JPH02101618A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH02101618A JPH02101618A JP63255121A JP25512188A JPH02101618A JP H02101618 A JPH02101618 A JP H02101618A JP 63255121 A JP63255121 A JP 63255121A JP 25512188 A JP25512188 A JP 25512188A JP H02101618 A JPH02101618 A JP H02101618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- texture
- meandering
- present
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気ディスクに関する。
記録層とする磁気ディスクに関する。
従来の技術
高密度記録を行うために、ポリエチレンテレフタレート
フィルム上にスパッタリング法でγ−Ｆθ２０３薄膜を
配したものや、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜を配したものや、アルミ
合金基板上にＣｏ −Ｎｉ −Ｐメツキ膜。
フィルム上にスパッタリング法でγ−Ｆθ２０３薄膜を
配したものや、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜を配したものや、アルミ
合金基板上にＣｏ −Ｎｉ −Ｐメツキ膜。
Ｃｏ −Ｎｉスパッタ膜を配した磁気ディスクの開発が
盛んで、一部は実用になっている（ ＩＥＥＥＴＲＡＮ
ＳＡＣＴｌ、’ＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ ｖ
ｏｌ。
盛んで、一部は実用になっている（ ＩＥＥＥＴＲＡＮ
ＳＡＣＴｌ、’ＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ ｖ
ｏｌ。
脚−２３（１９８７）２ｅ７４〕。
かかる媒体の実用耐久性を確保するには、Ｓｉｎ。
Ｓ ｉ０２ 、カーボン等の保護膜に各種の潤滑剤を配
する方法が多く採用されているが、よシ高密度化を進め
ていく上では、スペーシング損失となって目立ってくる
ことから、円周状に幅数ミクロン。
する方法が多く採用されているが、よシ高密度化を進め
ていく上では、スペーシング損失となって目立ってくる
ことから、円周状に幅数ミクロン。
最大粗さ１００〜１０００人の７字状の溝から成るいわ
ゆるテクスチャーを形成する方法での改善が行われてい
る〔日本応用磁気学会、第６６回研究資料、５６−８（
１９８８，７））。
ゆるテクスチャーを形成する方法での改善が行われてい
る〔日本応用磁気学会、第６６回研究資料、５６−８（
１９８８，７））。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記した構成では、Ｓ／Ｎの改善度合が
十分でないといった課題があシ、改善が望まれていた。
十分でないといった課題があシ、改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に濫みなされたもので、耐久性を
確保した上でＳ／Ｎを改善した磁気ディスクを提供する
ものである。
確保した上でＳ／Ｎを改善した磁気ディスクを提供する
ものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気ディスクは、
周方向に沿って蛇行したテクスチャーを配した上に強磁
性金属薄膜を配するようにしたものである。
周方向に沿って蛇行したテクスチャーを配した上に強磁
性金属薄膜を配するようにしたものである。
作 用
本発明の磁気ディスクは上記した構成により、単一な従
来のテクスチャーに比べて、蛇行していることで摩擦係
数を下げる作用があるのでテクスチャーを浅く構成でき
るのと、蛇行してでも異方性は円周方向へテクスチャー
による誘導されるものと大差ないのでＳ／Ｎも改善でき
ることになる。
来のテクスチャーに比べて、蛇行していることで摩擦係
数を下げる作用があるのでテクスチャーを浅く構成でき
るのと、蛇行してでも異方性は円周方向へテクスチャー
による誘導されるものと大差ないのでＳ／Ｎも改善でき
ることになる。
実施例
以下１図面を参照しながら本発明に係る一実施例につい
て説明する。第１図は本発明に係る一実施例の磁気ディ
スクの拡大断面図である。第１図で１はＡｔ −Ｍｇ
、 Ａｌ −Ｓ ｉ 合金等の非磁性金属基板で研磨仕
上げした上に更にメツキを施したものを用いてもよい。
て説明する。第１図は本発明に係る一実施例の磁気ディ
スクの拡大断面図である。第１図で１はＡｔ −Ｍｇ
、 Ａｌ −Ｓ ｉ 合金等の非磁性金属基板で研磨仕
上げした上に更にメツキを施したものを用いてもよい。
尚この基板は後述するテクスチャー構成を配したもので
ある。２はＣｏ −Ｎｉ 。
ある。２はＣｏ −Ｎｉ 。
Ｃｏ −Ｃｒ 、 Ｃｏ−Ｔｉ 、 Ｃｏ −Ｔａ 、
Ｃｏ −Ｍｏ 、 Ｃ。
Ｃｏ −Ｍｏ 、 Ｃ。
−Ｗ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｎｉ −Ｐ 、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ。
Ｃｏ −Ｎｉ −０、Ｃｏ −Ｃｒ −Ｎｂ等の強磁性
金属薄膜で、スパッタリング法、イオンビームデポジシ
ョン法、電子ビーム蒸着法等によ多形成する１、３は保
護潤滑層で、プラズマ重合膜、Ｓ２Ｏ２膜、カーボン膜
、含フツ素有機化合物、脂肪酸、脂肪酸の金属塩等から
適宜選択する。第２図はディスク上面図で、ディスク上
面４には、円周方向に沿って蛇行したテクスチャー５を
配しである。研磨テープを回転と同時に半径方向に往復
運動を行うことで形成する溝により構成したもので、幅
数ミクロン、最大粗さ１５０人までの７字状の溝で１周
する間に蛇行を少くとも５インチディスクでは５０回〜
２００回の範囲でくシ返し、これを目安にディスクサイ
ズで比例配分してやればよい。蛇行の振幅は半径方向に
６０〜２００μ−が好ましい。
金属薄膜で、スパッタリング法、イオンビームデポジシ
ョン法、電子ビーム蒸着法等によ多形成する１、３は保
護潤滑層で、プラズマ重合膜、Ｓ２Ｏ２膜、カーボン膜
、含フツ素有機化合物、脂肪酸、脂肪酸の金属塩等から
適宜選択する。第２図はディスク上面図で、ディスク上
面４には、円周方向に沿って蛇行したテクスチャー５を
配しである。研磨テープを回転と同時に半径方向に往復
運動を行うことで形成する溝により構成したもので、幅
数ミクロン、最大粗さ１５０人までの７字状の溝で１周
する間に蛇行を少くとも５インチディスクでは５０回〜
２００回の範囲でくシ返し、これを目安にディスクサイ
ズで比例配分してやればよい。蛇行の振幅は半径方向に
６０〜２００μ−が好ましい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み６師で表面研磨したＡ７− Ｍｇ合金基板を平均粗
さ４０人、最大粗さ８０人とした後、スパッタリング法
によりボロンを２０ｏＯ人配した上で、研磨テープを半
径方向に往復させながら、ディスクを回転し、深さ８０
人１幅４ミクロンの溝を振＠６０μｍで、蛇行回数を１
２０回としたテクスチャーを構成し、その上にＣｏ −
Ｎｉ −Ｃｒ （Ｃｏ ： Ｎｉ：Ｃｒ＝７９：１６：
５ｗｔ％）をスパッタリンクして１２ｏＯ人配し、その
上にフェニルトリメキシシランのプラズマ重合膜を１０
０人配した６インチディスクを試作した。一方比較例は
、深さ１６０Ａ、、Ｉｌｌ！８ミクロンの従来のテクス
チャーを配した以外は実施例と同じ構成にした。
さ４０人、最大粗さ８０人とした後、スパッタリング法
によりボロンを２０ｏＯ人配した上で、研磨テープを半
径方向に往復させながら、ディスクを回転し、深さ８０
人１幅４ミクロンの溝を振＠６０μｍで、蛇行回数を１
２０回としたテクスチャーを構成し、その上にＣｏ −
Ｎｉ −Ｃｒ （Ｃｏ ： Ｎｉ：Ｃｒ＝７９：１６：
５ｗｔ％）をスパッタリンクして１２ｏＯ人配し、その
上にフェニルトリメキシシランのプラズマ重合膜を１０
０人配した６インチディスクを試作した。一方比較例は
、深さ１６０Ａ、、Ｉｌｌ！８ミクロンの従来のテクス
チャーを配した以外は実施例と同じ構成にした。
両者のディスクをウィンチエスタ−型の浮上スペーシン
グ０．１４μｍのＮｉ −Ｚｎフェライトヘッドを用い
、コンタクトスタート、ストッフヲ＜ｂ返し友。Ｓ／Ｎ
はトラック幅２０μｍ、ビット長０．４μｍで実施例が
１．３（ｄＢ）良好で、摩擦係数は初期実施例が０．３
１ 、比較例が０．３３で殆んど同じであったが、６０
００パスで実施例が０．３２゜比較例が０．４２ 、９
５００パスで実施例が０．３３゜比較例が０．５６と耐
久性で差がみられた。
グ０．１４μｍのＮｉ −Ｚｎフェライトヘッドを用い
、コンタクトスタート、ストッフヲ＜ｂ返し友。Ｓ／Ｎ
はトラック幅２０μｍ、ビット長０．４μｍで実施例が
１．３（ｄＢ）良好で、摩擦係数は初期実施例が０．３
１ 、比較例が０．３３で殆んど同じであったが、６０
００パスで実施例が０．３２゜比較例が０．４２ 、９
５００パスで実施例が０．３３゜比較例が０．５６と耐
久性で差がみられた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Ｓ／Ｎと耐久性について
共に満足できる磁気ディスクが得られるといったすぐれ
た効果がある。
共に満足できる磁気ディスクが得られるといったすぐれ
た効果がある。
第１図は本発明に係る一実施例の磁気ディスクの拡大断
面図、第２図は同実施例の磁気ディスクの上面図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
５・・・・・・蛇行したテクスチャー
面図、第２図は同実施例の磁気ディスクの上面図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
５・・・・・・蛇行したテクスチャー
Claims (1)
- 周方向に沿って蛇行したテクスチャーを配した上に強磁
性金属薄膜を配したことを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255121A JPH02101618A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255121A JPH02101618A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101618A true JPH02101618A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17274383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255121A Pending JPH02101618A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199617A (ja) * | 1989-01-28 | 1990-08-08 | Speedfam Co Ltd | 磁気記録用基板とそのテクスチャリング加工方法及び加工装置 |
| JPH04339312A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ディスク |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255121A patent/JPH02101618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199617A (ja) * | 1989-01-28 | 1990-08-08 | Speedfam Co Ltd | 磁気記録用基板とそのテクスチャリング加工方法及び加工装置 |
| JPH04339312A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ディスク |
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