JPH0442929A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH0442929A JPH0442929A JP14790390A JP14790390A JPH0442929A JP H0442929 A JPH0442929 A JP H0442929A JP 14790390 A JP14790390 A JP 14790390A JP 14790390 A JP14790390 A JP 14790390A JP H0442929 A JPH0442929 A JP H0442929A
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- Japan
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- chamber
- reaction
- film
- gas
- intensity
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＣＶＤ装置によ６ＢＰｓＧ膜若［７くはＢ２Ｏ３膜の製
造方法に関し、 ＣＶＤ装置のチャンバー内の反応ガス濃度を正確に把握
［７て安定した平坦化膜を形成することを目的と（７、 ＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳＧ膜若しくは
Ｂ２Ｏ３膜の製造方法であって、チャンバー内の反応ガ
ス圧を４００〜３０００Ｐａとし、該反応ガス中のＢ２
Ｈｅと０．の反応にょるケミカルルミネッセンスの強度
をモノクロメータで検出することによりＢ２Ｈ６と０．
の供給量を調節して構成する。
造方法に関し、 ＣＶＤ装置のチャンバー内の反応ガス濃度を正確に把握
［７て安定した平坦化膜を形成することを目的と（７、 ＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳＧ膜若しくは
Ｂ２Ｏ３膜の製造方法であって、チャンバー内の反応ガ
ス圧を４００〜３０００Ｐａとし、該反応ガス中のＢ２
Ｈｅと０．の反応にょるケミカルルミネッセンスの強度
をモノクロメータで検出することによりＢ２Ｈ６と０．
の供給量を調節して構成する。
この−発明はＣＶＤ装置によるＢＰＳＧ膜若しくはＢ、
０．膜の製造方法に関するものである。
０．膜の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造工程において基板表面を平坦化するた
めの平坦化膜として同基板上にＢＰＳＧ膜若しくはＢ２
Ｏ３膜が形成される。この平坦化膜の膜厚を安定化させ
るためには反応ガスの濃度を一定に保持する必要がある
。
めの平坦化膜として同基板上にＢＰＳＧ膜若しくはＢ２
Ｏ３膜が形成される。この平坦化膜の膜厚を安定化させ
るためには反応ガスの濃度を一定に保持する必要がある
。
従来、ＣＶＤ法によりＢＰＳＧ膜を形成する場合には反
応ガスとしてＳ Ｉ Ｈ４＋ Ｐ Ｈａ ＋ Ｂ
！ Ｈｓ ＋Ｏ１が使用され、ＢｚＯｓ膜を形成する場
合には反応ガスとしてＢｇＨｓと０２が使用される。こ
のとき、ＣＶＤ装置のチャンバー内での反応ガスの濃度
を一定に保持するために各反応ガスの流量を流量計で監
視するようにしている。
応ガスとしてＳ Ｉ Ｈ４＋ Ｐ Ｈａ ＋ Ｂ
！ Ｈｓ ＋Ｏ１が使用され、ＢｚＯｓ膜を形成する場
合には反応ガスとしてＢｇＨｓと０２が使用される。こ
のとき、ＣＶＤ装置のチャンバー内での反応ガスの濃度
を一定に保持するために各反応ガスの流量を流量計で監
視するようにしている。
ところが、上記のような方法では流量計を通過した反応
ガスの総量を監視することによりＣＶＤ装置のチャンバ
ー内でのガス濃度を間接的に監視する方法であるので、
チャンバー内で時々刻々変化するガス濃度を正確に監視
することはできない。
ガスの総量を監視することによりＣＶＤ装置のチャンバ
ー内でのガス濃度を間接的に監視する方法であるので、
チャンバー内で時々刻々変化するガス濃度を正確に監視
することはできない。
従って、平坦化膜の膜厚が不安定となる場合があるとい
う問題点があった。
う問題点があった。
この発明の目的は、ＣＶＤ装置のチャンバー内の反応ガ
ス濃度を正確に把握して安定した平坦化用薄膜を形成可
能とする製造方法及びその製造装置を提供するにある。
ス濃度を正確に把握して安定した平坦化用薄膜を形成可
能とする製造方法及びその製造装置を提供するにある。
上記目的は、ＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳ
Ｇ膜若しくはＢ２Ｏ３膜の製造方法で、チャンバー内の
反応ガス圧を４００〜３０００Ｐａとし、該反応ガス中
のＢｚＨｓと０．の反応によるケミカルルミネッセンス
の強度をモノクロメータで検出することによりＢｘＨｅ
と０２の供給量を調節する製造方法により達成され、上
記製造方法はＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳ
Ｇ膜若しくはＢ、０３膜を製造するＣＶＤ装置のチャン
バー１に該チャンバーｌ内の反応ガス中のＢｚＨｓと０
２の反応によるケミカルルミネッセンスの強度を検出す
るモノクロメータ１０を設けることにより実施される。
Ｇ膜若しくはＢ２Ｏ３膜の製造方法で、チャンバー内の
反応ガス圧を４００〜３０００Ｐａとし、該反応ガス中
のＢｚＨｓと０．の反応によるケミカルルミネッセンス
の強度をモノクロメータで検出することによりＢｘＨｅ
と０２の供給量を調節する製造方法により達成され、上
記製造方法はＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳ
Ｇ膜若しくはＢ、０３膜を製造するＣＶＤ装置のチャン
バー１に該チャンバーｌ内の反応ガス中のＢｚＨｓと０
２の反応によるケミカルルミネッセンスの強度を検出す
るモノクロメータ１０を設けることにより実施される。
チャンバー内の反応ガス圧を４００〜３０００Ｐａとす
ると、Ｂ２Ｈ６と０２の反応によりそのＢｚＨｓと０２
の濃度に応じたケミカルルミネッセンスが発生するので
、そのケミカルルミネッセンスの強度が一定となるよう
にＢ２Ｈ６と０２の供給量を監視するとＢｚＨｓと０２
の濃度が一定に保持される。
ると、Ｂ２Ｈ６と０２の反応によりそのＢｚＨｓと０２
の濃度に応じたケミカルルミネッセンスが発生するので
、そのケミカルルミネッセンスの強度が一定となるよう
にＢ２Ｈ６と０２の供給量を監視するとＢｚＨｓと０２
の濃度が一定に保持される。
また、ＢｚＨｓと０２の反応によるケミカルルミネッセ
ンスはチャンバー１に設けられたモノクロメータ１０で
監視可能となる。
ンスはチャンバー１に設けられたモノクロメータ１０で
監視可能となる。
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明する。
明する。
第１図はＣＶＤ装置を示し、チャンバー１内にはヒータ
２及びガス噴出部３が配設され、そのガス噴出部３には
それぞれ流量調節装置４が介在されたガス供給管５ａ〜
５ｅが接続されている。そして、チャンバー１外から各
ガス供給管５ａ〜５ｅを介してそれぞれ０２ 、ＳｉＨ
４、Ｂ！ Ｈｅ 。
２及びガス噴出部３が配設され、そのガス噴出部３には
それぞれ流量調節装置４が介在されたガス供給管５ａ〜
５ｅが接続されている。そして、チャンバー１外から各
ガス供給管５ａ〜５ｅを介してそれぞれ０２ 、ＳｉＨ
４、Ｂ！ Ｈｅ 。
ＰＨ３，Ｎ２が供給されるようになっている。なお、Ｎ
２はチャンバー１内のガス圧を調整するために供給され
るものであって、反応には寄与しない。
２はチャンバー１内のガス圧を調整するために供給され
るものであって、反応には寄与しない。
チャンバー１には排気管６が接続され、ブースターポン
プ７を介して吸入ポンプ８によりチャンバー１内の廃ガ
スが排気されるようになっている。
プ７を介して吸入ポンプ８によりチャンバー１内の廃ガ
スが排気されるようになっている。
また、排気管６には前記ガス供給管５ｅからＮ２が供給
されるとともに、ガス圧調節装置９を介してＮ２が供給
され、吸入ポンプ８の吸入量に対してＮ２の供給量を調
節することによりチャンバー１内のガス圧を調節するよ
うになっている。
されるとともに、ガス圧調節装置９を介してＮ２が供給
され、吸入ポンプ８の吸入量に対してＮ２の供給量を調
節することによりチャンバー１内のガス圧を調節するよ
うになっている。
チャンバー１にはモノクロメータＩＯが設けられ、Ｂｔ
Ｈｓと０□との反応により生ずるケミカルルミネッセン
スの強度を検出可能となっている。
Ｈｓと０□との反応により生ずるケミカルルミネッセン
スの強度を検出可能となっている。
さて、上記のように構成されたＣＶＤ装置により例えば
ＢＰＳＧ膜を形成する場合にはチャンバー内にウェハを
設置した状態で前記ガス供給管５ａ〜５ｅからそれぞれ
０２ 、Ｓｉ Ｈ４，Ｂ２ Ｈａ 。
ＢＰＳＧ膜を形成する場合にはチャンバー内にウェハを
設置した状態で前記ガス供給管５ａ〜５ｅからそれぞれ
０２ 、Ｓｉ Ｈ４，Ｂ２ Ｈａ 。
ＰＨ３、Ｎ２を供給し、前記ガス圧調節装置９によりチ
ャンバー１内のガス圧を４００〜３０００Ｐａ、望まし
くは４００−２６７０Ｐａに保持し、チャンバー内の温
度を約４００°Ｃとする。すると、ウェハにはＢＰＳＧ
膜が形成されるとともに、Ｂ２Ｈ８と０２との反応によ
って約５０００オングストロームのケミカルルミネッセ
ンスが発生する。このケミカルルミネッセンスはＢｔＨ
ｓと０２との濃度によってその強度が異なるため、その
強度をモノクロメータ１０で監視するとＢ２Ｈ，ｌと０
２との濃度を常時監視することができる。そして、濃度
の変化を検知したときには各流量調節装置４を調節して
ＢｚＨｓと０２との濃度を一定に維持することができる
ので、安定した膜厚のＢＰＳＧ膜を形成することができ
る。
ャンバー１内のガス圧を４００〜３０００Ｐａ、望まし
くは４００−２６７０Ｐａに保持し、チャンバー内の温
度を約４００°Ｃとする。すると、ウェハにはＢＰＳＧ
膜が形成されるとともに、Ｂ２Ｈ８と０２との反応によ
って約５０００オングストロームのケミカルルミネッセ
ンスが発生する。このケミカルルミネッセンスはＢｔＨ
ｓと０２との濃度によってその強度が異なるため、その
強度をモノクロメータ１０で監視するとＢ２Ｈ，ｌと０
２との濃度を常時監視することができる。そして、濃度
の変化を検知したときには各流量調節装置４を調節して
ＢｚＨｓと０２との濃度を一定に維持することができる
ので、安定した膜厚のＢＰＳＧ膜を形成することができ
る。
また、Ｂ、０３膜を形成する場合にはガス供給管５ａ、
５ｅ、５ｅからＯＴ、Ｂ！ Ｈｓ 、Ｎ２を供給し、チ
ャンバー１内のガス圧及び温度を前記ＢＰＳＧ膜の場合
と同様にしてケミカルルミネッセンスを監視することに
より安定した膜厚のＢ。
５ｅ、５ｅからＯＴ、Ｂ！ Ｈｓ 、Ｎ２を供給し、チ
ャンバー１内のガス圧及び温度を前記ＢＰＳＧ膜の場合
と同様にしてケミカルルミネッセンスを監視することに
より安定した膜厚のＢ。
０３膜を形成することができる。
以上詳述（７たように、この発明はチャンバー内の反応
ガス濃度を正確に把握して安定した平坦化用薄膜を形成
することができる優れた効果を発揮する。
ガス濃度を正確に把握して安定した平坦化用薄膜を形成
することができる優れた効果を発揮する。
第１図は本発明を実施するためのＣＶＤ装置を示す概略
図である。 図中、 １はチャンバー １０はモノクロメータである。
図である。 図中、 １はチャンバー １０はモノクロメータである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳＧ膜若し
くはＢ＿２Ｏ＿３膜の製造方法であって、チャンバー内
の反応ガス圧を４００〜３０００Ｐａとし、該反応ガス
中のＢ＿２Ｈ＿６とＯ＿２の反応によるケミカルルミネ
ッセンスの強度をモノクロメータで検出することにより
Ｂ＿２Ｈ＿６とＯ＿２の供給量を調節することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 ２、ＣＶＤ法により基板上に形成されるＢＰＳＧ膜若し
くはＢ＿２Ｏ＿３膜を製造するＣＶＤ装置であって、 チャンバー（１）には該チャンバー（１）内の反応ガス
中のＢ＿２Ｈ＿６とＯ＿２の反応によりケミカルルミネ
ッセンスの強度を検出するモノクロメータ（１０）を設
けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14790390A JPH0442929A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14790390A JPH0442929A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442929A true JPH0442929A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15440742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14790390A Pending JPH0442929A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442929A (ja) |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14790390A patent/JPH0442929A/ja active Pending
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