JPH04372157A - 多層配線構造の形成方法 - Google Patents
多層配線構造の形成方法Info
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- JPH04372157A JPH04372157A JP15016191A JP15016191A JPH04372157A JP H04372157 A JPH04372157 A JP H04372157A JP 15016191 A JP15016191 A JP 15016191A JP 15016191 A JP15016191 A JP 15016191A JP H04372157 A JPH04372157 A JP H04372157A
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- Japan
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- layer
- wiring
- metal layer
- forming
- silicon
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、多層配線構造の形成
方法に関し、さらに詳しくは、半導体装置における金属
配線を用いた多層配線構造の形成方法の改良に係るもの
である。
方法に関し、さらに詳しくは、半導体装置における金属
配線を用いた多層配線構造の形成方法の改良に係るもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置における金属配線，
通常では、アルミニウムを主成分とする金属配線を用い
た多層配線構造の製造に伴い、こゝで発生する問題の１
つとして、下層側の金属配線層上への層間絶縁膜を介し
た上層側の金属配線層の形成に際し、下地としての層間
絶縁膜に対して開孔されるスルーホールコンタクトの形
成がある。
通常では、アルミニウムを主成分とする金属配線を用い
た多層配線構造の製造に伴い、こゝで発生する問題の１
つとして、下層側の金属配線層上への層間絶縁膜を介し
た上層側の金属配線層の形成に際し、下地としての層間
絶縁膜に対して開孔されるスルーホールコンタクトの形
成がある。
【０００３】これを一層，詳細に述べると、このスルー
ホールコンタクトは、従来から、よく知られているよう
に、リソグラフィー法で形成されるレジストパターンを
マスクにしたエッチングにより、該当層間絶縁膜の所定
位置に対して選択的に開孔させるものであるが、上層側
での当該レジストパターンの形成時，特に、所定のマス
クパターンを通したレジストの露光時，すなわちこれを
換言すると、レジストにおけるスルーホールコンタクト
部の露光時にあっては、通常の場合，金属配線の光反射
率が極めて高いことから、上層側におけるレジスト露光
のための照射光が、既に形成されている下層側の金属配
線によって反射され、しかも、この反射光の反射強さが
大きいために、必ずしも方向性が一定しない反射光によ
る再露光がなされて了い、この結果，当該スルーホール
コンタクト部での対応する露光部形状が、予めマスクパ
ターンに設定されている該当形状に対して変形されるこ
とになるという点であり、これは、コンタクト径が、例
えば、約 １．２μｍ 平方以下になるに従い、より顕
著になる傾向を有している。
ホールコンタクトは、従来から、よく知られているよう
に、リソグラフィー法で形成されるレジストパターンを
マスクにしたエッチングにより、該当層間絶縁膜の所定
位置に対して選択的に開孔させるものであるが、上層側
での当該レジストパターンの形成時，特に、所定のマス
クパターンを通したレジストの露光時，すなわちこれを
換言すると、レジストにおけるスルーホールコンタクト
部の露光時にあっては、通常の場合，金属配線の光反射
率が極めて高いことから、上層側におけるレジスト露光
のための照射光が、既に形成されている下層側の金属配
線によって反射され、しかも、この反射光の反射強さが
大きいために、必ずしも方向性が一定しない反射光によ
る再露光がなされて了い、この結果，当該スルーホール
コンタクト部での対応する露光部形状が、予めマスクパ
ターンに設定されている該当形状に対して変形されるこ
とになるという点であり、これは、コンタクト径が、例
えば、約 １．２μｍ 平方以下になるに従い、より顕
著になる傾向を有している。
【０００４】従って、従来の多層配線構造においては、
上記対策のために次のような手段を講じている。
上記対策のために次のような手段を講じている。
【０００５】こゝで、図２は従来方法によって形成され
たこの種の半導体装置における多層配線構造，この場合
は、一例として２層配線構造の概要構成を模式的に示す
断面図である。
たこの種の半導体装置における多層配線構造，この場合
は、一例として２層配線構造の概要構成を模式的に示す
断面図である。
【０００６】この図２に示す従来の２層配線構造におい
て、符号１はシリコン基板、２は当該シリコン基板１上
に形成され、所要部に第１層コンタクトホール２ａを選
択開孔させた第１層層間絶縁膜であり、３は当該第１層
コンタクトホール２ａを含む第１層層間絶縁膜２上に積
層形成された第１層目の配線層を示し、この第１層目の
配線層３は、下部，および上部側の薄いシリサイドバリ
アメタル層４と、各シリサイドバリアメタル層４に挟ま
れた中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もしくはＡｌＳｉＣｕな
どのアルミ化合物による厚い金属層５とからなっている
。
て、符号１はシリコン基板、２は当該シリコン基板１上
に形成され、所要部に第１層コンタクトホール２ａを選
択開孔させた第１層層間絶縁膜であり、３は当該第１層
コンタクトホール２ａを含む第１層層間絶縁膜２上に積
層形成された第１層目の配線層を示し、この第１層目の
配線層３は、下部，および上部側の薄いシリサイドバリ
アメタル層４と、各シリサイドバリアメタル層４に挟ま
れた中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もしくはＡｌＳｉＣｕな
どのアルミ化合物による厚い金属層５とからなっている
。
【０００７】また、６は前記第１層目の配線層３を含む
第１層層間絶縁膜２上に形成され、所要部に当該第１層
目の配線層３に連通する第２層コンタクトホール６ａを
選択開孔させた第２層層間絶縁膜であり、７は当該第２
層コンタクトホール６ａを含む第１層層間絶縁膜６上に
積層形成された第２層目の配線層を示し、この第１層目
の配線層７についても、同様に、下部，および上部側の
薄いシリサイドバリアメタル層８と、各シリサイドバリ
アメタル層８に挟まれた中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もし
くはＡｌＳｉＣｕなどのアルミ化合物による厚い金属層
９とからなっている。
第１層層間絶縁膜２上に形成され、所要部に当該第１層
目の配線層３に連通する第２層コンタクトホール６ａを
選択開孔させた第２層層間絶縁膜であり、７は当該第２
層コンタクトホール６ａを含む第１層層間絶縁膜６上に
積層形成された第２層目の配線層を示し、この第１層目
の配線層７についても、同様に、下部，および上部側の
薄いシリサイドバリアメタル層８と、各シリサイドバリ
アメタル層８に挟まれた中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もし
くはＡｌＳｉＣｕなどのアルミ化合物による厚い金属層
９とからなっている。
【０００８】すなわち、従来の多層配線構造の場合には
、第１層目の配線層３，つまり、少なくとも下層側の配
線層３にあって、同層を構成する主体部としての光反射
率の高いアルミ化合物による厚い金属層５上に、光反射
率の低いシリサイドバリアメタル層４を積層させて、露
光時における反射光の反射強さを下げることにより、前
記したレジストに対するスルーホールコンタクト部での
露光部形状の変形を防止するのである。
、第１層目の配線層３，つまり、少なくとも下層側の配
線層３にあって、同層を構成する主体部としての光反射
率の高いアルミ化合物による厚い金属層５上に、光反射
率の低いシリサイドバリアメタル層４を積層させて、露
光時における反射光の反射強さを下げることにより、前
記したレジストに対するスルーホールコンタクト部での
露光部形状の変形を防止するのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の多層配線構造のように、金属配線，特に、主体部に
アルミ化合物を用いた金属配線に対してシリサイド層を
積層させた構成では、当該金属配線におけるエレクトロ
マイグレーションが発生し易くなり、この結果，エレク
トロマイグレーション耐性が劣化して装置の信頼性，な
らびに特性が損なわれるという問題点があった。
来の多層配線構造のように、金属配線，特に、主体部に
アルミ化合物を用いた金属配線に対してシリサイド層を
積層させた構成では、当該金属配線におけるエレクトロ
マイグレーションが発生し易くなり、この結果，エレク
トロマイグレーション耐性が劣化して装置の信頼性，な
らびに特性が損なわれるという問題点があった。
【００１０】従って、この発明の目的とするところは、
上記問題点を解消して、スルーホールコンタクト部での
レジスト形状をマスクパターン通り忠実に再現性よく、
しかも、エレクトロマイグレーション耐性を劣化させず
に形成し得るようにした，この種の多層配線構造の形成
方法を提供することである。
上記問題点を解消して、スルーホールコンタクト部での
レジスト形状をマスクパターン通り忠実に再現性よく、
しかも、エレクトロマイグレーション耐性を劣化させず
に形成し得るようにした，この種の多層配線構造の形成
方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係る多層配線構造の形成方法は、半導体
装置における金属配線を用いた多層配線構造の形成方法
であって、下層側のコンタクトホールを含む層間絶縁膜
上に、下部のバリアメタル層，中間部の主体配線として
のシリコン濃度を調整したアルミ化合物による金属層，
および上部のシリコンを主成分とする光反射率の低い反
射防止膜を積層させた下層側配線層を形成する工程と、
前記下層側配線層に対して形成される上層側のコンタク
トホールを含む層間絶縁膜上に、前記と同様に、下部の
バリアメタル層，中間部の主体配線としてのシリコン濃
度を調整したアルミ化合物による金属層，および上部の
シリコンを主成分とする光反射率の低い反射防止膜を積
層させるか、少なくとも下部のバリアメタル層，および
上部の主体配線としてのアルミ化合物による金属層を積
層させた上層側配線層を形成する工程とを含み、各配線
層形成後の熱処理により、前記反射防止膜のシリコンを
金属層内に拡散させて、当該金属層のシリコン濃度を最
適値に保持させることを特徴とするものである。
に、この発明に係る多層配線構造の形成方法は、半導体
装置における金属配線を用いた多層配線構造の形成方法
であって、下層側のコンタクトホールを含む層間絶縁膜
上に、下部のバリアメタル層，中間部の主体配線として
のシリコン濃度を調整したアルミ化合物による金属層，
および上部のシリコンを主成分とする光反射率の低い反
射防止膜を積層させた下層側配線層を形成する工程と、
前記下層側配線層に対して形成される上層側のコンタク
トホールを含む層間絶縁膜上に、前記と同様に、下部の
バリアメタル層，中間部の主体配線としてのシリコン濃
度を調整したアルミ化合物による金属層，および上部の
シリコンを主成分とする光反射率の低い反射防止膜を積
層させるか、少なくとも下部のバリアメタル層，および
上部の主体配線としてのアルミ化合物による金属層を積
層させた上層側配線層を形成する工程とを含み、各配線
層形成後の熱処理により、前記反射防止膜のシリコンを
金属層内に拡散させて、当該金属層のシリコン濃度を最
適値に保持させることを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】従って、この発明に係る多層配線構造の形成方
法においては、下層側配線層に主体配線としてのシリコ
ン濃度を調整したアルミ化合物による金属層と、当該金
属層の上部にシリコンを主成分とする光反射率の低い反
射防止膜とを積層させたので、上層側層間絶縁膜におけ
るコンタクトホールの開孔のためのマスクパターンを通
したレジストに対する露光を適切に行ない得て、当該マ
スクパターンに設定された通りコンタクトホールを開孔
でき、また、配線層形成後の熱処理によって、反射防止
膜のシリコンを金属層内に拡散させるようにしたから、
エレクトロマイグレーション耐性を劣化させる惧れがな
い。
法においては、下層側配線層に主体配線としてのシリコ
ン濃度を調整したアルミ化合物による金属層と、当該金
属層の上部にシリコンを主成分とする光反射率の低い反
射防止膜とを積層させたので、上層側層間絶縁膜におけ
るコンタクトホールの開孔のためのマスクパターンを通
したレジストに対する露光を適切に行ない得て、当該マ
スクパターンに設定された通りコンタクトホールを開孔
でき、また、配線層形成後の熱処理によって、反射防止
膜のシリコンを金属層内に拡散させるようにしたから、
エレクトロマイグレーション耐性を劣化させる惧れがな
い。
【００１３】
【実施例】以下，この発明に係る多層配線の形成方法の
実施例につき、図１を参照して詳細に説明する。
実施例につき、図１を参照して詳細に説明する。
【００１４】図１（ａ） ないし（ｃ） はこの発明の
一実施例を適用した半導体装置における多層配線，こゝ
では、一例として２層配線の形成方法の主要な工程を順
次模式的に示すそれぞれに断面図である。
一実施例を適用した半導体装置における多層配線，こゝ
では、一例として２層配線の形成方法の主要な工程を順
次模式的に示すそれぞれに断面図である。
【００１５】すなわち、この実施例方法においては、図
１（ａ） に示されている如く、まず、シリコン基板１
１上に、第１層層間絶縁膜１２を堆積させた上で、周知
のようにリソグラフィー法により、マスクパターンを通
した露光，ならびに現像などでレジストパターン（図示
省略）を形成させ、かつこのレジストパターンをマスク
にしたエッチングにより、当該第１層層間絶縁膜１２の
所定位置に第１層コンタクトホール１２ａを選択的に開
孔させ、ついで、当該第１層コンタクトホール１２ａを
含む第１層層間絶縁膜１２上にあって、下部側の薄いバ
リアメタル層１４，中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もしくは
ＡｌＳｉＣｕなどのシリコン濃度を調整したアルミ化合
物による厚い金属層１５，および上部側のＳｉを主成分
とする光反射率が低くて薄い反射防止膜１６からなる第
１層目の配線層１３を形成する。
１（ａ） に示されている如く、まず、シリコン基板１
１上に、第１層層間絶縁膜１２を堆積させた上で、周知
のようにリソグラフィー法により、マスクパターンを通
した露光，ならびに現像などでレジストパターン（図示
省略）を形成させ、かつこのレジストパターンをマスク
にしたエッチングにより、当該第１層層間絶縁膜１２の
所定位置に第１層コンタクトホール１２ａを選択的に開
孔させ、ついで、当該第１層コンタクトホール１２ａを
含む第１層層間絶縁膜１２上にあって、下部側の薄いバ
リアメタル層１４，中間部のＡｌ，ＡｌＳｉ，もしくは
ＡｌＳｉＣｕなどのシリコン濃度を調整したアルミ化合
物による厚い金属層１５，および上部側のＳｉを主成分
とする光反射率が低くて薄い反射防止膜１６からなる第
１層目の配線層１３を形成する。
【００１６】次に、図１（ｂ） に示されているように
、前記第１層目の配線層１３を含む第１層層間絶縁膜１
２上に、第２層層間絶縁膜１７を堆積させた上で、再度
，前記と同様に、リソグラフィー法により、マスクパタ
ーンを通した露光，ならびに現像などでレジストパター
ン３１を形成させるが、こゝでのマスクパターンを通し
た照射光は、当該第１層目の配線層１３の上部側，つま
り、第２層層間絶縁膜１７を通して、直接，照射光を受
ける表面側が光反射率の低い反射防止膜１６にされてい
るために、当該反射防止膜１６からの光反射が再露光に
役立たない程度まで弱められることになり、これによっ
て、マスクパターンに設定された通りのレジストパター
ンが形成される。
、前記第１層目の配線層１３を含む第１層層間絶縁膜１
２上に、第２層層間絶縁膜１７を堆積させた上で、再度
，前記と同様に、リソグラフィー法により、マスクパタ
ーンを通した露光，ならびに現像などでレジストパター
ン３１を形成させるが、こゝでのマスクパターンを通し
た照射光は、当該第１層目の配線層１３の上部側，つま
り、第２層層間絶縁膜１７を通して、直接，照射光を受
ける表面側が光反射率の低い反射防止膜１６にされてい
るために、当該反射防止膜１６からの光反射が再露光に
役立たない程度まで弱められることになり、これによっ
て、マスクパターンに設定された通りのレジストパター
ンが形成される。
【００１７】続いて、図１（ｃ） に示したように、前
記レジストパターンをマスクにしたエッチングにより、
前記第２層層間絶縁膜１７の所定位置に対して第２層コ
ンタクトホール１７ａを選択的に開孔させるが、前記し
たように、このときのレジストパターンが光反射の所定
形状に成形されているために、開孔される第２層コンタ
クトホール１７ａについても前記マスクパターン通りに
形成されることになり、その後、こゝでの第２層コンタ
クトホール１７ａを含む第２層層間絶縁膜１７上にあっ
て、前記下層側での第１層目の配線層１３と同様に、下
部側の薄いバリアメタル層１９，中間部のＡｌ，ＡｌＳ
ｉ，もしくはＡｌＳｉＣｕなどのシリコン濃度を調整し
たアルミ化合物による厚い金属層２０，および上部側の
Ｓｉを主成分とする光反射率が低くて薄い反射防止膜２
１からなる第２層目の配線層１８を形成する。
記レジストパターンをマスクにしたエッチングにより、
前記第２層層間絶縁膜１７の所定位置に対して第２層コ
ンタクトホール１７ａを選択的に開孔させるが、前記し
たように、このときのレジストパターンが光反射の所定
形状に成形されているために、開孔される第２層コンタ
クトホール１７ａについても前記マスクパターン通りに
形成されることになり、その後、こゝでの第２層コンタ
クトホール１７ａを含む第２層層間絶縁膜１７上にあっ
て、前記下層側での第１層目の配線層１３と同様に、下
部側の薄いバリアメタル層１９，中間部のＡｌ，ＡｌＳ
ｉ，もしくはＡｌＳｉＣｕなどのシリコン濃度を調整し
たアルミ化合物による厚い金属層２０，および上部側の
Ｓｉを主成分とする光反射率が低くて薄い反射防止膜２
１からなる第２層目の配線層１８を形成する。
【００１８】さらに、このようにして第１層目，および
第２層目の各配線層１３，１８の形成後、引き続いてな
される工程時での熱処理によって、これらの各配線層１
３，１８のそれぞれの各反射防止膜１６，２１のシリコ
ンが、共に対応する各金属層１５，２０内に拡散される
ことになり、こゝでは、当該各金属層１５，２０のシリ
コン濃度が所要通りの最適値に保持されるもので、この
ようにして所期通りの多層配線構造を得るのである。
第２層目の各配線層１３，１８の形成後、引き続いてな
される工程時での熱処理によって、これらの各配線層１
３，１８のそれぞれの各反射防止膜１６，２１のシリコ
ンが、共に対応する各金属層１５，２０内に拡散される
ことになり、こゝでは、当該各金属層１５，２０のシリ
コン濃度が所要通りの最適値に保持されるもので、この
ようにして所期通りの多層配線構造を得るのである。
【００１９】しかして、通常，金属配線中のＳｉ濃度は
、耐マイグレーション性の強弱に影響を与えることが知
られており、Ａｌの場合には、Ｓｉ濃度の高い方が弱く
なる。 そこで、前記実施例方法において、各金属層１５，２０
としてＡｌＳｉＣｕを用いる場合には、そのＳｉ濃度を
１％程度にすることが他の信頼性をも考慮するとき、最
適値となるので、こゝでは、当該各金属層１５，２０の
Ｓｉ濃度を調整し、予め、Ｓｉを含有させないか、ある
いは減少させておき、各反射防止膜１６，２１からのＳ
ｉの拡散終了後、当該各金属層１５，２０でのＳｉ濃度
が最適値となるようにするのである。
、耐マイグレーション性の強弱に影響を与えることが知
られており、Ａｌの場合には、Ｓｉ濃度の高い方が弱く
なる。 そこで、前記実施例方法において、各金属層１５，２０
としてＡｌＳｉＣｕを用いる場合には、そのＳｉ濃度を
１％程度にすることが他の信頼性をも考慮するとき、最
適値となるので、こゝでは、当該各金属層１５，２０の
Ｓｉ濃度を調整し、予め、Ｓｉを含有させないか、ある
いは減少させておき、各反射防止膜１６，２１からのＳ
ｉの拡散終了後、当該各金属層１５，２０でのＳｉ濃度
が最適値となるようにするのである。
【００２０】なお、前記実施例方法においては、第２層
目，つまり、上層側の配線層に対しても、下層側の配線
層と同様に、その上部側（表面側）に反射防止膜を形成
させているが、これが最上層の配線層であれば、それ以
後の該当配線層の形成の必要がないから、これを省略し
ても差し支えはない。
目，つまり、上層側の配線層に対しても、下層側の配線
層と同様に、その上部側（表面側）に反射防止膜を形成
させているが、これが最上層の配線層であれば、それ以
後の該当配線層の形成の必要がないから、これを省略し
ても差し支えはない。
【００２１】
【発明の効果】以上、実施例において詳述したように、
この発明に係る多層配線構造の形成方法によれば、下層
側配線層に主体配線としてのシリコン濃度を調整したア
ルミ化合物による金属層と、当該金属層の上部にシリコ
ンを主成分とする光反射率の低い反射防止膜とを積層さ
せたので、この反射防止膜の存在により、上層側層間絶
縁膜におけるコンタクトホールの開孔のためのマスクパ
ターンを通したレジストに対する露光が、反射光の影響
を受けることなく適切に行なわれて、当該マスクパター
ンに設定された通りコンタクトホールを開孔形成できる
と共に、配線層形成後の熱処理によって、反射防止膜の
シリコンを金属層内に拡散させ、当該金属層のシリコン
濃度を最適値に保持させるようにしたから、配線層にお
けるエレクトロマイグレーション耐性に劣化を生ずるこ
ともないなどの優れた特長を有するものである。
この発明に係る多層配線構造の形成方法によれば、下層
側配線層に主体配線としてのシリコン濃度を調整したア
ルミ化合物による金属層と、当該金属層の上部にシリコ
ンを主成分とする光反射率の低い反射防止膜とを積層さ
せたので、この反射防止膜の存在により、上層側層間絶
縁膜におけるコンタクトホールの開孔のためのマスクパ
ターンを通したレジストに対する露光が、反射光の影響
を受けることなく適切に行なわれて、当該マスクパター
ンに設定された通りコンタクトホールを開孔形成できる
と共に、配線層形成後の熱処理によって、反射防止膜の
シリコンを金属層内に拡散させ、当該金属層のシリコン
濃度を最適値に保持させるようにしたから、配線層にお
けるエレクトロマイグレーション耐性に劣化を生ずるこ
ともないなどの優れた特長を有するものである。
【図１】この発明の多層配線構造の形成方法の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来方法によって形成された半導体装置におけ
る２層配線構造の概要構成を模式的に示す断面図である
。
る２層配線構造の概要構成を模式的に示す断面図である
。
１１ シリコン基板
１２ 第１層層間絶縁膜
１２ａ 第１層コンタクトホール
１３ 第１層目の配線層
１４ バリアメタル層
１５ 金属層
１６ 反射防止膜
１７ 第２層層間絶縁膜
１７ａ 第２層コンタクトホール
１８ 第２層目の配線層
１９ バリアメタル層
２０ 金属層
２１ 反射防止膜
３１ レジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置における金属配線を用いた
多層配線構造の形成方法であって、下層側のコンタクト
ホールを含む層間絶縁膜上に、下部のバリアメタル層，
中間部の主体配線としてのシリコン濃度を調整したアル
ミ化合物による金属層，および上部のシリコンを主成分
とする光反射率の低い反射防止膜を積層させた下層側配
線層を形成する工程と、前記下層側配線層に対して形成
される上層側のコンタクトホールを含む層間絶縁膜上に
、前記と同様に、下部のバリアメタル層，中間部の主体
配線としてのシリコン濃度を調整したアルミ化合物によ
る金属層，および上部のシリコンを主成分とする光反射
率の低い反射防止膜を積層させるか、少なくとも下部の
バリアメタル層，および上部の主体配線としてのアルミ
化合物による金属層を積層させた上層側配線層を形成す
る工程とを含み、各配線層形成後の熱処理により、前記
反射防止膜のシリコンを金属層内に拡散させて、当該金
属層のシリコン濃度を最適値に保持させることを特徴と
する多層配線構造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15016191A JPH04372157A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 多層配線構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15016191A JPH04372157A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 多層配線構造の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372157A true JPH04372157A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15490841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15016191A Pending JPH04372157A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 多層配線構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6458697B2 (en) | 2000-04-13 | 2002-10-01 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168626A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH02250321A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP15016191A patent/JPH04372157A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168626A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH02250321A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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