので、各受光素
子アレイで読み取る各原稿面ラインを近づけることがで
きる。また、中央部に位置する受光素子アレイからの画
像信号は、各受光素子から受光素子アレイの下層に位置
させた配線及びスイッチング素子を介して信号出力線か
ら抽出される。

【００１２】

【実施例】本発明のカラー画像読取装置の一実施例につ
いて図１ないし図３を参照しながら説明する。図２は図
１のＡ−Ａ線断面説明図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面説
明図である。

【００１３】複数の受光素子Ｐをそれぞれ一列に並べた
３列の受光素子アレイ１０ａ，１０ｂ，１０ｃを互に平
行になるように近接位置に配置し、受光素子アレイ列を
形成している。受光素子アレイ１０を構成する各受光素
子Ｐは、クロムから成り各受光素子アレイ１０で共通電
極となる帯状の下部電極１１と、酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）等の透明導電膜から成り画素毎に分離形成さ
れた上部電極１３とで、水素化アモルファスシリコン（
ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜から成る光電変換層１２を挟んだサン
ドイッチ構造で構成されている。各下部電極１１にはバ
イアス電圧が印加されている。各受光素子アレイ１０ａ
，１０ｂ，１０ｃ上には、ポリイミドから成る絶縁層５
０及び保護層６０を介して赤色，緑色，青色の帯状カラ
ーフィルタ７０ａ，７０ｂ，７０ｃがそれぞれ配置され
ている。

【００１４】各受光素子Ｐには、各受光素子Ｐで発生し
た電荷を転送するためのスイッチング素子として機能す
る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０が接続されている。 薄膜トランジスタ２０は、クロムから成りブロック毎に
共通となるゲート電極２１、ＳｉＮｘから成るゲート絶
縁層２２、ａ−Ｓｉ：Ｈから成る半導体活性層２３、Ｓ
ｉＮｘから成る上部絶縁層２４、ドレイン電極Ｄ及びソ
ース電極Ｓに対応するように互に分離して形成されたｎ
＋　ａ−Ｓｉ：Ｈから成るオーミックコンタクト層２５
ａ，２５ｂ、クロムから成るバリヤメタル層２６ａ，２
６ｂを順次絶縁基板１上に積層して構成している。薄膜
トランジスタ２０は、前記受光素子アレイ列の外側位置
（上下）に振り分けて配置されている。すなわち、受光
素子アレイ１０ａに接続される薄膜トランジスタ２０ａ
は、受光素子アレイ列の上方に配置し、受光素子アレイ
１０ｃに接続される薄膜トランジスタ２０ｃは、受光素
子アレイ列の下方に配置している。中央に位置する受光
素子アレイ１０ｂに接続される薄膜トランジスタ２０ｂ
は、一画素おきに受光素子アレイの上下に振り分けて形
成されている。そして、各薄膜トランジスタ２０は、受
光素子Ｐ間を副走査方向に沿ってはしる信号線３０によ
り対応するビット毎に薄膜トランジスタＴのソース電極
Ｓ同士を接続している。また、薄膜トランジスタ２０上
には、半導体活性層２３に光が入射しないように、絶縁
層５０及び保護層６０を介して遮光フィルター７１が配
置されている。

【００１５】受光素子Ｐと薄膜トランジスタ２０との間
には、受光素子Ｐ側の容量を大きくするための付加容量
４０が形成されている。付加容量４０は、受光素子Ｐの
上部電極１３に接続するため、薄膜トランジスタ２０の
ドレイン電極Ｄに接続して形成された配線３１の一部に
方形部３１ａを形成し、この方形部３１ａに対応する方
形部３２ａを有する下部配線３２を絶縁層５０を介して
形成することにより構成する。下部配線３２は、各受光
素子アレイ１０に対応する付加容量４０毎に共通となっ
ており、一定電位（例えばグランド電位）に保持されて
いる。

【００１６】受光素子アレイ１０ａ，１０ｃの受光素子
Ｐと、この受光素子Ｐに接続される付加容量４０とは、
前記配線３１により直接接続されている。また、中央に
位置する受光素子アレイ１０ｂの受光素子Ｐと、この受
光素子Ｐに接続される付加容量４０とは、受光素子Ｐの
上部電極１３に接続された配線３３、隣接する受光素子
アレイに対して絶縁層４０を介して下層に位置するクロ
ムから成る接続配線３４、絶縁層４０，５０に形成され
たコンタクト孔４２，４３及びコンタクト孔５１，５２
，５３によりドレイン電極Ｄ側に接続された配線３１に
接続されている。接続配線３３は、受光素子Ｐと、該受
光素子Ｐに対応する付加容量４０とを接続するので、中
央に位置する受光素子アレイ１０ｂの一画素毎に図１の
上下方向に振り分けて形成されている。

【００１７】次に、上記カラー画像読取装置の製造プロ
セスについて説明する。絶縁基板（コーニング７０５９
ガラス）１上にスパッタリング法により約１５０℃の温
度で第１クロム膜を５００〜１０００オングストローム
の膜厚に着膜する。続いて、第１クロム膜をフォトリソ
工程と、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水の混
合液を用いたエッチング工程によりパターニングし、薄
膜トランジスタのゲート電極２１、付加容量４０の下部
配線３２、接続配線３５を形成し、その後フォトリソ工
程で形成したレジストを除去する。

【００１８】アルカリ洗浄を行なった後、絶縁基板の全
面にＰ−ＣＶＤ法により、膜厚３０００オングストロー
ムの第１シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、膜厚５００オン
グストロームの第１水素化アモルファスシリコン膜（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）、膜厚１５００オングストロームの第２シ
リコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を連続して着膜する。前記第
１シリコン窒化膜は、Ｐ−ＣＶＤ法により基板温度が３
００〜４００℃で、ＳｉＨ４　とＮＨ３　のガス圧力が
０．１〜０．５Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４　ガス流量が１０
〜５０ｓｃｃｍで、ＮＨ３　のガス流量が１００〜３０
０ｓｃｃｍで、ＲＦパワ−が５０〜２００Ｗの条件下で
形成する。前記第１水素化アモルファスシリコン層は、
Ｐ−ＣＶＤ法により基板温度が約２００〜３００℃で、
ＳｉＨ４　のガス圧力が０．１〜０．５Ｔｏｒｒで、Ｓ
ｉＨ４　ガス流量が１００〜３００ｓｃｃｍで、ＲＦパ
ワ−が５０〜２００Ｗの条件下で形成する。前記第２シ
リコン窒化膜は、Ｐ−ＣＶＤ法により基板温度が約２０
０〜３００℃で、ＳｉＨ４　とＮＨ３　のガス圧力が０
．１〜０．５Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４　ガス流量が１０〜
５０ｓｃｃｍで、ＮＨ３　のガス流量が１００〜３００
ｓｃｃｍで、ＲＦパワ−が５０〜２００Ｗの条件下で形
成する。

【００１９】次に、ゲ−ト電極２１に対応するような形
状で前記第１シリコン窒化膜のパタ−ンを形成するため
に、シリコン窒化膜の上にレジストを塗布し、そして絶
縁基板１の裏方向からゲ−ト電極２１の形状パタ−ンを
マスクとして用いて裏面露光，現像，ＨＦとＮＨ４　Ｆ
の混合液でエッチングを行なって上部絶縁層２４を形成
し、その後レジスト剥離を行なう。さらにＢＨＦ処理を
行い、その上にオ−ミックコンタクト層２５ａ，２５ｂ
となるｎ＋　型のａ−Ｓｉ：ＨをＳｉＨとＰＨ３　の混
合ガスを用いたＰ−ＣＶＤにより１０００オングストロ
−ム程度の膜厚で約２５０℃程度の温度で着膜する。次
に、受光素子Ｐの下部電極１１及び薄膜トランジスタＴ
のオ−ミックコンタクト層２５ａ，２５ｂを覆うバリヤ
メタル層２６ａ，２６ｂとなる第２クロム膜をＤＣマグ
ネトロンスパッタにより１５００オングストロ−ム程度
の膜厚で着膜する。次に、受光素子Ｐの光電変換層１２
となる第２水素化アモルファスシリコン膜を１３０００
オングストロ−ム程度の膜厚に着膜し、受光素子Ｐの上
部電極１３となる酸化インジウム・スズ膜を６００オン
グストロ−ム程度の膜厚で着膜する。この時、それぞれ
の着膜の前にアルカリ洗浄を行なう。上記第２水素化ア
モルファスシリコン膜は、Ｐ−ＣＶＤ法により基板温度
が１７０〜２５０℃で、ＳｉＨ４　のガス圧力が０．３
〜０．７Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４　ガス流量が１５０〜３
００ｓｃｃｍで、ＲＦパワ−が１００〜２００Ｗの条件
下で形成する。また、酸化インジウム・スズ膜は、ＤＣ
マグネトロンスパッタにより基板温度が室温で、Ａｒと
Ｏ２　のガス圧力が１．５×１０−３Ｔｏｒｒで、Ａｒ
ガス流量が１００〜１５０ｓｃｃｍで、Ｏ２　ガス流量
が１〜２ｓｃｃｍで、ＤＣパワ−が２００〜４００Ｗの
条件下で形成する。

【００２０】この後、酸化インジウム・スズ膜をフォト
リソ工程と、希塩酸を用いたエッチング工程でパタ−ニ
ングして、各受光素子Ｐ毎に分離するよう個別化された
上部電極１３を形成する。続いて、同一のレジストパタ
−ンにより第２水素化アモルファスシリコン膜をＣ２　
ＣｌＦ５　とＳＦ６　とＯ２　の混合ガスを用いたドラ
イエッチングによりパタ−ニングして各受光素子Ｐ毎に
分離するよう個別化された光電変換層１２を形成する。 ここで、下部電極１１の第２クロム膜は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
のドライエッチング時にストッパ−としての役割を果た
し、パタ−ニングされずに残ることになる。このドライ
エッチング時において、光電変換層１２となるａ−Ｓｉ
：Ｈ層には、サイドエッチが大きく入るため、レジスト
を剥離する前に再度ＩＴＯのエッチングを行なう。こう
することにより、ＩＴＯの周辺裏側からさらにエッチン
グされて光電変換層１２と同じサイズの上部電極１３が
形成される。

【００２１】次に、第２クロム膜をフォトリソ法により
露光，現像を行ってレジストパタ−ンを形成し、硝酸セ
リウムアンモニウム、過塩素酸と水の混合液を用いたエ
ッチング工程で、パタ−ニングして受光素子Ｐの下部電
極１１、薄膜トランジスタ２０のバリヤメタル層２６ａ
，２６ｂを形成し、その後レジスト剥離を行なう。次に
ＨＦ４　とＯ２　の混合ガスでドライエッチングを行な
うと、Ｃｒ２とＳｉＮｘ　のない部分がエッチングされ
、つまり、第２水素化アモルファスシリコン膜とｎ＋　
型のａ−Ｓｉ：Ｈ層のパタ−ンが形成される。これによ
り、受光素子Ｐの下部電極１１の下層にｎ＋　型のａ−
Ｓｉ：Ｈ層及びａ−Ｓｉ：Ｈ層、及びａ−Ｓｉ：Ｈ層、
薄膜トランジスタ２０のオ−ミックコンタクト層２５ａ
，２５ｂのｎ■型のａ−Ｓｉ：Ｈ層部分と半導体活性層
２３のａ−Ｓｉ：Ｈ層が残る。またこの工程により、半
導体活性層２３のパタ−ンが形成され、更にオ−ミック
コンタクト層２５も分割されてドレイン電極Ｄ及びソ−
ス電極Ｓのパタ−ンが形成される。続いて、第１シリコ
ン窒化膜をパタ−ニングし、コンタクト孔４２，４３を
形成するとともにゲ−ト絶縁膜２２及び絶縁膜４０が形
成される。

【００２２】そして、受光素子Ｐ及び薄膜トランジスタ
２０全体を覆うようにポリイミド膜５０を１５０００オ
ングストロ−ム程度の厚さで塗布し、１６０℃程度でプ
リベ−クを行ってフォトリソエッチング工程でパタ−ン
形成を行い、再度ベ−キングする。前記パタ−ンニング
により、中央部の受光素子Ｐの上部電極１３と薄膜トラ
ンジスタ２０のドレイン電極Ｄとを接続するためのコン
タクトホ−ル５１，５２，５３を形成する。更に、コン
タクト部分に残ったポリイミド等を完全に除去するため
に、Ｏ２　でプラズマにさらすＤｅｓｃｕｍを行なう。

【００２３】次に、アルミニウム（Ａｌ）をＤＣマグネ
トロンスパッタによりイメ−ジセンサ全体を覆うように
１００００オングストロ−ム程度の厚さで約１５０℃程
度の温度で着膜し、所望のパタ−ンを得るためにフッ酸
、硝酸、リン酸、水の混合液を用いたフォトリソエッチ
ング工程でパタ−ニングしてレジストを除去する。これ
により、各薄膜トランジスタ２０を画素毎にソ−ス電極
Ｓ同士を接続する信号出力線３０、上部電極１３と薄膜
トランジスタ２０とを接続するための配線３１、中央部
に位置する受光素子アレイ１０ｂの上部電極１３と配線
３５とを接続する配線３３をそれぞれ形成する。

【００２４】ポリイミドを３μｍ程度の厚さで塗布し、
１２５℃程度でプリベ−クを行ってフォトリソエッチン
グ工程でパタ−ン形成を行ない、再度２３０℃程度で９
０分間ベ−キングして保護膜６０を形成する。その後、
Ｄｅｓｃｕｍを行い、不要に残ったポリイミドを取り除
く。

【００２５】最後に受光素子アレイ１０ａ，１０ｂ，１
０ｃに対応する位置に、各色（赤，緑，青）の帯状フィ
ルター７０ａ，７０ｂ，７０ｃ及び薄膜トランジスタ２
０上に遮光フィルター７１を形成する。尚、実施例にお
いては、受光素子Ｐとしてショットキ−構造のフォトダ
イオ−ドを用いたが、ｐｉｎ構造としてもよい。また、
受光素子Ｐの光電変換層１２として、ａ−Ｓｉ以外の他
の非晶質材料（例えばａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅ）を使
用してもよい。

【００２６】上記カラー画像読取装置の全体を示す等価
回路は、図４のようになる。３列の受光素子アレイ１０
の各受光素子Ｐは、信号出力線３０により各受光素子ア
レイの各ビットに対応するスイッチング素子２０同士が
接続されることにより、マトリック状の多層配線８３に
対して前記各受光素子アレイ１０がそれぞれ並列になる
ように接続されている。各受光素子アレイ１０の各受光
素子Ｐは、薄膜トランジスタ２０が導通状態となること
によりブロック毎に共通信号線８４を介して駆動ＩＣ８
５に接続される。従って、各受光素子アレイ１０の薄膜
トランジスタ２０を制御することにより、３列の受光素
子アレイ１０ａ，１０ｂ，１０ｃを順次走査し、各色に
色分離された画像信号を時系列的に得ることができる。 各受光素子アレイの走査については従来例で述べたよう
にブロック毎に配線容量ＣＬ　に受光素子Ｐで発生した
電荷を多層配線８３を介して転送した後、出力線８７か
ら時系列的に読み取るものであり、詳細な説明を省略す
る。

【００２７】上記実施例によれば、各色の画像信号を読
み取る受光素子アレイ１０ａ，１０ｂ，１０ｃを近接し
て配置したので、各受光素子アレイ１０で読み取る各原
稿面ラインを近づけることができる。従って、時系列的
に読み取った画像信号から画像を再現する場合、各色情
報の読み取りラインの副走査方向のズレを小さくできる
ので、ラインメモリの容量を小さくすることができる。 また、上記のような画像読取装置の場合、原稿からの反
射光の結像系として通常セルフォックレンズが使用され
るが、受光素子アレイ１０ａ，１０ｂ，１０ｃを近接さ
せることによりアレイ位置による反射光の光量の差を少
なくし、原稿面画像に忠実な画像信号を得ることができ
る。

【００２８】図５は、受光素子アレイ１０を構成する各
受光素子Ｐがミアンダ接続されたカラ−画像読取装置に
ついて、本発明を適用した実施例を示したものである。 すなわち、隣接するブロック間で薄膜トランジスタ２０
に接続された信号線３０同士をミアンダ配線３６により
接続して構成されている。他の構成は図１と同様なので
同一符号を付して説明を省略する。ミアンダ接続につい
て、図６に示すように、受光素子アレイが一列の場合の
配線説明図を参照して説明する。受光素子Ｐに接続され
た薄膜トランジスタＴ１，１〜Ｔ１，ｎ　のソ−ス電極
Ｓ側は、それぞれミアンダ配線３６を介して第２のブロ
ックの薄膜トランジスタＴ２，１　〜Ｔ２，ｎ　にそれ
ぞれ接続される。薄膜トランジスタＴ１，１　〜Ｔ１，
ｎ　と薄膜トランジスタＴ２，１　〜Ｔ２，ｎ　との接
続は、各薄膜トランジスタＴ１，ｎ　に接続された受光
素子同士間の主走査方向の距離の近い順にそれぞれ接続
されている。そして、ミアンダ配線３６は、接続距離が
短い順に受光素子アレイ１０側に近づけて配置されてい
る。すなわち、第１ブロックと第２ブロックの間で具体
的に説明すると、最も短いミアンダ配線３６１　が受光
素子アレイ１０に最も近くに配置され、次にミアンダ配
線３６２　が受光素子アレイ１０に２番目に近く配置さ
れ、このようにして最も長いミアンダ配線３６ｎが一番
外側に配置されることになる。同様にして第２のブロッ
クの薄膜トランジスタＴ２，１　〜Ｔ２，ｎ　と第３の
ブロックの薄膜トランジスタＴ３，１　〜Ｔ３，ｎ　と
は、ミアンダ配線３６を介して接続されている。また、
ミアンダ配線３６群とミアンダ配線３６群とは、受光素
子アレイ１０を中心として反対位置になるように形成さ
れており、以下第Ｋブロックに至るまで交互にミアンダ
配線群が配置され、受光素子アレイ１０の主走査方向に
蛇行するように形成されることにより、各ミアンダ配線
３６が互いに重なり合わないように構成されている。

【００２９】そして、第１ブロックの薄膜トランジスタ
２０のソ−ス電極に接続された共通信号線８４の一端部
を駆動ＩＣ８５に接続し、薄膜トランジスタＴｋ，ｎ　
をオンさせることにより、ブロック毎に受光素子Ｐｋ，
ｎ　から共通信号線８４の配線容量ＣＬ　に電荷が転送
される。転送された電荷は、奇数ブロックから転送され
た場合は受光素子Ｐｋ，１　から受光素子Ｐｋ，ｎ　に
向かって（右側から左側）、偶数ブロックから転送され
た場合は受光素子Ｐｋ，ｎ　から受光素子ｋ，１　に向
かって（左側から右側）、駆動ＩＣ８５でそれぞれ対応
する電荷を時系列的に読み出すようになっている。従っ
て、偶数ブロックの場合は読み取り方向が逆になるので
、外部記憶回路を設けて一旦信号を記憶し、読み出し順
序を逆にする必要がある。上記構成によれば、図８にお
けるマトリックス状の多層配線８３で構成されていた部
分を、蛇行するミアンダ配線３６で構成したので、多層
配線構造による信号線同士の交差をなくし、従来信号線
間に生じていたクロスト−クの発生を防止して画像信号
を正確に抽出することができる。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、各色の画像信号を読み
取る受光素子アレイを近接して配置したので、各受光素
子アレイで読み取る各原稿面ラインを近づけることがで
き、画像信号の再現に際しラインメモリの容量を小さく
することができる。また、受光素子アレイを近接して配
置することにより、セルフォックレンズを使用して原稿
からの反射光を受光素子アレイ上に結像させる場合、ア
レイ位置による反射光の光量の差を少なくすることがで
き、原稿面画像に忠実な画像信号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明の一実施例を示すカラー画像読取装
置の一部平面説明図である。

【図２】　　図１のＡーＡ線断面説明図である。

【図３】　　図１のＢーＢ線断面説明図である。

【図４】　　同上のカラー画像読取装置の等価回路図で
ある。

【図５】　　他の実施例を示すカラー画像読取装置の一
部平面説明図である。

【図６】　　図５のカラー画像読取装置の全体を示す配
線説明図である。

【図７】　　従来のカラー画像読取装置の一部平面説明
図である。

【図８】　　ＴＦＴ駆動型イメージセンサの等価回路図
である。

【符号の説明】

１…絶縁基板、　　１０…受光素子アレイ、　　１１…
下部電極、　　１２…光電変換層、　　１３…上部電極
、　　２０…薄膜トランジスタ、　　３０…信号出力線
、３５…接続信号線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数の受光素子を１ブロックとして複
   数ブロックを主走査方向にライン状に配列した受光素子
   アレイを副走査方向に複数列並列に設けた受光素子アレ
   イ列と、前記各受光素子にそれぞれ接続し、前記各受光
   素子で発生した電荷をブロック毎に転送する複数のスイ
   ッチング素子と、各受光素子アレイの各ビットに対応す
   るスイッチング素子同士を接続して成る信号出力線とを
   具備するカラー画像読取り装置において、前記各受光素
   子アレイを互に近接して配置し、前記各スイッチング素
   子を受光素子アレイ列外側の両側に配置するとともに、
   中央側に位置する受光素子アレイの各受光素子と、該受
   光素子に対応するスイッチング素子とを接続する配線を
   、受光素子とスイッチング素子との間に位置する受光素
   子アレイの下層に位置させたことを特徴とするカラー画
   像読取装置。