JPH0441382Y2

JPH0441382Y2 -

Info

Publication number: JPH0441382Y2
Application number: JP12980887U
Authority: JP
Priority date: 1987-08-26
Filing date: 1987-08-26
Publication date: 1992-09-29
Also published as: JPS6435424U

Description

【考案の詳細な説明】［考案の目的］（産業上の利用分野）この考案は、例えば記憶素子が内蔵され、この
記憶素子に情報を記憶したり、この記憶された情
報を読出すことが可能なカード状記憶装置に関す
る。

（従来の技術）周知のように、集積回路からなる記憶素子が内
蔵され、この集積回路に所要の情報を記憶した
り、この記憶された情報を読出すことが可能なカ
ード状記憶装置が開発されている。

この種のカード状記憶装置において、メモリと
してＳ−RAM（スタテイツク・ランダム・アク
セス・メモリ）を使用している場合、カード本体
にメモリのバツクアツプ用電池が内蔵されてい
る。そして、カード本体が例えばパーソナル・コ
ンピユータ等の電子装置に装着された状態におい
ては、メモリに電子装置から電源（以下、外部電
源と称す）が供給され、カード本体が電子装置か
ら取外された場合、この電池によつてメモリの記
憶情報が保持されるようになつている。

また、カード本体の内部には外部電源の電圧が
低下した場合、メモリの電源供給を外部電源から
内蔵されている電池に切換えるとともに、メモリ
の例えばチツプイネーブル端子を所定のレベルに
設定し、メモリを記憶保持モードに設定するリセ
ツト回路が設けられている。

ところで、従来のカード状記憶装置において
は、前記リセツト回路に設定されているリセツト
電圧（外部電源と内蔵電池とを切換える基準電
圧）が固定とされていた。このため、例えば電池
を使用した携帯用の電子装置にカード状記憶装置
を装着した場合、集積回路の動作可能な電圧、例
えば３（Ｖ）より、リセツト電圧が4.5（Ｖ）と高
く設定されているとすると、電子装置の電池の電
圧が4.5（Ｖ）に低下した時点で、リセツトがかか
つてしまうため、電子装置は動作可能であるにも
係わらず、カードが記憶保持状態となつて使用不
能となるという不都合を有していた。

また、上記のようにリセツト電圧が集積回路の
動作可能電圧より高い電圧に設定されている場
合、電子装置が動作可能であるにも係わらず、カ
ード状記憶装置を動作可能とするため、電子装置
の電池を交換しなければならず、不経済なもので
あつた。

（考案が解決しようとする問題点）この考案は、リセツト電圧が固定されているこ
とによる問題を解決するものであり、その目的と
するところは、リセツト電圧をカード本体が接続
される電子装置から任意に設定可能とすることに
より、カード本体に設定されているリセツト電圧
より低い電圧でもカード状記憶装置を使用するこ
とが可能であるとともに、電子装置の電池を有効
に使用することが可能なカード状記憶装置を提供
しようとするものである。

［考案の構成］（問題点を解決するための手段）この考案は、内部に記憶手段が収容されたカー
ド本体と、このカード本体内に設けられ前記記憶
手段の記憶状態を保持する電源手段と、前記カー
ド本体に設けられ前記記憶手段に外部電源を接続
する第１、第２の接続手段と、前記カード本体に
設けられ比較電源が供給される第３の接続端子
と、リセツト電圧が設定され前記比較電圧が供給
されていない場合、このリセツト電圧と前記第
１、第２の接続手段に供給される外部電源の電圧
に応じて前記記憶手段を記憶保持状態に切換え、
前記第３の接続手段に比較電源が供給されている
場合、前記外部電源と比較電源の電圧に応じて前
記記憶手段を記憶保持状態に切換える切換え手段
とから構成されている（作用）この考案は、比較電源が供給される第３の接続
端子を設け、この第３の接続端子に比較電源が供
給されてない場合は、第１、第２の接続端子に供
給される外部電源の電圧と、切換え手段に設定さ
れているリセツト電圧に応じて記憶手段を記憶保
持状態に設定し、第３の接続端子に比較電源が供
給されている場合は、この比較電源と外部電圧に
応じて記憶手段を記憶保持状態に設定するように
している。

（実施例）以下、この考案の一実施例について図面を参照
して説明する。

第１図において、カード本体１１の内部には、
例えばＳ−RAM（スタテイツク・ランダム・ア
クセス・メモリ）からなるメモリ１２が設けられ
るとともに、このメモリ１２に保持電流を供給す
るバツクアツプ用の電池１３が設けられている。
この電池１３の負極はメモリ１２の接地端子
GNDに接続され、正極は抵抗R₇、ダイオードＤ
を介してメモリ１２の電源端子Vccに接続されて
いる。前記メモリ１２のアドレス、データ端子
ADはカード本体１１の一側面に設けられたアド
レス・データ用接続端子１４ｂ〜１４ｌにそれぞ
れ接続されている。

また、カード本体１１の内部には外部電源と内
蔵電池１３の切換え等を行うリセツト回路１５が
設けられている。即ち、カード本体１１の一側面
に設けられた電源用接続端子１４ａにはトランジ
スタQ₁のエミツタが接続され、このトランジス
タQ₁のベースは抵抗R₁を介して比較用接続端子
１４ｍに接続されている。このトランジスタQ₁
のコレクタはツエナーダイオードZDを介して前
記電源用接続端子１４ａに接続されるとともに、
抵抗R₂を介して接地用接続端子１４ｎに接続さ
れ、さらに、抵抗R₃を介してトランジスタQ₂の
ベースに接続されている。このトランジスタQ₂
のエミツタは前記接地用接続端子１４ｎに接続さ
れ、コレクタは抵抗R₄を介してトランジスタQ₃
のベースに接続されている。このトランジスタ
Q₃のエミツタは前記電源用接続端子１４ａに接
続され、コレクタは前記メモリ１２の電源端子
Vccに接続されている。また、前記トランジスタ
Q₂のコレクタは抵抗R₅を介してトランジスタQ₄
のベースに接続されている。このトランジスタ
Q₄のコレクタは前記メモリ１２のチツプイネー
ブル端子CEに接続されるとともに、抵抗R₆を介
して前記接地用接続端子１４ｎに接続され、エミ
ツタは前記メモリ１２の電源端子Vccに接続され
ている。

上記構成において動作について説明する。

先ず、電子装置に比較電圧Vrefが設定されて
いない場合について説明する。

カード本体１１が図示せぬ電子装置に装着され
ると、電源用接続端子１４ａと接地用接続端子１
４ｎ間に電子装置より電源Vccが供給され、接続
端子１４ｍは開放されている。この状態におい
て、電源Vccが、ツエナーダイオードZDのツエ
ナー電圧より高い場合、ツエナーダイオードZD
に電流が流れ、トランジスタQ₂，Q₃、Q₄はオン
状態となる。したがつて、メモリ１２の電源端子
Vccに電子装置から電源Vccが供給されるととも
に、チツプイネーブル端子CEがハイレベルとさ
れるため、メモリ１２は動作可能状態とされ、ア
ドレス・データ用接続端子１４ｂ〜１４ｌを介し
てメモリ１２と電子装置間で情報の授受が行われ
る。

一方、電源用接続端子１４ａに供給される電源
Vccが、ツエナーダイオードZDのツエナー電圧
より低くなると、ツエナーダイオードZDには電
流が流れず、トランジスタQ₂，Q₃、Q₄はオフ状
態となる。したがつて、メモリ１２のチツプイネ
ーブル端子CEはローレベルとされるとともに、
電源端子VccにはダイオードＤ、抵抗R₇を介して
保持電流が供給され、メモリ１２は記憶保持状態
となる。

次に、電子装置に比較電圧Vrefが設定されて
いる場合について説明する。

カード本体１１が図示せぬ電子装置に装着され
ると、電源用接続端子１４ａと接地用接続端子１
４ｎ間に電子装置より電源Vccが供給され、比較
用接続端子１４ｍと接地用接続端子１４ｎ間には
比較電圧Vrefが接続される。この比較電圧Vref
は、例えば電源Vccから抵抗やダイオードを使用
した簡単な回路によつて生成される。また、この
比較電圧Vrefは、リセツト回路１５に設定され
ているリセツト電圧より低く設定されている。

この状態において、電子装置の電源Vccが比較
電圧Vrefより高い場合、トランジスタQ₁がオン
状態となり、これに伴つてトランジスタQ₂，Q₃，
Q₄もオン状態となる。したがつて、メモリ１２
の電源端子Vccに電子装置から電源Vccが供給さ
れるとともに、チツプイネーブル端子CEがハイ
レベルとされるため、メモリ１２は動作可能状態
とされる。

また、電源Vccが比較電圧Vrefより低くなる
と、トランジスタQ₁がオフ状態となり、トラン
ジスタQ₂，Q₃，Q₄もオフ状態となる。したがつ
て、メモリ１２のチツプイネーブル端子CEはロ
ーレベルとされ、電源端子Vccにはダイオード
Ｄ、抵抗R₇を介して保持電流が供給されて、メ
モリ１２は記憶保持状態となる。

上記実施例によれば、カード本体１１に比較電
圧が供給される比較用接続端子１４ｍを設け、こ
の比較用接続端子１４ｍに所要の比較電圧を供給
することにより、リセツト回路１５に設定されて
いるリセツト電圧とは異なる電圧で、カード本体
１１を使用可能としている。したがつて、比較電
圧をリセツト回路１５に設定されているリセツト
電圧より低い電圧とすれば、電子装置に設けられ
た電池の電圧がリセツト回路１５に設定されたリ
セツト電圧以下に低下した場合においても、比較
電圧より高ければメモリ１２が記憶保持状態とさ
れることがないため、電子装置の電池を交換する
ことなく、通常の場合より長期間使用することが
可能となる。

また、比較電圧をリセツト電圧より低く設定す
ることにより、電子装置の電池を有効に使用する
ことが可能であるため、電池交換の頻度を少なく
することが可能であり、経済的に有利なものであ
る。

さらに、リセツト電圧のレベルを使用者の要望
に応じて、カード本体１１側で設定しようとした
場合、リセツト電圧の異なる複数のカード状記憶
装置を用意する必要があるが、比較用接続端子１
４ｍに接続される比較電圧に応じてリセツト電圧
を変更することにより、カード状記憶装置のリセ
ツト電圧を一種類とし得る利点を有している。

尚、この考案は上記実施例に限定されるものでは
なく、考案の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。

［考案の効果］以上、詳述したようにこの考案によれば、比較
電源が供給される第３の接続端子を設け、この第
３の接続端子に比較電源が供給されていない場合
は、第１、第２の接続端子に供給される外部電源
の電圧と、切換え手段に設定されているリセツト
電圧に応じて記憶手段を記憶保持状態に設定し、
第３の接続端子に比較電源が供給されている場合
は、この比較電源と外部電圧に応じて記憶手段を
記憶保持状態に設定することにより、カード本体
に設定されているリセツト電圧より低い電圧でも
カード状記憶装置を使用することが可能であると
ともに、システム側の電池を有効に使用すること
が可能なカード状記憶装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案に係わるカード状記憶装置の
一実施例を示す構成図である。１１……カード本体、１２……メモリ、１４ａ
……電源用接続端子、１４ｍ……比較用接続端
子、１４ｎ……接地用接続端子、１３……電池、
１５……リセツト回路、Vref……比較電圧。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

内部に記憶手段が収容されたカード本体と、こ
のカード本体内に設けられ前記記憶手段の記憶状
態を保持する電源手段と、前記カード本体に設け
られ前記記憶手段に外部電源を接続する第１、第
２の接続手段と、前記カード本体に設けられ比較
電源が供給される第３の接続端子と、リセツト電
圧が設定され前記比較電源が供給されていない場
合、このリセツト電圧と前記第１、第２の接続手
段に供給される外部電源の電圧に応じて前記記憶
手段を記憶保持状態に切換え、前記第３の接続手
段に比較電源が供給されている場合、前記外部電
源と比較電源の電圧に応じて前記記憶手段を記憶
保持状態に切換える切換え手段とを具備したこと
を特徴とするカード状記憶装置。