JPH0442915Y2 - - Google Patents
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- JPH0442915Y2 JPH0442915Y2 JP1984107346U JP10734684U JPH0442915Y2 JP H0442915 Y2 JPH0442915 Y2 JP H0442915Y2 JP 1984107346 U JP1984107346 U JP 1984107346U JP 10734684 U JP10734684 U JP 10734684U JP H0442915 Y2 JPH0442915 Y2 JP H0442915Y2
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- Japan
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- temperature
- heat exchange
- processing liquid
- tank
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Description
「産業上の利用分野」
本考案は、エツチング液等の半導体処理液の熱
交換を行なう装置に関する。 「従来の技術」 半導体処理液の温度管理を行なうため、熱交換
器およびポンプを介在させた循環路を処理槽に接
続し、この処理槽より流通させた半導体処理液を
上記熱交換器で交換したのち再び処理槽に戻すこ
とが行なわれている。 この場合、温度センサによつて処理槽中の半導
体処理液の温度が検出され、上記センサの検出温
度が目標温度になるように上記熱交換器の熱交換
媒体(たとえば水)の温度が制御される。 〔考案が解決しようとする課題〕 ところが、熱交換器の半導体処理液の収容量は
かなり大きく、このため従来つぎのような問題を
生じている。 すなわち、上記センサの検出温度が目標温度に
達した時点では、熱交換器より処理槽に至るバス
の影響で処理槽内の処理液の温度と熱交換器に収
容されている処理液の温度とに差を生じる。 それゆえ、上記時点以後、熱交換器に収容され
ていた大量の処理液が処理槽に流入した場合、該
処理槽内の処理液の温度が目標温度から変化し、
その結果、上記熱交換器の熱交換媒体に対してそ
れまでとは逆の方向の温度制御が行なわれること
になる。 つまり、ハンチングを伴つた温度制御が行なわ
れることになり処理槽内の処理液が目標温度が整
定されるまでに時間を要する。 本考案の目的は、上記処理槽中の処理液の温度
を可及的速やかに整定することが可能な熱交換装
置を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本考案に係る熱交換装置は、第1の熱交換手段
が介在され、処理槽より流出した半導体処理液を
上記第1の熱交換手段で熱交換したのち再び上記
処理槽に戻す第1の循環路と、加熱冷却要素を備
えた第2の熱交換手段が介在され、この第2の熱
交換手段で熱交換された熱交換媒体を上記第1の
熱交換手段に供給する第2の循環路と、上記処理
槽中において、上記半導体処理液の温度を検出す
る第1の温度検出手段と、上記熱交換媒体の温度
を検出する第2の温度検出手段と、上記処理槽中
における上記半導体処理液の目標温度を設定する
目標温度設定手段と、上記目標温度と上記第1の
温度検出手段の検出温度とを比較し、該検出温度
の値が上記目標温度を中心とする所定の温度範囲
以外であるか否かを判定する比較手段と、上記検
出温度の値が上記温度範囲以外の場合に、該検出
温度が上記目標温度に近づくように上記加熱冷却
手段を制御し、かつ上記検出温度の値が上記温度
範囲内の場合に、上記第2の温度検出手段の検出
温度が上記目標温度に近づくように上記加熱冷却
手段を制御する制御手段とを備えている。 〔作用〕 この熱交換装置によれば、第1の温度検出手段
の検出温度が上記温度範囲以外である場合は、該
第1の温度検出手段の検出温度に基づいて上記加
熱冷却手段が制御される。また第1の温度検出手
段の検出温度が上記温度範囲内である場合には、
第2の温度検出手段の検出温度に基づいて加熱冷
却手段が制御される。 「実施例」 以下、図面を参照して本考案の実施例を説明す
る。 第1図は、本考案に係る熱交換装置の一実施例
を概念的に示す。 この実施例は、コイル状に巻かれたパイプ1が
その内部に配設された熱交換用のタンク2を備え
ている。上記パイプ1は、テフロン等の耐処理液
性の材料で形成されており、その一端が管理3を
介して処理槽4の内槽4Aの底部に、またその他
端が管路5を介して上記処理槽4の外槽4Bに
各々連結されている。なお、管路5の途中にはポ
ンプ6が介在されている。また、上記パイプ1の
外周には襞が形成されている。 ケミカルサーキユレータ7は、第2図に示すよ
うに、熱交換器8と温度制御回路9とから構成さ
れている。熱交換器8は、熱交換媒体たる恒温用
液体が通過する通路81と、この通路81の両側
に設けられたサーモモジユール82,82と、こ
れらのサーモモジユールに各々付設された放熱器
83,83と、上記通路81内に配設された温度
センサ84とを備えている。そして、上記通路8
1の一端および他端は、各々管路10および11
を介して前記タンク2の上部および下部に連結さ
れている。なお、管路11にはポンプ12が介在
されている。 上記サーモモジユール82,82は、半導体熱
電素子によつて電子的に冷却または加熱を行なう
ものであり、その印加電圧の極性を変えることに
より、冷却作用と加熱作用とが切換わる。なお、
このサーモモジユールの構造および動作原理は公
知であるので、ここではその説明を省略する。 前記放熱器83,83は、上記サーモモジユー
ルが発生する熱を放熱するものであり、水道水に
よつて冷却される。 温度制御回路9に設けられた比較回路91は、
処理槽4内の処理液の温度を検出するセンサ13
の出力と、温度設定器92の出力とを比較し、各
出力の差が一定以上の場合に切換スイツチ93を
接点b側に切換える作用をなす。この実施例で
は、温度設定器92によつて設定される前記処理
槽4内の処理液目標温度と、センサ13で検出さ
れる処理液の温度との差が±1°以上となつた場合
に上記スイツチ93が接点b側に切換えられるよ
うに比較回路91の動作点が定められている。 この実施例において、タンク2内に恒温用液体
としてたとえば水を入れ、しかるのちポンプ12
を作動させると、タンク2内の水が管路11、熱
交換器9の通路81および管路10からなる循環
路を介して循環される。またポンプ6を作動させ
ると、処理槽4内の半導体処理液が管路5、パイ
プ1および管路3からなる循環路を介して循環さ
れる。したがつて、パイプ1内を循環する半導体
処理液は、該タンク内の水によつて熱交換され
る。 次に、前記温度制御回路9の作用を説明する。
いま、前記温度設定器92による設定温度がたと
えば23℃で、処理槽4内の半導体処理液の温度が
20℃であるとすると、前記切換スイツチ93が接
点b側に切換えられ、これによつてサーモモジユ
ール駆動回路94にはセンサ13の出力と設定器
92の出力とが加えられる。そこで上記駆動回路
94は、それらの出力の差が小さくなるようにサ
ーモモジユール82の加熱作動させる。つまり、
熱交換器8を通過する水を加熱することによつて
タンク2内の水の温度を上昇させ、これによつて
パイプ1内を通過する半導体処理液の温度を上昇
させる。 ところで、センサ13の出力のみを使用して温
度制御を行つた場合、以下のような問題を生じ
る。すなわちこの場合、処理槽4内の半導体処理
液の温度が23℃になつた以後、パイプ1内を通過
していた相当量の処理液が処理槽4内に流入して
くることになるので、該処理槽4内の処理液の温
度が設定温度23℃よりも大きくなるという現象
を生じ、そのため今度は処理液の温度を低下させ
るようにサーモモジユール82が作動されること
になる。つまり、温度が整定されるまでにハンチ
ング現象を生じて、その整定時間が長くなる。 ところが上記実施例では、処理槽4内の処理液
の温度が20℃から22℃まで上昇した時点でスイツ
チ93が接点a側に接続されるので、つまりセン
サ13の出力に代えてセンサ84の出力が駆動回
路94に加えられるので、温度の整定時間を短縮
することができる。 すなわち、センサ84の出力はほぼタンク2内
の水の温度を示唆し、この水の温度は23℃よりも
大きいので処理槽内の処理液の温度が22℃になつ
た時点でサーモモジユール82が冷却作動する。
この結果、処理槽4内の処理液は23℃近傍に速や
かに整定され、その時点で該処理槽内の処理液温
度とパイプ1内の処理液温度がほぼ等しくなると
ともに、その温度タンク1内の水の温度とが平衡
する。なお、この時点においてサーモモジユール
82の加熱または冷却作用はほぼ停止状態とな
る。 かくして、この実施例によれば、きわめて安定
した処理液の温度制御を行なうことができる。 上記実施例では温度制御用の加熱冷却手段とし
てサーモモジユール82を使用しているが、これ
に代えて他の汎用の加熱冷却手段を用いても本考
案は実施可能である。また上記実施例では、処理
槽4内の処理液の温度と設定温度との差が±1℃
以上になつた場合にスイツチ93を接点b側に切
換作動させているが、この温度差についてのしき
い値範囲は半導体処理液の量、熱交換器8の加熱
冷却容量、恒温用液体の量等に応じて適宜所望の
値に設定される。 なお、上記タンク2、熱交換器8の通路81、
管路10,11等は、パイプ1からの半導体処理
液の万一の漏洩事故に備えて耐処理液性の材料で
形成しておくことが好ましい。 上記半導体処理液としては、エツチング液等が
あり、本考案の装置によつて熱交換されれる代表
的なエツチング液を用途別に例示すると以下のと
おりである。
交換を行なう装置に関する。 「従来の技術」 半導体処理液の温度管理を行なうため、熱交換
器およびポンプを介在させた循環路を処理槽に接
続し、この処理槽より流通させた半導体処理液を
上記熱交換器で交換したのち再び処理槽に戻すこ
とが行なわれている。 この場合、温度センサによつて処理槽中の半導
体処理液の温度が検出され、上記センサの検出温
度が目標温度になるように上記熱交換器の熱交換
媒体(たとえば水)の温度が制御される。 〔考案が解決しようとする課題〕 ところが、熱交換器の半導体処理液の収容量は
かなり大きく、このため従来つぎのような問題を
生じている。 すなわち、上記センサの検出温度が目標温度に
達した時点では、熱交換器より処理槽に至るバス
の影響で処理槽内の処理液の温度と熱交換器に収
容されている処理液の温度とに差を生じる。 それゆえ、上記時点以後、熱交換器に収容され
ていた大量の処理液が処理槽に流入した場合、該
処理槽内の処理液の温度が目標温度から変化し、
その結果、上記熱交換器の熱交換媒体に対してそ
れまでとは逆の方向の温度制御が行なわれること
になる。 つまり、ハンチングを伴つた温度制御が行なわ
れることになり処理槽内の処理液が目標温度が整
定されるまでに時間を要する。 本考案の目的は、上記処理槽中の処理液の温度
を可及的速やかに整定することが可能な熱交換装
置を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本考案に係る熱交換装置は、第1の熱交換手段
が介在され、処理槽より流出した半導体処理液を
上記第1の熱交換手段で熱交換したのち再び上記
処理槽に戻す第1の循環路と、加熱冷却要素を備
えた第2の熱交換手段が介在され、この第2の熱
交換手段で熱交換された熱交換媒体を上記第1の
熱交換手段に供給する第2の循環路と、上記処理
槽中において、上記半導体処理液の温度を検出す
る第1の温度検出手段と、上記熱交換媒体の温度
を検出する第2の温度検出手段と、上記処理槽中
における上記半導体処理液の目標温度を設定する
目標温度設定手段と、上記目標温度と上記第1の
温度検出手段の検出温度とを比較し、該検出温度
の値が上記目標温度を中心とする所定の温度範囲
以外であるか否かを判定する比較手段と、上記検
出温度の値が上記温度範囲以外の場合に、該検出
温度が上記目標温度に近づくように上記加熱冷却
手段を制御し、かつ上記検出温度の値が上記温度
範囲内の場合に、上記第2の温度検出手段の検出
温度が上記目標温度に近づくように上記加熱冷却
手段を制御する制御手段とを備えている。 〔作用〕 この熱交換装置によれば、第1の温度検出手段
の検出温度が上記温度範囲以外である場合は、該
第1の温度検出手段の検出温度に基づいて上記加
熱冷却手段が制御される。また第1の温度検出手
段の検出温度が上記温度範囲内である場合には、
第2の温度検出手段の検出温度に基づいて加熱冷
却手段が制御される。 「実施例」 以下、図面を参照して本考案の実施例を説明す
る。 第1図は、本考案に係る熱交換装置の一実施例
を概念的に示す。 この実施例は、コイル状に巻かれたパイプ1が
その内部に配設された熱交換用のタンク2を備え
ている。上記パイプ1は、テフロン等の耐処理液
性の材料で形成されており、その一端が管理3を
介して処理槽4の内槽4Aの底部に、またその他
端が管路5を介して上記処理槽4の外槽4Bに
各々連結されている。なお、管路5の途中にはポ
ンプ6が介在されている。また、上記パイプ1の
外周には襞が形成されている。 ケミカルサーキユレータ7は、第2図に示すよ
うに、熱交換器8と温度制御回路9とから構成さ
れている。熱交換器8は、熱交換媒体たる恒温用
液体が通過する通路81と、この通路81の両側
に設けられたサーモモジユール82,82と、こ
れらのサーモモジユールに各々付設された放熱器
83,83と、上記通路81内に配設された温度
センサ84とを備えている。そして、上記通路8
1の一端および他端は、各々管路10および11
を介して前記タンク2の上部および下部に連結さ
れている。なお、管路11にはポンプ12が介在
されている。 上記サーモモジユール82,82は、半導体熱
電素子によつて電子的に冷却または加熱を行なう
ものであり、その印加電圧の極性を変えることに
より、冷却作用と加熱作用とが切換わる。なお、
このサーモモジユールの構造および動作原理は公
知であるので、ここではその説明を省略する。 前記放熱器83,83は、上記サーモモジユー
ルが発生する熱を放熱するものであり、水道水に
よつて冷却される。 温度制御回路9に設けられた比較回路91は、
処理槽4内の処理液の温度を検出するセンサ13
の出力と、温度設定器92の出力とを比較し、各
出力の差が一定以上の場合に切換スイツチ93を
接点b側に切換える作用をなす。この実施例で
は、温度設定器92によつて設定される前記処理
槽4内の処理液目標温度と、センサ13で検出さ
れる処理液の温度との差が±1°以上となつた場合
に上記スイツチ93が接点b側に切換えられるよ
うに比較回路91の動作点が定められている。 この実施例において、タンク2内に恒温用液体
としてたとえば水を入れ、しかるのちポンプ12
を作動させると、タンク2内の水が管路11、熱
交換器9の通路81および管路10からなる循環
路を介して循環される。またポンプ6を作動させ
ると、処理槽4内の半導体処理液が管路5、パイ
プ1および管路3からなる循環路を介して循環さ
れる。したがつて、パイプ1内を循環する半導体
処理液は、該タンク内の水によつて熱交換され
る。 次に、前記温度制御回路9の作用を説明する。
いま、前記温度設定器92による設定温度がたと
えば23℃で、処理槽4内の半導体処理液の温度が
20℃であるとすると、前記切換スイツチ93が接
点b側に切換えられ、これによつてサーモモジユ
ール駆動回路94にはセンサ13の出力と設定器
92の出力とが加えられる。そこで上記駆動回路
94は、それらの出力の差が小さくなるようにサ
ーモモジユール82の加熱作動させる。つまり、
熱交換器8を通過する水を加熱することによつて
タンク2内の水の温度を上昇させ、これによつて
パイプ1内を通過する半導体処理液の温度を上昇
させる。 ところで、センサ13の出力のみを使用して温
度制御を行つた場合、以下のような問題を生じ
る。すなわちこの場合、処理槽4内の半導体処理
液の温度が23℃になつた以後、パイプ1内を通過
していた相当量の処理液が処理槽4内に流入して
くることになるので、該処理槽4内の処理液の温
度が設定温度23℃よりも大きくなるという現象
を生じ、そのため今度は処理液の温度を低下させ
るようにサーモモジユール82が作動されること
になる。つまり、温度が整定されるまでにハンチ
ング現象を生じて、その整定時間が長くなる。 ところが上記実施例では、処理槽4内の処理液
の温度が20℃から22℃まで上昇した時点でスイツ
チ93が接点a側に接続されるので、つまりセン
サ13の出力に代えてセンサ84の出力が駆動回
路94に加えられるので、温度の整定時間を短縮
することができる。 すなわち、センサ84の出力はほぼタンク2内
の水の温度を示唆し、この水の温度は23℃よりも
大きいので処理槽内の処理液の温度が22℃になつ
た時点でサーモモジユール82が冷却作動する。
この結果、処理槽4内の処理液は23℃近傍に速や
かに整定され、その時点で該処理槽内の処理液温
度とパイプ1内の処理液温度がほぼ等しくなると
ともに、その温度タンク1内の水の温度とが平衡
する。なお、この時点においてサーモモジユール
82の加熱または冷却作用はほぼ停止状態とな
る。 かくして、この実施例によれば、きわめて安定
した処理液の温度制御を行なうことができる。 上記実施例では温度制御用の加熱冷却手段とし
てサーモモジユール82を使用しているが、これ
に代えて他の汎用の加熱冷却手段を用いても本考
案は実施可能である。また上記実施例では、処理
槽4内の処理液の温度と設定温度との差が±1℃
以上になつた場合にスイツチ93を接点b側に切
換作動させているが、この温度差についてのしき
い値範囲は半導体処理液の量、熱交換器8の加熱
冷却容量、恒温用液体の量等に応じて適宜所望の
値に設定される。 なお、上記タンク2、熱交換器8の通路81、
管路10,11等は、パイプ1からの半導体処理
液の万一の漏洩事故に備えて耐処理液性の材料で
形成しておくことが好ましい。 上記半導体処理液としては、エツチング液等が
あり、本考案の装置によつて熱交換されれる代表
的なエツチング液を用途別に例示すると以下のと
おりである。
【表】
「考案の効果」
本考案に係る熱交換装置によれば、処理槽中の
処理液の温度が可及的速やかに目標温度に整定さ
れるのでエツチング処理等を効率よくかつ適性に
行なうことができる。
処理液の温度が可及的速やかに目標温度に整定さ
れるのでエツチング処理等を効率よくかつ適性に
行なうことができる。
第1図は本考案に係る熱交換装置の一実施例を
示した概念図、第2図は第1図に示すサーキユレ
ーターの一構成例を示した概念図である。 1……パイプ、2……タンク、4……処理槽、
6,12……ポンプ、7……ケミカルサーキユレ
ータ、8……熱交換器、9……温度制御回路、1
3,84……温度センサ、91……比較回路、9
2……温度設定器、93……切換スイツチ、94
……サーモモジユール駆動回路。
示した概念図、第2図は第1図に示すサーキユレ
ーターの一構成例を示した概念図である。 1……パイプ、2……タンク、4……処理槽、
6,12……ポンプ、7……ケミカルサーキユレ
ータ、8……熱交換器、9……温度制御回路、1
3,84……温度センサ、91……比較回路、9
2……温度設定器、93……切換スイツチ、94
……サーモモジユール駆動回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第1の熱交換手段が介在され、処理槽より流出
した半導体処理液を上記第1の熱交換手段で熱交
換したのち再び上記処理槽に戻す第1の循環路
と、 加熱冷却要素を備えた第2の熱交換手段が介在
され、この第2の熱交換手段で熱交換された熱交
換媒体を上記第1の熱交換手段に供給する第2の
循環路と、 上記処理槽中において、上記半導体処理液の温
度を検出する第1の温度検出手段と、 上記熱交換媒体の温度を検出する第2の温度検
出手段と、 上記処理槽中における上記半導体処理液の目標
温度を設定する目標温度設定手段と、 上記目標温度と上記第1の温度検出手段の検出
温度とを比較し、該検出温度の値が上記目標温度
を中心とする所定の温度範囲以外であるか否かを
判定する比較手段と、 上記検出温度の値が上記温度範囲以外の場合
に、該検出温度が上記目標温度に近づくように上
記加熱冷却手段を制御し、かつ上記検出温度の値
が上記温度範囲内の場合に、上記第2の温度検出
手段の検出温度が上記目標温度に近づくように上
記加熱冷却手段を制御する制御手段と を備えることを特徴とする半導体処理液の熱交換
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10734684U JPS6122340U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体処理液の熱交換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10734684U JPS6122340U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体処理液の熱交換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122340U JPS6122340U (ja) | 1986-02-08 |
| JPH0442915Y2 true JPH0442915Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30666593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10734684U Granted JPS6122340U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体処理液の熱交換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122340U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010164277A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Tekkusu Iijii:Kk | 液体温度調節装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943523A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Yamagata Nippon Denki Kk | 半導体エツチング処理における薬液供給方法 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP10734684U patent/JPS6122340U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122340U (ja) | 1986-02-08 |
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