JPH0442981A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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- JPH0442981A JPH0442981A JP2146300A JP14630090A JPH0442981A JP H0442981 A JPH0442981 A JP H0442981A JP 2146300 A JP2146300 A JP 2146300A JP 14630090 A JP14630090 A JP 14630090A JP H0442981 A JPH0442981 A JP H0442981A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
半導体発光装置、特に、０． ６μｍ帯可視光半導体レ
ーザ装置およびその製造方法に関し、活性層の形状を再
現性よく形成して、低消費電力、低しきい値、高効率、
低非点収差の半導体発光装置を得ることを目的とし、 第１導電型の第１種半導体基板上に、逆導電型の第１種
半導体層が形成され、該逆導電型の第１種半導体層が、
核層を貫通して第１導電型の第１種半導体基板に達する
深さのストライプ状領域で第１導電型に反転され、かつ
、該ストライプ状領域を突条とするメサストライプ構造
に形成されており、該形状の構造体の上に、少なくとも
第１導電型の第２種半導体層、第２種半導体層よりも禁
止帯幅が小さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも
禁止帯幅が大きい逆導電型の第４種半導体層が積層され
るように構成する。
ーザ装置およびその製造方法に関し、活性層の形状を再
現性よく形成して、低消費電力、低しきい値、高効率、
低非点収差の半導体発光装置を得ることを目的とし、 第１導電型の第１種半導体基板上に、逆導電型の第１種
半導体層が形成され、該逆導電型の第１種半導体層が、
核層を貫通して第１導電型の第１種半導体基板に達する
深さのストライプ状領域で第１導電型に反転され、かつ
、該ストライプ状領域を突条とするメサストライプ構造
に形成されており、該形状の構造体の上に、少なくとも
第１導電型の第２種半導体層、第２種半導体層よりも禁
止帯幅が小さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも
禁止帯幅が大きい逆導電型の第４種半導体層が積層され
るように構成する。
また、その製造方法として、第１導電型の第１種半導体
基板上に逆導電型の第１種半導体層を成長し、この逆導
電型の第１種半導体層の核層を貫通して第１導電型の第
１種半導体基板に達する深さのストライプ状領域を第１
導電型に反転し、このストライプ状領域を突条とするメ
サストライプ構造に形成し、その上に、少なくとも、第
１導電型の第２種半導体層、第２種半導体よりも禁止帯
幅が小さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも禁止
帯幅が大きい逆導電型の第４種半導体層を順次成長して
積層する工程をもって構成する。
基板上に逆導電型の第１種半導体層を成長し、この逆導
電型の第１種半導体層の核層を貫通して第１導電型の第
１種半導体基板に達する深さのストライプ状領域を第１
導電型に反転し、このストライプ状領域を突条とするメ
サストライプ構造に形成し、その上に、少なくとも、第
１導電型の第２種半導体層、第２種半導体よりも禁止帯
幅が小さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも禁止
帯幅が大きい逆導電型の第４種半導体層を順次成長して
積層する工程をもって構成する。
本発明は、半導体発光装置、特に、０．６μｍ帯可視光
半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
半導体発光装置、特に、０．６μｍ帯の短波長可視光半
導体レーザ装置は、書込み密度が波長の二乗の逆数に比
例するため、光デイスク装置やレーザプリンタなどの光
情報処理装置の高性能化を実現するデバイスとして期待
されている。
導体レーザ装置は、書込み密度が波長の二乗の逆数に比
例するため、光デイスク装置やレーザプリンタなどの光
情報処理装置の高性能化を実現するデバイスとして期待
されている。
これらの用途における半導体レーザ装置は、消費電力を
低減するために低しきい値電流、高効率であることが必
要であり、書込み、読み取りの特性を良好にするために
低非点収差特性を有することが必要である。
低減するために低しきい値電流、高効率であることが必
要であり、書込み、読み取りの特性を良好にするために
低非点収差特性を有することが必要である。
その要求に応えるため、従来、種々の可視光半導体レー
ザ装置が提案されている。
ザ装置が提案されている。
第３図は従来の可視光半導体レーザ装置の断面図である
。
。
この可視光半導体レーザ装置においては、ｎ−ＧａＡｓ
基板３１上に、ｎ−Ａ／！Ｇａ Ｉ ｎＰ層３２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３３、ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰ層３４を形
成し、このｐ−ＡｆＧａＩｎＰ層３４をリッジ部を残し
てエツチングし、その上に、リッジ部の頂面をマスクで
覆った状態でｎ−ＧａＡｓ層３５を成長し、上記マスク
を除去した後に、さらにその上にｐ−ＧａＡｓ層３６を
成長した構造を有している。
基板３１上に、ｎ−Ａ／！Ｇａ Ｉ ｎＰ層３２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層３３、ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰ層３４を形
成し、このｐ−ＡｆＧａＩｎＰ層３４をリッジ部を残し
てエツチングし、その上に、リッジ部の頂面をマスクで
覆った状態でｎ−ＧａＡｓ層３５を成長し、上記マスク
を除去した後に、さらにその上にｐ−ＧａＡｓ層３６を
成長した構造を有している。
この構造によると、リッジ部分の外側では、Ｇａ Ｉｎ
Ｐ活性層３３に近接してＧａＡｓ吸収層３５があるため
、リッジ部分と外側では屈折率差が生じ、これによって
横方向の光を閉じ込めることができる。
Ｐ活性層３３に近接してＧａＡｓ吸収層３５があるため
、リッジ部分と外側では屈折率差が生じ、これによって
横方向の光を閉じ込めることができる。
しかし、この屈折率差が〜１０−３と小さいために、し
きい値電流が高（、非点収差も大きいなどの問題があっ
た。
きい値電流が高（、非点収差も大きいなどの問題があっ
た。
また、この装置を製造する工程において、３回の結晶成
長が必要であることも歩留りの点で問題があった。
長が必要であることも歩留りの点で問題があった。
そこで、横方向の屈折率差を大きくする構造として、基
板の形状を受は継いで結晶成長するＭＯＶＰＥ成長法（
有機金属気相成長法）の特徴を生かして活性層に段差を
設けて、発光領域を段差の先端部分に極限する構造が提
案されている。
板の形状を受は継いで結晶成長するＭＯＶＰＥ成長法（
有機金属気相成長法）の特徴を生かして活性層に段差を
設けて、発光領域を段差の先端部分に極限する構造が提
案されている。
第４図は、ＭＯＶ Ｐ Ｅ成長法によって製造した活性
層に段差を設けた従来の半導体レーザ装置の断面図であ
る。
層に段差を設けた従来の半導体レーザ装置の断面図であ
る。
第４図に示された装置においては、ｐ−ＧａＡｓ基板４
１上に、電流阻止層であるｎ−ＧａＡｓ層４２を成長し
、このｎ−ＧａＡｓ層４２の発光領域に相当する領域を
溝状にエツチングし、その上にｐ−ＡｆｆｉＧａ Ｉｎ
Ｐ層４３、ＧａＩｎＰ活性層４４、ｎ−Ａｌ！Ｇａ Ｉ
ｎＰ層４５、ｎ−ＧａＡｓ層４６を成長した構造を有
している。
１上に、電流阻止層であるｎ−ＧａＡｓ層４２を成長し
、このｎ−ＧａＡｓ層４２の発光領域に相当する領域を
溝状にエツチングし、その上にｐ−ＡｆｆｉＧａ Ｉｎ
Ｐ層４３、ＧａＩｎＰ活性層４４、ｎ−Ａｌ！Ｇａ Ｉ
ｎＰ層４５、ｎ−ＧａＡｓ層４６を成長した構造を有
している。
この装置は、活性層に逆台形の段差を設け、発光領域を
段差の突出部分ａに極限ｊ−で横方向の屈折率差を大き
くすることを目的としている。
段差の突出部分ａに極限ｊ−で横方向の屈折率差を大き
くすることを目的としている。
この装置においては、ｎ−ＧａＡｓ層４２をエツチング
する際に、溝の斜面の形状は、ファセット面をだしてエ
ツチング加工することができるため再現性は良好である
が、溝の底部すについては、特定のファセットがでない
ため、化学エツチングで平坦な面にすることができず、
そのため、その上に、Ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰ層４３を介
して成長する活性層４４の発光領域ａを平ｊｕにするこ
とができないという問題があった。
する際に、溝の斜面の形状は、ファセット面をだしてエ
ツチング加工することができるため再現性は良好である
が、溝の底部すについては、特定のファセットがでない
ため、化学エツチングで平坦な面にすることができず、
そのため、その上に、Ｐ−Ａｊ！ＧａＩｎＰ層４３を介
して成長する活性層４４の発光領域ａを平ｊｕにするこ
とができないという問題があった。
この問題を除くために、基板の発光領域に相当する領域
以外をエツチングし、基板の平坦な面の上にＭＯＶＰＥ
成長法を適用する方法が提案された。
以外をエツチングし、基板の平坦な面の上にＭＯＶＰＥ
成長法を適用する方法が提案された。
第５図は、基板の平坦な面を使用して、ＭＯＶＰＥ成長
法によって活性層に段差を設けた従来の半導体レーザ装
置の断面図である。
法によって活性層に段差を設けた従来の半導体レーザ装
置の断面図である。
この装置は、ｐ−ＧａＡｓ基板５１の上面の発光領域に
相当する領域以久をエツチングして電流狭さく部となる
突条を形成し、その上にｎ−ＧａＡｓ層５２、Ｐ−Ａｆ
ｆｉＧａ ＩｎＰ層５３、Ｃａ１ｎＰ活性層５４、ｎ−
ＡｆＧａＩｎＰ層５５、ｎ−ＧａＡｓ層５６をＭＯＶＰ
Ｅ成長法によって成長した構造を有している。
相当する領域以久をエツチングして電流狭さく部となる
突条を形成し、その上にｎ−ＧａＡｓ層５２、Ｐ−Ａｆ
ｆｉＧａ ＩｎＰ層５３、Ｃａ１ｎＰ活性層５４、ｎ−
ＡｆＧａＩｎＰ層５５、ｎ−ＧａＡｓ層５６をＭＯＶＰ
Ｅ成長法によって成長した構造を有している。
この装置においては、平坦な基板の突条の面を使用でき
るから、その後成長する半導体層の面をより平坦にする
ことができる。
るから、その後成長する半導体層の面をより平坦にする
ことができる。
しかしながら、前記第５図に示した従来技術によると、
前記のように、平坦な基板の面を使用するため発光領域
をより平坦にすることはできるが、その斜面の形状につ
いては、特定のファセッＩ・がでないため、化学エツチ
ングによって再現性よく加工することができず、その上
のｎ−ＧａＡｓ層５２、ｐ−Ａｊ２Ｇａ ＩｎＰ層５３
の成長形状を用いて活性層の形状を整えようとするもの
であるから、活性層の形状の再現性や制御性になお問題
があった。
前記のように、平坦な基板の面を使用するため発光領域
をより平坦にすることはできるが、その斜面の形状につ
いては、特定のファセッＩ・がでないため、化学エツチ
ングによって再現性よく加工することができず、その上
のｎ−ＧａＡｓ層５２、ｐ−Ａｊ２Ｇａ ＩｎＰ層５３
の成長形状を用いて活性層の形状を整えようとするもの
であるから、活性層の形状の再現性や制御性になお問題
があった。
本発明は、この問題点を解決することを目的とするもの
である。
である。
本発明にかかる半導体発光装置においては、第１導電型
の第１種半導体基板上に、逆導電型の第１種半導体層が
形成され、該逆導電型の第１種半導体層が、核層を貫通
して第１導電型の第１種半導体基板に達する深さのスト
ライプ状領域で第１導電型に反転され、かつ、該ストラ
イプ状Ｍ域を突条とするメサストライプ構造に形成され
ており、該形状の構造体の上に、少なくとも第１導電型
の第２種半導体層、第２種半導体層よりも禁止帯幅が小
さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも禁止帯幅が
大きい逆導電型の第４種半導体層が積層されている構成
を採用した。
の第１種半導体基板上に、逆導電型の第１種半導体層が
形成され、該逆導電型の第１種半導体層が、核層を貫通
して第１導電型の第１種半導体基板に達する深さのスト
ライプ状領域で第１導電型に反転され、かつ、該ストラ
イプ状Ｍ域を突条とするメサストライプ構造に形成され
ており、該形状の構造体の上に、少なくとも第１導電型
の第２種半導体層、第２種半導体層よりも禁止帯幅が小
さい第３種半導体層、第３種半導体層よりも禁止帯幅が
大きい逆導電型の第４種半導体層が積層されている構成
を採用した。
また、この半導体発光装置において、第１導電型をｐ型
とし、第１種半導体をＧａＡｓ、第２種半導体を（ＡＩ
！ｘＧａ＋−Ｘ）０．５１ ｎ ｏ、ｓＰ （０＜ｘ≦
１）、第３種半導体を、（Ａ Ｉ！ ｙＧ ａ Ｉ−ｙ
） ｏ、ｓＩｎ ｏ、ｓＰ （０≦ｙ＜ｘ） 、第４
種半導体を、（Ａ ｌ ｓＧ ａ ＋−ｓ） ｏ。ｓＩ
ｎ ｏ、ｓＰ Ｃｘ＜ｚ≦１）とすることとした。
とし、第１種半導体をＧａＡｓ、第２種半導体を（ＡＩ
！ｘＧａ＋−Ｘ）０．５１ ｎ ｏ、ｓＰ （０＜ｘ≦
１）、第３種半導体を、（Ａ Ｉ！ ｙＧ ａ Ｉ−ｙ
） ｏ、ｓＩｎ ｏ、ｓＰ （０≦ｙ＜ｘ） 、第４
種半導体を、（Ａ ｌ ｓＧ ａ ＋−ｓ） ｏ。ｓＩ
ｎ ｏ、ｓＰ Ｃｘ＜ｚ≦１）とすることとした。
本発明にかかる半導体発光装置の製造方法においては、
第１導電型の第１種半導体基板上に逆導電型の第１種半
導体層を成長し、この逆導電型の第１種半導体層の核層
を貫通して第１導電型の第１種半導体基板に達する深さ
のストライプ状領域を第１導電型に反転し、このストラ
イプ状領域を突条とするメサストライプ構造に形成し、
その上に、少なくとも、第１導電型の第２種半導体層、
第２種半導体よりも禁止帯幅が小さい第３種半導体層、
第３種半導体層よりも禁止帯幅が大きい逆導電型の第４
種半導体層を順次成長して積層する工程を採用した。
第１導電型の第１種半導体基板上に逆導電型の第１種半
導体層を成長し、この逆導電型の第１種半導体層の核層
を貫通して第１導電型の第１種半導体基板に達する深さ
のストライプ状領域を第１導電型に反転し、このストラ
イプ状領域を突条とするメサストライプ構造に形成し、
その上に、少なくとも、第１導電型の第２種半導体層、
第２種半導体よりも禁止帯幅が小さい第３種半導体層、
第３種半導体層よりも禁止帯幅が大きい逆導電型の第４
種半導体層を順次成長して積層する工程を採用した。
（作用）
本発明においては、平坦な第１導電型の第１種半導体基
板の上に逆導電型の第１種半導体層が形成され、該逆導
電型の第１種半導体層が、核層を貫通して第１導電型の
第１種半導体基板に到達する深さのストライプ状領域で
第１導電型に反転され、かつ、該ストライプ状領域を特
徴とする特許ストライプ構造に形成することにより、平
坦な基板の上面と、ファセット面をだして化学エツチン
グした斜面の形状を使用できるから、基板の電流狭さく
領域の形状を再現性よく形成でき、したがって、その上
に積層する、段差を有する発光領域を再現性よく形成す
ることができる。
板の上に逆導電型の第１種半導体層が形成され、該逆導
電型の第１種半導体層が、核層を貫通して第１導電型の
第１種半導体基板に到達する深さのストライプ状領域で
第１導電型に反転され、かつ、該ストライプ状領域を特
徴とする特許ストライプ構造に形成することにより、平
坦な基板の上面と、ファセット面をだして化学エツチン
グした斜面の形状を使用できるから、基板の電流狭さく
領域の形状を再現性よく形成でき、したがって、その上
に積層する、段差を有する発光領域を再現性よく形成す
ることができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明の実施例の半導体レーザ装置の断面図
である。
である。
この図において、１は結晶面（１００’）のｐ゛−Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ”−ＧａＡｓ層、３はＺｎを拡散した
ストライプ状ｐ型領域、４はＰ−Ａｊ２ＧａｌｎＰ層、
５はＧａＩｎＰ層、６はｎ−ＡｆＧａＩｎＰ層、７はｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ層、８はＡｕ−Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ
電極、９はＡｕ−Ｇｅ電極である。
Ａｓ基板、２はｎ”−ＧａＡｓ層、３はＺｎを拡散した
ストライプ状ｐ型領域、４はＰ−Ａｊ２ＧａｌｎＰ層、
５はＧａＩｎＰ層、６はｎ−ＡｆＧａＩｎＰ層、７はｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ層、８はＡｕ−Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ
電極、９はＡｕ−Ｇｅ電極である。
この実施例においては、ｎ” −ＧａＡｓ層２は、平坦
な面を有する基板表面と、ファセット面をだして再現性
よくエツチングすることができるストライプ状の溝の斜
面の上にＭＯＶＰＥ法によって成長するため、その形状
は再現性よく形成でき、さらにその上にＭＯＶＰＥ法に
よって成長する活性層の形状を再現性よく形成すること
を可能にする。
な面を有する基板表面と、ファセット面をだして再現性
よくエツチングすることができるストライプ状の溝の斜
面の上にＭＯＶＰＥ法によって成長するため、その形状
は再現性よく形成でき、さらにその上にＭＯＶＰＥ法に
よって成長する活性層の形状を再現性よく形成すること
を可能にする。
この装置のレーザ特性としては、しきい値が３Ｑ ｍ
Ａ 、効率は０． ３０ｍＷ／ｍＡ−ｆ ａ ｃ ｅ
ｔで、３０ｍＷ以上の出力が得られた。
Ａ 、効率は０． ３０ｍＷ／ｍＡ−ｆ ａ ｃ ｅ
ｔで、３０ｍＷ以上の出力が得られた。
そして、非点収差も、従来の技術においては８μｍ程度
であったのに対して、本発明においては５μｍ以下とな
った。
であったのに対して、本発明においては５μｍ以下とな
った。
つぎに、上記本発明の実施例の半導体レーザ装置を製造
する工程の一例を説明する。
する工程の一例を説明する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例の半導体レーザ
装置の製造工程図である。
装置の製造工程図である。
この工程図にしたがって説明する。
第１工程（第２図（ａ））
結晶面（１００）のｐ” −ＧａＡｓ基板１の上にＭＯ
ＶＰＥ法（有機金属気相成長法）によってｎ” Ｇａ
Ａｓ層２を成長する。
ＶＰＥ法（有機金属気相成長法）によってｎ” Ｇａ
Ａｓ層２を成長する。
成長温度は７００°Ｃで、原料ガスとしてＴＥＧ（トリ
エチルガリウム）とＡＳＨ３（アルシン）を用い、気相
におけるモル比、Ｖ１ｍ比を４０とする。そして、ドー
パントとして５ｉＨａ（モノシラン）を用いた。
エチルガリウム）とＡＳＨ３（アルシン）を用い、気相
におけるモル比、Ｖ１ｍ比を４０とする。そして、ドー
パントとして５ｉＨａ（モノシラン）を用いた。
成長速度は１μｍ／ｈで、層厚１μｍに形成する。
第２工程（第２図（ｂ））
第１工程で成長したｎ’ −ＧａＡｓ層２上の（０１１
＞方向に、幅４μｍのストライプ窓を有するＳｉＯ□マ
スク１０を形成し、このマスクの窓を通して、閉管中で
温度を７００°Ｃに保ってＺｎを拡散してｐ型拡散領域
３を形成する。
＞方向に、幅４μｍのストライプ窓を有するＳｉＯ□マ
スク１０を形成し、このマスクの窓を通して、閉管中で
温度を７００°Ｃに保ってＺｎを拡散してｐ型拡散領域
３を形成する。
第３工程（第２図（Ｃ））
第２工程で形成したＳｉｎ、マスク１０を除去した後、
ストライプ状のＺｎ拡散領域３を挟むように、輻４μｍ
のストライプ窓を有するＳｉｎ！マスク１１を形成する
。
ストライプ状のＺｎ拡散領域３を挟むように、輻４μｍ
のストライプ窓を有するＳｉｎ！マスク１１を形成する
。
第４工程（第２図（ｄ））
第３工程で形成した二つのストライプ窓を有するＳｉｎ
、マスク１１を通し、Ｈ，ＳＯ，、とＨ２０□の混合液
を用いて、化学エツチングし、二重ストライプ溝１２．
１２を形成する。
、マスク１１を通し、Ｈ，ＳＯ，、とＨ２０□の混合液
を用いて、化学エツチングし、二重ストライプ溝１２．
１２を形成する。
第５工程（第２図（ｅ））
第４工程で二重ストライプ溝１２．１２を形成するため
に使用した５ｉｎ２マスクエ１を除去した後に、この上
にＭＯＶＰＥ法を用いて、Ｐ（Ａｆｏ、７Ｇａｏ、：＋
）ｏ、ｓ、Ｉ ｎｏ、ｓＰ層４（厚さ１、Ｏｐ ｍ、
Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ層５（厚さ０゜０７μ
ｍ）、ｎ （Ａｆｏ、ｔＧａｏ、ｚ）ｏ、５Ｉｎｏ、
ｓｐ層６（厚さ１．０μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ層７（厚さ
０．５μｍ）を連続して成長する。
に使用した５ｉｎ２マスクエ１を除去した後に、この上
にＭＯＶＰＥ法を用いて、Ｐ（Ａｆｏ、７Ｇａｏ、：＋
）ｏ、ｓ、Ｉ ｎｏ、ｓＰ層４（厚さ１、Ｏｐ ｍ、
Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓＰ層５（厚さ０゜０７μ
ｍ）、ｎ （Ａｆｏ、ｔＧａｏ、ｚ）ｏ、５Ｉｎｏ、
ｓｐ層６（厚さ１．０μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ層７（厚さ
０．５μｍ）を連続して成長する。
成長速度は１μｍ／ｈであった。
また、この実施例では、成長温度は７００°Ｃで、原料
ガスとしてはＴＭＡ（）リメチルアルミニウム）、ＴＥ
Ｇ（トリエチルガリウム）、ＴＭＩ（）リメチルインジ
ウム）、ＰＨ３（フォスヒン） 、Ａｓ Ｈ：＋ （ア
ルシン）を用い、ドーパントガスとしては、ｎ型では５
ｉＨ４（モノシラン）、ｐ型ではＤＭＺ （ジメチル亜
鉛）を用いた。
ガスとしてはＴＭＡ（）リメチルアルミニウム）、ＴＥ
Ｇ（トリエチルガリウム）、ＴＭＩ（）リメチルインジ
ウム）、ＰＨ３（フォスヒン） 、Ａｓ Ｈ：＋ （ア
ルシン）を用い、ドーパントガスとしては、ｎ型では５
ｉＨ４（モノシラン）、ｐ型ではＤＭＺ （ジメチル亜
鉛）を用いた。
第６エ程（第１図）
その後、Ｐ−基板側にＡ ｕ −Ｚ ｎ ／ Ａ ｕを
蒸着して電極８とし、ｎ−成長層側にＡ １１− Ｇ
ｅを蒸着して電極つとし、共振器長３００μｍでへき関
して完成する。
蒸着して電極８とし、ｎ−成長層側にＡ １１− Ｇ
ｅを蒸着して電極つとし、共振器長３００μｍでへき関
して完成する。
上記の実施例においては、各成長層の組成を特定のもの
として説明しているが、その組成に限定されることなく
、 第２種半導体として、（ＡｆつＧａＩ−ｘ） 。。。
として説明しているが、その組成に限定されることなく
、 第２種半導体として、（ＡｆつＧａＩ−ｘ） 。。。
Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｐ （０〈ｘ≦１）第３種半導体と
して１、（Ａ １２ ｙＧ ａ Ｉ−ｓ、）。、。
して１、（Ａ １２ ｙＧ ａ Ｉ−ｓ、）。、。
Ｉｎｃｉ。、Ｐ（０≦ｙ＜ｘ）
第４種半導体として、（Ａ １２ ＨＧ ａ １−ｓ）
ｏ、 ５Ｉｎｎ。、Ｐ （ｘ＜ｚ≦１） を用いることができる。
ｏ、 ５Ｉｎｎ。、Ｐ （ｘ＜ｚ≦１） を用いることができる。
なお、ｘ、ｙ、ｚの値は発光波長０．６μｍを中心に調
整可能な範囲であり、０．５の数値は結晶格子の整合を
考慮したものである。
整可能な範囲であり、０．５の数値は結晶格子の整合を
考慮したものである。
本発明によれば、基板上の成長したｎ” ＧａＡ ｓ
Ｎ ２の電流狭さく領域の形状を再現性よく形成でき
るから、その上に成長する段差を有する活性層を制御性
よく形成でき、低しきい値電流、高出力、低非点収差の
レーザ装置を再現性よく得ることができる。
Ｎ ２の電流狭さく領域の形状を再現性よく形成でき
るから、その上に成長する段差を有する活性層を制御性
よく形成でき、低しきい値電流、高出力、低非点収差の
レーザ装置を再現性よく得ることができる。
第１図は本発明の実施例の半導体レーザ装置の断面図、
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例の半導体１ノ−
ザ装置の製造工程図、第３図、第４図、第５図は従来の
可視光半導体レーザ装置の断面図である。 １−ｐ ” −〇 ａ Ａ ｓ基板 ２−ｎ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ層 ３−・−Ｚｎを拡散したストライプ状Ｐ型領域４・−ｐ
−Ａｊ２Ｇａ ＩｎＰ層 ５−−−Ｇ ａ Ｘ ｎ Ｐ層 ６−ｎ−Ａ Ｉ）、 Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ層’Ｌ−−ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ層 ８−−Ａ ｕ−Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ電極９−Ａ ｕ−Ｇ
ｅ電極 （ｅ） 本発明の実施例の半導体レーザ装置の断面図第１図 （ａ） （ｄ） （ｂ） 本発明の実施例の半導体し＝−ザ装置の製造工程図第２
図 （その１） 第２図（その２）
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例の半導体１ノ−
ザ装置の製造工程図、第３図、第４図、第５図は従来の
可視光半導体レーザ装置の断面図である。 １−ｐ ” −〇 ａ Ａ ｓ基板 ２−ｎ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ層 ３−・−Ｚｎを拡散したストライプ状Ｐ型領域４・−ｐ
−Ａｊ２Ｇａ ＩｎＰ層 ５−−−Ｇ ａ Ｘ ｎ Ｐ層 ６−ｎ−Ａ Ｉ）、 Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐ層’Ｌ−−ｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ層 ８−−Ａ ｕ−Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ電極９−Ａ ｕ−Ｇ
ｅ電極 （ｅ） 本発明の実施例の半導体レーザ装置の断面図第１図 （ａ） （ｄ） （ｂ） 本発明の実施例の半導体し＝−ザ装置の製造工程図第２
図 （その１） 第２図（その２）
Claims (3)
- （１）、第１導電型の第１種半導体基板上に、逆導電型
の第１種半導体層が形成され、該逆導電型の第１種半導
体層が、該層を貫通して第１導電型の第１種半導体基板
に達する深さのストライプ状領域で第１導電型に反転さ
れ、かつ、該ストライプ状領域を突条とするメサストラ
イプ構造に形成されており、該形状の構造体の上に、少
なくとも第１導電型の第２種半導体層、第２種半導体層
よりも禁止帯幅が小さい第３種半導体層、第３種半導体
層よりも禁止帯幅が大きい逆導電型の第４種半導体層が
積層されていることを特徴とする半導体発光装置。 - （２）、請求項１の半導体発光装置において、第１導電
型をｐ型とし、第１種半導体をＧａＡｓ、第２種半導体
を（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５、Ｉｎ＿
０＿．＿５Ｐ（０＜ｘ≦１）、第３種半導体を、（Ａｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５
Ｐ（０≦ｙ＜ｘ）、第４種半導体を、（Ａｌ＿ｚＧａ＿
１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（ｘ＜ｚ
≦１）とすることを特徴とする半導体発光装置。 - （３）、第１導電型の第１種半導体基板上に逆導電型の
第１種半導体層を成長し、この逆導電型の第１種半導体
層の該層を貫通して第１導電型の第１種半導体基板に達
する深さのストライプ状領域を第１導電型に反転し、こ
のストライプ状領域を突条とするメサストライプ構造に
形成し、その上に、少なくとも、第１導電型の第２種半
導体層、第２種半導体よりも禁止帯幅が小さい第３種半
導体層、第３種半導体層よりも禁止帯幅が大きい逆導電
型の第４種半導体層を順次成長して積層する工程を有す
ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146300A JPH0442981A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146300A JPH0442981A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442981A true JPH0442981A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15404564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146300A Pending JPH0442981A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442981A (ja) |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2146300A patent/JPH0442981A/ja active Pending
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