JPH0441977Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441977Y2 JPH0441977Y2 JP1986013793U JP1379386U JPH0441977Y2 JP H0441977 Y2 JPH0441977 Y2 JP H0441977Y2 JP 1986013793 U JP1986013793 U JP 1986013793U JP 1379386 U JP1379386 U JP 1379386U JP H0441977 Y2 JPH0441977 Y2 JP H0441977Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- liquid
- liquid passage
- suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は例えば、磁気デイスクやコンパクトデ
イスク及び半導体基板等に処理液を塗布したり、
洗浄、現像あるいはエツチング処理等をするのに
用いられる基板の回転処理装置の改良に関し、殊
にその中央寄り部に透孔を有する基板を保持し回
転させる基板回転保持装置に関する。
イスク及び半導体基板等に処理液を塗布したり、
洗浄、現像あるいはエツチング処理等をするのに
用いられる基板の回転処理装置の改良に関し、殊
にその中央寄り部に透孔を有する基板を保持し回
転させる基板回転保持装置に関する。
＜従来技術＞
近年、磁気デイスクやコンパクトデイスクのよ
うに、一般に中央部に透孔を有する基板を薬液処
理する場合に、それを回転処理によつて行なうこ
とが多い。この透孔の大きさは基板の外寸によつ
て異なるが、通常10〜50mm程度の直径である。
うに、一般に中央部に透孔を有する基板を薬液処
理する場合に、それを回転処理によつて行なうこ
とが多い。この透孔の大きさは基板の外寸によつ
て異なるが、通常10〜50mm程度の直径である。
また、半導体基板についても、一連の処理工程
で生ずる結晶的歪の抑制及び光蝕刻工程における
感光性樹脂から放出されるガスの排出のため等、
種々の理由により、第６図に示すように基板２３
の中央寄り部に、透孔２５を穿設する場合があ
る。
で生ずる結晶的歪の抑制及び光蝕刻工程における
感光性樹脂から放出されるガスの排出のため等、
種々の理由により、第６図に示すように基板２３
の中央寄り部に、透孔２５を穿設する場合があ
る。
回転処理装置にて、このような透孔２５を有す
る基板２３に処理液を塗布したり、洗浄液で基板
を洗浄する場合、この透孔２５内にこれら処理液
の一部が流入し、処理ムラ（洗浄ムラ、塗布ム
ラ、現像ムラ、エツチングムラ等）の原因とな
る。
る基板２３に処理液を塗布したり、洗浄液で基板
を洗浄する場合、この透孔２５内にこれら処理液
の一部が流入し、処理ムラ（洗浄ムラ、塗布ム
ラ、現像ムラ、エツチングムラ等）の原因とな
る。
そこで、このような処理ムラを解消するものと
して、例えば実公昭56−5306号公報には第６図に
示す基板回転保持装置が開示されている。それ
は、吸気通路２８を有する回転軸２１の上端に回
転ヘツド２２を設け、回転ヘツド２２の基板保持
面２２ａに基板２３を吸着保持する吸着口２４と
基板２３の透孔２５から流下した処理液を通過さ
せる通液凹部２６とを設け、この吸着口２４と透
液凹部２６とを連通路２７，２９を介して、共に
回転軸２１の吸気通路２８に連通し、共通の吸気
源で基板２３の吸着保持と基板２３の透孔２５か
ら流下した処理液等の吸引排除とを行なうように
したものである。なお、実開昭59−82257号公報
には、基板の吸着保持と処理液等の吸引排除とを
別々の吸気通路により行う基板回転保持装置が開
示されている。
して、例えば実公昭56−5306号公報には第６図に
示す基板回転保持装置が開示されている。それ
は、吸気通路２８を有する回転軸２１の上端に回
転ヘツド２２を設け、回転ヘツド２２の基板保持
面２２ａに基板２３を吸着保持する吸着口２４と
基板２３の透孔２５から流下した処理液を通過さ
せる通液凹部２６とを設け、この吸着口２４と透
液凹部２６とを連通路２７，２９を介して、共に
回転軸２１の吸気通路２８に連通し、共通の吸気
源で基板２３の吸着保持と基板２３の透孔２５か
ら流下した処理液等の吸引排除とを行なうように
したものである。なお、実開昭59−82257号公報
には、基板の吸着保持と処理液等の吸引排除とを
別々の吸気通路により行う基板回転保持装置が開
示されている。
＜考案が解決しようとする問題点＞
しかしながら、上記従来例のものは、連通路２
９を介して処理液が吸気通路２８内に吸入され、
吸気系に設けられた弁体や、吸気源の機能を低下
させ、損傷させることがある。また、特に実公昭
56−5306号公報に記載のように、基板の吸着保持
用の吸引通路と処理液等の吸引排除用の吸引通路
とを共通の吸気通路に連通させた第６図に示す基
板回転保持装置では、吸着口２４を通液凹部２６
を介して大気と連通させているため、基板２３を
回転させながら吸着保持するのに必要な吸気負圧
を維持することが実際には困難となる。なお、実
開昭59−82257号公報に記載の装置は、基板の吸
着保持と処理液等の吸引排除とを別々の吸気通路
としているので、上述したような基板を吸着保持
する吸気負圧の維持に関する問題点は無いが、し
かし、基板の中央開口内の処理液を残さず吸引排
除することに対して加工上の困難がある。
９を介して処理液が吸気通路２８内に吸入され、
吸気系に設けられた弁体や、吸気源の機能を低下
させ、損傷させることがある。また、特に実公昭
56−5306号公報に記載のように、基板の吸着保持
用の吸引通路と処理液等の吸引排除用の吸引通路
とを共通の吸気通路に連通させた第６図に示す基
板回転保持装置では、吸着口２４を通液凹部２６
を介して大気と連通させているため、基板２３を
回転させながら吸着保持するのに必要な吸気負圧
を維持することが実際には困難となる。なお、実
開昭59−82257号公報に記載の装置は、基板の吸
着保持と処理液等の吸引排除とを別々の吸気通路
としているので、上述したような基板を吸着保持
する吸気負圧の維持に関する問題点は無いが、し
かし、基板の中央開口内の処理液を残さず吸引排
除することに対して加工上の困難がある。
すなわち、基板の中央開口内の処理液を残さず
吸引排除するように、基板の中央開口内の複数箇
所に通液孔を形成するとなると、そのような複数
の通液孔が処理液排除用の吸気通路に向かつて連
通するように配管経路を形成しなければならず、
そのような配管経路の形成は、基板の吸着保持用
の吸気通路が回転軸内を縦に貫いていることもあ
つて、複雑で困難な加工を要する。
吸引排除するように、基板の中央開口内の複数箇
所に通液孔を形成するとなると、そのような複数
の通液孔が処理液排除用の吸気通路に向かつて連
通するように配管経路を形成しなければならず、
そのような配管経路の形成は、基板の吸着保持用
の吸気通路が回転軸内を縦に貫いていることもあ
つて、複雑で困難な加工を要する。
＜問題点を解決するための手段＞
本考案は上記問題点を解消するために、上記基
板回転保持装置を次のように改良したものであ
る。即ち、回転軸１の上端に回転ヘツド２を固定
し、回転ヘツド２の基板保持面２ａに基板３の透
孔５と同径又は透孔５より大径の通液凹部６を形
成し、基板３の通孔５から流下した処理液をこの
通液凹部６を介して排出するように構成した基板
用処理装置の基板回転保持装置において、 通液凹部６の底部周側から外方へ向かい回転ヘ
ツド２の外へ貫通する通液孔９を形成し、この通
液孔９を介して通液凹部６内に流下した処理液を
排出するように構成したことを特徴とするもので
ある。
板回転保持装置を次のように改良したものであ
る。即ち、回転軸１の上端に回転ヘツド２を固定
し、回転ヘツド２の基板保持面２ａに基板３の透
孔５と同径又は透孔５より大径の通液凹部６を形
成し、基板３の通孔５から流下した処理液をこの
通液凹部６を介して排出するように構成した基板
用処理装置の基板回転保持装置において、 通液凹部６の底部周側から外方へ向かい回転ヘ
ツド２の外へ貫通する通液孔９を形成し、この通
液孔９を介して通液凹部６内に流下した処理液を
排出するように構成したことを特徴とするもので
ある。
＜作用＞
基板３は回転ヘツド２の基板保持面２ａに保持
され回転される。基板３の透孔部近傍の上面に処
理液を供給すると回転遠心力により処理液は基板
３の上面に一様に拡がり塗布される。また、処理
液の一部は基板３の透孔５から流下して通液凹部
６内に流入するが、回転ヘツド２の回転遠心力に
より、通液凹部６の底部周側から通液孔９を介し
て、回転ヘツド２の外方に飛散され排出される。
これにより、処理液が吸気通路８内に流入すると
いう不都合が解消される。
され回転される。基板３の透孔部近傍の上面に処
理液を供給すると回転遠心力により処理液は基板
３の上面に一様に拡がり塗布される。また、処理
液の一部は基板３の透孔５から流下して通液凹部
６内に流入するが、回転ヘツド２の回転遠心力に
より、通液凹部６の底部周側から通液孔９を介し
て、回転ヘツド２の外方に飛散され排出される。
これにより、処理液が吸気通路８内に流入すると
いう不都合が解消される。
＜実施例＞
以下第１図〜第５図に基づいて本考案の実施例
を説明する。
を説明する。
第１図は本考案による第１の実施例を示す基板
回転保持装置の縦断面図、第２図はその平面図で
ある。これらの図において、符号１は回転軸、２
は回転ヘツド、３は半導体、デイスク等の基板で
ある。
回転保持装置の縦断面図、第２図はその平面図で
ある。これらの図において、符号１は回転軸、２
は回転ヘツド、３は半導体、デイスク等の基板で
ある。
回転軸１はスピンコータ等の基板用処理装置
（図示せず）内に回転可能に枢支され図外の回転
駆動装置で回転される。この回転軸１の上端には
回転ヘツドが固定され、回転ヘツド２にはその基
板保持面２ａに基板３を吸着保持する多数の吸気
孔４が放射状に整列配置して開口されるととも
に、基板３の透孔５とほぼ同径の通液凹部６が設
けられている。各吸気孔４は回転ヘツド２内に形
成された連通路７によつて、回転軸１内に形成さ
れた吸気通路８に連通され、基板３を基板保持面
２ａに吸着保持する。
（図示せず）内に回転可能に枢支され図外の回転
駆動装置で回転される。この回転軸１の上端には
回転ヘツドが固定され、回転ヘツド２にはその基
板保持面２ａに基板３を吸着保持する多数の吸気
孔４が放射状に整列配置して開口されるととも
に、基板３の透孔５とほぼ同径の通液凹部６が設
けられている。各吸気孔４は回転ヘツド２内に形
成された連通路７によつて、回転軸１内に形成さ
れた吸気通路８に連通され、基板３を基板保持面
２ａに吸着保持する。
通液凹部６の底部周側位置のうち、周壁面６ａ
の下端位置から外方へ向かい回転ヘツド２の外へ
貫通する４つの通液孔９が放射状に貫通形成され
ており、これらの通液孔９と上記吸気孔４の連通
路７とは第２図に示すように相互に干渉しないよ
うに配置形成されている。
の下端位置から外方へ向かい回転ヘツド２の外へ
貫通する４つの通液孔９が放射状に貫通形成され
ており、これらの通液孔９と上記吸気孔４の連通
路７とは第２図に示すように相互に干渉しないよ
うに配置形成されている。
このように構成したから、処理液の一部が基板
３の透孔５から通液凹部６内に流入しても、回転
ヘツド２の回転による遠心力で通液孔９より外側
に飛散され排出される。
３の透孔５から通液凹部６内に流入しても、回転
ヘツド２の回転による遠心力で通液孔９より外側
に飛散され排出される。
第３図は、本考案による第２の実施例を示す基
板回転保持装置の縦断面図である。この図におい
て第１図と同一部材は同一符号で表わす。
板回転保持装置の縦断面図である。この図におい
て第１図と同一部材は同一符号で表わす。
この実施例では、通液凹部１６を基板３の透孔
５より大径にし、その中央を山形に形成するとと
もに、通液孔１９を外側へ向けて下り勾配とし、
液切り効果を高めるようにした点が前記第１の実
施例と異る。また、通液凹部１６の周壁面を、外
側へ向けて下り勾配にしたから、第６図に示す従
来装置のように内側へ向けて下り勾配にしたのと
違つて、処理液が通液凹部１６の周壁面を遠心力
にて、はい上る不都合を生じることが全くない。
５より大径にし、その中央を山形に形成するとと
もに、通液孔１９を外側へ向けて下り勾配とし、
液切り効果を高めるようにした点が前記第１の実
施例と異る。また、通液凹部１６の周壁面を、外
側へ向けて下り勾配にしたから、第６図に示す従
来装置のように内側へ向けて下り勾配にしたのと
違つて、処理液が通液凹部１６の周壁面を遠心力
にて、はい上る不都合を生じることが全くない。
第４図は本考案による第３の実施例を示す基板
回転保持装置の斜視図であり、第５図はそのＡ−
Ａ縦断面図である。
回転保持装置の斜視図であり、第５図はそのＡ−
Ａ縦断面図である。
この実施例では、回転ヘツド２の基板保持面２
ａの周縁部に複数の基板囲いピン１４を植設し、
これらのピン１４で基板３を囲うことにより基板
３を保持するようにした点が第２の実施例と異な
る。この場合には真空吸着方式でないいわゆるメ
カニカルチヤツク方式の回転ヘツドに適用するこ
とができる。
ａの周縁部に複数の基板囲いピン１４を植設し、
これらのピン１４で基板３を囲うことにより基板
３を保持するようにした点が第２の実施例と異な
る。この場合には真空吸着方式でないいわゆるメ
カニカルチヤツク方式の回転ヘツドに適用するこ
とができる。
＜考案の効果＞
以上説明したように、本考案は通液凹部の底部
周側から外方へ向かい回転ヘツドの外へ貫通する
通液孔を形成し、この通液孔を介して通液凹部内
に流入した処理液を遠心力にて強制的に飛散排出
するように構成したことから、次のような効果を
奏する。
周側から外方へ向かい回転ヘツドの外へ貫通する
通液孔を形成し、この通液孔を介して通液凹部内
に流入した処理液を遠心力にて強制的に飛散排出
するように構成したことから、次のような効果を
奏する。
イ 従来例のように、連通路を介して処理液が吸
気通路内に吸入されることがないから、吸気系
内の弁体や吸気源の機能低下や損傷をなくすこ
とができる。
気通路内に吸入されることがないから、吸気系
内の弁体や吸気源の機能低下や損傷をなくすこ
とができる。
ロ 本考案は、真空吸着方式の基板回転ヘツドに
適用した場合に、基板の吸着保持用吸引通路と
処理液等の吸引排除用通路とを共通の吸気通路
で連通させた従来装置のように、基板を吸着保
持する吸引通路が大気と連通する問題を生ずる
ことがなく、基板を吸着保持するために十分な
吸気負圧を維持することができる。
適用した場合に、基板の吸着保持用吸引通路と
処理液等の吸引排除用通路とを共通の吸気通路
で連通させた従来装置のように、基板を吸着保
持する吸引通路が大気と連通する問題を生ずる
ことがなく、基板を吸着保持するために十分な
吸気負圧を維持することができる。
また、基板の吸着保持用吸引通路と処理液等
の吸引排除用通路とを別々に設けた従来装置で
は、通液凹部の複数箇所から処理液等を円滑に
排除するように複数の通液孔を形成するには、
基板の吸着保持用吸引通路と交わらないように
複数の通液孔に連通した処理液等の吸引排除用
通路を形成しなければならない加工上の困難さ
があるのに対して、本考案では、通液孔は各々
外方へ向かつて貫通しているので、真空吸着方
式の基板回転ヘツドに適用する場合でも、その
ような加工上の困難は無く、通液凹部の複数箇
所から処理液等を円滑に排除するように複数の
通液孔を形成することが容易にできる。
の吸引排除用通路とを別々に設けた従来装置で
は、通液凹部の複数箇所から処理液等を円滑に
排除するように複数の通液孔を形成するには、
基板の吸着保持用吸引通路と交わらないように
複数の通液孔に連通した処理液等の吸引排除用
通路を形成しなければならない加工上の困難さ
があるのに対して、本考案では、通液孔は各々
外方へ向かつて貫通しているので、真空吸着方
式の基板回転ヘツドに適用する場合でも、その
ような加工上の困難は無く、通液凹部の複数箇
所から処理液等を円滑に排除するように複数の
通液孔を形成することが容易にできる。
ハ 本考案は、遠心力で通液凹部の処理液を排除
するので、処理液を排除するための吸引通路を
形成した吸引手段を設けることが不要であるか
ら、メカニカルチヤツク方式の回転ヘツドに
も、容易に適用できる。
するので、処理液を排除するための吸引通路を
形成した吸引手段を設けることが不要であるか
ら、メカニカルチヤツク方式の回転ヘツドに
も、容易に適用できる。
第１図〜第５図は本考案の実施例を示し、第１
図は第１の実施例による基板回転保持装置の縦断
面図、第２図はその平面図、第３図は第２の実施
例による基板回転保持装置の縦断面図、第４図は
第３の実施例の斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ
縦断面図、第６図は従来例による縦断面図であ
る。 １……回転軸、２……回転ヘツド、２ａ……基
板保持面、３……基板、４……吸気孔、５……基
板の透孔、６，１６……通液凹部、９，１９……
通液孔、１４……基板囲いピン。
図は第１の実施例による基板回転保持装置の縦断
面図、第２図はその平面図、第３図は第２の実施
例による基板回転保持装置の縦断面図、第４図は
第３の実施例の斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ
縦断面図、第６図は従来例による縦断面図であ
る。 １……回転軸、２……回転ヘツド、２ａ……基
板保持面、３……基板、４……吸気孔、５……基
板の透孔、６，１６……通液凹部、９，１９……
通液孔、１４……基板囲いピン。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 回転軸１の上端に回転ヘツド２を固定し、回転
ヘツド２の基板保持面２ａに基板３の透孔５と同
径又は透孔５より大径の通液凹部６を形成し、基
板３の透孔５から流下した処理液をこの通液凹部
６を介して排出するように構成した基板用処理装
置の基板回転保持装置において、 通液凹部６の底部周側から外方へ向かい回転ヘ
ツド２の外へ貫通する通液孔９を形成し、この通
液孔９を介して通液凹部６内に流下した処理液を
排出するように構成したことを特徴とする基板用
処理装置の基板回転保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986013793U JPH0441977Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986013793U JPH0441977Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126283U JPS62126283U (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0441977Y2 true JPH0441977Y2 (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=30803189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986013793U Expired JPH0441977Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441977Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624674B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1994-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5982257U (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-02 | 株式会社東芝 | レジスト塗布装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1986013793U patent/JPH0441977Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62126283U (ja) | 1987-08-11 |
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