JPS6083032A - 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− - Google Patents
光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ−Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
近年の大規模集積回路の面精度は、著しいものがあり、
現在では２〜３μｍの両（：ｊ！！巾であるものが、更
に１μｍ程度の極めて細いものが請求される様になって
いる。この様に画Ｂ＋ ｒｌｊが７１１１ くなるにつ
れ、フォトマスク上のゴミが大きな問題となり、数μｍ
の目に見えないゴミがフォトマスクの画像上に存在シて
も、グロジエクション、ステッパー等の露光装置でウェ
ハ上のレジストに投影・露光する眼に、画像とともにゴ
ミが転写されてしまう為、回路の短絡・断線が起ってし
まう。この様なゴミを防止する為、露光は全てクリーン
ルーム内で行なわれているものの、作梨者・装置から発
生するゴミを零とすることは不可能の為、完壁なる対策
とはなっていない。
現在では２〜３μｍの両（：ｊ！！巾であるものが、更
に１μｍ程度の極めて細いものが請求される様になって
いる。この様に画Ｂ＋ ｒｌｊが７１１１ くなるにつ
れ、フォトマスク上のゴミが大きな問題となり、数μｍ
の目に見えないゴミがフォトマスクの画像上に存在シて
も、グロジエクション、ステッパー等の露光装置でウェ
ハ上のレジストに投影・露光する眼に、画像とともにゴ
ミが転写されてしまう為、回路の短絡・断線が起ってし
まう。この様なゴミを防止する為、露光は全てクリーン
ルーム内で行なわれているものの、作梨者・装置から発
生するゴミを零とすることは不可能の為、完壁なる対策
とはなっていない。
そこで、フォトマスク上に透明なカバーをしフォトマス
ク上の回路画像部分に直接ゴミが付着するのを防止する
方法が最近採用されてきている。
ク上の回路画像部分に直接ゴミが付着するのを防止する
方法が最近採用されてきている。
この方法は、フォトマスクから数間離れた位置に透明な
薄膜を設置することにより、ゴミはこの薄膜上に付着す
る為、フォトマスクの回路画像をウェハ上のレジストに
結像させるに際し、ゴミｉ１．１．結像されないことを
原理としている。この方法によれば、クリーン度が若干
悪い環境に於いても、ゴミはこの薄膜上にしか付着せず
、回路の短絡・断線等による不良化が大１１〕に減少し
、太規、脱集積回路装置上非常に有用なものとなる。
薄膜を設置することにより、ゴミはこの薄膜上に付着す
る為、フォトマスクの回路画像をウェハ上のレジストに
結像させるに際し、ゴミｉ１．１．結像されないことを
原理としている。この方法によれば、クリーン度が若干
悪い環境に於いても、ゴミはこの薄膜上にしか付着せず
、回路の短絡・断線等による不良化が大１１〕に減少し
、太規、脱集積回路装置上非常に有用なものとなる。
この薄膜はフォトマスクから数Ｔ１ｍ離した位置に設置
する為、通常アルミフレームに張ったものをフォトマス
クに粘着させ使用しており、この発明ではフォトマスク
用防塵カバーと呼ぶこととする。
する為、通常アルミフレームに張ったものをフォトマス
クに粘着させ使用しており、この発明ではフォトマスク
用防塵カバーと呼ぶこととする。
か＼る防塵カバーに用いられるぞ（ゾ）Ｌは、フォトマ
スク上の回路画像をとズミなくウェハ上のレジストに結
像させる為、ゴミ等異物の焦いことは勿論のこと、膜厚
みの均一性が必要であり、膜厚みのバラツキを極力小さ
くすることが必要とされ、現在用いられているニトロセ
ルロース防塵カバーにあっては膜内のバラツキを±２２
チ内としている。一方、薄膜のもう一つの重要な要求特
性は露光する光の透過）１である。光の透過性は１Ｓ、
５光時間と関連し、薄膜の光の透過性が良好なほど露光
時間は肖然短かくて済む為生産性が向上する。半導体装
造は極めて多量の為、ｂＩ′、４光時同のわずかな短縮
が極めて有用なものとなるので、薄１ｉ：’ｌｊの光の
透過性は１チでも高いものが象まれる。ニトロセルロー
ス名：膜の場合には、３５０ ｎｍから４５０ ｎｍの
光に対して、膜厚みを薄くしても９２φの透過率が凹（
度であり、ン専くすることにより月＞ｊば弱くなシ防庭
カバー取扱いに注意をはられなければならない。又、集
積回路の高密度化に伴ない、画線中が１μｍ程度となる
と、現任使われている３５０ ｎｍから４５０ ｎｍの
波長の光でのｌ１ｆＷブｒ；では十分なる解像力が得ら
れず、より短波長の光である２４０ ｎｍから２９０
ｎｍの遠紫外線を用いることが必要となるが、現行のニ
トロセルロース薄膜では３００ ｎｍ以下の波長域では
光の透過率が急激に低下するとともに、紫外綜による膜
の劣化が著しく、もはや使用することが出来ない０ そこで、本発明者らは、遠紫外線の透過性に優れ、かつ
３５０〜４５０ ｎｍの紫外光に於いてもより透過性の
良い薄膜を固１１シたフォトマスク用防塵カバーを開発
すべく横割の結果、本発明に到った。
スク上の回路画像をとズミなくウェハ上のレジストに結
像させる為、ゴミ等異物の焦いことは勿論のこと、膜厚
みの均一性が必要であり、膜厚みのバラツキを極力小さ
くすることが必要とされ、現在用いられているニトロセ
ルロース防塵カバーにあっては膜内のバラツキを±２２
チ内としている。一方、薄膜のもう一つの重要な要求特
性は露光する光の透過）１である。光の透過性は１Ｓ、
５光時間と関連し、薄膜の光の透過性が良好なほど露光
時間は肖然短かくて済む為生産性が向上する。半導体装
造は極めて多量の為、ｂＩ′、４光時同のわずかな短縮
が極めて有用なものとなるので、薄１ｉ：’ｌｊの光の
透過性は１チでも高いものが象まれる。ニトロセルロー
ス名：膜の場合には、３５０ ｎｍから４５０ ｎｍの
光に対して、膜厚みを薄くしても９２φの透過率が凹（
度であり、ン専くすることにより月＞ｊば弱くなシ防庭
カバー取扱いに注意をはられなければならない。又、集
積回路の高密度化に伴ない、画線中が１μｍ程度となる
と、現任使われている３５０ ｎｍから４５０ ｎｍの
波長の光でのｌ１ｆＷブｒ；では十分なる解像力が得ら
れず、より短波長の光である２４０ ｎｍから２９０
ｎｍの遠紫外線を用いることが必要となるが、現行のニ
トロセルロース薄膜では３００ ｎｍ以下の波長域では
光の透過率が急激に低下するとともに、紫外綜による膜
の劣化が著しく、もはや使用することが出来ない０ そこで、本発明者らは、遠紫外線の透過性に優れ、かつ
３５０〜４５０ ｎｍの紫外光に於いてもより透過性の
良い薄膜を固１１シたフォトマスク用防塵カバーを開発
すべく横割の結果、本発明に到った。
即ち、本発明によれば、２４０ ｎｍ より長波長側の
紫外光に吸収のない屈折率１．４２以下の弗素系重合体
と薄膜とし、これをフレームにシワなく固着させること
により、膜厚みが１０μ７ｎであっても、２４０ｎｍか
ら２９０ ｎｍの波長の光に対し９０ｔ！０以上の透過
率をイコし、かつ、２９０ｎｍから５００ｎｍの波長の
光に対し透過率が９３．５ Ｓ以上であるフォトマスク
用防応カバーが得ら）する。
紫外光に吸収のない屈折率１．４２以下の弗素系重合体
と薄膜とし、これをフレームにシワなく固着させること
により、膜厚みが１０μ７ｎであっても、２４０ｎｍか
ら２９０ ｎｍの波長の光に対し９０ｔ！０以上の透過
率をイコし、かつ、２９０ｎｍから５００ｎｍの波長の
光に対し透過率が９３．５ Ｓ以上であるフォトマスク
用防応カバーが得ら）する。
以下、本発明を更に詳πｉｆｆに説明する。
光の透過性は、その薄膜の光の吸収性、散乱、反射に依
存するので、光の吸収のないポリマー素材を選定し、散
乱を抑え７ｊ膜とし、かつ、反射量を抑えることが光の
透過性に俊粁た助ｊ例を得ることとなり、この劫膜をフ
レームにシワなく固着させることによシ本発明の光の透
過性に優れたフォトマスク用防塵カバーとなる。
存するので、光の吸収のないポリマー素材を選定し、散
乱を抑え７ｊ膜とし、かつ、反射量を抑えることが光の
透過性に俊粁た助ｊ例を得ることとなり、この劫膜をフ
レームにシワなく固着させることによシ本発明の光の透
過性に優れたフォトマスク用防塵カバーとなる。
うｔの吸収は、’ｔｊ’ｊｌ模の素材である号ぞリマー
に起因し、ニトロセルロースの場合、３００ ｎｍ以下
の波長域に大きな吸収を持つ為、２４０ ｎｒｎから２
９０ ｎｍの遠紫外線領域での使用は全く出来ない。こ
れに対し、本発明に用いた弗；；す系重合体はより低波
長域の２３０ ｎｍ以下にしか吸収を持た々い為、２４
０ｎｎｌから２９０１１１ｎ逮紫外線領域に於いても９
０％以上の良好な光透過性を示す。・ 又、散乱は、薄ＪＢ４中のゴミ等の異物及び結晶が原因
となるものであり、遠紫外域に大きな散乱を）Ｕう゛。
に起因し、ニトロセルロースの場合、３００ ｎｍ以下
の波長域に大きな吸収を持つ為、２４０ ｎｒｎから２
９０ ｎｍの遠紫外線領域での使用は全く出来ない。こ
れに対し、本発明に用いた弗；；す系重合体はより低波
長域の２３０ ｎｍ以下にしか吸収を持た々い為、２４
０ｎｎｌから２９０１１１ｎ逮紫外線領域に於いても９
０％以上の良好な光透過性を示す。・ 又、散乱は、薄ＪＢ４中のゴミ等の異物及び結晶が原因
となるものであり、遠紫外域に大きな散乱を）Ｕう゛。
ゴミ（、・ンの異物にあっては、原料ポリマーを充分オ
ｈ省ｑする等の技術によ！Ｓｌ取除くことが出来る。
ｈ省ｑする等の技術によ！Ｓｌ取除くことが出来る。
又、結晶については、非晶性のポリマーを用いるのが最
も容易であるが、結晶性のポリマーに於いても、結晶を
実質的に生成させない方法によれば散乱を充分抑制出来
て優れた光透過性の膜を得ることが出来る。
も容易であるが、結晶性のポリマーに於いても、結晶を
実質的に生成させない方法によれば散乱を充分抑制出来
て優れた光透過性の膜を得ることが出来る。
次に反射については、反射光景はその薄膜の屈折率に起
因し、ある膜厚み（ｄ）の８月漠に波長（λ）の光が入
射した場合、その入射面と、裏面での反射光が干渉を起
こし、ｄ−２ｍ＋１．２ （ｎは７′〃膜の屈折４ 率、ｍは整数）の条件が成立する波長に於いては、入射
面と裏面の反射波の位相が爪なり反射但が最大となる。
因し、ある膜厚み（ｄ）の８月漠に波長（λ）の光が入
射した場合、その入射面と、裏面での反射光が干渉を起
こし、ｄ−２ｍ＋１．２ （ｎは７′〃膜の屈折４ 率、ｍは整数）の条件が成立する波長に於いては、入射
面と裏面の反射波の位相が爪なり反射但が最大となる。
一方、ｄ＝２１Ｔｌ、’ の条件の波長に於い４
ては、入射面と裏面の反射光の位相が逆転する為、両・
反射光は相殺され、透過量が最大となる（薄膜が光の吸
収、散乱がなければ１００ ％となる）。この反射光の
最大値（即ち、透過光の最低値）は、薄膜の屈折率に起
因し、屈折率が低いものほど透過率の最低値は上昇し、
平均の透過率も上昇する。
反射光は相殺され、透過量が最大となる（薄膜が光の吸
収、散乱がなければ１００ ％となる）。この反射光の
最大値（即ち、透過光の最低値）は、薄膜の屈折率に起
因し、屈折率が低いものほど透過率の最低値は上昇し、
平均の透過率も上昇する。
ニトロセルロースの場合には屈Ｕ１率が１ ＋ ５１
程ｆｋｊＬの為、３５０１１１ｎから４５０ ｎｒｎの
吸収、散乱のない波長域に於いて、光の透過率＆Ｊ約８
４％から約１００％まで振れ、その平均透過率も９２％
が限度である。この為、露光々源である高圧水銀ランプ
の輝線である３６５ 、４０８ 、４３６ ｎｍの波長
光に於いて反射光を極力低くすべく薄膜の厚みを２．８
５μｍなら０．８６５μｍに厳密に設定する必要がある
。これに対し、本発明の弗素系重合体のｉ；９．膜て屈
折率が１．４２以下のものでは、光の透過率は約ｓｓ、
ｓ ％以上から約１００係の間で振れるのみで、その平
均透過率も約９４９１１＋以上となり、）反厚みを１０
μｍと厚くシ、干渉現象が実質的に起こらない膜厚みと
してもその光の平均透過量は９３．５％以上となる為、
膜厚春の厳密なる設定が不要であり、かつ、薄膜の厚み
を厚くすることにより強度の強い防塵カバーとなる。又
、必要により、膜厚みを露う“０々涼の輝線に合わせる
様設足すれば、ニトロセルロースの薄膜より光の透過性
の侵れたものが得られる。
程ｆｋｊＬの為、３５０１１１ｎから４５０ ｎｒｎの
吸収、散乱のない波長域に於いて、光の透過率＆Ｊ約８
４％から約１００％まで振れ、その平均透過率も９２％
が限度である。この為、露光々源である高圧水銀ランプ
の輝線である３６５ 、４０８ 、４３６ ｎｍの波長
光に於いて反射光を極力低くすべく薄膜の厚みを２．８
５μｍなら０．８６５μｍに厳密に設定する必要がある
。これに対し、本発明の弗素系重合体のｉ；９．膜て屈
折率が１．４２以下のものでは、光の透過率は約ｓｓ、
ｓ ％以上から約１００係の間で振れるのみで、その平
均透過率も約９４９１１＋以上となり、）反厚みを１０
μｍと厚くシ、干渉現象が実質的に起こらない膜厚みと
してもその光の平均透過量は９３．５％以上となる為、
膜厚春の厳密なる設定が不要であり、かつ、薄膜の厚み
を厚くすることにより強度の強い防塵カバーとなる。又
、必要により、膜厚みを露う“０々涼の輝線に合わせる
様設足すれば、ニトロセルロースの薄膜より光の透過性
の侵れたものが得られる。
又、８Ｈの屈折率が低いことは、防塵カバーを装置した
フォトマスクを露光装置にセットし露光する除に生じる
光路差を減少させる上でも有効である。即ち、防塵カバ
ーが装置ドされた露光装置にあっては、フォトマスクの
画像をウエノ１上のレジストに結像させる除、この薄膜
を光が透過する時光が屈折される為、透過後の光の光路
は防塵カバーがない場合の光路よりズレ、その結果、結
像される位置が若干ズレるいわゆる光路差を生じる。そ
の値は、防塵カバーの膜厚みと屈折率によシ規定される
ので、本発明の屈折率１．４２以下のものを使用するこ
とにより、光路差を減少させることが出来るか、又、同
じ光路差で良ければ膜厚みの厚い防塵カバーとすること
が出来る。
フォトマスクを露光装置にセットし露光する除に生じる
光路差を減少させる上でも有効である。即ち、防塵カバ
ーが装置ドされた露光装置にあっては、フォトマスクの
画像をウエノ１上のレジストに結像させる除、この薄膜
を光が透過する時光が屈折される為、透過後の光の光路
は防塵カバーがない場合の光路よりズレ、その結果、結
像される位置が若干ズレるいわゆる光路差を生じる。そ
の値は、防塵カバーの膜厚みと屈折率によシ規定される
ので、本発明の屈折率１．４２以下のものを使用するこ
とにより、光路差を減少させることが出来るか、又、同
じ光路差で良ければ膜厚みの厚い防塵カバーとすること
が出来る。
以上の通ｐ１本発明により、２４０ ｎｍの遠紫外線領
域から、５００ ｎｍまでの広い紫外線領域にわたり優
れた光透過性を有するフォトマスク用防塵カバーが得ら
れる。
域から、５００ ｎｍまでの広い紫外線領域にわたり優
れた光透過性を有するフォトマスク用防塵カバーが得ら
れる。
本発明に用いることの出来る弗素系重合体は１０μｍの
Ｊνみに於いて、２４０ ｎｍから２９０ ｎ１ｌｌの
波長の光に対し９０％以上の平均透過￥を有し、２９０
Ｈｍから５００ ｎｍの光に対し９３．５％以上の平
均透過率を有する屈折率１．４２以下のものであれば良
い。この性能を有するものとしては、テトラフロロエチ
レンと弗化ビニリデンの共重合体で弗化ビニリデンの含
量が５０〜９０止−１ｊｉ％のもの、及び、テトラフロ
ロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、弗化ビニリデン
の三元共重合であって、テトラフロロエチレンが３７〜
４８４ 旦’％ 、ヘキサフロロプロピし／ンと弗化ビ
ニリデンの合計含量が５２〜６３ Ｍ 景％でり、ヘキ
サフロロプロピレンと弗化ビニリデンの含量比が２．３
： １〜ｌ：１である重合体が掲げられる。この内、
テトラフロロエチレンと弗化ビニリデンの共重合体は、
溶媒に容易に苗５管し、均一な光透過性の優れた薄膜を
作り易いことから射ましいものであり、テトラフロロエ
チレン、ヘキサフロロプロピレン、弗化ビニリデンの三
元共重合体は非晶性の重合体の為、結晶による散乱のな
いＢ膜が容易にイｕられることがら好ましいものである
。これ以外の弗素系重合体、例えは、テトラフロロエチ
レンとへキサフロロプロピレンの共重合体、テトラフロ
ロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの公正
合体等結晶による散乱が光の透過率を下げているものに
あっては、結晶を生成ぜしめない方法、例えば、溶融製
膜後急冷処理をする方法等により本発明に用いることが
出来る。
Ｊνみに於いて、２４０ ｎｍから２９０ ｎ１ｌｌの
波長の光に対し９０％以上の平均透過￥を有し、２９０
Ｈｍから５００ ｎｍの光に対し９３．５％以上の平
均透過率を有する屈折率１．４２以下のものであれば良
い。この性能を有するものとしては、テトラフロロエチ
レンと弗化ビニリデンの共重合体で弗化ビニリデンの含
量が５０〜９０止−１ｊｉ％のもの、及び、テトラフロ
ロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、弗化ビニリデン
の三元共重合であって、テトラフロロエチレンが３７〜
４８４ 旦’％ 、ヘキサフロロプロピし／ンと弗化ビ
ニリデンの合計含量が５２〜６３ Ｍ 景％でり、ヘキ
サフロロプロピレンと弗化ビニリデンの含量比が２．３
： １〜ｌ：１である重合体が掲げられる。この内、
テトラフロロエチレンと弗化ビニリデンの共重合体は、
溶媒に容易に苗５管し、均一な光透過性の優れた薄膜を
作り易いことから射ましいものであり、テトラフロロエ
チレン、ヘキサフロロプロピレン、弗化ビニリデンの三
元共重合体は非晶性の重合体の為、結晶による散乱のな
いＢ膜が容易にイｕられることがら好ましいものである
。これ以外の弗素系重合体、例えは、テトラフロロエチ
レンとへキサフロロプロピレンの共重合体、テトラフロ
ロエチレンとパーフロロアルキルビニルエーテルの公正
合体等結晶による散乱が光の透過率を下げているものに
あっては、結晶を生成ぜしめない方法、例えば、溶融製
膜後急冷処理をする方法等により本発明に用いることが
出来る。
本発明のフォトマスク用防塵カバーの製造方法としては
、溶液キャスト法及び溶融押出し法にょシ製造出来る。
、溶液キャスト法及び溶融押出し法にょシ製造出来る。
溶媒に沼解しうる弗素系重合体にあっては、溶媒に適当
力士の弗素系重合体を溶解し、平滑基板上にスピンコー
ターを利用して屋布するなシ、ナイフコーターで塗布す
る方法等で均一厚みの膜を形成せしめ、ついで、フレー
ムをこの膜に固着後、基板よりハク１η１１させる方法
、及び当該重合体の溶媒Ｖｃ宿解しないベースポリマー
フィルム上にキャスト成１ｒ、ｙし、フレートを固着後
、当該重合体を清解さゼない＋３媒で、ベースポリマー
フィルムを溶解除去する方法等によりフォトマスク用防
ｈＭカバーが」パＪ造出〕Ｉミる。
力士の弗素系重合体を溶解し、平滑基板上にスピンコー
ターを利用して屋布するなシ、ナイフコーターで塗布す
る方法等で均一厚みの膜を形成せしめ、ついで、フレー
ムをこの膜に固着後、基板よりハク１η１１させる方法
、及び当該重合体の溶媒Ｖｃ宿解しないベースポリマー
フィルム上にキャスト成１ｒ、ｙし、フレートを固着後
、当該重合体を清解さゼない＋３媒で、ベースポリマー
フィルムを溶解除去する方法等によりフォトマスク用防
ｈＭカバーが」パＪ造出〕Ｉミる。
又、溶媒に浴）５テしない弗素系重合体にあっては、溶
融させて成膜する方法、セ１」えは、Ｔダイ法、インフ
レーション法等により薄＋ｇｔを製造後この薄膜を切り
取りフレームにシワなく張り固着さぜる方法等によりフ
ォトマスク用防急カバーを製造出来る０ 以下、実施例にて不発り」を更に詳細に説明する。
融させて成膜する方法、セ１」えは、Ｔダイ法、インフ
レーション法等により薄＋ｇｔを製造後この薄膜を切り
取りフレームにシワなく張り固着さぜる方法等によりフ
ォトマスク用防急カバーを製造出来る０ 以下、実施例にて不発り」を更に詳細に説明する。
尚、実施例、比較例に於いて、膜の厚みの測定は、下記
により行なった。
により行なった。
薄膜の厚み測定は、分光々反計で測定した膜の透過率が
干渉波を生じる様な比較的薄いものにあっては測定され
た隣りあう干渉波の山のピーク波長をそれぞれλ０．λ
２μ７ｒＬ（λｌ〉λ２）とし、λ１での干渉数をＮと
ずればλ２での干渉数はＮ＋１となるので、薄膜の屈折
率をｎとすれば、薄膜の厚み６μｍは次式で与えられる
。
干渉波を生じる様な比較的薄いものにあっては測定され
た隣りあう干渉波の山のピーク波長をそれぞれλ０．λ
２μ７ｒＬ（λｌ〉λ２）とし、λ１での干渉数をＮと
ずればλ２での干渉数はＮ＋１となるので、薄膜の屈折
率をｎとすれば、薄膜の厚み６μｍは次式で与えられる
。
ｄ−（λＩ Ｘ Ｎ ） ／ （２Ｘｎ ）又、干渉波
が生じない比較的厚い薄膜にあっては、ショツパー型膜
厚計によった。
が生じない比較的厚い薄膜にあっては、ショツパー型膜
厚計によった。
実施例１
テトラフロロエチレンと弗化ビニリデンの共重合体（ヘ
ンオルト（し！、ｉ ’Ｊｌ 、カイナー７２０１、弗
化ビニリデン含量的８５％、屈折率１．４０ ）をメチ
ルエチルケトンに溶解させ、２０ｗｔチの溶液を作成し
た。
ンオルト（し！、ｉ ’Ｊｌ 、カイナー７２０１、弗
化ビニリデン含量的８５％、屈折率１．４０ ）をメチ
ルエチルケトンに溶解させ、２０ｗｔチの溶液を作成し
た。
この溶液をスピンコーターにてシリコン基板上に塗布後
、乾燥し、シリコン基板上に薄膜を形成した。次いで、
アルミフレームの端面にエポキシ接着剤（昭和高分子Ｃ
λ）製、アラルダイトラピッド）を塗布し、上記簿膜と
接着させ一％間硬化させた。
、乾燥し、シリコン基板上に薄膜を形成した。次いで、
アルミフレームの端面にエポキシ接着剤（昭和高分子Ｃ
λ）製、アラルダイトラピッド）を塗布し、上記簿膜と
接着させ一％間硬化させた。
このものを水の中ｖｃ浸し、３０分間放置後、基板をハ
ク離させ水より取出し風乾さぜることにょシフレームに
薄膜が張られた防塵カバーが出来た。
ク離させ水より取出し風乾さぜることにょシフレームに
薄膜が張られた防塵カバーが出来た。
得られた薄刀桑は、厚み約１４μｍであり、分光々度Ｎ
１による干渉波は観察されず、２４０ ｎｍでの光線透
過率は９２．５係であシ、２９０〜５００ ｎｍでの平
均透過率は９４．５％であり、址紫外繍領域がら紫外紳
領域の広い範囲に於いてもぐれた透過性を示した。（ε
＋’Ｎ １図参照） 実施例２ 攪拌器伺５０ｔステンレスボットに乳化ｊ」１１トして
フロラードＦ’Ｃ−１４３（商品名；３Ｍ社製）をｏ、
ａｗｔ％を宮む水を２９．５ を入れフタをし、攪拌し
ながら窒素ガスを０．５ＭＰａ の圧力で満たし、更に
、ＩＪｌ、気する操作を５回縁シ返す。
１による干渉波は観察されず、２４０ ｎｍでの光線透
過率は９２．５係であシ、２９０〜５００ ｎｍでの平
均透過率は９４．５％であり、址紫外繍領域がら紫外紳
領域の広い範囲に於いてもぐれた透過性を示した。（ε
＋’Ｎ １図参照） 実施例２ 攪拌器伺５０ｔステンレスボットに乳化ｊ」１１トして
フロラードＦ’Ｃ−１４３（商品名；３Ｍ社製）をｏ、
ａｗｔ％を宮む水を２９．５ を入れフタをし、攪拌し
ながら窒素ガスを０．５ＭＰａ の圧力で満たし、更に
、ＩＪｌ、気する操作を５回縁シ返す。
続いて容器を８５℃に加熱し、温度が安定した後テトラ
フロロエチレン（ＴＦＥ）／ヘキサフロロプロピレン（
Ｉ−ＩＩｉ”Ｐ）／弗化ビニリデン（ＶｄＦ） が２０
．３／７４．２ ／ ５．５モル裂の割合の混合ガスを
円部圧力が０．３ＭＰａ ｖｃ、なる迄圧入し、Ａ９：
：いて排気する操作を３回繰返し、４回目に０．８ Ｍ
、Ｐａの内圧にする。ＪＭ拌を就けながら連鎖心動剤と
してジエチルマロネート２．９５ Ｆ、及び遊離性しｊ
始剤として過流酸アンモニウムの１０ｗｔ係水溶液５０
０りを圧入し重合を開始する。１０分間で内部の圧力が
０．１ＭＰａ迄低下する様に攪拌速度を調整しながら、
内７３１（圧力が０．７ＭＰａ迄低下したら、ＴＦＥ／
ＨＦＰ／ＶｄＦの比」・歪が４９．４／１８．４／３１
ｓモル係の混合ガスを圧力が０．８ＭＰａになる迄追添
する操作を縁り返す。１４４回目追添作業の後更にジエ
チルマロネートを２．９５ ！ｉ’追加しＪＩＬ合を続
ける。重合時間が３１０分でＪｊｌ気を行ない攪拌を停
止し、容器から分散液を取出す。得られた分散液に凝集
剤として塩化マグネシウムを添加して凝集さぜ濾過によ
り凝集物を取出し、水洗し、脱水を７回縁シ返した後、
８０℃で１５時間真空乾燥することによりポリマーを紹
た。得られた共重合体の岨成は、添加したモノマー及び
リアクタ−から排気されたモノマーのマスバランスカラ
ＴＦＥ／Ｉ−ＩＦＰ／ＶｄＦが４６．８／３０ 、ａ／
ｚ２．６重ｆｆｌ ％と計勢二され、１−ＩＦＩ）とＶ
ｄＦＯ比は１．３５：１であった。
フロロエチレン（ＴＦＥ）／ヘキサフロロプロピレン（
Ｉ−ＩＩｉ”Ｐ）／弗化ビニリデン（ＶｄＦ） が２０
．３／７４．２ ／ ５．５モル裂の割合の混合ガスを
円部圧力が０．３ＭＰａ ｖｃ、なる迄圧入し、Ａ９：
：いて排気する操作を３回繰返し、４回目に０．８ Ｍ
、Ｐａの内圧にする。ＪＭ拌を就けながら連鎖心動剤と
してジエチルマロネート２．９５ Ｆ、及び遊離性しｊ
始剤として過流酸アンモニウムの１０ｗｔ係水溶液５０
０りを圧入し重合を開始する。１０分間で内部の圧力が
０．１ＭＰａ迄低下する様に攪拌速度を調整しながら、
内７３１（圧力が０．７ＭＰａ迄低下したら、ＴＦＥ／
ＨＦＰ／ＶｄＦの比」・歪が４９．４／１８．４／３１
ｓモル係の混合ガスを圧力が０．８ＭＰａになる迄追添
する操作を縁り返す。１４４回目追添作業の後更にジエ
チルマロネートを２．９５ ！ｉ’追加しＪＩＬ合を続
ける。重合時間が３１０分でＪｊｌ気を行ない攪拌を停
止し、容器から分散液を取出す。得られた分散液に凝集
剤として塩化マグネシウムを添加して凝集さぜ濾過によ
り凝集物を取出し、水洗し、脱水を７回縁シ返した後、
８０℃で１５時間真空乾燥することによりポリマーを紹
た。得られた共重合体の岨成は、添加したモノマー及び
リアクタ−から排気されたモノマーのマスバランスカラ
ＴＦＥ／Ｉ−ＩＦＰ／ＶｄＦが４６．８／３０ 、ａ／
ｚ２．６重ｆｆｌ ％と計勢二され、１−ＩＦＩ）とＶ
ｄＦＯ比は１．３５：１であった。
得られた共重合体の物性は、ＡＳＴＩＶｆ Ｄ−１２８
３−７３による９０℃、２．１６ Ｋ７荷重に方々ける
フローレートは帆６ｓｒ／ｌｏ分であった。又、ＡＳ’
ｌ’Ｍ Ｌ）−３４１８−７５による熱分析の結果、１
・に１！点は観察されなかった。
３−７３による９０℃、２．１６ Ｋ７荷重に方々ける
フローレートは帆６ｓｒ／ｌｏ分であった。又、ＡＳ’
ｌ’Ｍ Ｌ）−３４１８−７５による熱分析の結果、１
・に１！点は観察されなかった。
この共重合体をｒｌ〕５００ ｍｓのＴダイ及びキャス
トロール付引取機の伺いた２５龍押出俄により、シリン
ダ一部及びダイ部の温度を２００℃、キャストロール温
度を３０℃にして、ダイリップ、引取速度を調艙して１
３μ７７Ｌのフ１ルムを作成した。このフィルムのノ出
折率はアツベのノ田折：ｉ’：’により１．３６であっ
た。
トロール付引取機の伺いた２５龍押出俄により、シリン
ダ一部及びダイ部の温度を２００℃、キャストロール温
度を３０℃にして、ダイリップ、引取速度を調艙して１
３μ７７Ｌのフ１ルムを作成した。このフィルムのノ出
折率はアツベのノ田折：ｉ’：’により１．３６であっ
た。
次いで、得られたフィルム・５？適当な大きさに切シ取
り、シワのない状ｋ、Ｌ；で周囲を１６」定し、この上
に端面にエポキシ１表シｂ剤（昭和１％分子（ｌ；ｉ）
製、アラルダイトラビッド）を塗７１Ｊしたアルミフレ
ームを押しイｊけ、工時１＋Ｊ仙化さぜ、フィルムとア
ルミフレームを接瘤させた。扱賠後、フレームの外側に
はみ出したフィルムを切り取り、フォトマスク用防、塵
カバーを作成した。
り、シワのない状ｋ、Ｌ；で周囲を１６」定し、この上
に端面にエポキシ１表シｂ剤（昭和１％分子（ｌ；ｉ）
製、アラルダイトラビッド）を塗７１Ｊしたアルミフレ
ームを押しイｊけ、工時１＋Ｊ仙化さぜ、フィルムとア
ルミフレームを接瘤させた。扱賠後、フレームの外側に
はみ出したフィルムを切り取り、フォトマスク用防、塵
カバーを作成した。
得られた防塵カバーの膜の光線透過率は、２４０ｎｍで
９０．５係、２９０〜５００ ｎｍで平均９４．０チで
あり、干渉波は観測されなかった。（第１図参照）実施
例３ 実施例１で、スピンコーターの回転数を上げ膜厚み１．
９４μｍのものを作成した。この薄膜は分光光度語によ
り干渉波が観測され、２４０ ｎｍでの光線透過率は、
平均９２．８％であり、３５０ ｎｍ付近での最大透過
率は９８．５Ｌ最低ｙ＆、過率は９１．０チであり、平
均９４．７係であった。又、２９０〜５００ ｎｍの平
均透過率は９４．５チそあった。（第２ｍ参照）比較例
１ ニトロセルロース（旭化成工ｉθＶＭ、Ｉ（ＩＧ−２０
）を酢酸ｎ−ブチルに溶解させ、１０ｗｔ％の溶液を調
製した。
９０．５係、２９０〜５００ ｎｍで平均９４．０チで
あり、干渉波は観測されなかった。（第１図参照）実施
例３ 実施例１で、スピンコーターの回転数を上げ膜厚み１．
９４μｍのものを作成した。この薄膜は分光光度語によ
り干渉波が観測され、２４０ ｎｍでの光線透過率は、
平均９２．８％であり、３５０ ｎｍ付近での最大透過
率は９８．５Ｌ最低ｙ＆、過率は９１．０チであり、平
均９４．７係であった。又、２９０〜５００ ｎｍの平
均透過率は９４．５チそあった。（第２ｍ参照）比較例
１ ニトロセルロース（旭化成工ｉθＶＭ、Ｉ（ＩＧ−２０
）を酢酸ｎ−ブチルに溶解させ、１０ｗｔ％の溶液を調
製した。
この溶液を使い、実施例１と同様の方法により防塵カバ
ーを作製した。
ーを作製した。
得られた防膣カバーの薄膜は、膜厚み２．８６１μｍで
あり、干渉波が観６１）１された。又、この膜の光線透
過率は、２４０ ｎｒｎで３５係であり、３５０ ｎｍ
付近での最大透過率は９８．２係、最低〃り過率は８４
．８チで、平均９１．５俤であった。又、２９０〜４５
０ ｎｍでの平均透過￥は９１．０％であつ／ヒ。（第
２図参照）４・ 図面のＩＡ］羊な、況１刃 第１図は、実施例工及び２の’＜’′ｉ：膜の分光々肢
用”による元高ｊ送ｊ昂率曲腺（１ニジご施し０１．２
：実〃止例２）、ｉ）；４２因は実施例３反ひ比較例１
の得１！ｉ、’、４の分光々置針による光ツ１′わ）４
’、’ｌｉ・ｊ率曲肋ｊ（３：云施・トｌ」３．４：
比較例１）をカくずグジフでりる。
あり、干渉波が観６１）１された。又、この膜の光線透
過率は、２４０ ｎｒｎで３５係であり、３５０ ｎｍ
付近での最大透過率は９８．２係、最低〃り過率は８４
．８チで、平均９１．５俤であった。又、２９０〜４５
０ ｎｍでの平均透過￥は９１．０％であつ／ヒ。（第
２図参照）４・ 図面のＩＡ］羊な、況１刃 第１図は、実施例工及び２の’＜’′ｉ：膜の分光々肢
用”による元高ｊ送ｊ昂率曲腺（１ニジご施し０１．２
：実〃止例２）、ｉ）；４２因は実施例３反ひ比較例１
の得１！ｉ、’、４の分光々置針による光ツ１′わ）４
’、’ｌｉ・ｊ率曲肋ｊ（３：云施・トｌ」３．４：
比較例１）をカくずグジフでりる。
Claims (1)
- １．１Ｏμｍ の膜厚みに於いて：、 ２４０ ｎｍか
ら２９０ ｎｍの波長の光に対する平均光糾透過率が９
０％以上で必シ、かつ２９０ ｎｍからｓｏｏ ｎｍの
波長の光に対し９３．５％以上の平均光腺透過率を有す
る屈折率１．４２以下の非業、系重合体からなる薄膜を
フレームにシワなく同名゛ぜしめた光透過性に優れたフ
ォトマスク用防塵カバー２ 弗素系正合体が、デトラフ
ロロエチレンと弗化ビニリデンの共Ｆ１ｊｆ５体であり
、弗化ビニリゾ用防塵カバー ＆ 弗素系正合体がテトラフロロエチレン、ヘキサフロ
ロプロピレン、弗化ビニリデンの三元共重合体であって
、テトラフロロエチレンの含量が３７〜４８重量係、ヘ
キサフロロプロピレンと弗化ビニリデンの金側含量が５
２〜６３重量係であり、ヘキサフロロプロピレンと弗化
ビニリデンの
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189892A JPS6083032A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
| PCT/JP1984/000485 WO1988004070A1 (fr) | 1983-10-13 | 1984-10-12 | Couvercle antipoussiere presentant une excellente phototransmittance pour un reticule de masque photographique |
| US06/749,623 US4657805A (en) | 1983-10-13 | 1984-10-12 | Dust cover superior in transparency for photomask reticle use and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189892A JPS6083032A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083032A true JPS6083032A (ja) | 1985-05-11 |
| JPS6327707B2 JPS6327707B2 (ja) | 1988-06-03 |
Family
ID=16248925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58189892A Granted JPS6083032A (ja) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4657805A (ja) |
| JP (1) | JPS6083032A (ja) |
| WO (1) | WO1988004070A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241557A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-26 | Bando Chem Ind Ltd | ペリクル膜 |
| JPH0339963A (ja) * | 1989-04-17 | 1991-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ペリクル |
| US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
| JPH03174450A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-07-29 | E I Du Pont De Nemours & Co | アモルファスフッ素ポリマー薄膜 |
| JP2001330943A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
| KR100527012B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2006-02-28 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성수지조성물 |
| US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| US8338060B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-12-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography and method for manufacturing the same |
| US8426084B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| US8541149B2 (en) | 2010-11-19 | 2013-09-24 | Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. | Method of adhering lithographic pellicle and adhering apparatus therefor |
| EP3270224A1 (en) | 2016-07-11 | 2018-01-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive for pellicle, pellicle, and method of selecting adhesive for pellicle |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960000490B1 (ko) * | 1987-07-10 | 1996-01-08 | 미쓰이세키유가가쿠고교 가부시기가이샤 | 반사 방지형 펠리클막 및 그 제조 방법 |
| US4925779A (en) * | 1988-12-22 | 1990-05-15 | Qualex, Inc. | Photo strip protection method and product |
| US4970099A (en) * | 1989-05-19 | 1990-11-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perfluoropolymer coated pellicles |
| JP2952962B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1999-09-27 | 旭硝子株式会社 | 汚染防止保護器具 |
| DE69019268T2 (de) * | 1989-09-06 | 1995-11-09 | Du Pont | Nichtreflektierende Filmabdeckung. |
| JP3037745B2 (ja) * | 1990-11-29 | 2000-05-08 | 三井化学株式会社 | ペリクル構造体 |
| JP2945201B2 (ja) * | 1992-01-31 | 1999-09-06 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| US5422704A (en) * | 1992-07-13 | 1995-06-06 | Intel Corporation | Pellicle frame |
| US5344677A (en) * | 1992-08-27 | 1994-09-06 | Hong Gilbert H | Photochemically stable deep ultraviolet pellicles for excimer lasers |
| JP2915744B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1999-07-05 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| KR970004447B1 (ko) * | 1993-09-08 | 1997-03-27 | 삼성전자 주식회사 | 반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US5882773A (en) * | 1993-10-13 | 1999-03-16 | The Regents Of The University Of California | Optical coatings of variable refractive index and high laser-resistance from physical-vapor-deposited perfluorinated amorphous polymer |
| JP3221226B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2001-10-22 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| JP3493090B2 (ja) | 1995-12-15 | 2004-02-03 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| US5846650A (en) * | 1996-05-10 | 1998-12-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Anti-reflective, abrasion resistant, anti-fogging coated articles and methods |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| DE60020105T2 (de) * | 1999-03-16 | 2006-03-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington | Wenig reflektierende fluoropolymerschichten für linsen und vorrichtungen |
| US6280885B1 (en) | 1999-08-11 | 2001-08-28 | Dupont Photomasks, Inc. | Dust cover comprising anti-reflective coating |
| US6239863B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-05-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same |
| US7271950B1 (en) * | 2000-02-16 | 2007-09-18 | Toppan Photomasks, Inc. | Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light |
| US6548129B2 (en) * | 2000-03-15 | 2003-04-15 | Asahi Glass Company, Limited | Pellicle |
| JP2002182373A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル及びその製造方法及びフォトマスク |
| JP3960820B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2007-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | マスク引継ぎ方法およびデバイス製造方法 |
| US6906783B2 (en) * | 2002-02-22 | 2005-06-14 | Asml Holding N.V. | System for using a two part cover for protecting a reticle |
| US7094505B2 (en) * | 2002-10-29 | 2006-08-22 | Toppan Photomasks, Inc. | Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process |
| JP2004157229A (ja) | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
| US20090059189A1 (en) * | 2005-07-18 | 2009-03-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Pellicle for use in a microlithographic exposure apparatus |
| US7722819B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-25 | Meadwestvaco Calmar, Inc. | Fragrance product, dispenser, and dispenser assembly |
| JP2008256925A (ja) | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
| JP2009025559A (ja) | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム |
| JP4931717B2 (ja) | 2007-07-19 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
| JP2009025562A (ja) | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム |
| JP2009063740A (ja) | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム |
| JP4979088B2 (ja) | 2008-05-14 | 2012-07-18 | 信越化学工業株式会社 | 半導体リソグラフィー用ペリクル |
| JP2009276521A (ja) | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
| JP2010210974A (ja) | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルの製造方法及びペリクル |
| JP4951051B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2012-06-13 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
| JP2011107230A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
| KR101578633B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2015-12-17 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 자립막, 자립 구조체, 자립막의 제조 방법 및 펠리클 |
| JP5952823B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2016-07-13 | ローム アンド ハース カンパニーＲｏｈｍ Ａｎｄ Ｈａａｓ Ｃｏｍｐａｎｙ | 熱可塑性組成物、その製造方法、及びそれから製造される物品 |
| JP5478463B2 (ja) | 2010-11-17 | 2014-04-23 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用ペリクル |
| JP2013057861A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
| JP5950467B2 (ja) | 2013-09-24 | 2016-07-13 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| JP6150300B2 (ja) | 2014-04-04 | 2017-06-21 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルの貼り付け部確認方法 |
| FR3024554B1 (fr) * | 2014-07-30 | 2016-09-09 | Essilor Int | Lentille ophtalmique comportant un revetement minimisant les reflets ultraviolets et procede de fabrication d'une telle lentille |
| JP6313161B2 (ja) | 2014-08-27 | 2018-04-18 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
| JP6532428B2 (ja) | 2016-05-26 | 2019-06-19 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
| JP7202082B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2023-01-11 | 三井・ケマーズ フロロプロダクツ株式会社 | 熱溶融性フッ素樹脂成形品 |
| JP2019070745A (ja) | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428716A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Process for producing electroconductive highly heat-resisting aluminum alloy |
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
| JPS5639656A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-15 | Fujitsu Ltd | Control system of message exchange system |
| JPS5746243A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Nec Corp | Optical mask |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639656B2 (ja) * | 1973-12-24 | 1981-09-14 | ||
| US4131363A (en) * | 1977-12-05 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle cover for projection printing system |
| JPS57142359A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-03 | Kureha Chemical Ind Co Ltd | Extruded laminate |
| JPS5852601A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Seiko Epson Corp | 合成樹脂製レンズ |
| US4465759A (en) * | 1983-02-14 | 1984-08-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system |
-
1983
- 1983-10-13 JP JP58189892A patent/JPS6083032A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-12 WO PCT/JP1984/000485 patent/WO1988004070A1/ja not_active Ceased
- 1984-10-12 US US06/749,623 patent/US4657805A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428716A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Process for producing electroconductive highly heat-resisting aluminum alloy |
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
| JPS5639656A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-15 | Fujitsu Ltd | Control system of message exchange system |
| JPS5746243A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Nec Corp | Optical mask |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
| JPH01241557A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-26 | Bando Chem Ind Ltd | ペリクル膜 |
| JPH0339963A (ja) * | 1989-04-17 | 1991-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ペリクル |
| JPH03174450A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-07-29 | E I Du Pont De Nemours & Co | アモルファスフッ素ポリマー薄膜 |
| US5061024A (en) * | 1989-09-06 | 1991-10-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous fluoropolymer pellicle films |
| KR100527012B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2006-02-28 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성수지조성물 |
| JP2001330943A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
| US7604904B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| US8426084B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography |
| US8338060B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-12-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithography and method for manufacturing the same |
| US8541149B2 (en) | 2010-11-19 | 2013-09-24 | Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. | Method of adhering lithographic pellicle and adhering apparatus therefor |
| EP3270224A1 (en) | 2016-07-11 | 2018-01-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive for pellicle, pellicle, and method of selecting adhesive for pellicle |
| KR20180006859A (ko) | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클용 점착제, 펠리클, 펠리클용 점착제의 선택 방법 |
| US10353283B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-07-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive for pellicle, pellicle, and method of selecting adhesive for pellicle |
| KR20230053559A (ko) | 2016-07-11 | 2023-04-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클용 점착제, 펠리클, 펠리클용 점착제의 선택 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4657805A (en) | 1987-04-14 |
| WO1988004070A1 (fr) | 1988-06-02 |
| JPS6327707B2 (ja) | 1988-06-03 |
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