JPH0440836B2 - - Google Patents
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- JPH0440836B2 JPH0440836B2 JP1232686A JP23268689A JPH0440836B2 JP H0440836 B2 JPH0440836 B2 JP H0440836B2 JP 1232686 A JP1232686 A JP 1232686A JP 23268689 A JP23268689 A JP 23268689A JP H0440836 B2 JPH0440836 B2 JP H0440836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating layer
- layer
- phosphor layer
- fluoride
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、直流電界発光装置及び直流電界発光
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
イギリス特許第1300548号の明細書には、直流
電界発光装置が、通常の使用に供される以前に、
装置に直流電流を予備的に通電する形成過程によ
つて、直流電界発光装置の性能がどのように高め
られるかが記載されている。
電界発光装置が、通常の使用に供される以前に、
装置に直流電流を予備的に通電する形成過程によ
つて、直流電界発光装置の性能がどのように高め
られるかが記載されている。
直流電界発光装置一台を作るのに必要な電力は
従来および1w／cm2であつた。大きな発光面積を
有するパネルが大量に作られる場合には消費電力
は可成り重要な要素となる。
従来および1w／cm2であつた。大きな発光面積を
有するパネルが大量に作られる場合には消費電力
は可成り重要な要素となる。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、電極間に電流を通電した際の
電極面の発光輝度が改善されると共に絶縁層と螢
光体層との間の接着性が改良された直流電界発光
装置を提供することにある。
電極面の発光輝度が改善されると共に絶縁層と螢
光体層との間の接着性が改良された直流電界発光
装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、不伝導性物質を電極に対
して蒸着させる段階における消費電力を低減する
ことにより、直流電界発光装置の製造コストを低
減し得る直流電界発光装置の製造方法を提供する
ことにある。
して蒸着させる段階における消費電力を低減する
ことにより、直流電界発光装置の製造コストを低
減し得る直流電界発光装置の製造方法を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明によれば、前述の目的は、２つの電極
と、当該２つの電極間に配置された螢光体層と、
前述の２つの電極の少なくとも一方と前述の螢光
体層との間に挾持された絶縁層とを備えており、
前述の少なくとも一方の電極が平坦且つ半透明で
あり、前述の絶縁層が、１マイクロメータ以下の
厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に間隔を
置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からな
る点状物を含む直流電界発光装置により達成され
る。
と、当該２つの電極間に配置された螢光体層と、
前述の２つの電極の少なくとも一方と前述の螢光
体層との間に挾持された絶縁層とを備えており、
前述の少なくとも一方の電極が平坦且つ半透明で
あり、前述の絶縁層が、１マイクロメータ以下の
厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に間隔を
置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質からな
る点状物を含む直流電界発光装置により達成され
る。
また、本発明の別の目的は、平坦且つ半透明な
電極を準備する段階と、 電気的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させ
る段階と、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔
を有する有孔マスクで前述の電極の一方の表面を
覆う段階と、 前述のマスクの前述の孔を介して前述の電極の
前記一方の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着さ
せ、１マイクロメータ以下の厚みを有すると共
に、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且
つ前述の電気的に不伝導性物質からなる点状物を
含む絶縁層を形成する段階と、 前述の形成された絶縁層上に螢光体層を形成す
る段階と、 前述の形成された螢光体層の表面に他の電極を
設ける段階とを有した直流電界発光装置の製造方
法により達成される。
電極を準備する段階と、 電気的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させ
る段階と、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔
を有する有孔マスクで前述の電極の一方の表面を
覆う段階と、 前述のマスクの前述の孔を介して前述の電極の
前記一方の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着さ
せ、１マイクロメータ以下の厚みを有すると共
に、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且
つ前述の電気的に不伝導性物質からなる点状物を
含む絶縁層を形成する段階と、 前述の形成された絶縁層上に螢光体層を形成す
る段階と、 前述の形成された螢光体層の表面に他の電極を
設ける段階とを有した直流電界発光装置の製造方
法により達成される。
［作 用］
本発明の直流電界発光装置は、絶縁層が１マイ
クロメータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ
不連続的に間隔を置いて配置され且つ電気的に不
伝導性物質からなる点状物を含んでいるため、螢
光体層は、絶縁層と接する表面全体に亘つて微細
な凹凸を備える。従つて、電極間に電流を通した
際、これらの螢光体層の微細な凹凸を構成する面
全体が高抵抗領域を形成して発光し、絶縁層が設
けられている電極の単位面積当りの発光面が著し
く増大され、その結果、直流電界発光装置の発光
輝度が著しく高められる。また、絶縁層は、螢光
体層と接する領域に設けられた微細な点状物から
なるため、絶縁層と螢光体層との間の接着力が増
大される。
クロメータ以下の厚みを有すると共に、密に且つ
不連続的に間隔を置いて配置され且つ電気的に不
伝導性物質からなる点状物を含んでいるため、螢
光体層は、絶縁層と接する表面全体に亘つて微細
な凹凸を備える。従つて、電極間に電流を通した
際、これらの螢光体層の微細な凹凸を構成する面
全体が高抵抗領域を形成して発光し、絶縁層が設
けられている電極の単位面積当りの発光面が著し
く増大され、その結果、直流電界発光装置の発光
輝度が著しく高められる。また、絶縁層は、螢光
体層と接する領域に設けられた微細な点状物から
なるため、絶縁層と螢光体層との間の接着力が増
大される。
本発明の直流電界発光装置の製造方法は、電気
的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させる段階
と、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された
孔を有する有孔マスクで電極の一方の表面を覆う
段階と、前述のマスクの孔を介して電極の前述の
一方の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着させ、
１マイクロメータ以下の厚みを有すると共に、密
に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ前述
の電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶
縁層を形成する段階とを有するが故に、不伝導性
物質を電極に対して蒸着させる段階における消費
電力を低減し得、その結果、直流電界発光装置の
製造コストを低減し得る。
的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させる段階
と、密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された
孔を有する有孔マスクで電極の一方の表面を覆う
段階と、前述のマスクの孔を介して電極の前述の
一方の表面上に前述の蒸発した粒子を蒸着させ、
１マイクロメータ以下の厚みを有すると共に、密
に且つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ前述
の電気的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶
縁層を形成する段階とを有するが故に、不伝導性
物質を電極に対して蒸着させる段階における消費
電力を低減し得、その結果、直流電界発光装置の
製造コストを低減し得る。
本発明に係る、螢光体層と協働電極とを有する
直流電界発光装置（DCEL装置）は、螢光体層と
電極のうち少なくとも１つとの間に、電気的に不
伝導性物質でできた薄い非平坦層を有している。
直流電界発光装置（DCEL装置）は、螢光体層と
電極のうち少なくとも１つとの間に、電気的に不
伝導性物質でできた薄い非平坦層を有している。
この非平坦層は、間隔をへだてて密に配置され
た不伝導性物質からなる点状物の形状をした不連
続層である。
た不伝導性物質からなる点状物の形状をした不連
続層である。
非平坦層の最大の厚さはおよそ１マイクロメー
タ、また最小の厚さはおよそ50ミリマイクロメー
タである。
タ、また最小の厚さはおよそ50ミリマイクロメー
タである。
好ましくは非平坦層は螢光体層と半透明電極と
の間に置かれる。
の間に置かれる。
非平坦層は、たとえば、一酸化珪素、二酸化珪
素、二酸化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗
化カドミウム、弗化イツトリウム、酸化イツトリ
ウム、硫化亜鉛、硫化銅のうちの少なくとも一種
から成るものであり得る。
素、二酸化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗
化カドミウム、弗化イツトリウム、酸化イツトリ
ウム、硫化亜鉛、硫化銅のうちの少なくとも一種
から成るものであり得る。
また本発明に係る直流電界発光装置の製造方法
は、所定の不伝導性物質の粒子を蒸発させ、製造
されるべき装置の一部をなお導電層上に、蒸発粒
子の分布を制御しつつ導くことによつて行われ
る。
は、所定の不伝導性物質の粒子を蒸発させ、製造
されるべき装置の一部をなお導電層上に、蒸発粒
子の分布を制御しつつ導くことによつて行われ
る。
本発明の参考例における製造方法においては、
蒸発粒子を、導電層に対して実質上直角とは異な
る角度で導電層上に導くことによつて、波状層が
導電層上に製造される。好ましくは、蒸発粒子は
導電層に垂直な方向に対して約10゜から約40゜の範
囲内の角度をなす方向から導電層に導かれ、この
導電層上に蒸着される。
蒸発粒子を、導電層に対して実質上直角とは異な
る角度で導電層上に導くことによつて、波状層が
導電層上に製造される。好ましくは、蒸発粒子は
導電層に垂直な方向に対して約10゜から約40゜の範
囲内の角度をなす方向から導電層に導かれ、この
導電層上に蒸着される。
本発明の実施例における製造方法においては、
間隔をへだてて密に配置された不伝導性物質から
なる点状物の形状の不連続層は、たとえば金属線
のメツシユあるいはプラスチツクフイラメントな
どの、孔を有するマスクを通して、蒸発粒子を導
電層上に導くことによつて、導電層上に形成され
る。
間隔をへだてて密に配置された不伝導性物質から
なる点状物の形状の不連続層は、たとえば金属線
のメツシユあるいはプラスチツクフイラメントな
どの、孔を有するマスクを通して、蒸発粒子を導
電層上に導くことによつて、導電層上に形成され
る。
以下、添付図面を参照しながら本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
［実施例］
第１図には、本発明の参考例に係るDCEL装置
１０の一部の断面が示されている。この装置１０
は２つの電極を有する。電極の１つ１２は金属で
できており、これはこの装置１０の取り付けおよ
び固定のための基礎となる。電極１２に接して、
たとえば螢光体物質の粒子１６を豊富に含む螢光
体層１４がある。螢光体物質は典型的には硫化亜
鉛、マンガン、銅であるが、異なつた組成のもの
でもよい。装置１０はまた板ガラス１８をも含ん
でいる。板ガラス１８上には、第２の電極を構成
するべく、透明な導電層２０が配置されている。
この導電層２０はたとえば酸化すずまたは酸化イ
ンジウムなどでできたものであり得る。電極とし
ての導電層２０の上には電気的に不伝導性物質あ
るいは絶縁性物質からなる非平坦層２２が置かれ
ている。この非平坦層２２は輪郭が波状である横
断面を有することがわかる。螢光体層１４は非平
坦層２２上に置かれ、この螢光体層１４上に電極
１２が置かれる；あるいは螢光体層１４は、装置
１０の組立の際に外部からの力によつて電極１２
上に置かれ、非平坦層２２と接触した状態に保た
れる。
１０の一部の断面が示されている。この装置１０
は２つの電極を有する。電極の１つ１２は金属で
できており、これはこの装置１０の取り付けおよ
び固定のための基礎となる。電極１２に接して、
たとえば螢光体物質の粒子１６を豊富に含む螢光
体層１４がある。螢光体物質は典型的には硫化亜
鉛、マンガン、銅であるが、異なつた組成のもの
でもよい。装置１０はまた板ガラス１８をも含ん
でいる。板ガラス１８上には、第２の電極を構成
するべく、透明な導電層２０が配置されている。
この導電層２０はたとえば酸化すずまたは酸化イ
ンジウムなどでできたものであり得る。電極とし
ての導電層２０の上には電気的に不伝導性物質あ
るいは絶縁性物質からなる非平坦層２２が置かれ
ている。この非平坦層２２は輪郭が波状である横
断面を有することがわかる。螢光体層１４は非平
坦層２２上に置かれ、この螢光体層１４上に電極
１２が置かれる；あるいは螢光体層１４は、装置
１０の組立の際に外部からの力によつて電極１２
上に置かれ、非平坦層２２と接触した状態に保た
れる。
第２図は本発明の直流電界発光装置の実施例を
示す図である。第２図において、第１図における
と同じ参照番号は、同じ部材を示す。しかしなが
ら、第２図における本発明の実施例においては、
絶縁層としての非平坦層２２は、相互に間隔をへ
だてて密に列状に配置された不伝導性物質からな
る点状物２４から構成されている。
示す図である。第２図において、第１図における
と同じ参照番号は、同じ部材を示す。しかしなが
ら、第２図における本発明の実施例においては、
絶縁層としての非平坦層２２は、相互に間隔をへ
だてて密に列状に配置された不伝導性物質からな
る点状物２４から構成されている。
本実施例において用いるのに適切な電気的に不
伝導性物質は次のものを含む、すなわち ａ 二酸化珪素 ｂ 二酸化珪素、二酸化ゲルマニウム ｃ 弗化マグネシウム、弗化カドミウムおよび
弗化イツトリウム ｄ 酸化イツトリウム ｅ 硫化亜鉛、硫化銅 これらの物質のうち一酸化珪素は、どのような
実質上の厚さにおいても、可視光線に対し不透明
である。従つて一酸化珪素は、約500ミリマイク
ロメータよりも少ない平均の厚みを有すると共に
間隔をおいて並べられた不伝導性物質からなる点
状物の形で用いられる。他の上記不伝導性物質は
すべて、可視光線に対し、少なくとも約１マイク
ロメータの厚さまでは透明である。
伝導性物質は次のものを含む、すなわち ａ 二酸化珪素 ｂ 二酸化珪素、二酸化ゲルマニウム ｃ 弗化マグネシウム、弗化カドミウムおよび
弗化イツトリウム ｄ 酸化イツトリウム ｅ 硫化亜鉛、硫化銅 これらの物質のうち一酸化珪素は、どのような
実質上の厚さにおいても、可視光線に対し不透明
である。従つて一酸化珪素は、約500ミリマイク
ロメータよりも少ない平均の厚みを有すると共に
間隔をおいて並べられた不伝導性物質からなる点
状物の形で用いられる。他の上記不伝導性物質は
すべて、可視光線に対し、少なくとも約１マイク
ロメータの厚さまでは透明である。
第３図は本発明製造方法の参考例を説明する図
である。参考例の製造方法においては、高度の真
空状態（すなわち低圧状態）を作り出すための通
常の設備を備えた従来の蒸発装置（図示されてい
ない）中で不伝導性物質の蒸発と蒸着が行なわれ
る。蒸発すべき所定の不伝導性物質２６は、３０
でアースに接続されている炭素製のるつぼ２８中
に配置される。
である。参考例の製造方法においては、高度の真
空状態（すなわち低圧状態）を作り出すための通
常の設備を備えた従来の蒸発装置（図示されてい
ない）中で不伝導性物質の蒸発と蒸着が行なわれ
る。蒸発すべき所定の不伝導性物質２６は、３０
でアースに接続されている炭素製のるつぼ２８中
に配置される。
るつぼ２８の近くには、環状のフイラメント３
２が配置され、このフイラメント３２は開口３６
をその中に有する集中電極３４と同一平面上にあ
り、その開口３６中にフイラメント３２が置かれ
ている。るつぼ２８からみてフイラメント３２の
反対側に導電層２０が配置される。導電層２０は
板ガラス１８上に配置されている。
２が配置され、このフイラメント３２は開口３６
をその中に有する集中電極３４と同一平面上にあ
り、その開口３６中にフイラメント３２が置かれ
ている。るつぼ２８からみてフイラメント３２の
反対側に導電層２０が配置される。導電層２０は
板ガラス１８上に配置されている。
フイラメント３２は、たとえばモリブデンある
いはタングステンといつた材料から作られ、熱せ
られて熱電子放出を生ずる。この参考例では、約
30アンペアのヒータ電流が使用される。集束電極
３４は、アースに関して約−300ボルトの電圧に
保たれている。フイラメント３２からの電子は、
るつぼ２８へ飛び、不伝導性物質２６を衝撃によ
つて加熱して蒸発させる。フイラメント３２とる
つぼ２８の間の適切な電圧差は、約2000ボルトか
ら3000ボルトの範囲内である。るつぼ２８から不
伝導性物質２６が蒸発させられた時、蒸発粒子
は、矢印３８で示した蒸発粒子の平均的な方向に
対して傾斜した角度で配置されている導電層２０
に向かつて進む。蒸発粒子の平均的な方向と、粒
子が蒸着される導電層２０に対する垂直面との間
の角度θは、好ましくは約10゜から約40゜の範囲内
である。これは導電層２０上に、第１図に図示さ
れているように、波状の横断面を有する非平坦層
２２を生ぜしめる。非平坦層２２の厚みは、るつ
ぼ２８内に初めにそこからの蒸発のために置かれ
ていた電気的に不伝導性物質の量によつて制御さ
れる。典型的には、最大の厚さは１マイクロメー
タ以下であり、一方最小の厚さはおよそ50ミリマ
イクロメータである。
いはタングステンといつた材料から作られ、熱せ
られて熱電子放出を生ずる。この参考例では、約
30アンペアのヒータ電流が使用される。集束電極
３４は、アースに関して約−300ボルトの電圧に
保たれている。フイラメント３２からの電子は、
るつぼ２８へ飛び、不伝導性物質２６を衝撃によ
つて加熱して蒸発させる。フイラメント３２とる
つぼ２８の間の適切な電圧差は、約2000ボルトか
ら3000ボルトの範囲内である。るつぼ２８から不
伝導性物質２６が蒸発させられた時、蒸発粒子
は、矢印３８で示した蒸発粒子の平均的な方向に
対して傾斜した角度で配置されている導電層２０
に向かつて進む。蒸発粒子の平均的な方向と、粒
子が蒸着される導電層２０に対する垂直面との間
の角度θは、好ましくは約10゜から約40゜の範囲内
である。これは導電層２０上に、第１図に図示さ
れているように、波状の横断面を有する非平坦層
２２を生ぜしめる。非平坦層２２の厚みは、るつ
ぼ２８内に初めにそこからの蒸発のために置かれ
ていた電気的に不伝導性物質の量によつて制御さ
れる。典型的には、最大の厚さは１マイクロメー
タ以下であり、一方最小の厚さはおよそ50ミリマ
イクロメータである。
第４図は本発明製造方法の実施例を説明する図
である。第４図は、間隔をへだてて密に列状に並
べられた電気的に不伝導性物質の点状物からなる
不連続的な絶縁層としての非平坦層を形成させる
方法とその形成装置を図示したものである。るつ
ぼ２８、フイラメント３２および集束電極３４
は、第３図に関連して既に説明されているような
方法で配置される。本実施例においては電極とし
ての導電層２０は、矢印３８で示された蒸発した
粒子の平均的方向に対して垂直であるように配置
されている。さらに、導電層２０と蒸発粒子の供
給源との間には、導電層２０と接しあるいはそれ
に非常に接近して、有孔マスク４０が配置されて
いる。有孔マスク４０における孔は、その孔を蒸
発粒子が通過することにより導電層２０上に、所
定の寸法と間隔を有する列状配列状態の点状物
（第２図中の点状物２４）を形成できるような寸
法と間隔を持つよう配列されている。なお、有孔
マスク４０は、密に且つ不連続的に間隔を置いて
配置された孔を有する。適切な有孔マスク４０
は、たとえばステンレス・スチールのような金属
で、あるいはナイロン・モノフイラメントのよう
なプラスチツク材料で編まれたメツシユから作ら
れる。有孔マスク４０の中の孔の適当な寸法（あ
るいはメツシユの寸法）は、約10から50マイクロ
メータの範囲内である。有孔マスク４０は、導電
層２０から０乃至約５ミリメートルの距離の位置
に配置し得る。
である。第４図は、間隔をへだてて密に列状に並
べられた電気的に不伝導性物質の点状物からなる
不連続的な絶縁層としての非平坦層を形成させる
方法とその形成装置を図示したものである。るつ
ぼ２８、フイラメント３２および集束電極３４
は、第３図に関連して既に説明されているような
方法で配置される。本実施例においては電極とし
ての導電層２０は、矢印３８で示された蒸発した
粒子の平均的方向に対して垂直であるように配置
されている。さらに、導電層２０と蒸発粒子の供
給源との間には、導電層２０と接しあるいはそれ
に非常に接近して、有孔マスク４０が配置されて
いる。有孔マスク４０における孔は、その孔を蒸
発粒子が通過することにより導電層２０上に、所
定の寸法と間隔を有する列状配列状態の点状物
（第２図中の点状物２４）を形成できるような寸
法と間隔を持つよう配列されている。なお、有孔
マスク４０は、密に且つ不連続的に間隔を置いて
配置された孔を有する。適切な有孔マスク４０
は、たとえばステンレス・スチールのような金属
で、あるいはナイロン・モノフイラメントのよう
なプラスチツク材料で編まれたメツシユから作ら
れる。有孔マスク４０の中の孔の適当な寸法（あ
るいはメツシユの寸法）は、約10から50マイクロ
メータの範囲内である。有孔マスク４０は、導電
層２０から０乃至約５ミリメートルの距離の位置
に配置し得る。
本発明の実施例及び参考例に関するテストは非
平坦層２２と硫化亜鉛、マンガン、銅（ZnS：
Mn：Cu）からなる螢光体層とを有するDCEL装
置について行われた。参考例の場合の電気的に不
伝導性物質は一酸化珪素（SiO）であつた。非平
坦層２２を導電層２０上に、蒸着により形成させ
るために、角度を或る範囲内で種々変えて蒸着操
作を行つた。非平坦層２２の厚さは約100ミリマ
イクロメータ以下であつた。従来公知のDCEL装
置を形成するために要する電力は約１ワツトcm-2
であつた。一酸化珪素の蒸着フイルムに関して
は、形成電力は、0.66ワツトcm-2（前記角度が0゜の
時）から、0.00005ワツトcm-2（40゜の時）であつ
て、蒸着の際の角度（第３図におけるθ）が垂直
面から離れて増大するに従つて形成電力が少なく
なることが見出された。
平坦層２２と硫化亜鉛、マンガン、銅（ZnS：
Mn：Cu）からなる螢光体層とを有するDCEL装
置について行われた。参考例の場合の電気的に不
伝導性物質は一酸化珪素（SiO）であつた。非平
坦層２２を導電層２０上に、蒸着により形成させ
るために、角度を或る範囲内で種々変えて蒸着操
作を行つた。非平坦層２２の厚さは約100ミリマ
イクロメータ以下であつた。従来公知のDCEL装
置を形成するために要する電力は約１ワツトcm-2
であつた。一酸化珪素の蒸着フイルムに関して
は、形成電力は、0.66ワツトcm-2（前記角度が0゜の
時）から、0.00005ワツトcm-2（40゜の時）であつ
て、蒸着の際の角度（第３図におけるθ）が垂直
面から離れて増大するに従つて形成電力が少なく
なることが見出された。
本発明の実施例に係るCDEL装置の場合、点状
物２４の列からなる絶縁層としての非平坦層２２
は、電気的に不伝導性物質が一酸化珪素（SiO）
である時、DCEL装置においてコントラストを高
めるという効果を奏する。50マイクロメータの孔
を有するナイロン・メツシユからなる有孔マスク
４０を通して導電層２０上に前述の不伝導性物質
を蒸着させ、そしてZnS：Mn：Cuからなる螢光
体層を使用した例においては、コントラスト増強
比率は約1.25：１であつた。
物２４の列からなる絶縁層としての非平坦層２２
は、電気的に不伝導性物質が一酸化珪素（SiO）
である時、DCEL装置においてコントラストを高
めるという効果を奏する。50マイクロメータの孔
を有するナイロン・メツシユからなる有孔マスク
４０を通して導電層２０上に前述の不伝導性物質
を蒸着させ、そしてZnS：Mn：Cuからなる螢光
体層を使用した例においては、コントラスト増強
比率は約1.25：１であつた。
［発明の効果］
本発明の直流電界発光装置は、発光輝度が改善
されていると共に、絶縁層と螢光体層との間の接
着性が改良されている。
されていると共に、絶縁層と螢光体層との間の接
着性が改良されている。
本発明の直流電界発光装置の製造方法は、製造
コストを低減し得る。
コストを低減し得る。
第１図は本発明の参考例によるDCEL装置の断
面図、第２図は本発明の実施例のDCEL装置の断
面図、第３図は本発明の参考例の製造方法を説明
する図、第４図は本発明の実施例の製造方法を説
明する図である。 １０……DCEL装置、１２……電極、１４……
螢光体層、１６……螢光体物質の粒子、１８……
板ガラス、２０……導電層、２２……非平坦層、
２４……不伝導性物質の点状物、２６……不伝導
性物質、２８……るつぼ、３０……アース、３２
……フイラメント、３４……集束電極、３６……
開口、３８……矢印、４０……有孔マスク。
面図、第２図は本発明の実施例のDCEL装置の断
面図、第３図は本発明の参考例の製造方法を説明
する図、第４図は本発明の実施例の製造方法を説
明する図である。 １０……DCEL装置、１２……電極、１４……
螢光体層、１６……螢光体物質の粒子、１８……
板ガラス、２０……導電層、２２……非平坦層、
２４……不伝導性物質の点状物、２６……不伝導
性物質、２８……るつぼ、３０……アース、３２
……フイラメント、３４……集束電極、３６……
開口、３８……矢印、４０……有孔マスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２つの電極と、当該２つの電極間に配置され
た螢光体層と、前記２つの電極の少なくとも一方
と前記螢光体層との間に挾持された絶縁層とを備
えており、前記少なくとも一方の電極が平坦且つ
半透明であり、前記絶縁層が、１マイクロメータ
以下の厚みを有すると共に、密に且つ不連続的に
間隔を置いて配置され且つ電気的に不伝導性物質
からなる点状物を含む直流電界発光装置。 ２ 前記絶縁層が少なくとも50ミリマイクロメー
タの厚みを有する特許請求の範囲第１項に記載の
装置。 ３ 前記絶縁層が半透明であり、前記少なくとも
一方の電極と前記螢光体層との間に配置されてい
る特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装
置。 ４ 前記絶縁層が、一酸化珪素、二酸化珪素、二
酸化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カド
ミウム、弗化イツトリウム、酸化イツトリウム、
硫化亜鉛及び硫化銅からなる群から選択された少
なくとも一つの物質からなる特許請求の範囲第１
項から第３項のいずれか一項に記載の装置。 ５ 平坦且つ半透明な電極を準備する段階と、 電気的に不伝導性物質からなる粒子を蒸発させ
る段階と、 密に且つ不連続的に間隔を置いて配置された孔
を有する有孔マスクで前記電極の一方の表面を覆
う段階と、 前記マスクの前記孔を介して前記電極の前記一
方の表面上に前記蒸発した粒子を蒸着させ、１マ
イクロメータ以下の厚みを有すると共に、密に且
つ不連続的に間隔を置いて配置され且つ前記電気
的に不伝導性物質からなる点状物を含む絶縁層を
形成する段階と、 前記形成された絶縁層上に螢光体層を形成する
段階と、 前記形成された螢光体層の表面に他の電極を設
ける段階とを有した直流電界発光装置の製造方
法。 ６ 前記蒸発段階が、一酸化珪素、二酸化珪素、
二酸化ゲルマニウム、弗化マグネシウム、弗化カ
ドミウム、弗化イツトリウム、酸化イツトリウ
ム、硫化亜鉛及び硫化銅からなる群から選択され
た少なくとも一つの物質を蒸発させる段階を含む
特許請求の範囲第５項に記載の方法。 ７ 前記孔の各々が10〜50マイクロメータの直径
を有しており、マスクが前記準備した電極から０
〜５ミリメートルの距離に配置される特許請求の
範囲第６項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8136678 | 1981-12-04 | ||
| GB8136678 | 1981-12-04 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Division JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119094A JPH02119094A (ja) | 1990-05-07 |
| JPH0440836B2 true JPH0440836B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=10526388
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Granted JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
| JP1232686A Granted JPH02119094A (ja) | 1981-12-04 | 1989-09-07 | 直流電界発光装置及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212053A Granted JPS58117677A (ja) | 1981-12-04 | 1982-12-02 | 直流電界発光装置とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4529885A (ja) |
| JP (2) | JPS58117677A (ja) |
| FR (1) | FR2517921B1 (ja) |
| NL (1) | NL8204697A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
| US4634639A (en) * | 1984-04-30 | 1987-01-06 | Hoya Corporation | Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide |
| NL8502570A (nl) * | 1985-09-20 | 1987-04-16 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis met geoeptimaliseerde microstructuur. |
| JPH0744069B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
| US4902567A (en) * | 1987-12-31 | 1990-02-20 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Electroluminescent lamp devices using monolayers of electroluminescent materials |
| US6613455B1 (en) * | 1999-01-14 | 2003-09-02 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent device and method for producing same |
| JP2007297608A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透光性導電塗料及び透光性導電膜並びに分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR102369676B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2829265A (en) * | 1954-11-23 | 1958-04-01 | Westinghouse Electric Corp | Electrode structrue for imaging device |
| US3731353A (en) * | 1972-02-16 | 1973-05-08 | A Vecht | Method of making electroluminescent devices |
| US4015166A (en) * | 1972-09-06 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | X-Y matrix type electroluminescent display panel |
| GB1407098A (en) * | 1972-12-08 | 1975-09-24 | Inst Poluprovodnikov | Electroluminescent device |
| JPS6042600B2 (ja) * | 1975-07-22 | 1985-09-24 | フオスフアー プロダクツ カンパニー リミテツド | エレクトロミネツサンス装置 |
| GB1568111A (en) * | 1975-07-22 | 1980-05-29 | Phosphor Prod Co Ltd | Electroluminescent devices |
| JPS532177U (ja) * | 1976-06-23 | 1978-01-10 | ||
| JPS53138751A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of liquid crystal display element |
| JPS5814556Y2 (ja) * | 1979-01-22 | 1983-03-23 | オムロン株式会社 | 電界発光素子 |
| JPS5937555B2 (ja) * | 1979-11-09 | 1984-09-10 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 両面発光形電界発光灯の製造方法 |
| JPS57123684A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing thin film light emitting element |
| JPS57165996A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-13 | Alps Electric Co Ltd | Electric field light emitting device and method of producing same |
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
-
1982
- 1982-12-01 US US06/445,752 patent/US4529885A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-02 JP JP57212053A patent/JPS58117677A/ja active Granted
- 1982-12-03 NL NL8204697A patent/NL8204697A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-12-03 FR FR8220330A patent/FR2517921B1/fr not_active Expired
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1232686A patent/JPH02119094A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2517921A1 (fr) | 1983-06-10 |
| FR2517921B1 (fr) | 1987-03-06 |
| JPS58117677A (ja) | 1983-07-13 |
| US4529885A (en) | 1985-07-16 |
| JPH02119094A (ja) | 1990-05-07 |
| JPH0231474B2 (ja) | 1990-07-13 |
| NL8204697A (nl) | 1983-07-01 |
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