JPH0438522Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 チツプ部品とキヤリアの境界線部に、電極端末
とパターン端末とを対向して備えた凹部を設け、
凹部に導体材料を充填して電極とパターンとを接
続することにより、キヤリア内の特性インピーダ
ンスと、外部線路の特性インピーダンスとの整合
を容易にとれるようにする。

〔産業上の利用分野〕

本考案は、IC，LSI，混成集積回路等のチツプ
部品の実装構造の改良に関する。

IC，LSI，混成集積回路等のチツプ部品を、上
面、側壁、及び底面に導体膜よりなるパターンを
設けたセラミツクよりなるキヤリアに実装したリ
ードレス型の電子部品は、基板の表面に形成した
基板パターンに直接半田付接続することができ、
且つ基板に高密度に搭載することができるので、
電子装置に広く使用されている。

〔従来の技術〕

第２図及び第３図を参照しながら、従来のチツ
プ部品の実装構造を説明する。

第２図は従来例の斜視図、第３図は従来例の側
断面図であつて、チツプ部品１は、チツプ基板２
の上面に所望の回路素子が形成されており、周縁
部の上面にキヤリア５のパターン７に接続する電
極３を放射状に設けてある。

また、チツプ部品１を実装するキヤリア５は、
セラミツク、例えばアルミナよりなる小さい角板
形で、中央部に段付角形のキヤビテイ６を設けて
ある。キヤリア５の底面に平行するキヤビテイ６
の段端面には、キヤビテイ６のそれぞれの辺に直
交して放射状に、キヤリア５の側壁に形成した側
面パターン８に連結する金属導体膜よりなるパタ
ーン７が形成されている。また、キヤリア５の底
面の周縁には、それぞれの側面パターン８に連結
した、金属導体膜よりなる角片形のパツド９を形
成してある。

上述のように構成されたキヤリア５のキヤビテ
イ６の底面に、チツプ部品１を供晶合金手段、或
いは半田接続手段等により搭載固着し、その後、
直径が例えば25μm程度の金線等の接続線１５を
ワイヤボンデングして、対応するそれぞれの電極
３とパターン７とを接続している。

そして、キヤリア５の開放された上端面に、セ
ラミツク板、或いは金属板よりなるカバー１９を
接着し、チツプ部品１を封止している。

一方、基板１０の表面に、電極３の数量に等し
い数量の基板パターン１１を形成し、それぞれの
基板パターン１１の端部には、キヤリア５のパツ
ド９に対応して基板パツドを配設してある。

上述のようにキヤリア５にチツプ部品１を実装
した電子部品を、基板１０に半田付け搭載するに
は、基板パツドの上面に半田ペーストを、例えば
スクリーン印刷し、基板パツドにキヤリア５のパ
ツド９を位置合わせして、電子部品を基板１０に
仮設置し、基板１０を例えば赤外線加熱炉等に入
れて加熱する。

加熱すると半田ペーストがリフローして、パツ
ド９に密着すると同時に、溶融状態の半田が側面
パターン８沿つて立ち上がり側面パターン８にも
密着する。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかしながら上記従来例のように、電極３とパ
ターン７とを接続線１５を介して接続した実装手
段は、キヤリア５内の配線パターンの特性インピ
ーダンスと基板１０上の外部線路との特性インピ
ーダンスとを等しく設計しても、接続線１５の長
さの不揃い、配線形状の不揃い等に起因して、接
続線１５部分のインピーダンスが大きくなる。

したがつて、キヤリア５の内外の特性インピー
ダンスが異なる値となり、チツプ部品１の所望の
特性を外部に引き出すことができないという問題
点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記従来の問題点を解決するため本考案は、電
極端末３Ａを備えた側面開口凹部２０Ａをチツプ
基板２の周縁に設け、一方、キヤリア５の上面の
パターン７に連結したパターン端末７Ａを備えた
側面開口凹部２０Ｂを、側面開口凹部２０Ａに対
向して、キヤビテイ６の内壁に設けて、チツプ部
品１とキヤリア５との境界線部に凹部２０を構成
させてある。

そして、それぞれの凹部２０に導体粒２５Ａを
充填し、この導体粒２５Ａを溶融させて、充填導
体２５により、電極３とパターン７とを接続した
ものである。

〔作用〕

上記本考案によれば、チツプ基板２の外形寸法
をキヤビテイ６の内形寸法よりもわずかに小さく
して、チツプ部品１とキヤリア５との間隙を狭く
することは容易であるので、凹部２０に充填した
充填導体２５のインピーダンスは無視し得るほど
小さい。よつて、予め電極３を含めたキヤリア５
の配線パターンの特性インピーダンスを、外部線
路の特性インピーダンスに等しく設計することに
より、設計値に等しい特性インピーダンスが得ら
れる。

よつて、キヤリア５の特性インピーダンスと外
部線路の特性インピーダンスとの整合がとれ、チ
ツプ部品１の所望の特性を外部に引き出すことが
できる。

〔実施例〕

以下図を参照しながら、本考案を具体的に説明
する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物
を示す。

第１図のａ，ｂ，ｃは本考案の一実施例の断面
図である。

本考案は、下記の如くにして製造されたもので
ある。

第１図ａのように、チツプ基板２の周縁に、外
側が開口した側面開口凹部２０Ａを並列して設け
てある。そして、チツプ基板２の周縁部の上面に
放射状に設けた電極３を、それぞれの側面開口凹
部２０Ａ内に延伸し、側面開口凹部２０Ａの底面
に電極端末３Ａを設けてある。

チツプ部品１を実装するキヤリア５は、セラミ
ツク、例えばアルミナよりなり、中央部にキヤビ
テイ６を設けてある。キヤビテイ６の内形寸法
は、チツプ部品１が実装された状態で、チツプ基
板２の側面とキヤビテイ６の内壁との間隙が、例
えば30μm程度となるような寸法である。

キヤビテイ６の内壁には、それぞれの側面開口
凹部２０Ａに対向して、内側が開口した側面開口
凹部２０Ｂを設け、キヤビテイ６のそれぞれの辺
に直交した放射状のパターン７を、それぞれの側
面開口凹部２０Ｂ内に延伸し、側面開口凹部２０
Ｂの底面にパターン端末７Ａを設けてある。

したがつて、チツプ部品１をキヤビテイ６内に
実装すると、チツプ部品１とキヤリア５との境界
線部に所望数の上方が開口した凹部２０が構成さ
れ並設される。なお、この凹部２０の深さは数十
μm乃至数百μmであり、底面積は例えば100μm²で
ある。

また、第１図ｂ，ｃに示すように、それぞれの
パターン７は、キヤリア５の側壁に形成した側面
パターン８に連結し、側面パターン８の下縁は、
キヤリア５の底面の周縁に並設したパツド９に連
結している。

上述のように、側面開口凹部２０Ａと側面開口
凹部２０Ｂとで構成された凹部２０に、第１図ｂ
に示すように、例えば金・ゲルマニユム合金（融
点は380℃）よりなる導体粒２５Ａを充填する。

そして、キヤリア５の上方より、例えばYAG
レーザーを導体粒２５Ａに照射する。

このことにより、ほぼ0.1秒の照射時間で、導
体粒２５Ａが溶融して、第１図ｃの如くに、凹部
２０内に充填導体２５が充填され、電極端末３Ａ
とパターン端末７Ａとが接続される。

なお、導体粒２５Ａが溶融しても、チツプ基板
２とキヤビテイ６との間隙が小さく、且つ凹部２
０は上方が開口しているだけであるので、隣接し
たパターン７、電極３に短絡する恐れがない。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案は、キヤリアとチツ
プ部品との境界線部に設けた凹部に、電極とパタ
ーンとを延伸して形成し、凹部に溶融充填させた
充填導体で、電極とパターンとを接続するように
構成されたもので、キヤリア内の特性インピーダ
ンスを所定値にすることが容易で、外部線路との
整合度が高く、チツプ部品の特性を満足できる高
特性で、外部に引き出すことができるという優れ
た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図のａ，ｂ，ｃは本考案の実施例の断面
図、第２図は従来例の斜視図、第３図は従来例の
側断面図である。 図において、１はチツプ部品、２はチツプ基
板、３は電極、３Ａは電極端末、５はキヤリア、
６はキヤビテイ、７はパターン、８は側面パター
ン、９はパツド、１０は基板、２０は凹部、２０
Ａ，２０Ｂは側面開口凹部、２５は充填導体、２
５Ａは導体粒を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 キヤリア５に形成したキヤビテイ６にチツプ部
   品１を収容し、該キヤリア５及びチツプ部品１上
   のパターン３，７を結合してなるチツプ部品の実
   装構造において、 該キヤリア５及び該チツプ部品１のそれぞれの
   パターンに対応した側壁部に、凹部２０を設け、 該凹部２０に導体材料を充填したことを特徴と
   するチツプ部品の実装構造。