JPH0443515B2 - - Google Patents
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- JPH0443515B2 JPH0443515B2 JP61256342A JP25634286A JPH0443515B2 JP H0443515 B2 JPH0443515 B2 JP H0443515B2 JP 61256342 A JP61256342 A JP 61256342A JP 25634286 A JP25634286 A JP 25634286A JP H0443515 B2 JPH0443515 B2 JP H0443515B2
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- substrate
- pulse
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- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2002/14169—Bubble vented to the ambience
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Ink Jet (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はノンインパクト方式インクジエツト・
プリンタに係り、特にプリントヘツドの構成に関
する。
プリンタに係り、特にプリントヘツドの構成に関
する。
データ処理技術の発達と共に、出力データを恒
久記録する多数の装置が開発されてきている。現
在、ノンインパクト（非機械的衝撃式）方式によ
り印字装置は感熱式、静電式、磁気式、電子写真
式、イオン式、およびインクジエツト式等に分類
できる。これらの中でも特に重要なものはインク
ジエツト式である。何故ならば、この方式はプリ
ント出力を電子的に、簡単且つ直接的に制御でき
るからであり、さらに無接触、高速、そして平坦
な紙への印字に特に適しているからである。
久記録する多数の装置が開発されてきている。現
在、ノンインパクト（非機械的衝撃式）方式によ
り印字装置は感熱式、静電式、磁気式、電子写真
式、イオン式、およびインクジエツト式等に分類
できる。これらの中でも特に重要なものはインク
ジエツト式である。何故ならば、この方式はプリ
ント出力を電子的に、簡単且つ直接的に制御でき
るからであり、さらに無接触、高速、そして平坦
な紙への印字に特に適しているからである。
そして、インクジエツト方式は次の３つの基本
的な形式に分類できる。連続方式（インクに一
定圧力を加え、定速で連続的にインク液滴を発生
する）、電界制御方式、オンデマンド方式
（インパルスジエツト方式）。本発明はオンデマン
ド方式に係る。
的な形式に分類できる。連続方式（インクに一
定圧力を加え、定速で連続的にインク液滴を発生
する）、電界制御方式、オンデマンド方式
（インパルスジエツト方式）。本発明はオンデマン
ド方式に係る。
従来、オンデマンド方式においては、狭い断面
のチユーブのオリフイスからインクを噴射するの
に圧電結晶を使用していた。この方式は、例えば
米国特許第3832579号に述べられており、そこで
は、小さな円筒状の圧電トランスジユーサが円筒
状ノズルの外側表面に固着されている。インクは
ノズルの広い端部とインク貯蔵部とを結むイン
ク・ホースによつてそのノズル端部に運ばれる。
トランスジユーサが電気的インパルスを受けると
き、それはノズルの両端に向けてインクを加速す
る圧力波を発生する。インク圧力波がそのノズル
の小さな端部のオリフイスにおける半月板の表面
張力を越えるときに、インク液滴が形成される。
のチユーブのオリフイスからインクを噴射するの
に圧電結晶を使用していた。この方式は、例えば
米国特許第3832579号に述べられており、そこで
は、小さな円筒状の圧電トランスジユーサが円筒
状ノズルの外側表面に固着されている。インクは
ノズルの広い端部とインク貯蔵部とを結むイン
ク・ホースによつてそのノズル端部に運ばれる。
トランスジユーサが電気的インパルスを受けると
き、それはノズルの両端に向けてインクを加速す
る圧力波を発生する。インク圧力波がそのノズル
の小さな端部のオリフイスにおける半月板の表面
張力を越えるときに、インク液滴が形成される。
この圧電式インクジエツト装置における問題点
は圧電トランスジユーサとインクジエツト・オリ
フイスとの間で寸法上の相対的不一致に関連して
いる。即ち、一般にトランジユーサはそのオリフ
イスよりも実質的に大きいので、各ジエツト部間
の最小分離距離又は所定のプリントヘツド上に装
着しうるジエツト数のいづれかを制限してしま
う。更に、圧電トランスジユーサは製造するのに
比較的高価であり、そして現在の半導体製作技術
の多くに適合していない。
は圧電トランスジユーサとインクジエツト・オリ
フイスとの間で寸法上の相対的不一致に関連して
いる。即ち、一般にトランジユーサはそのオリフ
イスよりも実質的に大きいので、各ジエツト部間
の最小分離距離又は所定のプリントヘツド上に装
着しうるジエツト数のいづれかを制限してしま
う。更に、圧電トランスジユーサは製造するのに
比較的高価であり、そして現在の半導体製作技術
の多くに適合していない。
従来の別の型のオンデマンド方式は米国特許第
3174042号に述べられており、この方式は複数個
のインク包含チユーブを利用している。それらチ
ユーブ内の電極はインクに接触しており、トリガ
信号の発生に応答して、電流がインク自体を通し
て流れる。この電流は高いI2R損（ここで、は
電流値、Ｒはインクの抵抗値である）によつてそ
のインクを加熱し、それらのチユーブ内における
インクの一部分を蒸発させ、そしてインクおよび
インク気体をそれらのチユーブから噴射させる。
3174042号に述べられており、この方式は複数個
のインク包含チユーブを利用している。それらチ
ユーブ内の電極はインクに接触しており、トリガ
信号の発生に応答して、電流がインク自体を通し
て流れる。この電流は高いI2R損（ここで、は
電流値、Ｒはインクの抵抗値である）によつてそ
のインクを加熱し、それらのチユーブ内における
インクの一部分を蒸発させ、そしてインクおよび
インク気体をそれらのチユーブから噴射させる。
この蒸気型方式の主な欠点は、高導電性インク
は所望の気体化を達成するのに大きな電流を必要
とするので、インク霧を制御するのが困難であ
り、またインクの導電率に制限が生ずることであ
る。従つて、そこで使用されるインクの種類は極
度に制限される。
は所望の気体化を達成するのに大きな電流を必要
とするので、インク霧を制御するのが困難であ
り、またインクの導電率に制限が生ずることであ
る。従つて、そこで使用されるインクの種類は極
度に制限される。
上述した各方式については長年研究されてきた
にもかかわらず、オンデマンド形インクジエツト
技術は解決されなければならない多くの基本的問
題をなおもかかえている。
にもかかわらず、オンデマンド形インクジエツト
技術は解決されなければならない多くの基本的問
題をなおもかかえている。
本発明はオンデマンド方式インクジエツトプリ
ンタに係り、本発明はインクを吐出するためのオ
リフイスを持つインク包含毛細管と、そのオリフ
イスに接近配置されたインク加熱機構（例えば、
その毛細管に又はそれに隣接して置かれる抵抗
器）とを有するインクジエツト・プリンタを提供
する。
ンタに係り、本発明はインクを吐出するためのオ
リフイスを持つインク包含毛細管と、そのオリフ
イスに接近配置されたインク加熱機構（例えば、
その毛細管に又はそれに隣接して置かれる抵抗
器）とを有するインクジエツト・プリンタを提供
する。
動作の概略について説明する。インク加熱部が
敏速に加熱され、そこで生成されたエネルギをイ
ンクに伝達し、それによりそのインクの一部分を
気化しそしてその毛細管内にバブルを発生させ
る。そしてこのバブルはインク液滴をそのオリフ
イスから近くに位置する紙面上へと推進させる圧
力波を作り出す。インク加熱部とオリフイスとの
相対的位置関係を適切に選択し且つそのエネルギ
転送を綿密に制御することにより、バブルは、イ
ンク気体がそのオリフイスから逃げる前にそのイ
ンク加熱部上か又はその近くですみやかに消滅す
る。本発明によるプリンタに対しては、他のドツ
ト・マトリクス印字装置を実施するのに使用され
る多くの現在するハードウエアおよびソフトウエ
アを容易に適用できる。
敏速に加熱され、そこで生成されたエネルギをイ
ンクに伝達し、それによりそのインクの一部分を
気化しそしてその毛細管内にバブルを発生させ
る。そしてこのバブルはインク液滴をそのオリフ
イスから近くに位置する紙面上へと推進させる圧
力波を作り出す。インク加熱部とオリフイスとの
相対的位置関係を適切に選択し且つそのエネルギ
転送を綿密に制御することにより、バブルは、イ
ンク気体がそのオリフイスから逃げる前にそのイ
ンク加熱部上か又はその近くですみやかに消滅す
る。本発明によるプリンタに対しては、他のドツ
ト・マトリクス印字装置を実施するのに使用され
る多くの現在するハードウエアおよびソフトウエ
アを容易に適用できる。
本発明において、インクは毛細管の端部に位置
されたオリフイスから吐出される。そしてインク
毛細管は本質的に平面を規定し、インクはその平
面に対して直角の方向に、オリフイスから吐出さ
れる。こうした構成の各々は、標準の電子式製造
技術を用いて大量生産しうる点において、従来技
術に比べて利点を持つている。更に、本発明の原
理を用いて作り出されるプリントヘツドの寸法は
事実上無制限であつて、空間を取る圧電性結晶を
必要としないために、非常に大きなアレイおよび
非常に高い分解能が可能である。更に、この技術
では、使用するウインクの導電性には無関係であ
る。
されたオリフイスから吐出される。そしてインク
毛細管は本質的に平面を規定し、インクはその平
面に対して直角の方向に、オリフイスから吐出さ
れる。こうした構成の各々は、標準の電子式製造
技術を用いて大量生産しうる点において、従来技
術に比べて利点を持つている。更に、本発明の原
理を用いて作り出されるプリントヘツドの寸法は
事実上無制限であつて、空間を取る圧電性結晶を
必要としないために、非常に大きなアレイおよび
非常に高い分解能が可能である。更に、この技術
では、使用するウインクの導電性には無関係であ
る。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図はある型式によるインクジエツト・プリ
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第２図は組
立後の全体斜視図である。１１は基板であり、サ
フアイア、ガラス、又は不活性複合材料（例え
ば、被複金属或は被覆ケイ素）で構成される。基
板１１の片面の一部分は薄膜金属化層１３でおお
われている。この薄膜金属化層１３は、層１３内
に抵抗器１６を作り出すべく、幅Ｄ１（〜約0.1
mm）の狭い非導電性ストリツプ１４と、幅Ｄ２
（約0.1mm）の導電性ストリツプとを与えるように
構成される。抵抗値としては約3Ωが適当である。
典型的な構成において、抵抗器１６は基板１１の
縁部から距離Ｄ３（公称としては約0.1mmだが、
一般的には約0.05mm＜Ｄ３＜約0.25mmの範囲）だ
け離れた位置に作られる。薄膜金属化層１３の上
面に毛細管ブロツク１５が結合される。毛細管ブ
ロツク１５は一般にガラスから作られ、各端部に
オリフイスを伴なう毛細管チヤネル１７を持つ。
チヤネル１７の幅は約0.08mm、深さは約0.08mm
で、その幅は金属化層１３の非導電性ストリツプ
１４の幅に対応する。
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第２図は組
立後の全体斜視図である。１１は基板であり、サ
フアイア、ガラス、又は不活性複合材料（例え
ば、被複金属或は被覆ケイ素）で構成される。基
板１１の片面の一部分は薄膜金属化層１３でおお
われている。この薄膜金属化層１３は、層１３内
に抵抗器１６を作り出すべく、幅Ｄ１（〜約0.1
mm）の狭い非導電性ストリツプ１４と、幅Ｄ２
（約0.1mm）の導電性ストリツプとを与えるように
構成される。抵抗値としては約3Ωが適当である。
典型的な構成において、抵抗器１６は基板１１の
縁部から距離Ｄ３（公称としては約0.1mmだが、
一般的には約0.05mm＜Ｄ３＜約0.25mmの範囲）だ
け離れた位置に作られる。薄膜金属化層１３の上
面に毛細管ブロツク１５が結合される。毛細管ブ
ロツク１５は一般にガラスから作られ、各端部に
オリフイスを伴なう毛細管チヤネル１７を持つ。
チヤネル１７の幅は約0.08mm、深さは約0.08mm
で、その幅は金属化層１３の非導電性ストリツプ
１４の幅に対応する。
毛細管ブロツク１５の背後でしかも基板１１の
上部に、毛細管ブロツク１５と平行して、インク
を保持するための貯蔵部１９が配置される。チヤ
ネル１７は、貯蔵部１９の反対側にあるオリフイ
スの近辺へ、毛細管作用によつてインクをその貯
蔵部から引き出す。第２図において見られる如
く、完成された構成において、プリンタは薄膜金
属化層１３に取付けられた２つの電極２３および
２５を持ち、該電極は抵抗器１６を横切つて電位
差を与える。第３図は、第１および第２図に示し
たインクジエツト・プリンタの断面図であり、イ
ンク２１、毛細管ブロツク１５、抵抗器１６そし
て印字表面２７の相対的位置関係を示している。
動作において、プリンタ・オリフイスと印字表面
２７との間の距離Ｄ５は約0.8mmである。
上部に、毛細管ブロツク１５と平行して、インク
を保持するための貯蔵部１９が配置される。チヤ
ネル１７は、貯蔵部１９の反対側にあるオリフイ
スの近辺へ、毛細管作用によつてインクをその貯
蔵部から引き出す。第２図において見られる如
く、完成された構成において、プリンタは薄膜金
属化層１３に取付けられた２つの電極２３および
２５を持ち、該電極は抵抗器１６を横切つて電位
差を与える。第３図は、第１および第２図に示し
たインクジエツト・プリンタの断面図であり、イ
ンク２１、毛細管ブロツク１５、抵抗器１６そし
て印字表面２７の相対的位置関係を示している。
動作において、プリンタ・オリフイスと印字表面
２７との間の距離Ｄ５は約0.8mmである。
第４図はプリント動作の１サイクル中における
インク液滴の発生過程を示した一部断面図であ
る。電圧が電極２３および２５に印加されると、
抵抗器１６を通る電流がジユール熱を発生させ
て、インクを加熱する。そして第４ａ図に示され
ているように抵抗器１６上にバブル１２を作り出
す。バブルは、第４ｂ図に示される如く、オリフ
イスの方向に急速に膨張し続ける。しかしその膨
張はインクに伝達されるエネルギによつて制限さ
れる。この全エネルギを注意深く制御し、そして
抵抗器１６に供給されるエネルギの時間配分を制
御することにより、種々の大きさのバルブを形成
できる。しかしながら、インクによつて吸収され
る全エネルギが、気体をオリフイスから追い出す
程大きくならないように制御することが必要であ
る。バブルは第４ｃ図に示されている如く抵抗器
１６に向い且つその上で収縮し始め、他方、バブ
ルの膨張によりインクに与えられた前向きの運動
量はオリフイスからインク小滴を吐出させる（し
かしながら、使用されるインク、オリフイスの幾
何学的構造および印加電圧に依存して１つ又はそ
れ以上の後続するインク液滴が生ずることを注目
すべきである。）液滴がオリフイスを離れた後、
バルブは第４ｄ図に示されている如く、その発生
位置又はその近くまで収縮し消滅する。インクは
毛細管作用により再充填し始め（第４ｅ図）、一
方インク液滴は印字面上にのる。第４ｆ図は、次
のサイクルの用意として、もとの位置までインク
が満たされたチヤネルを示している。印字は適当
なシーケンスで抵抗器１６に電圧を連続的に印加
することにより達成される。オリフイスと印字面
とは所望の印字パターンを作り出すために相対的
に移動される。
インク液滴の発生過程を示した一部断面図であ
る。電圧が電極２３および２５に印加されると、
抵抗器１６を通る電流がジユール熱を発生させ
て、インクを加熱する。そして第４ａ図に示され
ているように抵抗器１６上にバブル１２を作り出
す。バブルは、第４ｂ図に示される如く、オリフ
イスの方向に急速に膨張し続ける。しかしその膨
張はインクに伝達されるエネルギによつて制限さ
れる。この全エネルギを注意深く制御し、そして
抵抗器１６に供給されるエネルギの時間配分を制
御することにより、種々の大きさのバルブを形成
できる。しかしながら、インクによつて吸収され
る全エネルギが、気体をオリフイスから追い出す
程大きくならないように制御することが必要であ
る。バブルは第４ｃ図に示されている如く抵抗器
１６に向い且つその上で収縮し始め、他方、バブ
ルの膨張によりインクに与えられた前向きの運動
量はオリフイスからインク小滴を吐出させる（し
かしながら、使用されるインク、オリフイスの幾
何学的構造および印加電圧に依存して１つ又はそ
れ以上の後続するインク液滴が生ずることを注目
すべきである。）液滴がオリフイスを離れた後、
バルブは第４ｄ図に示されている如く、その発生
位置又はその近くまで収縮し消滅する。インクは
毛細管作用により再充填し始め（第４ｅ図）、一
方インク液滴は印字面上にのる。第４ｆ図は、次
のサイクルの用意として、もとの位置までインク
が満たされたチヤネルを示している。印字は適当
なシーケンスで抵抗器１６に電圧を連続的に印加
することにより達成される。オリフイスと印字面
とは所望の印字パターンを作り出すために相対的
に移動される。
なお、基板寸法、毛細管ブロツク寸法および毛
細管チヤネル寸法等の寸法は、所望の質量、構造
材料および技術、液滴寸法、毛細管充填速度、イ
ンク粘性および表面張力等に依存して広範囲に変
えられることは明らかである。又、従来装置と対
比して、インクの導電率を高いI2R熱損失に釣り
合せたり、インクを導電性とする必要は全くな
い。
細管チヤネル寸法等の寸法は、所望の質量、構造
材料および技術、液滴寸法、毛細管充填速度、イ
ンク粘性および表面張力等に依存して広範囲に変
えられることは明らかである。又、従来装置と対
比して、インクの導電率を高いI2R熱損失に釣り
合せたり、インクを導電性とする必要は全くな
い。
上述した構成の特長は、インク液滴をオリフイ
スから吐出するのに必要とするインパルスが、圧
電性結晶又は他の素子によつて与えられる圧力波
によるのではなく、バブルの膨張によつて作り出
されることである。抵抗器１６からインクへのエ
ネルギ転送を注意深く制御することにより、イン
ク気体がインク液滴と共にオリフイスから逃げな
いようにすることができる。バブルはインク気体
の飛び散りを防止するように、それ自身で消滅す
る。更に、エネルギ転送の時間的シーケンスに綿
密に制御することを極めて重要である。
スから吐出するのに必要とするインパルスが、圧
電性結晶又は他の素子によつて与えられる圧力波
によるのではなく、バブルの膨張によつて作り出
されることである。抵抗器１６からインクへのエ
ネルギ転送を注意深く制御することにより、イン
ク気体がインク液滴と共にオリフイスから逃げな
いようにすることができる。バブルはインク気体
の飛び散りを防止するように、それ自身で消滅す
る。更に、エネルギ転送の時間的シーケンスに綿
密に制御することを極めて重要である。
抵抗器１６を通しての約5μsecの期間を持つ約
1Aの単一の方形波電流パルスは如上の結果を達
成するけれども、かかる直接的方法は一般に各種
のジエツト構成には適用できない。更、一層大き
なバブルを作り出したい場合（例えば、より大き
なオリフイスを用いたい場合）や、より速い液滴
の吐出速度を得たい場合には、問題が生ずる。も
しも一層大きなエネルギをインクに与えるために
パルスを長くすると、バブル形成についての統計
学的性質は実質的な時間ジツタを生じさせる。即
ち、パルス印加時点からバブル完成時点までの時
間につき、各印加パルス毎にバラツキを生じる
（または印加パルス幅に対するパルス印加時点か
らバブル発生時点までの時間の比が相対的に大と
なる）。他方、時間ジツタの問題を改善するため
にパルスの高さを増大すると、必要とされる実質
的に高い電流密度により抵抗器の早期焼損をもた
らすことになる。
1Aの単一の方形波電流パルスは如上の結果を達
成するけれども、かかる直接的方法は一般に各種
のジエツト構成には適用できない。更、一層大き
なバブルを作り出したい場合（例えば、より大き
なオリフイスを用いたい場合）や、より速い液滴
の吐出速度を得たい場合には、問題が生ずる。も
しも一層大きなエネルギをインクに与えるために
パルスを長くすると、バブル形成についての統計
学的性質は実質的な時間ジツタを生じさせる。即
ち、パルス印加時点からバブル完成時点までの時
間につき、各印加パルス毎にバラツキを生じる
（または印加パルス幅に対するパルス印加時点か
らバブル発生時点までの時間の比が相対的に大と
なる）。他方、時間ジツタの問題を改善するため
にパルスの高さを増大すると、必要とされる実質
的に高い電流密度により抵抗器の早期焼損をもた
らすことになる。
上述した各問題は第５図に示されている方法に
よつて実質的に解決される。第５，６図はバブル
形成に使用するパルスの波形図である。ここにお
いて、直流バイアスレベルは必要とされないが、
先行パルスIPは、バブルの核形成を回避させる
のに十分な低い割合で、抵抗器１６付近のインク
を予熱するのに使用される。即ち、抵抗器１６の
温度はインクの沸点より低く保たれる。先行パル
スIPに続いて核形成パルスINが与えられる。こ
の核形成パルスINは、インクの加熱限度近くま
で、すなわちバブルがインク内で自然に核形成す
る点にまで抵抗器１６を急速に加熱する。しかる
べくして形成されたバブル核心は非常に急速に成
長し、その熟成寸法は先行パルスIPによつて加
熱されたインクの体積によつて決められている。
このバブルの成長過程中において、抵抗器１６に
印加される電圧は一般に零まで減衰される。なぜ
ならばこの期間中におけるインクへの熱転送はあ
まり能率的でなくしかもその電流を保つことは抵
抗器１６を加熱し過ぎることになるからである。
よつて実質的に解決される。第５，６図はバブル
形成に使用するパルスの波形図である。ここにお
いて、直流バイアスレベルは必要とされないが、
先行パルスIPは、バブルの核形成を回避させる
のに十分な低い割合で、抵抗器１６付近のインク
を予熱するのに使用される。即ち、抵抗器１６の
温度はインクの沸点より低く保たれる。先行パル
スIPに続いて核形成パルスINが与えられる。こ
の核形成パルスINは、インクの加熱限度近くま
で、すなわちバブルがインク内で自然に核形成す
る点にまで抵抗器１６を急速に加熱する。しかる
べくして形成されたバブル核心は非常に急速に成
長し、その熟成寸法は先行パルスIPによつて加
熱されたインクの体積によつて決められている。
このバブルの成長過程中において、抵抗器１６に
印加される電圧は一般に零まで減衰される。なぜ
ならばこの期間中におけるインクへの熱転送はあ
まり能率的でなくしかもその電流を保つことは抵
抗器１６を加熱し過ぎることになるからである。
典型的な例として、抵抗器１６は約3Ωであり、
先行パルスIPは0.3A程度の大きさと、約40μsec
の幅TPとを持ち、そして核形成パルスINは1A
程度の大きさと、約5μsec幅TNと持つている。
しかしながら、こうしたパラメータはかなり広範
囲に変わるので、実際の動作において遭遇される
典型的な範囲、すなわち、０＜Ｒ＜100Ω；10＜
TP＜100μsec、０＜IP＜3A、０＜TN＜10μsec、
0.01＜IN＜5Aに対して検討することが適当であ
る。
先行パルスIPは0.3A程度の大きさと、約40μsec
の幅TPとを持ち、そして核形成パルスINは1A
程度の大きさと、約5μsec幅TNと持つている。
しかしながら、こうしたパラメータはかなり広範
囲に変わるので、実際の動作において遭遇される
典型的な範囲、すなわち、０＜Ｒ＜100Ω；10＜
TP＜100μsec、０＜IP＜3A、０＜TN＜10μsec、
0.01＜IN＜5Aに対して検討することが適当であ
る。
バブル形成の制御に対しては、例えば、パルス
空間変調又はパルス高変調などの多くの他の方法
も同様に利用できる。第６図には更に別な方法が
示されている。この方法において、先行パルスの
大きさは、約0.5Aの初期値から約0.2Aの値（核
形成パルスが開始する直前の値）へと減少する。
先行パルス形状は時間の関数として１／√ｔで減
衰する。これにより、核形成前において、抵抗器
の温度をほぼ一定の温度に維持することができ、
抵抗器の近傍のインクがインクの沸点よりも低い
温度に加熱される。そしてこの状態で核形成のた
めの幅の狭い核形成パルスが印加されることにな
る。抵抗器の温度をほぼ一定の所望温度に維持し
た後に核形成パルスを印加するから核形成パルス
のエネルギ量等その制御が容易となり、また必要
とされる核形成パルスの幅を減少させることがで
きる。そして核形成パルスのパルス幅が狭くなる
から前述した時間ジツタの問題点も少なくするこ
とができ、核形成の再現性を高める。なお、抵抗
器に方形波パルスを与えて予熱する従来装置があ
るが、方形波パルスであるため該パルス印加後、
抵抗器の温度は徐々に上昇し続け、核形成前の抵
抗器温度はほぼ一定の所望温度にすることはでき
ない。したがつて、核形成パルスのエネルギ量等
を前以つて一定にされた温度に応じて制御するこ
とはできない。上述した方法では、定常的直流バ
イアス電流の必要性なしにインクを予熱し、且つ
該形成前において抵抗器の温度をほぼ一定の所望
温度に維持し、もつて核形成パルスの制御を容易
にし、かつ時間的ジツタの問題を解決できる。
空間変調又はパルス高変調などの多くの他の方法
も同様に利用できる。第６図には更に別な方法が
示されている。この方法において、先行パルスの
大きさは、約0.5Aの初期値から約0.2Aの値（核
形成パルスが開始する直前の値）へと減少する。
先行パルス形状は時間の関数として１／√ｔで減
衰する。これにより、核形成前において、抵抗器
の温度をほぼ一定の温度に維持することができ、
抵抗器の近傍のインクがインクの沸点よりも低い
温度に加熱される。そしてこの状態で核形成のた
めの幅の狭い核形成パルスが印加されることにな
る。抵抗器の温度をほぼ一定の所望温度に維持し
た後に核形成パルスを印加するから核形成パルス
のエネルギ量等その制御が容易となり、また必要
とされる核形成パルスの幅を減少させることがで
きる。そして核形成パルスのパルス幅が狭くなる
から前述した時間ジツタの問題点も少なくするこ
とができ、核形成の再現性を高める。なお、抵抗
器に方形波パルスを与えて予熱する従来装置があ
るが、方形波パルスであるため該パルス印加後、
抵抗器の温度は徐々に上昇し続け、核形成前の抵
抗器温度はほぼ一定の所望温度にすることはでき
ない。したがつて、核形成パルスのエネルギ量等
を前以つて一定にされた温度に応じて制御するこ
とはできない。上述した方法では、定常的直流バ
イアス電流の必要性なしにインクを予熱し、且つ
該形成前において抵抗器の温度をほぼ一定の所望
温度に維持し、もつて核形成パルスの制御を容易
にし、かつ時間的ジツタの問題を解決できる。
第７Ａ図は他の型式によるインクジエツト・プ
リントのプリンタヘツドの分解斜視図、第７Ｂ図
は第７Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜
視図である。両図に示したプリントヘツドは複数
個のオリフイスを有する。この所謂“エツジ・シ
ユーター（edge−shooter）”装置は基板７１と
毛細管ブロツク７５とから成り、毛細管ブロツク
７５は、それ自体と基板７１との界面に位置され
た幾つかのインク毛細管チヤネル７７を持つてい
る。基板７１に対して使用される典型的な材料と
してはガラス、セラミツク、被覆金属又は被覆ケ
イ素のようなで電気的絶縁物があり、他方、毛細
管ブロツク７５に対して使用される材料は、イン
ク毛細管チヤネル７７に関して製作の容易なもの
が選ばれる。例えば、標準として、毛細管ブロツ
ク７５は成型ガラス、食刻ガラスでもつて作られ
る。その構成において、基板７１と毛細管ブロツ
ク７５とは、例えば、エポキシ、陽極ボンデイン
グまたは密封用ガラスでもつて、幾多の方法にお
いて一緒に密閉される。チヤネル空間D6とチヤ
ネル幅D7とはインクジエツトの所望の分離と寸
法とによつて決定される。チヤネル７９は、遠隔
の場合にあるインク貯蔵部（示されていない）か
らインク毛細管チヤネル７７へとインクを供給す
るための貯蔵チヤネルである。
リントのプリンタヘツドの分解斜視図、第７Ｂ図
は第７Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜
視図である。両図に示したプリントヘツドは複数
個のオリフイスを有する。この所謂“エツジ・シ
ユーター（edge−shooter）”装置は基板７１と
毛細管ブロツク７５とから成り、毛細管ブロツク
７５は、それ自体と基板７１との界面に位置され
た幾つかのインク毛細管チヤネル７７を持つてい
る。基板７１に対して使用される典型的な材料と
してはガラス、セラミツク、被覆金属又は被覆ケ
イ素のようなで電気的絶縁物があり、他方、毛細
管ブロツク７５に対して使用される材料は、イン
ク毛細管チヤネル７７に関して製作の容易なもの
が選ばれる。例えば、標準として、毛細管ブロツ
ク７５は成型ガラス、食刻ガラスでもつて作られ
る。その構成において、基板７１と毛細管ブロツ
ク７５とは、例えば、エポキシ、陽極ボンデイン
グまたは密封用ガラスでもつて、幾多の方法にお
いて一緒に密閉される。チヤネル空間D6とチヤ
ネル幅D7とはインクジエツトの所望の分離と寸
法とによつて決定される。チヤネル７９は、遠隔
の場合にあるインク貯蔵部（示されていない）か
らインク毛細管チヤネル７７へとインクを供給す
るための貯蔵チヤネルである。
基板７１上には複数の抵抗器７３が与えられて
おり、各抵抗器の位置は各毛細管チヤネル７７の
底部に対応している。対応せる数の電気的接続体
７２が電力を各抵抗器７３に供給するために設け
られている。抵抗器７３および電気的接続部７２
は、物理的或は化学蒸着のような標準の電子的製
作技術を使用して形成される。電気的接続部７２
に対する典型的な材料としてはクロム／金（すな
わち、接着のための薄いクロミウムの下層、導電
のためと上層）、又はアルミニウムがある。抵抗
器７３に対する適当な材料としては、標準とし
て、プラチナ、チタニウム−タングステン、タン
タル−アルミニウム、拡散ケイ素或は非結晶質の
合金がある。こうした各種機能に対しては他の材
料も使用できることも明らかであるが、使用され
る各種インクにより腐食した電気メツキされるよ
うな材料は避けなければならない。例えば、水を
母体とするインクの場合、アルミニウムおよびタ
ンタル−アルミニウムは、標準として使用される
電流および抵抗率（すなわち、３〜5Ωの範囲の
抵抗値および1A程度の電流）においてこうした
問題を提起する。しかしながら、こうした２つの
材料であつても、もしインクから電気的導体と抵
抗器とを絶縁するパシベーシヨン層を使用すれ
ば、使用することができる。
おり、各抵抗器の位置は各毛細管チヤネル７７の
底部に対応している。対応せる数の電気的接続体
７２が電力を各抵抗器７３に供給するために設け
られている。抵抗器７３および電気的接続部７２
は、物理的或は化学蒸着のような標準の電子的製
作技術を使用して形成される。電気的接続部７２
に対する典型的な材料としてはクロム／金（すな
わち、接着のための薄いクロミウムの下層、導電
のためと上層）、又はアルミニウムがある。抵抗
器７３に対する適当な材料としては、標準とし
て、プラチナ、チタニウム−タングステン、タン
タル−アルミニウム、拡散ケイ素或は非結晶質の
合金がある。こうした各種機能に対しては他の材
料も使用できることも明らかであるが、使用され
る各種インクにより腐食した電気メツキされるよ
うな材料は避けなければならない。例えば、水を
母体とするインクの場合、アルミニウムおよびタ
ンタル−アルミニウムは、標準として使用される
電流および抵抗率（すなわち、３〜5Ωの範囲の
抵抗値および1A程度の電流）においてこうした
問題を提起する。しかしながら、こうした２つの
材料であつても、もしインクから電気的導体と抵
抗器とを絶縁するパシベーシヨン層を使用すれ
ば、使用することができる。
第８図はさらに他の型式によるインクジエツ
ト・プリンタのプリントヘツドの断面図であり、
エツジ・シユーター・インクジエツト・プリン
ト・ヘツドを示している。この構成において、イ
ンク内にバブルを発生するための熱エネルギは抵
抗器８３によつて与えられる。前述の型式におけ
る如く、抵抗器８３はインク・チヤネル８２のオ
リフイスから極くわずかの距離（〜約0.1mm）だ
け離れて置かれる（註：第８図の断面は抵抗器８
３を通して取られているので、そのインクチヤネ
ル・オリフイスは示されていない）。この型式に
おいて、標準としてはガラスからなる基板８１が
与えられており、基板８１はエツチングされたケ
イ素の毛細管ブロツク８９に接合される。ブロツ
ク８９はインクチヤネル８２を規定する。毛細管
ブロツク８９とインク・チヤネル８２との上に横
たわつているのは、通常では炭化ケイ素、二酸化
ケイ素、窒化ケイ素或は窒化ホウ素のような耐熱
性、非導電性、熱伝導性でしかも可撓性の材料か
ら作られた薄膜８７である。抵抗器８３は標準の
技術によつて薄膜８７上に装着され、そし抵抗器
８３への電力はその抵抗器の各側部における金属
化層８５を通して与えられる。
ト・プリンタのプリントヘツドの断面図であり、
エツジ・シユーター・インクジエツト・プリン
ト・ヘツドを示している。この構成において、イ
ンク内にバブルを発生するための熱エネルギは抵
抗器８３によつて与えられる。前述の型式におけ
る如く、抵抗器８３はインク・チヤネル８２のオ
リフイスから極くわずかの距離（〜約0.1mm）だ
け離れて置かれる（註：第８図の断面は抵抗器８
３を通して取られているので、そのインクチヤネ
ル・オリフイスは示されていない）。この型式に
おいて、標準としてはガラスからなる基板８１が
与えられており、基板８１はエツチングされたケ
イ素の毛細管ブロツク８９に接合される。ブロツ
ク８９はインクチヤネル８２を規定する。毛細管
ブロツク８９とインク・チヤネル８２との上に横
たわつているのは、通常では炭化ケイ素、二酸化
ケイ素、窒化ケイ素或は窒化ホウ素のような耐熱
性、非導電性、熱伝導性でしかも可撓性の材料か
ら作られた薄膜８７である。抵抗器８３は標準の
技術によつて薄膜８７上に装着され、そし抵抗器
８３への電力はその抵抗器の各側部における金属
化層８５を通して与えられる。
非可撓性の構造に対することの構成の利点は、
装置の寿命を改善することができることである。
又、基板８１、毛細管ブロツク８９そして薄膜８
７から成る構造は、抵抗器と金属化層を形成する
以前に本質的に完成されるので、その構成技術が
簡単化される。更に、前の型式におけるように、
この構造は複合チヤネル装置及び大量生産技術に
容易に適用される。可撓性の薄膜上に抵抗器を形
成する技術については当業者にとつて種々の変形
が考えられる。例えば、材料についての適切な選
択により、分離構造としての可撓性の薄膜は、そ
れ自体可撓性で且つ自己支持性である抵抗器を与
えることによつて全面的に排除できる。
装置の寿命を改善することができることである。
又、基板８１、毛細管ブロツク８９そして薄膜８
７から成る構造は、抵抗器と金属化層を形成する
以前に本質的に完成されるので、その構成技術が
簡単化される。更に、前の型式におけるように、
この構造は複合チヤネル装置及び大量生産技術に
容易に適用される。可撓性の薄膜上に抵抗器を形
成する技術については当業者にとつて種々の変形
が考えられる。例えば、材料についての適切な選
択により、分離構造としての可撓性の薄膜は、そ
れ自体可撓性で且つ自己支持性である抵抗器を与
えることによつて全面的に排除できる。
第９Ａ図はさらに他の型式によるインクジエツ
ト・プリンタのプリントヘツドの分解斜視図、第
９Ｂ図は組立後の斜視図である。両図に示された
構造は所謂“サイド・シユーター（Side−
shooter）”装置と呼ばれている熱インクジエツ
ト・プリント・ヘツドの別な構成である。基板９
１は標準としてガラス又は他の不活性で、堅固
で、熱的に絶縁性の材料から構成される。抵抗器
９３への電気的接続は、第７Ａおよび第７Ｂ図に
示されている構造の場合と同様に２つの導体９２
にて与えられる。２つのプラスチツク・スペーサ
９４はふた９５と基板９１の分離を維持するため
に使用されており、それによつてインクを抵抗器
へと流すための毛細管チヤネル９６が形成され
る。しかしながら、多くの他の技術も適当な空間
を与えるために利用し得ることは明らかである。
例えば、プラスチツクに代つて、かかるチヤネル
を与えるのにガラス基板９１それ自体をエツチン
グ形成しても良い。
ト・プリンタのプリントヘツドの分解斜視図、第
９Ｂ図は組立後の斜視図である。両図に示された
構造は所謂“サイド・シユーター（Side−
shooter）”装置と呼ばれている熱インクジエツ
ト・プリント・ヘツドの別な構成である。基板９
１は標準としてガラス又は他の不活性で、堅固
で、熱的に絶縁性の材料から構成される。抵抗器
９３への電気的接続は、第７Ａおよび第７Ｂ図に
示されている構造の場合と同様に２つの導体９２
にて与えられる。２つのプラスチツク・スペーサ
９４はふた９５と基板９１の分離を維持するため
に使用されており、それによつてインクを抵抗器
へと流すための毛細管チヤネル９６が形成され
る。しかしながら、多くの他の技術も適当な空間
を与えるために利用し得ることは明らかである。
例えば、プラスチツクに代つて、かかるチヤネル
を与えるのにガラス基板９１それ自体をエツチン
グ形成しても良い。
この型式におけるふた９５は、インクジエツト
に対するオリフイス９７として作用するテーパー
付孔をエツチングするための好都合な結晶構造を
与えるケイ素から構成されている。オリフイス９
７は抵抗器９３に対向配置される。このオリフイ
ス９７は例えば米国特許第4007464中に示されて
いる技術を用いて作られる。オリフイス９７は、
標準として、約0.1mm程度である。サイドシユー
ター・インク・ジエツトのふた９５に対しては多
くの他の材料も使用できる。例えば、各抵抗器に
対向する部分に孔を有する金属層やプラスチツク
さえ使用することができる。
に対するオリフイス９７として作用するテーパー
付孔をエツチングするための好都合な結晶構造を
与えるケイ素から構成されている。オリフイス９
７は抵抗器９３に対向配置される。このオリフイ
ス９７は例えば米国特許第4007464中に示されて
いる技術を用いて作られる。オリフイス９７は、
標準として、約0.1mm程度である。サイドシユー
ター・インク・ジエツトのふた９５に対しては多
くの他の材料も使用できる。例えば、各抵抗器に
対向する部分に孔を有する金属層やプラスチツク
さえ使用することができる。
第１０Ａ図はさらに他の型式によるインクジエ
ツト・プリンタのプリントヘツドの一部断面斜視
図、第１０Ｂ図は第１０Ａ図に示したプリントヘ
ツドの基板の平面図である。この型式はマルチジ
エツトをもつサイドシユーター装置である。基板
１０１はガラスであり、この上にインク１０２を
保持するための２個のガラススペーサ１０４が置
かれる。ケイ素ふた１０５は孔１０７に孔によつ
て代表される如き一連のエツチングされたテーパ
ー付孔を持つて与えられる。各孔はトラフ１０８
の内部に形成される。よつてより厚いふたを用い
ることができ、厚いふたは、複合ジエツトにおけ
るより大きなプリント・ヘツドを支持できるより
良い構造上の安定性を与えることができる。エレ
メント１０９は、インクの連続供給が抵抗器／オ
リフイス・システムに対して可能になるように遠
隔のインク貯蔵部（示されていない）に接続され
ている充填チユーブである。
ツト・プリンタのプリントヘツドの一部断面斜視
図、第１０Ｂ図は第１０Ａ図に示したプリントヘ
ツドの基板の平面図である。この型式はマルチジ
エツトをもつサイドシユーター装置である。基板
１０１はガラスであり、この上にインク１０２を
保持するための２個のガラススペーサ１０４が置
かれる。ケイ素ふた１０５は孔１０７に孔によつ
て代表される如き一連のエツチングされたテーパ
ー付孔を持つて与えられる。各孔はトラフ１０８
の内部に形成される。よつてより厚いふたを用い
ることができ、厚いふたは、複合ジエツトにおけ
るより大きなプリント・ヘツドを支持できるより
良い構造上の安定性を与えることができる。エレ
メント１０９は、インクの連続供給が抵抗器／オ
リフイス・システムに対して可能になるように遠
隔のインク貯蔵部（示されていない）に接続され
ている充填チユーブである。
第１０Ｂ図において、第２の抵抗器１０６もま
た第１０Ａ図のトラフ１０８に沿つて横たわつて
示されている。抵抗器１０３および１０６への電
力は２つの独立せる電気的接続部１１０および１
１１と、共通の接地１１２とによつて供給され
る。抵抗器１０６が通電されたときにインクがオ
リフイス１０７から吐出されるのを防止するため
に、抵抗器１０６と１０３との間に障壁１１３が
形成されている。如上の構成において、障壁１３
１は、ガラス、ケイ素、光重合体、ガラス・ビー
ド充填エポキシ、または無電解メツキによる金属
により構成され、基板又はふたの内面に形成され
る。もしも金属ふたが使用されるとすると、別な
方法がその障壁を与えるのに利用できる。例え
ば、障壁は金属ふたの内面上へ直かに金属メツキ
して構成しても良い。
た第１０Ａ図のトラフ１０８に沿つて横たわつて
示されている。抵抗器１０３および１０６への電
力は２つの独立せる電気的接続部１１０および１
１１と、共通の接地１１２とによつて供給され
る。抵抗器１０６が通電されたときにインクがオ
リフイス１０７から吐出されるのを防止するため
に、抵抗器１０６と１０３との間に障壁１１３が
形成されている。如上の構成において、障壁１３
１は、ガラス、ケイ素、光重合体、ガラス・ビー
ド充填エポキシ、または無電解メツキによる金属
により構成され、基板又はふたの内面に形成され
る。もしも金属ふたが使用されるとすると、別な
方法がその障壁を与えるのに利用できる。例え
ば、障壁は金属ふたの内面上へ直かに金属メツキ
して構成しても良い。
第１１図は本発明の一実施例によるインクジエ
ツト・プリントのプリントヘツドの一部断面斜視
図であり、第８図に示した薄膜と外付抵抗器とが
組み込まれている。そしてこの実施例の詳細は基
板が炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又は
窒化ホウ素から成る薄膜１２０と基板１２１とに
よつて置き換えられていることを除いて、第１０
図のものと同じである。抵抗器１２３は、薄膜１
２０上でしかもインクの外側に配置される。前述
の型式における如く、抵抗器１２３に対する電気
的接続は２つの導体１２２によつて与えられる。
基板１２１は構造的安定化のために比較的厚く、
通常では食刻ガラス又は食刻ケイ素で作られる。
そして一方、基板１２１には、構造的安定性を維
持しながらインクへの熱の供給や、薄膜１２０の
撓曲を可能にするため、くぼみ部分を持つてい
る。そしてこの特徴を維持すべくこの薄膜上に抵
抗器１２３が配置されている。また蓋にはトラフ
が形成され、このトラフの内部にテーパー付孔が
形成される。よつて厚い蓋を用いることができ、
厚い蓋は、複合ジエツトにおけるより大きなプリ
ント・ヘツドを支持できるより良い構造上の安定
性を与えることができる。
ツト・プリントのプリントヘツドの一部断面斜視
図であり、第８図に示した薄膜と外付抵抗器とが
組み込まれている。そしてこの実施例の詳細は基
板が炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素又は
窒化ホウ素から成る薄膜１２０と基板１２１とに
よつて置き換えられていることを除いて、第１０
図のものと同じである。抵抗器１２３は、薄膜１
２０上でしかもインクの外側に配置される。前述
の型式における如く、抵抗器１２３に対する電気
的接続は２つの導体１２２によつて与えられる。
基板１２１は構造的安定化のために比較的厚く、
通常では食刻ガラス又は食刻ケイ素で作られる。
そして一方、基板１２１には、構造的安定性を維
持しながらインクへの熱の供給や、薄膜１２０の
撓曲を可能にするため、くぼみ部分を持つてい
る。そしてこの特徴を維持すべくこの薄膜上に抵
抗器１２３が配置されている。また蓋にはトラフ
が形成され、このトラフの内部にテーパー付孔が
形成される。よつて厚い蓋を用いることができ、
厚い蓋は、複合ジエツトにおけるより大きなプリ
ント・ヘツドを支持できるより良い構造上の安定
性を与えることができる。
応用における特定な性質および必要性に依存し
て各種の材料で構成され且つ多くの異なる幾何学
的構造を持つ多くの他の実施例が可能である。例
えば、或る限度内でしかも使用されるインクに依
存して、液滴の寸法を大きくするためにオリフイ
スの寸法を大きくしたり、或は液滴の寸法を小さ
くするためにオリフイスを小さくしたりすること
ができる。同様にして、インク液滴の吐出に対す
る最大周波数は基板の緩和時間とインクの再充填
時間とに依存する。インクを電気的特性により異
なる幾何学的構造が必要な場合もある。例えば、
もしも高導電性のインクのためにそのインクを通
して流れる電流が問題となるならば、パシベーシ
ヨン層をその抵抗器自体の上部およびその導体上
に置いて、通電を回避させるようにしても良い。
て各種の材料で構成され且つ多くの異なる幾何学
的構造を持つ多くの他の実施例が可能である。例
えば、或る限度内でしかも使用されるインクに依
存して、液滴の寸法を大きくするためにオリフイ
スの寸法を大きくしたり、或は液滴の寸法を小さ
くするためにオリフイスを小さくしたりすること
ができる。同様にして、インク液滴の吐出に対す
る最大周波数は基板の緩和時間とインクの再充填
時間とに依存する。インクを電気的特性により異
なる幾何学的構造が必要な場合もある。例えば、
もしも高導電性のインクのためにそのインクを通
して流れる電流が問題となるならば、パシベーシ
ヨン層をその抵抗器自体の上部およびその導体上
に置いて、通電を回避させるようにしても良い。
第１図はある型式によるインクジエツトプリン
タのプリントヘツドの分解斜視図、第２図は第１
図に示したプリントヘツドの組立後の全体斜視
図、第３図は第２図に示したプリントヘツドの断
面図、第４図はプリント動作の１サイクル中にお
けるインク液滴の発生過程を示した図、第５，６
図はバブル形成に使用する電気パルスの波形図、
第７Ａ図は他の型式によるインクジエツト・プリ
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第７Ｂ図は
第７Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜視
図、第８図はさらに他の型式によるインクジエツ
ト・プリンタのプリントヘツドの断面図、第９Ａ
図はさらに他の型式によるインクジエツト・プリ
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第９Ｂ図は
第９Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜視
図、第１０Ａ図はさらに他の型式によるインクジ
エツト・プリンタのプリントヘツドの一部断面斜
視図、第１０Ｂ図の第１０Ａ図に示したプリント
ヘツドの基板の平面図、第１１図は本発明の一実
施例によるインクジエツト・プリンタのプリント
ヘツドの一部断面斜視図である。 １１：基板、１３：薄膜金属化層、１４：非導
電ストリツプ、１５：毛細管ブロツク、１６：抵
抗器、１７：毛細管チヤネル、１９：インク貯蔵
部、２３，２５：電極、２１：インク、７１：基
板、７２：電気的接続部、７３：抵抗器、７５：
毛細管ブロツク、７７：毛細管チヤネル、８１：
基板、８２：チヤネル、８３：抵抗器、８５：金
属化層、８７：薄膜、９１：基板、９２：導体、
９３：抵抗器、９４：スペーサ、９５：ふた、９
７：オリフイス、１１２：共通接地、１０１：基
板、１０２：インク、１０３：抵抗器、１０４：
スペーサ、１０８：トラフ、１２０：薄膜、１２
１：導体、１２３：抵抗器。
タのプリントヘツドの分解斜視図、第２図は第１
図に示したプリントヘツドの組立後の全体斜視
図、第３図は第２図に示したプリントヘツドの断
面図、第４図はプリント動作の１サイクル中にお
けるインク液滴の発生過程を示した図、第５，６
図はバブル形成に使用する電気パルスの波形図、
第７Ａ図は他の型式によるインクジエツト・プリ
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第７Ｂ図は
第７Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜視
図、第８図はさらに他の型式によるインクジエツ
ト・プリンタのプリントヘツドの断面図、第９Ａ
図はさらに他の型式によるインクジエツト・プリ
ンタのプリントヘツドの分解斜視図、第９Ｂ図は
第９Ａ図に示したプリントヘツドの組立後の斜視
図、第１０Ａ図はさらに他の型式によるインクジ
エツト・プリンタのプリントヘツドの一部断面斜
視図、第１０Ｂ図の第１０Ａ図に示したプリント
ヘツドの基板の平面図、第１１図は本発明の一実
施例によるインクジエツト・プリンタのプリント
ヘツドの一部断面斜視図である。 １１：基板、１３：薄膜金属化層、１４：非導
電ストリツプ、１５：毛細管ブロツク、１６：抵
抗器、１７：毛細管チヤネル、１９：インク貯蔵
部、２３，２５：電極、２１：インク、７１：基
板、７２：電気的接続部、７３：抵抗器、７５：
毛細管ブロツク、７７：毛細管チヤネル、８１：
基板、８２：チヤネル、８３：抵抗器、８５：金
属化層、８７：薄膜、９１：基板、９２：導体、
９３：抵抗器、９４：スペーサ、９５：ふた、９
７：オリフイス、１１２：共通接地、１０１：基
板、１０２：インク、１０３：抵抗器、１０４：
スペーサ、１０８：トラフ、１２０：薄膜、１２
１：導体、１２３：抵抗器。
Claims (1)
- １ くぼみ部分によつて形成された開口部を有す
る基板と、前記開口部を含む前記基板の表面に配
置された非導電性、熱伝導性且つ可撓性の薄膜
と、前記開口部の一部分で前記薄膜上に配置され
た抵抗発熱体と、溝部を有し該溝部の底部に、上
部から下部に向つて広がるテーパー付孔部を持つ
蓋と、前記薄膜と前記蓋とを前記孔部の大きな方
の開口部が前記抵抗発熱体と対向する位置に結合
すると共に、前記蓋と前記薄膜との間にインクチ
ヤネルを規定する結合手段と、前記くぼみ部分の
表面を含み前記基板の前記表面の反対側の表面上
に形成された前記抵抗発熱体用電極とより成るイ
ンクジエツト・プリンタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29284181A | 1981-08-14 | 1981-08-14 | |
| US292841 | 1981-08-14 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139667A Division JPS5836465A (ja) | 1981-08-14 | 1982-08-11 | インクジエツト・プリンタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142655A JPS62142655A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0443515B2 true JPH0443515B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=23126433
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139667A Pending JPS5836465A (ja) | 1981-08-14 | 1982-08-11 | インクジエツト・プリンタ |
| JP61256342A Granted JPS62142655A (ja) | 1981-08-14 | 1986-10-28 | インクジェット・プリンタ |
| JP1988133998U Expired JPH0225629Y2 (ja) | 1981-08-14 | 1988-10-13 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139667A Pending JPS5836465A (ja) | 1981-08-14 | 1982-08-11 | インクジエツト・プリンタ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988133998U Expired JPH0225629Y2 (ja) | 1981-08-14 | 1988-10-13 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JPS5836465A (ja) |
| DE (1) | DE3228887A1 (ja) |
| GB (1) | GB2106039A (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996971A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Canon Inc | 液体噴射記録装置 |
| JPS59165662A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジエツト噴射装置 |
| JPH062414B2 (ja) * | 1983-04-19 | 1994-01-12 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド |
| JPS59194860A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-05 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
| JPS59194867A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | Canon Inc | ヘッドの製造方法 |
| JPH062415B2 (ja) * | 1983-04-20 | 1994-01-12 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドの製造方法 |
| US4502060A (en) * | 1983-05-02 | 1985-02-26 | Hewlett-Packard Company | Barriers for thermal ink jet printers |
| US4500895A (en) * | 1983-05-02 | 1985-02-19 | Hewlett-Packard Company | Disposable ink jet head |
| US4513298A (en) * | 1983-05-25 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead |
| JPS60191341U (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-18 | 沖電気工業株式会社 | インクバブルジエツトヘツド |
| JPH064325B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1994-01-19 | キヤノン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
| US4881318A (en) * | 1984-06-11 | 1989-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a liquid jet recording head |
| IT1185799B (it) * | 1985-06-10 | 1987-11-18 | Olivetti & Co Spa | Dispositivo di pilotaggio per un elemento di stampa a getto selettivo d inchiostro |
| EP0367303A1 (en) * | 1986-04-28 | 1990-05-09 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead |
| EP0354982A1 (en) * | 1988-06-14 | 1990-02-21 | Hewlett-Packard Company | A process for producing successive droplets of ink of different sizes |
| US5451251A (en) * | 1993-02-26 | 1995-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, and ink-jet recording method and instrument using the same |
| JP3957851B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 液体吐出方法 |
| DE19938239B4 (de) * | 1999-08-12 | 2004-11-25 | Hirschmann, Karl-Heinz, Prof.Dr. | Mikropumpe zum Fördern, Dosieren und Plazieren von Flüssigkeiten |
| KR100707211B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 합성 제트 액츄에이터 |
| WO2008043122A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Mems bubble generator for large stable vapor bubbles |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451837A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Ricoh Co Ltd | Ink jet head device |
| CA1127227A (en) * | 1977-10-03 | 1982-07-06 | Ichiro Endo | Liquid jet recording process and apparatus therefor |
| JPS5567493A (en) * | 1978-11-14 | 1980-05-21 | Canon Inc | Recording method |
| US4330787A (en) * | 1978-10-31 | 1982-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
| JPS5590376A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-08 | Canon Inc | Multicolor liquid jet device |
| JPS5581172A (en) * | 1978-12-14 | 1980-06-18 | Canon Inc | Liquid injection type recording method and device |
| JPS5587571A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-02 | Canon Inc | Recording head by discharging recording medium liquid |
| FR2448979B1 (fr) * | 1979-02-16 | 1986-05-23 | Havas Machines | Dispositif destine a deposer sur un support des gouttes d'encre |
| JPS55126460A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-30 | Canon Inc | Recording method |
| JPS5931941B2 (ja) * | 1979-03-27 | 1984-08-06 | キヤノン株式会社 | 液滴噴射記録装置 |
| US4463359A (en) * | 1979-04-02 | 1984-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Droplet generating method and apparatus thereof |
| JPS609907B2 (ja) * | 1979-04-02 | 1985-03-13 | キヤノン株式会社 | マルチオリフイス液体噴射記録ヘツド |
| JPS609906B2 (ja) * | 1979-04-02 | 1985-03-13 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録装置のメニスカス破壊防止方法 |
| JPH0234787B2 (ja) * | 1979-04-02 | 1990-08-06 | Canon Kk | Kirokuhetsudo |
-
1982
- 1982-06-18 GB GB08217720A patent/GB2106039A/en not_active Withdrawn
- 1982-08-03 DE DE19823228887 patent/DE3228887A1/de not_active Ceased
- 1982-08-11 JP JP57139667A patent/JPS5836465A/ja active Pending
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61256342A patent/JPS62142655A/ja active Granted
-
1988
- 1988-10-13 JP JP1988133998U patent/JPH0225629Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01132727U (ja) | 1989-09-08 |
| JPS5836465A (ja) | 1983-03-03 |
| DE3228887A1 (de) | 1983-02-24 |
| JPS62142655A (ja) | 1987-06-26 |
| GB2106039A (en) | 1983-04-07 |
| JPH0225629Y2 (ja) | 1990-07-13 |
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