JPH0441697A - めっき用コンタクトピン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はウェハ上のＩＣ電極上へ、バンブめっきを行う
ためのめっき用コンタクトピンの構造に関するものであ
る。

〔発明の概要１ 本発明は、半導体基板（ウェハ）等のような、導電性が
悪く、かつ破損し易い被加工物に１解めっきする際に電
気的接触部がめつき液に露出するのを避け、電気的接触
部にめっき析出物が異常成長するのを防止するためのめ
っき用コンタクトピンの改良に係るもので、電気的接続
を可能とするピンとこのピンがめつき液に露出するのを
避けるための絶縁物カバーで構成されていることを特徴
としている。

［従来の技術］ 半導体基板（ウェハ）等のような電気導電性が悪い基板
上に金属の電解めっきを行うには、まず基板にめっき下
地となる導電性の良い金属薄膜をスパッタリング等で被
着した後、コンタクトピンを基板に押しつけて電解めっ
きする方法がとられている。

第４図は従来例におけるめっき用コンタクトピンを用い
て半導体基板（ウニＡ）と電気的Ｇこ接続した状態の部
分概略断面図である。

図において、９は被加工物たる半導体基板（ウェハ）面
に接触する爪状のめっき用コンタクトピンで、これは銅
等の電気抵抗の低し１金属で作られ、数本のめっき用コ
ンタクトピン９カ５カツプ状めっき槽に取り付けられ保
持されている。

このような状態で、電解めっきしたときの半導体基板（
ウェハ）と、めっき用コンタクトピンの接触部における
めっき析出物の異常析出を第３図の断面図に示す。

この図において、９はめつき用コンタクトピンで、ピン
の先端部を除いてエポキシ等の樹脂番こよる絶縁被膜３
を表面にコーティングして絶縁されている。４は被加工
物たる半導体基板（ウニＡ）で、例えばこれにＡｕの電
解めっきを行側こは、基板４にスパッタリング等で２０
０〜１０００人程度の導電性薄膜を被着した後、本めっ
きを行なう構造となっていた。

〔発明が解決しようとする課題］ このようなめっき用コンタクトピン構造においては、下
地導電性被膜１２に接触する面積が小さいので、この部
分での電圧降下が大きく、この部分でＡｕ等めっき析出
物の異常成長１０が生ずる。

このめっき析出物の異常成長１０は粉状で脱落しやすく
、これがめつき中に半導体基板（ウェハ）の表面に付着
し、突起等のめっき不良の原因となっていた。

〔課題を解決するための手段１ 本発明は上記のような問題点を解決し、めっきのバラツ
キを押さえ１歩留よくめっきを行うため、めっき時にお
けるめっき用コンタクトピン露出部へのめっき析出物の
異常成長を防止し、かつこのめっき析出物が粉状となり
めっき表面にこぼれて付着しないようなめっき用コンタ
クトピンの構造を提供するもので、めっきされる被加工
物に電気的接触をするための金属製のピンと、このピン
の周囲に絶縁物カバーとを有し、被加工物にピンを押し
当てた状態で一面上に揃い、めっき液の侵入を防止する
構造とした。

前記絶縁物カバーは軟質材料で吸盤形状の絶縁物でなり
、被加工物にピンを押し当てた状態では絶縁物カバーが
変形密着して一面上に揃う構造とすることにより本発明
は容易に実施することが出来る。

［作用］ このようにすることで、めっき用コンタクトピンと半導
体基板（ウェハ）の電気的接触部分にめっき液が入りこ
まなくなり、ピン周囲に発生するめっき析出物の異常成
長をなくし、異常成長からの粉状によるめっき不良をな
（する。

［実施例］ 以下本発明を実施例を図面により説明する。

第１図は本発明におけるめっき用コンタクトピンの要部
の断面図である。

同図において、ｌはピンでめっきの被加工物に電気的に
接触する金属製の良導材料である。このピン１をシリコ
ンゴム等の軟らかくし、且つ耐薬品性材質からなる吸盤
形状の絶縁物カバー２に取つつける。絶縁物カバー２の
先端面は、めっきしないフリーの状態では図示Ｇのよう
に若干出ており、めっきのため下地の導電性薄膜を形成
した半導体基板等にピンｌを押し当てると柔軟性のある
絶縁物カバー２は、変形してピンが半導体基板（ウェハ
）に接触する、これと同時に絶縁物カバー２の先端面が
半導体基板（ウェハ）に密着し、このの中にめっき液が
浸透するのを防ぐ。これによりピンｌが半導体基板（ウ
ェハ）に接触する部分に、めっき液が侵入することがな
くなり絶縁物カバー２が接触する部分より外側の半導体
基板（ウェハ）がめつきされるだけとなるので、めっき
析出物の異常成長はなく、従ってめっき析出物の粉状の
こぼれもなくなり、はぼ均一な厚さの、突起のない良好
なめっきを得ることが出来る。

また、絶縁物カバー２と、半導体基板（ウェハ）との接
触が完全でなく、わずかなめつき液の侵入があっても、
めっきに必要な新しい液の補充が微量であることと、更
にめっき析出物の異常が生じたとしても、こぼれ落ちた
粉末は絶縁物カバーの底面にたまり、すき間から通過す
ることがなく、半導体基板（ウェハ）の表面へのめっき
には殆んど影響がでない。

第２図の断面図におけるものは、本発明の実施例におけ
るめっき用コンタクトピンを、カップ状めっき槽に取り
付は保持される、これに半導体基板（ウェハ）をセット
し、電気的に接続して、めっきできる状態を概略的に示
した図である。

この状態で、金、はんだ等のバンブめっきを行い、半導
体基板（ウェハ）の表面を検査したところ、バンブ形成
部以外には、殆んどめっきによるめっき物質は析出して
おらず、従来のようなめっき不良もなく、高い歩留が達
成できた。なお、ピン先端部を除いてエポキシ等の樹脂
による絶縁被膜３を表面にコーティングして絶縁されて
いることはいうまでもない。

［発明の効果］ 以上述べてきたように本発明によるめっき用コンタクト
ピンを用いると、ピンと被めっき加工物の電気接触部の
周囲に絶縁物カバーがあるため。

めっき液が電気接触部に浸透せず、めっきの異常成長を
防止出来るので、突起等のない良好なめっきを得ること
が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるめっき用コンタクトピ
ンの断面図、第２図は本発明の実施例におけるめっき用
コンタクトピンをカップ状めっき槽に取り付け、これに
半導体基板（ウェハ）をセットし、電気的接続状態を示
す部分断面図、第３図は従来例におけるめっき用コンタ
クトピンの接触部におけるめっき析出物の異常成長を示
す断面図、第４図は従来例における電気的接続状態を示
す部分断面図である。 １・・・ピン ２・・・絶縁物カバー ３・・・絶縁被覆膜 ４・・・ウェハ（被加工物） １ピン 第１図 ４つ丁ハ 従来の待触争１隼ＭＩ亦「唾図 第３Ｆ！！ｊ 本発明■樟技釈１［１直面図 第２図 貸釆の＃Ｍ仏陀を乍■曲′面図 第　４　閃

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）めっきされる被加工物に電気的接触をするための
   金属製のピン１と、このピン１の周囲に絶縁物カバー２
   とを有し、被加工物にピン１を押し当てた状態でピン１
   と絶縁物カバー２の先端面が一面上に揃い、めっき液の
   侵入を防止する構造としたことを特徴とするめっき用コ
   ンタクトピン。
2. （２）前記絶縁物カバー２は軟質材料で吸盤形状の絶縁
   物でなり、被加工物にピン１を押し当てた状態で絶縁物
   カバー２が変形し、ピン１と一面上に揃う構造であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のめっき用コ
   ンタクトピン。