JPH043991A - 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 - Google Patents

厚膜集積回路の配線導体の形成方法

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JPH043991A
JPH043991A JP10505390A JP10505390A JPH043991A JP H043991 A JPH043991 A JP H043991A JP 10505390 A JP10505390 A JP 10505390A JP 10505390 A JP10505390 A JP 10505390A JP H043991 A JPH043991 A JP H043991A
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JP
Japan
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conductor
paste
layer
conductor layer
wiring conductor
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Pending
Application number
JP10505390A
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English (en)
Inventor
Hiroko Nakai
裕子 中井
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Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、厚膜集積回路の配線パターンの複合導体化
に用いられる、厚膜集積回路の配線導体の形成方法に関
する。
〔従来の技術〕
従来、厚膜集積回路では、基板の表面に下層導体を成す
導体ペーストとしてAgペーストやAg・Pdペースト
を用いて、回路パターンを印刷によって形成し、その上
に上層導体として銅メッキ処理を施し、上層導体の下地
となる下層導体とその表面上の上層導体との複合化によ
り配線導体の低インピーダンス化が図られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、このような配線導体の複合化処理は、複合導
体によって低インピーダンス化を図ることに他ならない
が、上層導体の下地即ち、下層導体は上層導体を設置す
るための基板に対する接着手段としての機能を持つもの
である。即ち、基板上に銅メッキを直接行うことができ
れば、下層導体は不要になるといっても過言ではないし
、上層導体が銅である場合、配線導体の低インピーダン
ス化は上層導体で確保されることになる。
そこで、この発明は、下層導体の膜厚を薄く形成して上
層導体を形成し、低インピーダンス化を図ることができ
る厚膜集積回路の配線導体の形成方法の提供を目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
即ち、この発明の厚膜集積回路の配線導体の形成力法は
、基板(2)の表面に回路パターンを有機金属化合物を
含む導体ペースト(レジネートペースト4)で形成し、
この導体ペーストを焼成して第1の導体層(40)を形
成した後、この第1の導体層の上に無電解メッキ処理に
よって第2の導体層(6)を形成することを特徴とする
〔作  用〕
第2の導体層を無電解メッキ処理で形成する場合、下層
導体である第1の導体層は、第2の導体層のメッキ処理
に際し、触媒的作用を果たすことになる。したがって、
第1の導体層は膜厚を厚くする必要はなく、第2の導体
層が設置できる条件を備えればよい。
そこで、第1の導体層に有機金属化合物を含む導体ペー
ストを用いれば、その焼成後、従来の導体ペーストに比
較して金属密度が高くなるとともに膜厚を薄く形成でき
、メッキを形成する際に触媒としての働きが高くなり、
メッキ層の析出がし易くなる。したがって、有機金属化
合物を含む導体ペーストで形成された第1の導体層の上
に第2の導体層を無電解メッキ処理によって形成すれば
、第1及び第2の導体層から成る複合導体が容易に形成
され、従来のような貴金属から成る導体ペーストの使用
量が削減できるとともに、配線導体の低インピーダンス
化が実現され、信軌性の高い回路パターンが得られる。
〔実 施 例〕
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
第1図は、この発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方
法の一実施例を示す。
第1図の(A)に示すように、アルミナ磁器等の絶縁性
材料を以て平坦な基板2を形成する。
次に、この基板2の表面に第1図の(B)に示すように
、有機金属化合物を含む導体ペースト、即ち、レジネー
トペースト4を以て回路パターンをスクリーン印刷等に
より形成する。
次に、このレジネートペースト4を焼成し、第1図の(
C)に示すように、第1の導体層40を形成する。レジ
ネートペースト4を焼成すると、その焼成により、レジ
ネートペースト4中の有機鎖が抜けるため、レジネート
ペースト4によって得られた導体層40の膜厚は、印刷
時、レジネートペースト4が持つ膜厚の1/10以下に
なる。
次に、導体層40の上に無電解メッキ処理により、銅、
ニッケル等の導体をメッキし、第1図の(D)に示すよ
うに、第2の導体層6を形成する。
この結果、導体層40.6から成る配線導体8が形成さ
れる。
このような形成方法によって得られた配線導体8は、第
2図に示すように、下層導体としての導体層40が持つ
抵抗r1と、上層導体としての導体層6が持つ抵抗r2
との並列回路を成し、配線導体8の持つ抵抗rは、r、
・rz/(r+ 十rz)となり、その大小関係は、r
<r、、r<r2であるから、その低インピーダンス化
が図られる。
そして、レジネートペースト4を用いた場合には、従来
の導体ペーストに比較して焼成処理後の金属密度が高く
なるので、メッキを形成する際に触媒としての働きが高
くなり、メッキ層の析出がし易い等、極めて有効であり
、しかも、膜厚を薄くできるので、金属使用量が削減で
き、製造コストの低減とともに、配線導体8の全体の膜
厚の低減をも図ることができる。このように、膜厚を薄
く形成した配線導体8では、低インピーダンス化に加え
、半田を付着させた場合の半田量われやマイグレーショ
ン等の不都合を防止することができる。
また、レジネートペースト4の印刷には、従来の導体ペ
ーストと同様の印刷方法を用いることができ、レジネー
トペースト4を用いることによる設備の変更等を伴うこ
とがない。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、配線導体の低
インピーダンス化とともに、金属使用量の削減で製造コ
ストの低減を図ることができ、有機金属化合物を含む導
体ペーストとしてレジネートペーストを用いれば、焼成
処理後、従来の導体ペーストに比較して金属密度が高く
なるので、メッキを形成する際に触媒としての働きが高
く、メンキ層の析出がし易い等、回路パターンの信頼性
を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方法
の一実施例を示す図、 第2図は第1図に示した配線導体の等価回路を示す図で
ある。 2・・・基板 4・・・レジネートペースト(有機金属化合物を含む導
体ペースト) 6・・・第2の導体層 8・・・配線導体 40・・・第1の導体層 レノ不 第1の導体層 船

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基板の表面に回路パターンを有機金属化合物を含む導
    体ペーストで形成し、この導体ペーストを焼成して第1
    の導体層を形成した後、この第1の導体層の上に無電解
    メッキ処理によって第2の導体層を形成することを特徴
    とする厚膜集積回路の配線導体の形成方法。
JP10505390A 1990-04-20 1990-04-20 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 Pending JPH043991A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005174828A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Hitachi Ltd 配線導電体形成用組成物及びそれを用いた配線基板の製造方法、並びに配線基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005174828A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Hitachi Ltd 配線導電体形成用組成物及びそれを用いた配線基板の製造方法、並びに配線基板

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