JPS5943523A - 半導体エツチング処理における薬液供給方法 - Google Patents
半導体エツチング処理における薬液供給方法Info
- Publication number
- JPS5943523A JPS5943523A JP57153706A JP15370682A JPS5943523A JP S5943523 A JPS5943523 A JP S5943523A JP 57153706 A JP57153706 A JP 57153706A JP 15370682 A JP15370682 A JP 15370682A JP S5943523 A JPS5943523 A JP S5943523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- chemical solution
- etching
- etching process
- chemical liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、゛1′1体観造−1程において製品のエツチ
ング処]:jliに用いる基液の供給方法に関するもの
である。
ング処]:jliに用いる基液の供給方法に関するもの
である。
従来のエラチン′り装置は第1図に示すように、エツチ
ング槽1を二重t1〜造にし、ぞの内側にエツチンク処
理用薬液2を貯■(11さ−14、その外側にポンプ6
て熱媒体4を熱交換器5を通過させで循還させることに
より、薬液2を熱媒体4て冷却又は加熱し−Cイの液)
晶を二Jントロールし薬液2の温度を均一に保っていた
。しかし、従来装置では、エンチング槽1から製品を引
き」けるときに薬液2が製品にfq着したまま持ち出さ
れたり又は薬液2が蒸発するためにエツチング槽1内の
液面が下った場合には、途中で薬液を補充しなければな
らないという欠点かあった。さらに、薬液2を間接的に
冷却又は加熱するため、薬液2を交換又は補充1./た
後からエラ千/グ処理を行なうUを61□1に達するま
でに長時間を要し、また液温のバラツキが大きいという
欠点があった。
ング槽1を二重t1〜造にし、ぞの内側にエツチンク処
理用薬液2を貯■(11さ−14、その外側にポンプ6
て熱媒体4を熱交換器5を通過させで循還させることに
より、薬液2を熱媒体4て冷却又は加熱し−Cイの液)
晶を二Jントロールし薬液2の温度を均一に保っていた
。しかし、従来装置では、エンチング槽1から製品を引
き」けるときに薬液2が製品にfq着したまま持ち出さ
れたり又は薬液2が蒸発するためにエツチング槽1内の
液面が下った場合には、途中で薬液を補充しなければな
らないという欠点かあった。さらに、薬液2を間接的に
冷却又は加熱するため、薬液2を交換又は補充1./た
後からエラ千/グ処理を行なうUを61□1に達するま
でに長時間を要し、また液温のバラツキが大きいという
欠点があった。
本発明は前記間顯点を解消するもので、バッファ一槽内
の薬液をポンプて汲み−[、げ、熱交換器、フィルター
を通過させエッチ/り槽内にその1・部より供給し、薬
液をエツチング槽−15部から3−バーフローさせてバ
ッファ一槽v(=帰還させることを特徴とするものであ
る。
の薬液をポンプて汲み−[、げ、熱交換器、フィルター
を通過させエッチ/り槽内にその1・部より供給し、薬
液をエツチング槽−15部から3−バーフローさせてバ
ッファ一槽v(=帰還させることを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の一実施例を図eこよって説明する。
第2図に示すように、エツチング槽1の(、土かにバッ
ファ一槽6を設置し、該]1ツファ一槽6(・(薬液圧
送用ポンプ7を備えイNJG′jる。また、ポンプ7ヲ
M’r 交換t’t 8及びフィルタ・−9を通してエ
ツチング槽1の下部に配管し、エツチング槽1とバッフ
ァ槽6との間を’、li[l遠用パイプ10て配管する
。
ファ一槽6を設置し、該]1ツファ一槽6(・(薬液圧
送用ポンプ7を備えイNJG′jる。また、ポンプ7ヲ
M’r 交換t’t 8及びフィルタ・−9を通してエ
ツチング槽1の下部に配管し、エツチング槽1とバッフ
ァ槽6との間を’、li[l遠用パイプ10て配管する
。
実施例において、薬液2はバッファ一槽6からポンプ7
て圧送し、熱交換器8で薬液2を直接に加熱又は冷却し
次にフィルター9を通過させて浄化し、その薬液2をエ
ツチング槽1のF部から供給してエツチング槽1の」二
部からオーバーフローさせる。エツチング槽1から副−
ハーフローした薬液2はバイブ10”Cバッファ一槽6
に帰還させ、再びポンプ7てエツチング槽1に向りで圧
送して循還させるのである。エツチング槽1ては通常の
如く半導体装置のエツチング処理を行なう。
て圧送し、熱交換器8で薬液2を直接に加熱又は冷却し
次にフィルター9を通過させて浄化し、その薬液2をエ
ツチング槽1のF部から供給してエツチング槽1の」二
部からオーバーフローさせる。エツチング槽1から副−
ハーフローした薬液2はバイブ10”Cバッファ一槽6
に帰還させ、再びポンプ7てエツチング槽1に向りで圧
送して循還させるのである。エツチング槽1ては通常の
如く半導体装置のエツチング処理を行なう。
以」−のように、本発明はバッファ一槽からポンプで薬
液を圧送してエツチング槽内にその下部から供給し、薬
液をエツチング槽上部からオーバーフローさせてバッフ
ァ一槽に1141 ’14させるため、バッファ一槽に
液の使用量及び蒸発mを見込んで十分な量の薬液を入れ
ておくことによる長時間薬液を補充する必要がなく、薬
液を交換又は補充したするため、薬液の温度を知11.
II間て[」ゎV’: l’+fA度に達成させること
ができ、液温のハラツギを小さく −cきる。また、薬
液をフィルターで浄化するため、エツチング槽内の薬液
の清ai度を白子できる効果を有するものである。
液を圧送してエツチング槽内にその下部から供給し、薬
液をエツチング槽上部からオーバーフローさせてバッフ
ァ一槽に1141 ’14させるため、バッファ一槽に
液の使用量及び蒸発mを見込んで十分な量の薬液を入れ
ておくことによる長時間薬液を補充する必要がなく、薬
液を交換又は補充したするため、薬液の温度を知11.
II間て[」ゎV’: l’+fA度に達成させること
ができ、液温のハラツギを小さく −cきる。また、薬
液をフィルターで浄化するため、エツチング槽内の薬液
の清ai度を白子できる効果を有するものである。
第1図は従来のエツチング処理の)【J−シート、第2
図は本発明のフロータ・−1・である。 1・・・エツチング槽 2・・・薬液6°′°バツフ
ア一槽 7・・・ボ/ブ8・・・熱交換器 9
・・・フィルター特許出願人 山形1ヨ本電気株式
会社・11 □゛・“− 代理人弁理L 菅 野 中:・ IF、。 ・、1−1・:
図は本発明のフロータ・−1・である。 1・・・エツチング槽 2・・・薬液6°′°バツフ
ア一槽 7・・・ボ/ブ8・・・熱交換器 9
・・・フィルター特許出願人 山形1ヨ本電気株式
会社・11 □゛・“− 代理人弁理L 菅 野 中:・ IF、。 ・、1−1・:
Claims (1)
- (1) バッファ一槽内の薬液をポツプて汲み上げ熱
交換器、フ・イルタ〜を通過さぜエツチング槽内にその
ト″部より供給し、薬液をコーラ千ング槽上部から珂・
−バー7「1さゼて前記バッファ一槽に帰j買さセるこ
とを特徴ど−する土導体エソ千ング処理における蓄液供
給Jj法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153706A JPS5943523A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体エツチング処理における薬液供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153706A JPS5943523A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体エツチング処理における薬液供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943523A true JPS5943523A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15568319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153706A Pending JPS5943523A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体エツチング処理における薬液供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943523A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122340U (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-08 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 半導体処理液の熱交換装置 |
| JPS6183033U (ja) * | 1984-11-06 | 1986-06-02 | ||
| CN111180364A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-19 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 湿法刻蚀装置及硅片生产系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721672B2 (ja) * | 1974-10-03 | 1982-05-08 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57153706A patent/JPS5943523A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721672B2 (ja) * | 1974-10-03 | 1982-05-08 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122340U (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-08 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 半導体処理液の熱交換装置 |
| JPS6183033U (ja) * | 1984-11-06 | 1986-06-02 | ||
| CN111180364A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-19 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 湿法刻蚀装置及硅片生产系统 |
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