JPH0442933Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0442933Y2 JPH0442933Y2 JP1986066635U JP6663586U JPH0442933Y2 JP H0442933 Y2 JPH0442933 Y2 JP H0442933Y2 JP 1986066635 U JP1986066635 U JP 1986066635U JP 6663586 U JP6663586 U JP 6663586U JP H0442933 Y2 JPH0442933 Y2 JP H0442933Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass sleeve
- electrode
- end surface
- glass
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案はリードレス型のダイオードに関す
る。
る。
従来の技術
最近の、プリント基板での電子部品の高密度実
装化の要求に従い、電子部品は部品本体からリー
ド線を省略したリードレス型のものが多用される
傾向にある。リードレス型のダイオードとして
は、ガラススリーブでダイオードの半導体ペレツ
トを挾んだ一対の電極を封着したものが一般的で
あり、その具体的一例を第７図を参照して次に説
明する。
装化の要求に従い、電子部品は部品本体からリー
ド線を省略したリードレス型のものが多用される
傾向にある。リードレス型のダイオードとして
は、ガラススリーブでダイオードの半導体ペレツ
トを挾んだ一対の電極を封着したものが一般的で
あり、その具体的一例を第７図を参照して次に説
明する。
第７図のダイオード１において、２は半導体ペ
レツト、３，４は半導体ペレツト２を挾持する一
対の電極、５は電極３，４の外周に溶着されて半
導体ペレツト２を気密封止するガラススリーブで
ある。一対の電極３，４は、鉄ニツケル線を被覆
した鋼層にボレーシヨン層を形成したジユメツト
線を所定の長さに切断したもので、各々は円柱部
３ａ，４ａと、その一端部を圧潰により大径に形
成した頭部３ｂ，４ｂより成り、円柱部３ａ，４
ａの端面で半導体ペレツト２を挾持して、円柱部
３ａ，４ａの外周にガラススリーブ５が溶着され
る。
レツト、３，４は半導体ペレツト２を挾持する一
対の電極、５は電極３，４の外周に溶着されて半
導体ペレツト２を気密封止するガラススリーブで
ある。一対の電極３，４は、鉄ニツケル線を被覆
した鋼層にボレーシヨン層を形成したジユメツト
線を所定の長さに切断したもので、各々は円柱部
３ａ，４ａと、その一端部を圧潰により大径に形
成した頭部３ｂ，４ｂより成り、円柱部３ａ，４
ａの端面で半導体ペレツト２を挾持して、円柱部
３ａ，４ａの外周にガラススリーブ５が溶着され
る。
このようなダイオード１は、例えば第８図に示
すような治具６〜８を使つて、次のように製造さ
れる。治具６〜８は例えばステンレス製で、下治
具６、中間治具７、上治具８で構成され、下治具
６は上面にダイオード１の一方の電極４をその頭
部４ｂを下にして収納保持する凹部９を有し、中
間治具７は前記凹部９と対向する部分にガラスス
リーブ５を収納保持する穴１０を有し、凹部９に
電極４を供給してから、穴１０より電極４の頭部
４ｂ上にガラススリーブ５が供給され、ガラスス
リーブ５内に半導体ペレツト２と他方の電極３の
円柱部３ａが挿入される。上治具８は下面にガラ
ススリーブ５から突出する電極３の頭部３ｂを収
納保持する凹部１１と、この凹部１１の天面を貫
通するガイド穴１２を有し、ガイド穴１２に挿入
された重り１３が電極３上に載置され、電極３を
半導体ペレツト２に所定の荷重で押し付ける。こ
の第８図の状態で全体を加熱し、ガラススリーブ
５を上下の電極３，４の円柱部３ａ，４ａの外周
面に溶着して、第７図のダイオード１が製造され
る。
すような治具６〜８を使つて、次のように製造さ
れる。治具６〜８は例えばステンレス製で、下治
具６、中間治具７、上治具８で構成され、下治具
６は上面にダイオード１の一方の電極４をその頭
部４ｂを下にして収納保持する凹部９を有し、中
間治具７は前記凹部９と対向する部分にガラスス
リーブ５を収納保持する穴１０を有し、凹部９に
電極４を供給してから、穴１０より電極４の頭部
４ｂ上にガラススリーブ５が供給され、ガラスス
リーブ５内に半導体ペレツト２と他方の電極３の
円柱部３ａが挿入される。上治具８は下面にガラ
ススリーブ５から突出する電極３の頭部３ｂを収
納保持する凹部１１と、この凹部１１の天面を貫
通するガイド穴１２を有し、ガイド穴１２に挿入
された重り１３が電極３上に載置され、電極３を
半導体ペレツト２に所定の荷重で押し付ける。こ
の第８図の状態で全体を加熱し、ガラススリーブ
５を上下の電極３，４の円柱部３ａ，４ａの外周
面に溶着して、第７図のダイオード１が製造され
る。
考案が解決しようとする問題点
上記ダイオード１はガラススリーブ５が電極
３，４の円柱部３ａ，４ａの外周面に溶着する時
に、ガラススリーブ５の端面が電極３，４の頭部
３ｂ，４ｂに接触して固着することがある。この
ように、ガラススリーブ５端面と電極頭部３ｂ，
４ｂの端面とが固着した場合、ガラススリーブ５
と電極３，４の熱膨張係数の差でもつて、封着後
の冷却時にガラススリーブ５の端面部で直径方向
に応力が発生し、この応力でガラススリーブ５の
端面部分にクラツクが入り、気密が損なわれるこ
とがあつた。
３，４の円柱部３ａ，４ａの外周面に溶着する時
に、ガラススリーブ５の端面が電極３，４の頭部
３ｂ，４ｂに接触して固着することがある。この
ように、ガラススリーブ５端面と電極頭部３ｂ，
４ｂの端面とが固着した場合、ガラススリーブ５
と電極３，４の熱膨張係数の差でもつて、封着後
の冷却時にガラススリーブ５の端面部で直径方向
に応力が発生し、この応力でガラススリーブ５の
端面部分にクラツクが入り、気密が損なわれるこ
とがあつた。
そこで、ガラススリーブ５の封着時に、ガラス
スリーブ５の端面と電極３，４の頭部３ｂ，４ｂ
との間に隙間を設けて、ガラススリーブ５が電極
頭部３ｂ，４ｂに直接的に接触しないようにして
いるが、これは実際問題として実行が難しく、特
に封着時における下部の電極４上にガラススリー
ブ５が載置される関係から、下部の電極４の頭部
４ｂにガラススリーブ５が強固に接着して、ガラ
ススリーブ５の下部端面部分でのクラツク発生率
が高く、これがダイオードの製造歩留り、信頼性
の改善を難しくしている。
スリーブ５の端面と電極３，４の頭部３ｂ，４ｂ
との間に隙間を設けて、ガラススリーブ５が電極
頭部３ｂ，４ｂに直接的に接触しないようにして
いるが、これは実際問題として実行が難しく、特
に封着時における下部の電極４上にガラススリー
ブ５が載置される関係から、下部の電極４の頭部
４ｂにガラススリーブ５が強固に接着して、ガラ
ススリーブ５の下部端面部分でのクラツク発生率
が高く、これがダイオードの製造歩留り、信頼性
の改善を難しくしている。
また、頭部を有さない柱状電極であつても、電
極端面には半田層による外部電極を形成するた
め、外部電極形成後、熱が加わつた場合、半田層
とガラススリーブの熱膨脹係数の差でもつて冷却
時にガラススリーブの端面部で直径方向に応力が
発生し、この応力でガラススリーブの端面部分に
クラツクが入り気密性が損なわれることがある。
極端面には半田層による外部電極を形成するた
め、外部電極形成後、熱が加わつた場合、半田層
とガラススリーブの熱膨脹係数の差でもつて冷却
時にガラススリーブの端面部で直径方向に応力が
発生し、この応力でガラススリーブの端面部分に
クラツクが入り気密性が損なわれることがある。
それ故に、本考案の目的は、ガラススリーブ端
面部分でのクラツク発生を少なくした歩留り、信
頼性の良いリードレス型ダイオードを提供するに
ある。
面部分でのクラツク発生を少なくした歩留り、信
頼性の良いリードレス型ダイオードを提供するに
ある。
問題点を解決するための手段
本考案は、ガラススリーブ内に半導体ペレツト
を挾んで収納された一対の柱状電極の外周に前記
ガラススリーブを固着すると共に、前記ガラスス
リーブの端面に樹脂からなるガラスとの濡れ性に
劣る中間層を形成し、この中間層上と前記電極の
ガラススリーブより露呈する端面上に導電層を被
着形成したことを特徴とするダイオードにて、上
記目的を達成するようにしたものである。
を挾んで収納された一対の柱状電極の外周に前記
ガラススリーブを固着すると共に、前記ガラスス
リーブの端面に樹脂からなるガラスとの濡れ性に
劣る中間層を形成し、この中間層上と前記電極の
ガラススリーブより露呈する端面上に導電層を被
着形成したことを特徴とするダイオードにて、上
記目的を達成するようにしたものである。
作 用
一対の電極の外周に封着されたガラススリーブ
の端面にガラスとの濡れ性に劣る中間層を形成し
て、その上に外部引出し電極としての導電層を形
成した構造は、導電層を銅や半田などで多層に形
成しても、中間層が導電層とガラススリーブ端面
との固着を防げて、ガラススリーブ端面部分のク
ラツク発生を防止する。
の端面にガラスとの濡れ性に劣る中間層を形成し
て、その上に外部引出し電極としての導電層を形
成した構造は、導電層を銅や半田などで多層に形
成しても、中間層が導電層とガラススリーブ端面
との固着を防げて、ガラススリーブ端面部分のク
ラツク発生を防止する。
実施例
以下、本考案の一実施例を第１図乃至第６図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は本考案実施例のダイオード１４の断面
図、第２図はその側面図で、同図において、１５
はダイオードの半導体ペレツト、１６，１７は半
導体ペレツト１５を挾持する円柱状の一対の電
極、１８は電極１６，１７の外周面に溶着された
ガラススリーブである。１９，１９はガラススリ
ーブ１８の両端面に被着形成された樹脂からなる
ガラスとの濡れ性に劣る中間層、２０，２０はガ
ラススリーブ１８両端の中間層１９，１９上と、
ガラススリーブ１８より露呈する電極１６，１７
の端面とに被着形成された銅などの導電層であ
る。２１，２１は導電層２０，２０上にメツキ法
や蒸着法等で被着形成された半田層で、外部電極
として使用される。
図、第２図はその側面図で、同図において、１５
はダイオードの半導体ペレツト、１６，１７は半
導体ペレツト１５を挾持する円柱状の一対の電
極、１８は電極１６，１７の外周面に溶着された
ガラススリーブである。１９，１９はガラススリ
ーブ１８の両端面に被着形成された樹脂からなる
ガラスとの濡れ性に劣る中間層、２０，２０はガ
ラススリーブ１８両端の中間層１９，１９上と、
ガラススリーブ１８より露呈する電極１６，１７
の端面とに被着形成された銅などの導電層であ
る。２１，２１は導電層２０，２０上にメツキ法
や蒸着法等で被着形成された半田層で、外部電極
として使用される。
一対の電極１６，１７は同一長さのジユメツト
線で、この両者はガラススリーブ１８の両端より
少し内側に入つた位置でガラススリーブ１８に固
着される。ガラススリーブ１８による封着は、例
えば第６図に示すようなステンレス製の下治具２
２，中間治具２３、上治具２４、及び重り２５を
使つて次のように行われる。下治具２２はフラツ
トな上面に電極１６，１７より小径の凸部２６を
有し、中間治具２３は凸部２６と対向する部分に
ガラススリーブ１８が挿通される穴２７を有し、
この穴２７から下治具２２の凸部２６の周辺部上
にガラススリーブ１８が供給され、次にガラスス
リーブ１８内に一方の電極１６と半導体ペレツト
１５と他方の電極１７が順次に供給される。先に
供給された電極１６は凸部２６上に載置されて、
ガラススリーブ１８の下端面から一定の距離だけ
浮き上がり、この電極１６上に半導体ペレツト１
５を押圧する他の電極１７の上端面は、ガラスス
リーブ１８の上端より所定の距離だけ低い位置い
在る。中間治具２３上に在る上治具２４に電極１
７と対向する部分にガイド穴２８を有し、このガ
イド穴２８に挿入された重り２５が電極１７上に
載置される。この第６図の状態を保持して、全体
を加熱すると、ガラススリーブ１８が上下の電極
１６，１７の外周面に溶着されて、第３図に示す
ようなダイオードのサブアツセンブル体２９が得
られる。
線で、この両者はガラススリーブ１８の両端より
少し内側に入つた位置でガラススリーブ１８に固
着される。ガラススリーブ１８による封着は、例
えば第６図に示すようなステンレス製の下治具２
２，中間治具２３、上治具２４、及び重り２５を
使つて次のように行われる。下治具２２はフラツ
トな上面に電極１６，１７より小径の凸部２６を
有し、中間治具２３は凸部２６と対向する部分に
ガラススリーブ１８が挿通される穴２７を有し、
この穴２７から下治具２２の凸部２６の周辺部上
にガラススリーブ１８が供給され、次にガラスス
リーブ１８内に一方の電極１６と半導体ペレツト
１５と他方の電極１７が順次に供給される。先に
供給された電極１６は凸部２６上に載置されて、
ガラススリーブ１８の下端面から一定の距離だけ
浮き上がり、この電極１６上に半導体ペレツト１
５を押圧する他の電極１７の上端面は、ガラスス
リーブ１８の上端より所定の距離だけ低い位置い
在る。中間治具２３上に在る上治具２４に電極１
７と対向する部分にガイド穴２８を有し、このガ
イド穴２８に挿入された重り２５が電極１７上に
載置される。この第６図の状態を保持して、全体
を加熱すると、ガラススリーブ１８が上下の電極
１６，１７の外周面に溶着されて、第３図に示す
ようなダイオードのサブアツセンブル体２９が得
られる。
このようなサブアツセンブル体２９に対し、本
考案は、先ず、第４図に示すようにガラススリー
ブ１８の両端面に、ガラスとの濡れ性の悪い樹脂
を塗布して中間層１９，１９を形成する。この中
間層１９，１９の形成はガラススリーブ１８の端
面が電極１６，１７の端面より突出しているの
で、スタンプ式塗布法などでもつて簡単に行え
る。次に、第５図に示すように、中間層１９，１
９上と電極１６，１７の露出端面上とに銅などを
メツキ等して導電層２０，２０を形成する。この
導電層２０，２０は銀や金などの金属を多層に積
層して形成してもよい。その後、導電層２０，２
０上に半田層２１，２１を形成する。
考案は、先ず、第４図に示すようにガラススリー
ブ１８の両端面に、ガラスとの濡れ性の悪い樹脂
を塗布して中間層１９，１９を形成する。この中
間層１９，１９の形成はガラススリーブ１８の端
面が電極１６，１７の端面より突出しているの
で、スタンプ式塗布法などでもつて簡単に行え
る。次に、第５図に示すように、中間層１９，１
９上と電極１６，１７の露出端面上とに銅などを
メツキ等して導電層２０，２０を形成する。この
導電層２０，２０は銀や金などの金属を多層に積
層して形成してもよい。その後、導電層２０，２
０上に半田層２１，２１を形成する。
このような導電層２０，２０や半田層２１，２
１の形成時において、ガラススリーブ１８の端面
と半田層２１，２１の間に熱による応力が生じて
も、ガラススリーブ１８の端面にガラスとの濡れ
性に劣る中間層１９，１９が介在していて、これ
が上記応力を吸収し、ガラススリーブ１８にクラ
ツクが入るのを防止する。
１の形成時において、ガラススリーブ１８の端面
と半田層２１，２１の間に熱による応力が生じて
も、ガラススリーブ１８の端面にガラスとの濡れ
性に劣る中間層１９，１９が介在していて、これ
が上記応力を吸収し、ガラススリーブ１８にクラ
ツクが入るのを防止する。
尚、ガラススリーブ１８の端面と電極１６，１
７への端面の位置関係は上記実施例に限らず、ガ
ラススリーブ１８の端面から電極１６，１７の端
面が少し突出したものであつても、本考案は同様
に適用できる。
７への端面の位置関係は上記実施例に限らず、ガ
ラススリーブ１８の端面から電極１６，１７の端
面が少し突出したものであつても、本考案は同様
に適用できる。
考案の効果
本考案によれば、ガラススリーブ端面に形成し
た中間層により、ガラススリーブのクラツク発生
が大幅に抑制されて、ガラススリーブの気密性が
一段と向上し、歩留りの良い、信頼性の高いダイ
オードが提供できる。
た中間層により、ガラススリーブのクラツク発生
が大幅に抑制されて、ガラススリーブの気密性が
一段と向上し、歩留りの良い、信頼性の高いダイ
オードが提供できる。
また、中間層がガラススリーブの端面のみに形
成されるので、導電性部材である必要はなく樹脂
材で良く、安価であり、かつスタンプ式塗布法な
どで簡単に行える。さらに電極の引き出しは中間
層上と柱状電極の端面上に形成される導電層によ
つて、容易に半田付け可能に構成することができ
る。
成されるので、導電性部材である必要はなく樹脂
材で良く、安価であり、かつスタンプ式塗布法な
どで簡単に行える。さらに電極の引き出しは中間
層上と柱状電極の端面上に形成される導電層によ
つて、容易に半田付け可能に構成することができ
る。
第１図及び第２図は本考案に係るダイオードの
一実施例を示す断面図及び側面図、第３図乃至第
５図は第１図のダイオードの各製造工程での断面
図、第６図は第１図のダイオードを製造する封着
治具における部分断面図である。第７図は従来の
リードレス型ダイオードの断面図、第８図は第７
図のダイオードを製造する封着治具における部分
断面図である。 １５……半導体ペレツト、１６，１７……電
極、１８……ガラススリーブ、１９……中間層、
２０……導電層。
一実施例を示す断面図及び側面図、第３図乃至第
５図は第１図のダイオードの各製造工程での断面
図、第６図は第１図のダイオードを製造する封着
治具における部分断面図である。第７図は従来の
リードレス型ダイオードの断面図、第８図は第７
図のダイオードを製造する封着治具における部分
断面図である。 １５……半導体ペレツト、１６，１７……電
極、１８……ガラススリーブ、１９……中間層、
２０……導電層。
Claims (1)
- ガラススリーブ内に半導体ペレツトを挾んで収
納された一対の柱状電極の外周に前記ガラススリ
ーブを固着すると共に、前記ガラススリーブの端
面に樹脂からなるガラスとの濡れ性に劣る中間層
を形成し、この中間層上と前記電極のガラススリ
ーブより露呈する端面上に導電層を被着形成した
ことを特徴とするダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U JPH0442933Y2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U JPH0442933Y2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62178541U JPS62178541U (ja) | 1987-11-12 |
| JPH0442933Y2 true JPH0442933Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30904824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986066635U Expired JPH0442933Y2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442933Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828859A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP1986066635U patent/JPH0442933Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62178541U (ja) | 1987-11-12 |
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