JPH0443625A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分對］ この発明は半導体装置の製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来より、半導体装置（例えばＩＣ）の製造工程中に、
半導体ウェハーとマスクとの位置合せをする工程がある
。通常は、マスク合せの回数分だけ半導体ウェハーの左
右に位置合せ用ウェハーマーり対を形成しているもので
ある。そｌ、て上記位置合せは、位置合せ用ウェハーマ
ークにマスクマークを合せ、光学的方法などによりマー
ク間のずれをＳｊ定し、すれに基づいてマスク間の相対
位置を動かして、すれ量がある値より小さくなったら、
位置合せが終了する。この位置合せを第４図を参照して
説明する。

半導体ウェハーに一対の正方形状の位置合せ用ウェハー
マークＷＩＷ１ａを第４図（Ａ）左右に所定距離Ωたけ
離して配置すると共に、同様に複数対の位置合せ用ウェ
ハーマークＷ２．Ｗ２ａ。

Ｗ３．Ｗ３ａを配置し、位置合せ用ウェハ−マーク対間
は鉗Ｍｍたけ間隔をあけである。

マスク合せは次の方法で行われる。

ます、第４図（Ａ）に示すようにマスクマークＭｌ、Ｍ
ｌａを位置合せ用ウェハーマークＷ１とウェハーマーク
Ｗｌａ上に位置合せし、光学的方法などで両マークの横
方向の位置ずれｄＬｌ、ｄＬ２　、ｄＲｌ　、ｄＲ２を
測定し、この値が共にある規格値以下になるようにウェ
ハーマークとマスクマークとの相対的位置を変えて合せ
を行う。同様に、縦方向についても位置合せをする。

ついで、第４図（Ｂ）に示すようにマスクマークＭ２．
Ｍ２ａと位置合せ用ウェハーマークＷ２゜２ａとのマス
ク合せを、引続いて同図（Ｃ）示すようにマスクマーク
Ｍ３．Ｍ３ａと位置合せ用ウェハーマークＷ３，３ａと
のマスク合せをそれぞれ順次上記の方法と同様にして行
う。

［発明が解決しようとする課題］ 従来例によると、各位置合せ用ウェハーマーク対を構成
しているウェハーマークＷ１〜Ｗ３、Ｗ　１　ａ−ＷＳ
　ａ間の距離ｇが、隣り合うウェハーマーク対で等しく
設定しである。このために、位置合せに際して、第４図
（Ａ）開鎖線に示すように、誤って合せマークＭ　１　
、　Ｍ　１　ａがウェハーマー、’７Ｗ　１　、　Ｗ　
１　ａからなるウェハーマーク対に隣接するウェハーマ
ーク対のマークＷ２．Ｗ２ａに合せられた場合には、両
マークの上記位置ずれｄＬｌ、ｄＬ２、ｄＲｌ、ｄＲ２
に相当する値は当然ながら、規格値におさまり、位置合
せが正しいものと判断され、位置合せの不良を検出でき
ない不都合があった。

また第４図（Ｂ）鎖線に示すようにマスクマークＭ２　
　Ｍ２ａのうち、マスクマークＭ２が誤ってウェハーマ
ーク対の一方のウェハーマークＷ３に位置合せされた場
合も、上記の場合と同様な不都合がある。

この発明の目的は簡単な方法で正しいマスク合せかでき
て、不良な半導体装置を製造しないようにすることにあ
る。

［課題を解決するための手段］ この発明における半導体装置の製造方法において、半導
体ウェハーに形成された複数の位置合せ用ウェハーマー
ク対の中から、各マスク合せ工程毎に一対の上記ウェハ
ーマーク対を選択して製造される半導体装置の製造方法
であって、上記各ウェハーマーク対におけるウェハーマ
ーク同志の距離を、互いに隣り合ったウェハーマーク対
では異なるように形成したものである。

［実施例］ 以下゛、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

崖導体装置の製造に際して、予め半導体ウェハーに第１
図（Ａ）に示すように左右一対の位置合せ用ウェハーマ
ークからなるウェハーマーク対１、ウェハーマーク対２
及びウェハーマーク対３を同図上下方向に配置１７であ
る。

ウェハーマーク対１は、左右に距離１！１だけ離れた正
方形状のウェハーマークｌａ、ｌｂからなるものである
。

ウェハーマーク対１に隣り合っているウェハーマーク対
２は、上記位置合せ用ウェハーマーク１ａ、ｌｂと同一
形状の位置合せ用ウェハーマーク２ａ、２ｂからなる。

左右一対の位置合せ用ウェハ−マーク２ａ、２ｂ間は、
位置合せ用ウェハーマークｌａ、ｌｂ間の距離ｇ１より
長い距離ｇ２だけ離れて配置されている。

またウェハーマーク対２に図下力で隣り合っているウェ
ハーマーク対３は、上記位置合せ用ウェハーマーク１ａ
、１ｂと同一形状の位置合せ用ウェハーマーク３ａ、３
ｂからなる。左右一対の位置合せ用ウェハ−マーク３ａ
、３ｂ間は、位置合せ用ウェハ−マーク２ａ、２ｂ間の
距Ｍｊｌ１２より長い距［３だけ離れて配置されている
。

このように予め、各ウェハーマーク対１〜３におけるウ
ェハーマーク１ａとｌｂ、２ａと２ｂ。

３ａと３ｂ同志の距離Ｄ１．Ｄ２　　Ｎ３を、隣り合う
ウェハーマーク対では互いに異って配置するようにして
おくのである。

上記のような位置関係に設定しておいてから、マスク合
せ工程に入る。

ます、第１図（Ａ）に示すように正方形状のマスクマー
ク４ａ、４ｂをウェハーマーク対１の位置合せ用ウェハ
ーマークｌａ、ｌｂに合せて、ついて同図（Ｂ）に示す
ようにマスクマーク５ａ。

５ｂをウェハーマーク対２の位置合せ用ウェハーマーク
２ａ、２ｂに合せ、さらに同図（Ｃ）に示すようにマス
クマーク６ａ、６ｂをウェハーマーク対３の位置合せ用
ウェハーマーク３ａ、３ｂに順次台せて行く。

この工程中に、もし誤ってマスクマーク４ａ。

４ｂが正規の合せ位置であるウェハーマークｌａ。

１ｂではなくて、例えば第２図に示すようにウェハーマ
ーク２ａ、２ｂに合された場合は、ずれ量ｄｉ、ｄ２、
ｄａ、ｄ４　　（第１図）が規格値におさまらないから
、マスク合せができず、位置合せ不良を検出できる。

検出後、マスクマーク４ａ、４ｂを正規の位置に合せる
。

このように正確にマークの位置合せをしてがら、半導体
装置の製造を行う。

上例において、ウェハーマーク対１〜３ヲ、３対形成し
たが、２対でも４対以上であってもよい。

そしてウェハーマーク１　ａ　、１　ｂ　ｓ　２　ａ　
、　　２　ｂ　。

３ａ、３ｂの形状は必ずしも正方形状に限定されない。

また上例では、ウェハーマーク対１〜３におけるウェハ
ーマークｌａ、ｌｂ、２ａ、２ｂ、３ａ。

３ｂ間の距離Ｎ１．Ｎ２．　ｇ３をそれぞれ異なったも
のとしているが、少なくとも隣り合うウェハーマーク対
間のウェハーマーク同志の距離が相違していればよい。

例えば第３図に示すように第１番目と第３番目すなわち
奇数番目のウェハーマーク対１１．１３間のウェハーマ
ークｌｌａ、ｌｌｂ、１３ａ、１３ｂ同志ではその距離
＆！　１１を等しくし、偶数番目のウェハーマーク対１
２．１４間のウェハ−マーク１２ａ、１２ｂ、１４ａ、
１４ｂ同志ではその距離Ｎ　１２を等しくし、距離Ｎ　
１１と距離Ｉｌｌ　１２との長さを異らせておいてもよ
い。

［発明の効果］ この発明によれば、隣り合うウェハーマーク対間では、
各対を構成している位置合せ用ウェハーマーク同志の距
離を異にするように形成しているので、誤ったマスクマ
ークの位置合せを簡単に検知することができ、不良な半
導体装置の製造を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図はこの発明に係り、 第１図（Ａ）〜（Ｃ）はマスク合せ工程を段階的に示す
甲面図、 第２図はマスクマークを誤ってセットした状態を示す平
面図、 第３図は他の例を示す平面図、 第４図は従来例におけるマスク合せ工程を段階的に示す
平面図である。 以　　上 １〜３・・ウェハーマーク対、 ｌａ、ｌｂ、２ａ、２ｂｓ　３ａ、３ｂ位置合せ用ウェ
ハーマーク、 １１〜１４・ウェハーマーク対、 １１ａ、ｌｌｂ、１２ａ、１２ｂ、１３ａ１３ｂ、１４
ａ、１４ｂ ・・位置合せ用ウェハーマーク 以　　上 出願人　　株式会社　精　工　舎 日本プレシジョン・ サーキッツ株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　半導体ウェハーに形成された複数の位置合せ用ウェハ
   ーマーク対の中から、各マスク合せ工程毎に一対の上記
   ウェハーマーク対を選択して製造される半導体装置の製
   造方法において、 上記各ウェハーマーク対におけるウェハーマーク同志の
   距離を、互いに隣り合ったウェハーマーク対では異なる
   ように形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法
   。