JPH0440626A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0440626A JPH0440626A JP14725190A JP14725190A JPH0440626A JP H0440626 A JPH0440626 A JP H0440626A JP 14725190 A JP14725190 A JP 14725190A JP 14725190 A JP14725190 A JP 14725190A JP H0440626 A JPH0440626 A JP H0440626A
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- Japan
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- magnetic recording
- protective layer
- layer
- recording medium
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記録媒体に関するものであり、例えばコン
ピュータ等の外部記憶装置（磁気ディスク装置）におけ
る磁気記憶体などに用いることの（従来の技術） コンピュータなどの記憶媒体として磁気記録媒体が用い
られており、従来磁性粉を塗布したテープなどが広く用
いられていたが、この記憶テープは記憶密度が小さ（、
アクセス時間が長いなどの欠点があるため、テープにか
わりランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが
用いられてきている。なかでもアルミニウムなどの堅い
基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成して構成
された磁気ディスクが磁気記録媒体として使用されはじ
めている。このような磁気記録媒体の磁気記録層は、酸
化鉄などの磁性粉末をバインダと混合し、これを基板上
にスピンコードなどの手法で塗布することにより得られ
ていたが、この磁気記録層には飽和磁化の大きさに限界
があるため、記録密度に限界があった。そこで最近では
、高記録密度の磁気記録媒体を得るために、より大きい
飽和磁化を有する金属薄膜を磁気記録層として用いた磁
気記録媒体が開発されており、このような磁気記録層は
コバルトあるいはコバルト系合金からなる薄膜を真空蒸
着法、スパッタリング法などの真空成膜技術により形成
したり、コバルト−リン、コバルト−ニッケルーリンな
どの合金薄膜を無電解メツキなどの湿式法により形成す
ることにより得られている。
ピュータ等の外部記憶装置（磁気ディスク装置）におけ
る磁気記憶体などに用いることの（従来の技術） コンピュータなどの記憶媒体として磁気記録媒体が用い
られており、従来磁性粉を塗布したテープなどが広く用
いられていたが、この記憶テープは記憶密度が小さ（、
アクセス時間が長いなどの欠点があるため、テープにか
わりランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが
用いられてきている。なかでもアルミニウムなどの堅い
基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成して構成
された磁気ディスクが磁気記録媒体として使用されはじ
めている。このような磁気記録媒体の磁気記録層は、酸
化鉄などの磁性粉末をバインダと混合し、これを基板上
にスピンコードなどの手法で塗布することにより得られ
ていたが、この磁気記録層には飽和磁化の大きさに限界
があるため、記録密度に限界があった。そこで最近では
、高記録密度の磁気記録媒体を得るために、より大きい
飽和磁化を有する金属薄膜を磁気記録層として用いた磁
気記録媒体が開発されており、このような磁気記録層は
コバルトあるいはコバルト系合金からなる薄膜を真空蒸
着法、スパッタリング法などの真空成膜技術により形成
したり、コバルト−リン、コバルト−ニッケルーリンな
どの合金薄膜を無電解メツキなどの湿式法により形成す
ることにより得られている。
ところで、現在一般に使用されている磁気記録媒体のド
ライブ装置には、ドライブ装置の停止、駆動に伴ないド
ライブ装置のヘッドが磁気記録媒体に接触、擦れ合う、
コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ８Ｓ）方式が採用
されているため、磁気記録媒体には上記のドライブ装置
におけるＣ８Ｓに対する耐久性（Ｃ５Ｓ耐久性）が要求
される。
ライブ装置には、ドライブ装置の停止、駆動に伴ないド
ライブ装置のヘッドが磁気記録媒体に接触、擦れ合う、
コンタクト・スタート・ストップ（Ｃ８Ｓ）方式が採用
されているため、磁気記録媒体には上記のドライブ装置
におけるＣ８Ｓに対する耐久性（Ｃ５Ｓ耐久性）が要求
される。
そこで、磁気記録媒体にはその磁気記録層上に保護層が
設けられており、この保護層によって磁気記録媒体にＣ
８Ｓ耐久性を付与している。通常この保護層としては厚
み３００Å以上の炭素膜が用いられているが、その一方
でより高い記録密度を達成するためにこの保護層の厚み
を薄くし、磁気記録媒体の使用の際にドライブ装置のヘ
ッドと磁気記録層のスペーシングロスを小さくすること
により磁気記録媒体の記録密度を向上させることが提案
されている。しかしながら、保護層として厚みの薄い炭
素膜を有する磁気記録媒体は、Ｃ８Ｓ耐久性が十分では
ないという問題がある。従って、薄い炭素膜を保護層と
して有する磁気記録媒体は、記録密度が向上するものの
、その保護層は使用に伴ないヘッドとの接触、擦れ合い
により磨耗し、更にこのような保護層の磨耗はヘッドと
磁気記録層とが衝突するヘッド・クラッシュを引き起こ
し、磁気記録媒体あるいはドライブ装置のヘッドの損傷
を招いてしまうこととなる。
設けられており、この保護層によって磁気記録媒体にＣ
８Ｓ耐久性を付与している。通常この保護層としては厚
み３００Å以上の炭素膜が用いられているが、その一方
でより高い記録密度を達成するためにこの保護層の厚み
を薄くし、磁気記録媒体の使用の際にドライブ装置のヘ
ッドと磁気記録層のスペーシングロスを小さくすること
により磁気記録媒体の記録密度を向上させることが提案
されている。しかしながら、保護層として厚みの薄い炭
素膜を有する磁気記録媒体は、Ｃ８Ｓ耐久性が十分では
ないという問題がある。従って、薄い炭素膜を保護層と
して有する磁気記録媒体は、記録密度が向上するものの
、その保護層は使用に伴ないヘッドとの接触、擦れ合い
により磨耗し、更にこのような保護層の磨耗はヘッドと
磁気記録層とが衝突するヘッド・クラッシュを引き起こ
し、磁気記録媒体あるいはドライブ装置のヘッドの損傷
を招いてしまうこととなる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、Ｃ８Ｓ耐久性に優れ、かつ高記録密度
を達成し得る磁気記録媒体を提供することにある。
を達成し得る磁気記録媒体を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行っ
た結果、珪素元素及び炭素元素を含んでなる保護層を有
する磁気記録媒体はＣ８Ｓ耐久性に優れたものとなるこ
とを見出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発
明は、非磁性下地層を被覆した基板、その上に設けた磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を含んでなる磁気記録媒体において、
保護層が珪素元素及び炭素元素を含んでなり、かつ炭素
元素の濃度が保護層の前記磁気記録層側から表面への厚
み方向に向かって増加することを特徴とする磁気記録媒
体である。本発明の磁気記録媒体は、特に保護層が珪素
元素及び炭素元素を含んでなり、かつ炭素元素の濃度が
保護層の厚み方向に伴なって変化するところに特徴を有
するものであるが、このことにより磁気記録媒体のＣ８
Ｓ耐久性は向上し、また保護層の厚みを薄くしても十分
なＣ８Ｓ耐久性を有するものとなる。その理由は明らか
ではないが、珪素元素の濃度が高い磁気記録層側の保護
層は硬いという特性を示し、炭素元素の濃度が増加する
保護層の表面は潤滑性を示すことに起因するものと考え
られる。
た結果、珪素元素及び炭素元素を含んでなる保護層を有
する磁気記録媒体はＣ８Ｓ耐久性に優れたものとなるこ
とを見出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発
明は、非磁性下地層を被覆した基板、その上に設けた磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を含んでなる磁気記録媒体において、
保護層が珪素元素及び炭素元素を含んでなり、かつ炭素
元素の濃度が保護層の前記磁気記録層側から表面への厚
み方向に向かって増加することを特徴とする磁気記録媒
体である。本発明の磁気記録媒体は、特に保護層が珪素
元素及び炭素元素を含んでなり、かつ炭素元素の濃度が
保護層の厚み方向に伴なって変化するところに特徴を有
するものであるが、このことにより磁気記録媒体のＣ８
Ｓ耐久性は向上し、また保護層の厚みを薄くしても十分
なＣ８Ｓ耐久性を有するものとなる。その理由は明らか
ではないが、珪素元素の濃度が高い磁気記録層側の保護
層は硬いという特性を示し、炭素元素の濃度が増加する
保護層の表面は潤滑性を示すことに起因するものと考え
られる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の一例の部分断面図であ
る。本発明の磁気記録媒体は第１図に示すように非磁性
下地層２を被覆した基板１上に磁気記録層３及び保護層
４を形成して構成される。この基板１としてはニッケル
ーリンメツキ膜、陽極酸化アルマイト膜などを被覆した
アルミニウム合金、窒化珪素焼結体、酸化アルミニウム
焼結体などのセラミックスやステンレス、チタン合金な
どの金属、ガラスあるいは樹脂などが用いられる。
る。本発明の磁気記録媒体は第１図に示すように非磁性
下地層２を被覆した基板１上に磁気記録層３及び保護層
４を形成して構成される。この基板１としてはニッケル
ーリンメツキ膜、陽極酸化アルマイト膜などを被覆した
アルミニウム合金、窒化珪素焼結体、酸化アルミニウム
焼結体などのセラミックスやステンレス、チタン合金な
どの金属、ガラスあるいは樹脂などが用いられる。
また、基板１は磁気記録媒体の磁気特性を向上させる目
的で、厚み５００〜５０００人程度のクロムなどの非磁
性金属膜からなる非磁性下地層２により被覆される。次
に非磁性下地層２の上には磁気記録層３が形成される。
的で、厚み５００〜５０００人程度のクロムなどの非磁
性金属膜からなる非磁性下地層２により被覆される。次
に非磁性下地層２の上には磁気記録層３が形成される。
この磁気記録層３を構成する材料としては、例えばコバ
ルト、コバルトニッケル合金からなる磁性金属あるいは
これら磁性金属にプラチナ、ロジウム、クロム、サマリ
ウム、タンタル、レニウム及びタングステンから選ばれ
る少なくとも一種以上の金属を添加したものなどが用い
られ、その厚みは３００〜１０００人程度に形成される
。更に、この磁気記録層３上には保護層４が形成され、
保護層４は珪素元素及び炭素元素を含んでなり、かつ保
護層４中の炭素元素の濃度は保護層の磁気記録層３側か
ら表面への厚み方向に向かって増加している。炭素の濃
度増加は特に限定されないが、例えば第２図あるいは第
３図に示すように増加させることなどが考えられる。な
お保護層４の厚みは、厚い場合スペーシングロスが大き
くなり、磁気記録媒体の高記録密度領域での特性が悪く
なるおそれがあり、一方薄い場合は得られる磁気記録媒
体のＣ８Ｓ耐久性が向上しないことあるので、２０〜５
００人とすることが好ましい。また本発明の磁気記録媒
体の使用にあたっては、必要に応じて液体潤滑剤、固体
潤滑剤あるいはこれらの複合潤滑剤を塗布し、潤滑層５
を形成して使用することができる。
ルト、コバルトニッケル合金からなる磁性金属あるいは
これら磁性金属にプラチナ、ロジウム、クロム、サマリ
ウム、タンタル、レニウム及びタングステンから選ばれ
る少なくとも一種以上の金属を添加したものなどが用い
られ、その厚みは３００〜１０００人程度に形成される
。更に、この磁気記録層３上には保護層４が形成され、
保護層４は珪素元素及び炭素元素を含んでなり、かつ保
護層４中の炭素元素の濃度は保護層の磁気記録層３側か
ら表面への厚み方向に向かって増加している。炭素の濃
度増加は特に限定されないが、例えば第２図あるいは第
３図に示すように増加させることなどが考えられる。な
お保護層４の厚みは、厚い場合スペーシングロスが大き
くなり、磁気記録媒体の高記録密度領域での特性が悪く
なるおそれがあり、一方薄い場合は得られる磁気記録媒
体のＣ８Ｓ耐久性が向上しないことあるので、２０〜５
００人とすることが好ましい。また本発明の磁気記録媒
体の使用にあたっては、必要に応じて液体潤滑剤、固体
潤滑剤あるいはこれらの複合潤滑剤を塗布し、潤滑層５
を形成して使用することができる。
以上、非磁性下地層２から保護層４までの金属または無
機物質の薄膜の形成にあたってはＤＣ。
機物質の薄膜の形成にあたってはＤＣ。
ＲＦスパッタリング法あるいは真空蒸着法などの真空成
膜技術が有効に用いられる。また、保護層４は珪素ター
ゲットと炭素ターゲットあるいは炭化珪素ターゲットと
炭素ターゲットによる同時スパッタリングなどの方法に
よって厚み方向で炭素元素の濃度を変化させることによ
って形成することができる。
膜技術が有効に用いられる。また、保護層４は珪素ター
ゲットと炭素ターゲットあるいは炭化珪素ターゲットと
炭素ターゲットによる同時スパッタリングなどの方法に
よって厚み方向で炭素元素の濃度を変化させることによ
って形成することができる。
（実施例）
以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
実施例１
第１図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。
基板１としてニッケルーリンメツキ膜を被覆した円板状
アルミニウム合金を用い、この基板１の上にＤＣスパッ
タリング法により３０００人のクロム膜からなる非磁性
下地層２を形成した。次にこの上に磁気記録層３として
ニッケル２０原子％、クロム１０原子％を含むコバルト
合金膜をＤＣスパッタリング法により６００人の厚みに
形成した。
アルミニウム合金を用い、この基板１の上にＤＣスパッ
タリング法により３０００人のクロム膜からなる非磁性
下地層２を形成した。次にこの上に磁気記録層３として
ニッケル２０原子％、クロム１０原子％を含むコバルト
合金膜をＤＣスパッタリング法により６００人の厚みに
形成した。
更に、この上に珪素元素及び炭素元素を含んでなる保護
層４を珪素ターゲットと炭素ターゲットを用いた同時ス
パッタリング法により、それぞれの印加電力を調整し、
厚み方向で炭素元素の濃度を第２図のように増加させる
ようにして厚み２００人形成し、その上に潤滑層５とし
て液体潤滑剤をディッピング法により形成し、磁気記録
媒体を作製した。
層４を珪素ターゲットと炭素ターゲットを用いた同時ス
パッタリング法により、それぞれの印加電力を調整し、
厚み方向で炭素元素の濃度を第２図のように増加させる
ようにして厚み２００人形成し、その上に潤滑層５とし
て液体潤滑剤をディッピング法により形成し、磁気記録
媒体を作製した。
その後、得られた磁気記録媒体のＣ８Ｓ耐久性を測定し
た。この耐久性の測定はＣＳ Ｓ ＩＩ定装置を用いて
行ない、磁気記録媒体上でヘッドをスタート・ストップ
させ、これを１回とし、所定の回数後の磁気記録媒体上
の摩擦係数を求めることにより行った。その結果を表１
に示す。表１から得られた磁気記録媒体の摩擦係数の増
加は少な（、Ｃ８Ｓ耐久性に優れていることがわかる。
た。この耐久性の測定はＣＳ Ｓ ＩＩ定装置を用いて
行ない、磁気記録媒体上でヘッドをスタート・ストップ
させ、これを１回とし、所定の回数後の磁気記録媒体上
の摩擦係数を求めることにより行った。その結果を表１
に示す。表１から得られた磁気記録媒体の摩擦係数の増
加は少な（、Ｃ８Ｓ耐久性に優れていることがわかる。
実施例２
保護層４中の炭素元素濃度を第３図に示すように変化さ
せた以外は実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を作製
し、Ｃ８Ｓ耐久性を測定した。その結果を表１に示す。
せた以外は実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を作製
し、Ｃ８Ｓ耐久性を測定した。その結果を表１に示す。
比較例１
保護層４を厚み２００人の炭素膜のみで構成した以外は
実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を作製し、Ｃ８Ｓ
耐久性を測定した。その結果を表１に示す。
実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を作製し、Ｃ８Ｓ
耐久性を測定した。その結果を表１に示す。
比較例２
保護層４を厚み２００人の炭化珪素膜（Ｓ ｉ Ｃ）の
みで構成した以外は実施例１と同様の方法で磁気記録媒
体を作製し、Ｃ８Ｓ耐久性を測定した。
みで構成した以外は実施例１と同様の方法で磁気記録媒
体を作製し、Ｃ８Ｓ耐久性を測定した。
その結果を表１に示す。
表１
の磁気記録媒体は保護層の厚みを薄くしても十分なＣ８
Ｓ耐久性を示すので、高記録密度を達成し得るものとな
る。
Ｓ耐久性を示すので、高記録密度を達成し得るものとな
る。
第１図は本発明の磁気記録媒体の構造の一例を示す断面
図である。 第２図および第３図は本発明の磁気記録媒体の有する保
護層中の厚み方向における炭素元素の濃度変化の例を示
す図である。 １・・・基板 ２・・・非磁性下地層３・・
・磁気記録層 ４・・・保護層５・・・潤滑層 を各々示す。 （発明の効果）
図である。 第２図および第３図は本発明の磁気記録媒体の有する保
護層中の厚み方向における炭素元素の濃度変化の例を示
す図である。 １・・・基板 ２・・・非磁性下地層３・・
・磁気記録層 ４・・・保護層５・・・潤滑層 を各々示す。 （発明の効果）
Claims (1)
- （１）非磁性下地層を被覆した基板、その上に設けた磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を含んでなる磁気記録媒体において、
保護層が珪素元素及び炭素元素を含んでなり、かつ炭素
元素の濃度が保護層の前記磁気記録層側から表面への厚
み方向に向かって増加することを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725190A JP2952967B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725190A JP2952967B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440626A true JPH0440626A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2952967B2 JP2952967B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=15426006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14725190A Expired - Lifetime JP2952967B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952967B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP2006161075A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Shinko Seiki Co Ltd | 硬質炭素膜およびその形成方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP14725190A patent/JP2952967B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US7083873B2 (en) | 1992-11-19 | 2006-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film with hydrogen and at least two additional elements |
| US7391592B2 (en) | 1992-11-19 | 2008-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film and at least two additional elements |
| JP2006161075A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Shinko Seiki Co Ltd | 硬質炭素膜およびその形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2952967B2 (ja) | 1999-09-27 |
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