JPH0441174Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441174Y2 JPH0441174Y2 JP6168987U JP6168987U JPH0441174Y2 JP H0441174 Y2 JPH0441174 Y2 JP H0441174Y2 JP 6168987 U JP6168987 U JP 6168987U JP 6168987 U JP6168987 U JP 6168987U JP H0441174 Y2 JPH0441174 Y2 JP H0441174Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- exhaust pipe
- internal reaction
- raw material
- wafers
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 57
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はウエーハの表面にCVD膜を均一に生
成する減圧縦型CVD装置に関する。
成する減圧縦型CVD装置に関する。
第４図は従来の減圧縦型CVD装置の一例を示
す簡略断面図で、１は発熱体、２はこの発熱体１
の内側に垂設された外部反応管、３はこの外部反
応管２の内側に垂設された内部反応管、７は反応
室キヤツプ部である。９はこの反応室キヤツプ部
７を上下動させるエレベータで、当該キヤツプ部
７を上下動させることによりキヤツプ部７上に載
置したボート１０を内部反応管３より出入できる
ようになつている。１１はボート１０に保持した
多数のウエーハである。１２は内部反応管３の下
方より原料ガスを供給する供給管であり、５ａは
この供給管１２の途中に介挿されたガスコントロ
ールシステムである。４は内、外部反応管３，２
間の下部より排気する排気管であり、６は排気用
の真空ポンプである。
す簡略断面図で、１は発熱体、２はこの発熱体１
の内側に垂設された外部反応管、３はこの外部反
応管２の内側に垂設された内部反応管、７は反応
室キヤツプ部である。９はこの反応室キヤツプ部
７を上下動させるエレベータで、当該キヤツプ部
７を上下動させることによりキヤツプ部７上に載
置したボート１０を内部反応管３より出入できる
ようになつている。１１はボート１０に保持した
多数のウエーハである。１２は内部反応管３の下
方より原料ガスを供給する供給管であり、５ａは
この供給管１２の途中に介挿されたガスコントロ
ールシステムである。４は内、外部反応管３，２
間の下部より排気する排気管であり、６は排気用
の真空ポンプである。
このような従来装置において、エレベータ９に
よりキヤツプ部７を上動させ、キヤツプ部７に載
置したボート１０を内部反応管（ホツトウオール
反応室）３内に導入すると、内、外部反応管３，
２の下方においてキヤツプ部７で密閉される。こ
の状態で真空ポンプ６を駆動すると、内部反応管
３内のガスは内、外部反応管３，２間を通り、排
気管４を経て排気され、内部反応管３内は真空状
態になる。
よりキヤツプ部７を上動させ、キヤツプ部７に載
置したボート１０を内部反応管（ホツトウオール
反応室）３内に導入すると、内、外部反応管３，
２の下方においてキヤツプ部７で密閉される。こ
の状態で真空ポンプ６を駆動すると、内部反応管
３内のガスは内、外部反応管３，２間を通り、排
気管４を経て排気され、内部反応管３内は真空状
態になる。
そして原料ガスをガスコントロールシステム５
ａ及び供給管１２を経て内部反応管３の下部より
供給すると、原料ガスは矢印で示す経路を通つて
真空ポンプ６により排気される。その過程におい
てボート１０に支持された多数のウエーハ１１の
表面に気相中で化学反応したCVD膜が生成され
ることになる。
ａ及び供給管１２を経て内部反応管３の下部より
供給すると、原料ガスは矢印で示す経路を通つて
真空ポンプ６により排気される。その過程におい
てボート１０に支持された多数のウエーハ１１の
表面に気相中で化学反応したCVD膜が生成され
ることになる。
しかしながら上記従来装置にあつては、多量の
ウエーハ１１を処理しようとした場合、単純に考
えると、ボート１０の高さはもとより発熱体１、
内外部反応管３，２の高さも高くしなければなら
ず、設置室を天井の高い室にしなければならない
し、また高さが高くなると、ボート１０の下方位
置（ガス流入側）にあるウエーハの表面に生成さ
れる膜の厚さと上方位置（ガス流出側）にあるウ
エーハの表面に生成される膜の厚さに差が生じ、
多量のウエーハの表面に均一性よくCVD膜を生
成することができなくなるばかりでなく、原料ガ
スが外部反応管２の内面に沿つて流れるので、外
部反応管２の内面に反応物が多量に付着し、フレ
ークが増大し、洗浄頻度が高くなるという問題点
があつた。
ウエーハ１１を処理しようとした場合、単純に考
えると、ボート１０の高さはもとより発熱体１、
内外部反応管３，２の高さも高くしなければなら
ず、設置室を天井の高い室にしなければならない
し、また高さが高くなると、ボート１０の下方位
置（ガス流入側）にあるウエーハの表面に生成さ
れる膜の厚さと上方位置（ガス流出側）にあるウ
エーハの表面に生成される膜の厚さに差が生じ、
多量のウエーハの表面に均一性よくCVD膜を生
成することができなくなるばかりでなく、原料ガ
スが外部反応管２の内面に沿つて流れるので、外
部反応管２の内面に反応物が多量に付着し、フレ
ークが増大し、洗浄頻度が高くなるという問題点
があつた。
本考案装置は上記の問題点を解決するため、第
１図〜第３図に示すように発熱体１の内側に外部
反応管２を垂設し、この外部反応管２の中心部に
排気管４を垂直に配設し、この排気管４を中心に
して複数個の内部反応管３を垂設せしめ、排気管
４に嵌め込んだ反応室キヤツプ部７上に、各内部
反応管３内に挿入される多数のウエーハ１１を支
持した複数個のボート１０を載置し、各内部反応
管３の下方より原料ガスを供給すると共に、中心
部の排気管４の下方より排気するように構成した
ものである。
１図〜第３図に示すように発熱体１の内側に外部
反応管２を垂設し、この外部反応管２の中心部に
排気管４を垂直に配設し、この排気管４を中心に
して複数個の内部反応管３を垂設せしめ、排気管
４に嵌め込んだ反応室キヤツプ部７上に、各内部
反応管３内に挿入される多数のウエーハ１１を支
持した複数個のボート１０を載置し、各内部反応
管３の下方より原料ガスを供給すると共に、中心
部の排気管４の下方より排気するように構成した
ものである。
原料ガスは複数個の内部反応管３の下方より供
給され、各内部反応管３内に挿入されたボート１
０を経て中心部の排気管４の上端より下方へ流
れ、排気管４の下方より排気される。その過程に
おいて複数個のボート１０に支持された多数のウ
エーハ１１の表面に気相中で化学反応したCVD
膜が生成される。
給され、各内部反応管３内に挿入されたボート１
０を経て中心部の排気管４の上端より下方へ流
れ、排気管４の下方より排気される。その過程に
おいて複数個のボート１０に支持された多数のウ
エーハ１１の表面に気相中で化学反応したCVD
膜が生成される。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本考案装置の一実施例を示す簡略断面
図、第２図は第１図の−線断面図、第３図は
本考案における反応管キヤツプ部に複数個のボー
トを載置した状態を示す簡略斜視図である。
図、第２図は第１図の−線断面図、第３図は
本考案における反応管キヤツプ部に複数個のボー
トを載置した状態を示す簡略斜視図である。
第１図において１は発熱体、２はこの発熱体１
の内側に垂設された外部反応管、４はこの外部反
応管２の中心部に垂直に配設された排気管であ
る。この排気管４は金属製である場合、不純物汚
染をウエーハに引き起こすので、これを回避する
ため石英製円筒管８でカバーされている。排気管
４は真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
の内側に垂設された外部反応管、４はこの外部反
応管２の中心部に垂直に配設された排気管であ
る。この排気管４は金属製である場合、不純物汚
染をウエーハに引き起こすので、これを回避する
ため石英製円筒管８でカバーされている。排気管
４は真空ポンプ（図示せず）に連結されている。
複数個のこの例では３個の内部反応管（第２図
参照）が排気管４を中心にして垂設されている。
排気管４に嵌め込んだ反応室キヤツプ部７上に
は、第３図示のように各内部反応管３内に挿入さ
れる多数のウエーハ１１を支持した３個のボート
１０が載置されている。反応室キヤツプ部７はエ
レベータ９により上下動される。
参照）が排気管４を中心にして垂設されている。
排気管４に嵌め込んだ反応室キヤツプ部７上に
は、第３図示のように各内部反応管３内に挿入さ
れる多数のウエーハ１１を支持した３個のボート
１０が載置されている。反応室キヤツプ部７はエ
レベータ９により上下動される。
各内部反応管３の下部は供給管１２に接続さ
れ、原料ガスはガスコントロールシステム５によ
り各内部反応管３内に均一に供給されるようにな
つている。
れ、原料ガスはガスコントロールシステム５によ
り各内部反応管３内に均一に供給されるようにな
つている。
上記の構成において、エレベータ９により反応
室キヤツプ部７を上動させ、キヤツプ部７に載置
した３個のボート１０を各内部反応管３内に導入
すると、各内、外部反応管３，２の下方において
キヤツプ部７で密閉される。この状態で真空ポン
プ（図示せず）を駆動すると内、外部反応管３，
２間のガスは、排気管４の上方より下方へ向かつ
て排気され、内、外部反応管３，２内は真空状態
になる。
室キヤツプ部７を上動させ、キヤツプ部７に載置
した３個のボート１０を各内部反応管３内に導入
すると、各内、外部反応管３，２の下方において
キヤツプ部７で密閉される。この状態で真空ポン
プ（図示せず）を駆動すると内、外部反応管３，
２間のガスは、排気管４の上方より下方へ向かつ
て排気され、内、外部反応管３，２内は真空状態
になる。
原料ガスを本管１３に導入すると、原料ガスは
ガスコントロールシステム５により各内部反応管
３内に供給管１２を経て均一に供給され、この供
給された原料ガスは矢印で示すように多数のウエ
ーハ１１を支持した３個のボート１０と各内部反
応管３の内周との間を経由し、中心部の排気管４
の上方より下方に向かつて排気される。
ガスコントロールシステム５により各内部反応管
３内に供給管１２を経て均一に供給され、この供
給された原料ガスは矢印で示すように多数のウエ
ーハ１１を支持した３個のボート１０と各内部反
応管３の内周との間を経由し、中心部の排気管４
の上方より下方に向かつて排気される。
この排気過程において３個のボート１０に支持
された多数のウエーハ１１の表面に気相中で化学
反応したCVD膜が生成される。このCVD膜、特
に、SiO2，PSG、ドープトポリシリコンの膜の
厚さの均一性は内部反応管３とウエーハ１１間の
ギヤツプに左右されるが、当該ギヤツプを適切に
することによりSiO2，PSG、ドープトポリシリ
コン等のCVD膜においても均一な膜厚のものが
生成できる。
された多数のウエーハ１１の表面に気相中で化学
反応したCVD膜が生成される。このCVD膜、特
に、SiO2，PSG、ドープトポリシリコンの膜の
厚さの均一性は内部反応管３とウエーハ１１間の
ギヤツプに左右されるが、当該ギヤツプを適切に
することによりSiO2，PSG、ドープトポリシリ
コン等のCVD膜においても均一な膜厚のものが
生成できる。
また、本考案においては、横方向に大きくなる
が、縦方向には大きくならない（高くならない）
ので、設置室を天井の高い室にする必要はない
し、かつ各ボート１０の下方位置（ガス流入側）
にあるウエーハの表面に生成される膜の厚さと上
方位置（ガス流出側）にあるウエーハの表面に生
成される膜の厚さに差が生じることはなく、多量
のウエーハの表面には均一性よくCVD膜を生成
することができる。
が、縦方向には大きくならない（高くならない）
ので、設置室を天井の高い室にする必要はない
し、かつ各ボート１０の下方位置（ガス流入側）
にあるウエーハの表面に生成される膜の厚さと上
方位置（ガス流出側）にあるウエーハの表面に生
成される膜の厚さに差が生じることはなく、多量
のウエーハの表面には均一性よくCVD膜を生成
することができる。
更に原料ガスが各内部反応管３の内面に沿つて
流れ、中心部の排気管４より排気されるので、外
部反応管２の内面に付着する反応物を低減し、フ
レークを少なく、洗浄頻度を低減することができ
る。
流れ、中心部の排気管４より排気されるので、外
部反応管２の内面に付着する反応物を低減し、フ
レークを少なく、洗浄頻度を低減することができ
る。
即ち、本考案によれば、多量のウエーハ１１の
表面に均一性よくCVD膜を生成することができ
るばかりでなく、外部反応管の内面に付着する反
応物を低減でき、フレークを少なく、洗浄頻度を
低減することができる。
表面に均一性よくCVD膜を生成することができ
るばかりでなく、外部反応管の内面に付着する反
応物を低減でき、フレークを少なく、洗浄頻度を
低減することができる。
第１図は本考案装置の一実施例を示す簡略断面
図、第２図は第１図の−線断面図、第３図は
本考案における反応管キヤツプ部に複数個のボー
トを載置した状態を示す簡略斜視図、第４図は従
来の減圧縦型CVD装置の一例を示す簡略断面図
である。 １……発熱体、２……外部反応管、３……内部
反応管、４……排気管、７……反応室キヤツプ
部、１０……ボート、１１……ウエーハ。
図、第２図は第１図の−線断面図、第３図は
本考案における反応管キヤツプ部に複数個のボー
トを載置した状態を示す簡略斜視図、第４図は従
来の減圧縦型CVD装置の一例を示す簡略断面図
である。 １……発熱体、２……外部反応管、３……内部
反応管、４……排気管、７……反応室キヤツプ
部、１０……ボート、１１……ウエーハ。
Claims (1)
- 発熱体１の内側に外部反応管２を垂設し、この
外部反応管２の中心部に排気管４を垂直に配設
し、この排気管４を中心にして複数個の内部反応
管３を垂設せしめ、排気管４に嵌め込んだ反応室
キヤツプ部７上に、各内部反応管３内に挿入され
る多数のウエーハ１１を支持した複数個のボート
１０を載置し、各内部反応管３の下方より原料ガ
スを供給すると共に、中心部の排気管４の下方よ
り排気するように構成した減圧縦型CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168987U JPH0441174Y2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168987U JPH0441174Y2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170465U JPS63170465U (ja) | 1988-11-07 |
| JPH0441174Y2 true JPH0441174Y2 (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=30895263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6168987U Expired JPH0441174Y2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441174Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP6168987U patent/JPH0441174Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63170465U (ja) | 1988-11-07 |
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