JPH0441258A - thermal printer head - Google Patents
thermal printer headInfo
- Publication number
- JPH0441258A JPH0441258A JP14955090A JP14955090A JPH0441258A JP H0441258 A JPH0441258 A JP H0441258A JP 14955090 A JP14955090 A JP 14955090A JP 14955090 A JP14955090 A JP 14955090A JP H0441258 A JPH0441258 A JP H0441258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- thermal printer
- printer head
- transistor
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ、ワープロ等のサーマルプリン
タヘッドに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a thermal printer head for facsimiles, word processors, etc.
サーマルプリンタヘッドは印字を行う発熱部とそれを駆
動するドライバーICからなっており、電流を流すこと
によって発熱し印字を行う。The thermal printer head consists of a heat-generating section that performs printing and a driver IC that drives it, and generates heat and prints by passing an electric current through it.
前記、ドライバーICはCMO5あるいはBi−CMO
5のチップであり、これらはワイヤーボンディングによ
って接続されている。The driver IC is CMO5 or Bi-CMO.
5 chips, which are connected by wire bonding.
前記のようなサーマルプリンタヘッドは、高解像度化や
ドツト数の増加に対してワイヤボンディング等の実装上
の制限が与えられ、サーマルプリンタヘッドの小型化、
低価格化を困難にしている。The thermal printer head described above is subject to mounting restrictions such as wire bonding as the resolution increases and the number of dots increases.
This makes it difficult to lower prices.
そのため、基板に石英を用い、駆動回路をポリシリコン
薄膜トランジスタで構成し、かつ。Therefore, the substrate is made of quartz, and the drive circuit is composed of polysilicon thin film transistors.
その作製工程でポリシリコンを発熱体として形成するこ
とにより、ICチップを使用せず、同一基板上に駆動回
路と発熱体を一体化することが、多数提案されてきてい
る。Many proposals have been made to integrate a driving circuit and a heating element on the same substrate without using an IC chip by forming polysilicon as a heating element in the manufacturing process.
たとえば、特開昭62−204964号では、発熱抵抗
体を選択的に通電し発熱させるのをドライバー素子の駆
動で行ない、このドライバー素子をMOSFETで、他
の回路をCMO5で構成し、これらのソース・ドレイン
活性層の多結晶シリコンの膜厚を800Å以下とするこ
とを開示している。For example, in JP-A No. 62-204964, a heating resistor is selectively energized to generate heat by driving a driver element, and this driver element is a MOSFET and other circuits are CMO5, and these sources - It is disclosed that the thickness of the polycrystalline silicon of the drain active layer is 800 Å or less.
しかしながら、前記従来例においては以下の点でまだ充
分ではなかった6
発熱体1ビツトをオンさせる時の電流値は数mA〜数+
mA必要であり、ドライバートランジスタにその電流駆
動能力が要求される。However, the conventional example described above was still insufficient in the following points6: The current value when turning on one bit of the heating element ranges from several mA to several +
mA is required, and the driver transistor is required to have the current driving capability.
MOSトランジスタでドライバートランジスタを作成す
ると、ウェハで作成されたものでも、W/Lが数十〜数
百必要となり、ましてポリシリコン薄膜トランジスタで
は確実に数百以上必要となり、かなり面積を占めること
になる。又、そこまでWが大きくなるとオフ時のリーク
電流も大きくなり、問題が生じてくる。If a driver transistor is made from a MOS transistor, even one made from a wafer will require tens to hundreds of W/L, and polysilicon thin film transistors will certainly require hundreds or more, occupying a considerable area. Furthermore, if W increases to that extent, the leakage current during off-time also increases, causing a problem.
本発明の目的は、ドライバー薄膜トランジスタをMOS
トランジスタではなく、大電流駆動能力のあるバイポー
ラトランジスタにして面積を小さく、かつリーク電流も
おさえることができるサーマルプリンタヘッドを提供す
るにある。The object of the present invention is to convert the driver thin film transistor into a MOS
To provide a thermal printer head which uses not a transistor but a bipolar transistor having a large current drive capability to reduce the area and suppress leakage current.
本発明の一つは、結縁基板上に、発熱抵抗体と、発熱抵
抗体をドライブするバイポーラ薄膜トランジスタと、M
OS型薄膜トランジスタからなる駆動回路により構成さ
れたことを特徴とするサーマルプリンタヘッドに関する
。One of the present inventions is to provide a heat generating resistor, a bipolar thin film transistor for driving the heat generating resistor, and an M
The present invention relates to a thermal printer head characterized in that it is constituted by a drive circuit made of OS type thin film transistors.
本発明のもう一つは、請求項1のサーマルプリンタヘッ
ドにおいて、バイポーラ薄膜トランジスタの半導体基板
が単結晶化されていることを特徴とするサーマルプリン
タヘッドに関する。Another aspect of the present invention relates to a thermal printer head according to claim 1, wherein the semiconductor substrate of the bipolar thin film transistor is made of a single crystal.
本発明における絶縁基板としては、石英ガラス、パイレ
ックスガラス、グレーズドセラミックなどを用いること
ができる。As the insulating substrate in the present invention, quartz glass, Pyrex glass, glazed ceramic, etc. can be used.
前記絶縁基板上に形成され発熱抵抗体をドライブするバ
イポーラ薄膜トランジスタ及び他の回路の0MO5薄膜
トランジスタは公知の手段で形成できる。The bipolar thin film transistor formed on the insulating substrate to drive the heating resistor and the 0MO5 thin film transistor of other circuits can be formed by known means.
前記バイポーラ薄膜トランジスタにおけるエミッタ・コ
レクタ・ベース部の半導体基板(活性層)は単結晶化さ
れていることが好ましい。Preferably, the semiconductor substrate (active layer) of the emitter, collector, and base portions of the bipolar thin film transistor is made of single crystal.
前記単結晶化には、たとえば半導体基板としてアモルフ
ァスシリコンまたはポリシリコンを用いる場合には、こ
れらを堆積後、公知のレーザーアニール処理を用いると
よい。For the single crystallization, for example, when amorphous silicon or polysilicon is used as the semiconductor substrate, a well-known laser annealing process may be used after depositing the amorphous silicon or polysilicon.
以下、本発明の具体的な実施例について図面を参照しな
がら説明する。Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は、本発明サーマルプリンタヘッドの回路構成例
の一例を示すものである。FIG. 1 shows an example of a circuit configuration of a thermal printer head of the present invention.
この回路構成例においては1画信号はデータ信号として
信号端子1よりシフトレジスタ回路2に入力される。信
号端子3より入力されるクロック信号に従ってシフトレ
ジスタ回路2に1ライン分のデータが入力されると、信
号端子4よりラッチパルスとして入力されるストローブ
信号により、全データはラッチ回路5に並列転送され保
持される。ラッチ回路5に保持されたデータは、信号端
子6より入力され印字タイミング等を決定するイネーブ
ル信号の指示に従ってゲート回路7を介してドライバー
素子8を駆動し、発熱抵抗体9に選択的に通電し発熱さ
せる。In this circuit configuration example, a one-picture signal is input as a data signal to a shift register circuit 2 from a signal terminal 1. When one line of data is input to the shift register circuit 2 according to the clock signal input from the signal terminal 3, all the data is transferred in parallel to the latch circuit 5 by the strobe signal input as a latch pulse from the signal terminal 4. Retained. The data held in the latch circuit 5 is inputted from the signal terminal 6 and drives the driver element 8 via the gate circuit 7 in accordance with the instruction of the enable signal that determines printing timing, etc., and selectively energizes the heating resistor 9. cause fever.
該発熱抵抗体を発熱させる前記ドライバー素子として1
本発明ではバイポーラ薄膜トランジスタを用い、他の回
路としてCMO5MOSトランジスタる。1 as the driver element that causes the heating resistor to generate heat;
In the present invention, a bipolar thin film transistor is used, and a CMO5MOS transistor is used as another circuit.
第2図は、本発明サーマルプリンタヘッドの一例の断面
図である。#!縁基板21としては、石英ガラス、パイ
レックスガラス、グレーズドセラミックなどが使用でき
る。FIG. 2 is a sectional view of an example of the thermal printer head of the present invention. #! As the edge substrate 21, quartz glass, Pyrex glass, glazed ceramic, etc. can be used.
発熱抵抗体22の抵抗を3にΩに設定した場合には1発
熱抵抗体22を、駆動回路を構成するMOS型薄膜トラ
ンジスタ23の活性層24と同一の多結晶シリコンを利
用してもよい。また発熱抵抗体22をもっと低抵抗、た
とえば1.3にΩに設定する場合にはMO5型薄膜トラ
ンジスタ23のゲート電極25を利用してもよい。また
、ゲート電極25には活性層24と同じくポリシリコン
を用いてもよい。When the resistance of the heating resistor 22 is set to 3Ω, the same polycrystalline silicon as the active layer 24 of the MOS thin film transistor 23 constituting the drive circuit may be used for the heating resistor 22. Furthermore, when the heating resistor 22 is set to a lower resistance, for example, 1.3 Ω, the gate electrode 25 of the MO5 type thin film transistor 23 may be used. Further, polysilicon may be used for the gate electrode 25 as well as the active layer 24.
次に、バイポーラ薄膜トランジスタ26における半導体
基板27としてポリシリコンを用いる場合には、MO3
型トランジスタ23のポリシリコンとは別工程でポリシ
リコンを堆積してもよく、またプロセスと膜厚の選択に
よってはゲート電極25のポリシリコンを使用すること
も可能である。Next, when polysilicon is used as the semiconductor substrate 27 in the bipolar thin film transistor 26, MO3
Polysilicon may be deposited in a separate process from the polysilicon of the type transistor 23, and it is also possible to use the polysilicon of the gate electrode 25 depending on the selection of process and film thickness.
前記半導体基板27としては、前記ポリシリコンのほか
にはアモルファスシリコンを用いることができる。As the semiconductor substrate 27, amorphous silicon can be used in addition to the polysilicon.
半導体基板27として堆積したポリシリコンまたはアモ
ルファスシリコンはアルゴンレーザー等によってレーザ
ーアニール処理して再結晶化させることが好ましい。The polysilicon or amorphous silicon deposited as the semiconductor substrate 27 is preferably recrystallized by laser annealing using an argon laser or the like.
前記レーザーアニール処理は公知の方法で行なうことが
でき、また半導体基板27を選択的に行なうようにして
もよい。The laser annealing process can be performed by a known method, and may be performed selectively on the semiconductor substrate 27.
前記処理により単結晶化した半導体基板27は、不純物
注入工程で、エミッタ28、コレクタ29、ベース30
が形成される。第2図のバイポーラトランジスタ26は
ラテラル構造のものである。The semiconductor substrate 27, which has been made into a single crystal by the above-mentioned treatment, undergoes an impurity implantation process to form an emitter 28, a collector 29, and a base 30.
is formed. Bipolar transistor 26 in FIG. 2 is of lateral structure.
なお、第2図では、駆動回路を構成するM○S型トラン
ジスタ23はドライバートランジスタ26をスイッチン
グする1つのトランジスタしか示していないが、実際は
シフトレジスタ等の回路をCMOSトランジスタで構成
する。Although FIG. 2 shows only one transistor for switching the driver transistor 26 as the M○S type transistor 23 constituting the drive circuit, in reality, a circuit such as a shift register is constituted by a CMOS transistor.
また、CMOSトランジスタにおいては、活性層24の
ポリシリコンの熱酸化膜をゲート絶縁膜31とし、その
上にゲート電極25のポリシリコンを形成する。pch
、 nchはそれぞれ、ボロン、リンのイオン注入で作
成することができる。Further, in a CMOS transistor, a thermally oxidized polysilicon film of the active layer 24 is used as a gate insulating film 31, and polysilicon of the gate electrode 25 is formed thereon. pch
, nch can be created by boron and phosphorus ion implantation, respectively.
電極32は発熱抵抗体22からMOS型トランジスタ2
3まで共通で、たとえばA Q−5iを使用するとよい
。33は眉間絶縁膜、34はパッシベーション膜である
。The electrode 32 is connected from the heating resistor 22 to the MOS transistor 2.
For example, A Q-5i may be used. 33 is an insulating film between the eyebrows, and 34 is a passivation film.
本発明サーマルプリンタヘッドにおいては、同一基板上
に発熱体、ドライバートランジスタ、駆動回路を形成し
、ドライバートランジスタをバイポーラ薄膜トランジス
タで構成しているので、小面積で充分なドライバー特性
を発揮することができる。また、ドライバー用のバイポ
ーラ薄膜トランジスタにおいて、レーザーアニル再結晶
化した半導体基板を用いたものは、−層良好なドライバ
ー特性を発揮することができる。In the thermal printer head of the present invention, the heating element, driver transistor, and drive circuit are formed on the same substrate, and the driver transistor is composed of a bipolar thin film transistor, so that sufficient driver characteristics can be exhibited in a small area. Further, in bipolar thin film transistors for drivers, those using a semiconductor substrate subjected to laser annealing recrystallization can exhibit good driver characteristics.
第1図は、本発明サーマルプリンタヘッドの回路構成例
の一例を示す回路図、第2図は、本発明サーマルプリン
タヘッドの一例の断面図である。
8・・ドライバ素子 9,22・・発熱抵抗体21・
・・絶縁基板
23・・・MO5型薄膜トランジスタ
24・活性層 25・・ゲート電極26・・・
バイポーラ薄膜トランジスタ27・・半導体基板
28・・・エミッタ29・・・コレクタ 30・
・・ベース31・・・ゲート絶縁膜 32・・電 極
33・・・層間絶縁膜
34・・パッシベーション膜
第1図
第2図FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of a thermal printer head of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of an example of the thermal printer head of the present invention. 8...Driver element 9,22...Heating resistor 21...
... Insulating substrate 23 ... MO5 type thin film transistor 24 • Active layer 25 ... Gate electrode 26 ...
Bipolar thin film transistor 27...Semiconductor substrate
28... Emitter 29... Collector 30.
...Base 31...Gate insulating film 32...Electrode 33...Interlayer insulating film 34...Passivation film Fig. 1 Fig. 2
Claims (1)
ブするバイポーラ薄膜トランジスタと、MOS型薄膜ト
ランジスタからなる駆動回路により構成されたことを特
徴とするサーマルプリンタヘッド。 2、請求項1のサーマルプリンタヘッドにおいて、バイ
ポーラ薄膜トランジスタの半導体基板が単結晶化されて
いることを特徴とするサーマルプリンタヘッド。[Scope of Claims] 1. A thermal printer head comprising a heating resistor, a bipolar thin film transistor for driving the heating resistor, and a drive circuit including a MOS thin film transistor on an insulating substrate. 2. The thermal printer head according to claim 1, wherein the semiconductor substrate of the bipolar thin film transistor is made of a single crystal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14955090A JPH0441258A (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | thermal printer head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14955090A JPH0441258A (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | thermal printer head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0441258A true JPH0441258A (en) | 1992-02-12 |
Family
ID=15477613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14955090A Pending JPH0441258A (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | thermal printer head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441258A (en) |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP14955090A patent/JPH0441258A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4112150B2 (en) | Operational amplifier circuit and method for manufacturing differential amplifier circuit | |
| JPH01162376A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS62181419A (en) | Recrystallization method of polycrystalline silicon | |
| JPH11251600A5 (en) | ||
| JPH1174535A5 (en) | ||
| EP0543489A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH0441258A (en) | thermal printer head | |
| JPH10229200A (en) | Thin film semiconductor device | |
| JPH0737146B2 (en) | Thin film thermal head | |
| JPH0621228A (en) | Semiconuctor device | |
| JPS5843573A (en) | bipolar transistor | |
| JPH04140152A (en) | Thermal head | |
| JP2003142496A (en) | Method for manufacturing thin film semiconductor device | |
| JP2805830B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2929115B2 (en) | Thermal print head | |
| JPS62296563A (en) | Insulated-gate transistor and manufacture thereof | |
| JPH02283073A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH0410465A (en) | semiconductor equipment | |
| JP3155077B2 (en) | TFT mounted thermal head | |
| JP2973752B2 (en) | Semiconductor storage circuit device | |
| JP2775643B2 (en) | Thermal head | |
| JPH02272756A (en) | semiconductor equipment | |
| JPH04110161A (en) | Heating resistor for thermal head and thermal head using it | |
| JPH0843858A (en) | Image display device and manufacturing method thereof | |
| JPH0642493B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |