JPH0444003A - 光ピックアップの光学装置 - Google Patents
光ピックアップの光学装置Info
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- JPH0444003A JPH0444003A JP2153732A JP15373290A JPH0444003A JP H0444003 A JPH0444003 A JP H0444003A JP 2153732 A JP2153732 A JP 2153732A JP 15373290 A JP15373290 A JP 15373290A JP H0444003 A JPH0444003 A JP H0444003A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- optical
- reflected
- polarizing film
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- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 33
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスク装置などに使用される光ピッ
クアップに係り、特に検知光が発光素子へ戻ることによ
るバックトークノイズなどが生じるのを防止した光学装
置に関する。
クアップに係り、特に検知光が発光素子へ戻ることによ
るバックトークノイズなどが生じるのを防止した光学装
置に関する。
[従来の技術]
第4図は、従来の光磁気ディスク装置用の光ピックアッ
プの光学装置を示している。
プの光学装置を示している。
半導体レーザ1から出力されたレーザ光は、コリメート
レンズ2により平行光束となりキュービッククイブのビ
ームスプリッタ3を透過して対物レンズ4によりディス
ク5の記録面に集光され、微小スポットが形成される。
レンズ2により平行光束となりキュービッククイブのビ
ームスプリッタ3を透過して対物レンズ4によりディス
ク5の記録面に集光され、微小スポットが形成される。
この従来例では、半導体レーザ1から出力されたレーザ
光がビームスプリッタ3を透過するように構成されてい
るため、半導体レーザ1から発せられる直線偏光波がP
偏光波として使用されている。P偏光波として使用する
場合には、ビームスプリッタ3の偏光膜3aにより、約
80%が透過光で約20%が反射光となる。ディスク5
の記録面から反射された戻り光は、ビームスプリッタ3
の偏光膜3aにより反射され、つオラストンプリズム6
を透過し、集光レンズ7にて集光され、シリンドリカル
レンズ8を経てビンホトグイオード9にて受光される。
光がビームスプリッタ3を透過するように構成されてい
るため、半導体レーザ1から発せられる直線偏光波がP
偏光波として使用されている。P偏光波として使用する
場合には、ビームスプリッタ3の偏光膜3aにより、約
80%が透過光で約20%が反射光となる。ディスク5
の記録面から反射された戻り光は、ビームスプリッタ3
の偏光膜3aにより反射され、つオラストンプリズム6
を透過し、集光レンズ7にて集光され、シリンドリカル
レンズ8を経てビンホトグイオード9にて受光される。
上記つオラストンプリズム6により、ディスク5からの
戻り光がP偏光波L+、S偏光波L2ならびに洩れ光L
3とに分けられ、この洩れ光L3によりフォーカスなど
のエラー信号が得られる。
戻り光がP偏光波L+、S偏光波L2ならびに洩れ光L
3とに分けられ、この洩れ光L3によりフォーカスなど
のエラー信号が得られる。
第5図は、上記従来例において、コリメートレンズ2と
ビームスプリッタ3とを拡大して示している。キュービ
ックタイプのビームスプリッタ3は、光軸に対して直角
または平行な向きとなる面(イ)(ロ)(ハ)(ニ)を
有しているため、この面における光の反射が問題になる
。すなわち、半導体レーザlから出力されたレーザ光の
部は、(イ)面にて半導体レーザ1の方向へ反射される
。また他の光は偏光膜3aを透過し、(ハ)面にて反射
されてその一部が(イ)面を透過して半導体レーザ1の
方向へ戻る。さらに(イ)面を透過し、偏光膜3aにて
左方向へ反射され、また(口)面にて反射され、さらに
偏光膜3aにて反射された光も半導体レーザ1の方向へ
戻る。このように半導体レーザ1側に戻る光があるため
に、半導体レーザ1に設けられたモニター用受光素子に
この戻り光が検知され、半導体レザ1の出力を制御する
APCの誤動作の原因になる。また、半導体レーザの発
光部に戻った光は、バックトークノイズの原因となる。
ビームスプリッタ3とを拡大して示している。キュービ
ックタイプのビームスプリッタ3は、光軸に対して直角
または平行な向きとなる面(イ)(ロ)(ハ)(ニ)を
有しているため、この面における光の反射が問題になる
。すなわち、半導体レーザlから出力されたレーザ光の
部は、(イ)面にて半導体レーザ1の方向へ反射される
。また他の光は偏光膜3aを透過し、(ハ)面にて反射
されてその一部が(イ)面を透過して半導体レーザ1の
方向へ戻る。さらに(イ)面を透過し、偏光膜3aにて
左方向へ反射され、また(口)面にて反射され、さらに
偏光膜3aにて反射された光も半導体レーザ1の方向へ
戻る。このように半導体レーザ1側に戻る光があるため
に、半導体レーザ1に設けられたモニター用受光素子に
この戻り光が検知され、半導体レザ1の出力を制御する
APCの誤動作の原因になる。また、半導体レーザの発
光部に戻った光は、バックトークノイズの原因となる。
また半導体レーザ1から発せられたレーザ光が、ビーム
スプリッタの各面に反射されて、直接にビンホトダイオ
ード9へ向かうため、これによりフォーカスエラー検知
などのオフセットを生しる原因になる。
スプリッタの各面に反射されて、直接にビンホトダイオ
ード9へ向かうため、これによりフォーカスエラー検知
などのオフセットを生しる原因になる。
また上記ビームスプリッタ3の各面での反射を防止する
ために、各面を光軸と垂直な面または平行な面に対して
±1°程度傾斜させることが考えられる。しかしながら
、ビームスプリッタ3の各面を微小な角度だけ傾斜させ
たものを作成するのは、非常に困難であり、量産性に劣
る。
ために、各面を光軸と垂直な面または平行な面に対して
±1°程度傾斜させることが考えられる。しかしながら
、ビームスプリッタ3の各面を微小な角度だけ傾斜させ
たものを作成するのは、非常に困難であり、量産性に劣
る。
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、発光素
子から発せられた検知光が発光素子または受光素子方向
へ直接向かうのを防止しできるようにした光ピックアッ
プの光学装置を提供することを目的としている。
子から発せられた検知光が発光素子または受光素子方向
へ直接向かうのを防止しできるようにした光ピックアッ
プの光学装置を提供することを目的としている。
本発明は、相違する光軸上に位置する発光素子ならびに
受光素子と、発光素子からの検知光をディスクの記録面
に集光させる対物レンズと、前記発光素子からの検知光
を前記対物レンズの方向へ透過させまたは反射させ且つ
ディスクからの戻り光を前記受光素子の方向へ反射させ
または透過させる光分岐素子と、が設けられている光学
装置において、前記光分岐素子は、2枚の平板状透光板
の間に偏光膜が介装されているものであることを特徴と
するものである。
受光素子と、発光素子からの検知光をディスクの記録面
に集光させる対物レンズと、前記発光素子からの検知光
を前記対物レンズの方向へ透過させまたは反射させ且つ
ディスクからの戻り光を前記受光素子の方向へ反射させ
または透過させる光分岐素子と、が設けられている光学
装置において、前記光分岐素子は、2枚の平板状透光板
の間に偏光膜が介装されているものであることを特徴と
するものである。
上記手段では、平板状に構成された光分岐素子を使用し
ているため、第5図に示す従来例のように発光素子から
発せられる光が(イ)やC口)などの面によって反射さ
れることがなく、よってバックトークノイズやオフセッ
トの問題が生じなくなる。またこの光分岐素子では、平
板状の透光板の間に偏光膜が介装されているため、発光
素子ならびに受光素子に対してほぼ45°の傾きに配置
できる。
ているため、第5図に示す従来例のように発光素子から
発せられる光が(イ)やC口)などの面によって反射さ
れることがなく、よってバックトークノイズやオフセッ
トの問題が生じなくなる。またこの光分岐素子では、平
板状の透光板の間に偏光膜が介装されているため、発光
素子ならびに受光素子に対してほぼ45°の傾きに配置
できる。
以下本発明の実施例を図面により説明する。
第1図は本発明の第1実施例による光ピックアップの光
学装置の素子構成を示す正面図である。
学装置の素子構成を示す正面図である。
第1図において、符号1は半導体レーザ、2はコリメー
トレンズ、4は対物レンズ、5はディスク、6はつオラ
ストンプリズム、7は集光レンズ、8はシリンドリカル
レンズ、9はビンホトダイオードである。
トレンズ、4は対物レンズ、5はディスク、6はつオラ
ストンプリズム、7は集光レンズ、8はシリンドリカル
レンズ、9はビンホトダイオードである。
符号10は光分岐素子である。この素子lOは平板ビー
ムスプリッタである。第2図に拡大して示すように、こ
の光分岐素子は2枚の平板ガラス11の間に偏光膜12
が挟まれて構成されているものである。2枚の平板ガラ
ス11は同じ材質により形成されているが、必ずしも厚
さ寸法t1t2は同じである必要はない。第2図に光透
過経路が示されているように、2枚の平板ガラス11に
偏光膜12が挟まれた光分岐素子では、偏光膜12を挟
む両側の層が同し屈折率である。そのためコリメート光
に対しては、半導体レーザ1ならびにビンホトダイオー
ド9の方向に延びるそれぞれの光軸LaとLbに対し4
5°の角度で配置できる。すなわち従来使用されていた
平板ビームスプリッタは、1枚の平板ガラスの表面に偏
光膜が形成されており、偏光膜を挟む両側の屈折率が相
違していたため、角度依存度が強く、45°入射が不可
能であり、60〜70°程度の入射角を設定することが
必要であった。一方上記実施例による光分岐素子lOで
は、45°の入射ならびに反射が可能になる。
ムスプリッタである。第2図に拡大して示すように、こ
の光分岐素子は2枚の平板ガラス11の間に偏光膜12
が挟まれて構成されているものである。2枚の平板ガラ
ス11は同じ材質により形成されているが、必ずしも厚
さ寸法t1t2は同じである必要はない。第2図に光透
過経路が示されているように、2枚の平板ガラス11に
偏光膜12が挟まれた光分岐素子では、偏光膜12を挟
む両側の層が同し屈折率である。そのためコリメート光
に対しては、半導体レーザ1ならびにビンホトダイオー
ド9の方向に延びるそれぞれの光軸LaとLbに対し4
5°の角度で配置できる。すなわち従来使用されていた
平板ビームスプリッタは、1枚の平板ガラスの表面に偏
光膜が形成されており、偏光膜を挟む両側の屈折率が相
違していたため、角度依存度が強く、45°入射が不可
能であり、60〜70°程度の入射角を設定することが
必要であった。一方上記実施例による光分岐素子lOで
は、45°の入射ならびに反射が可能になる。
第1図に示す実施例では、半導体レーザ1から発せられ
る光がP偏光波の向きで使用される。すなわち半導体レ
ーザlから発せられるレーザ光の偏波面の方向が子午面
と垂直な方向(第1図において紙面に沿う方向)に向け
られて使用されている。P偏光波として使用した場合、
偏光膜12に対して約80%が透過光で約20%が反射
光となる。しかしながら、この約20%の反則光は45
°に配置された平板ガラス11内を通過して半導体レー
ザ1の光軸Laと無関係な方向へ反射される。よってこ
の反射光が半導体レーザ1に戻って、バックトークノイ
ズを発するような問題は生じな(なる。よって半導体レ
ーザ1内のモニター受光素子による八PCに誤動作が生
しることはない。また半導体レーザ1から発せられたレ
ザ光がビンホトダイオード9の方向へ反射されることも
なく、フォーカスエラー信号などのオフセットの問題も
生しない。
る光がP偏光波の向きで使用される。すなわち半導体レ
ーザlから発せられるレーザ光の偏波面の方向が子午面
と垂直な方向(第1図において紙面に沿う方向)に向け
られて使用されている。P偏光波として使用した場合、
偏光膜12に対して約80%が透過光で約20%が反射
光となる。しかしながら、この約20%の反則光は45
°に配置された平板ガラス11内を通過して半導体レー
ザ1の光軸Laと無関係な方向へ反射される。よってこ
の反射光が半導体レーザ1に戻って、バックトークノイ
ズを発するような問題は生じな(なる。よって半導体レ
ーザ1内のモニター受光素子による八PCに誤動作が生
しることはない。また半導体レーザ1から発せられたレ
ザ光がビンホトダイオード9の方向へ反射されることも
なく、フォーカスエラー信号などのオフセットの問題も
生しない。
半導体レーザ1から発せられたレーザ光はコリメートレ
ンズ2により平行光束になり、光分岐素子10を透過し
、対物レンズ4に集光されてディスク5に微小スポット
が形成される。その反射光は前記偏光膜12により90
°方向へ反射される。そしてつオラストンプリズム6に
よりP偏光波り、、S偏光波L2ならびに洩れ光L3と
なってピンホトグイオード9に受光される。
ンズ2により平行光束になり、光分岐素子10を透過し
、対物レンズ4に集光されてディスク5に微小スポット
が形成される。その反射光は前記偏光膜12により90
°方向へ反射される。そしてつオラストンプリズム6に
よりP偏光波り、、S偏光波L2ならびに洩れ光L3と
なってピンホトグイオード9に受光される。
第3図は本発明の第2実施例による光学装置の構成を斜
視図により示している。
視図により示している。
この実施例においても、半導体レーザ1による発光側光
軸Laとビンホトダイオード9による受光側光軸Lbと
に対し、前記光分岐素子10が45″の角度で配置され
ている。この実施例では、半導体レーザ1から発せられ
るレーザ光がS偏光波として使用されている。すなわち
レーザ光の偏波面の方向が子午面の方向(Laを含む垂
直面方向)となっている。この場合偏光膜12では約8
0%が反射で約20%が透過光となる。
軸Laとビンホトダイオード9による受光側光軸Lbと
に対し、前記光分岐素子10が45″の角度で配置され
ている。この実施例では、半導体レーザ1から発せられ
るレーザ光がS偏光波として使用されている。すなわち
レーザ光の偏波面の方向が子午面の方向(Laを含む垂
直面方向)となっている。この場合偏光膜12では約8
0%が反射で約20%が透過光となる。
よって偏光膜12によって反射された光カ月−C方向へ
送られる。符号21はガルバノミラ−の反射板である。
送られる。符号21はガルバノミラ−の反射板である。
この反射板21による反射方向にピックアップ可動部に
保持された全反射プリズム22と対物レンズ23とが設
けられている。ピックアップの可動部はディスクの半径
方向へ移動するため、第3図にて実線と破線で図示して
いるように、プリズム22と対物レンズ23は、反射板
21の反射方向へ移動することになる。ガルバノミラ−
の反射板21は第3図のα方向へ振られ、これにより光
軸が振られてトラッキング補正が行なわれる。
保持された全反射プリズム22と対物レンズ23とが設
けられている。ピックアップの可動部はディスクの半径
方向へ移動するため、第3図にて実線と破線で図示して
いるように、プリズム22と対物レンズ23は、反射板
21の反射方向へ移動することになる。ガルバノミラ−
の反射板21は第3図のα方向へ振られ、これにより光
軸が振られてトラッキング補正が行なわれる。
第3図の実施例においても、光分岐素子10は光軸La
に対し45°に配置されているため、半導体レーザ1か
ら発せられる光が、半導体レーザlの方向へ戻されるこ
とはない。また半導体レーザ1から発せられた光が直接
にピンホトグイオド9の方向へ反射されることもない。
に対し45°に配置されているため、半導体レーザ1か
ら発せられる光が、半導体レーザlの方向へ戻されるこ
とはない。また半導体レーザ1から発せられた光が直接
にピンホトグイオド9の方向へ反射されることもない。
[効果]
以上のように本発明によれば、平板状の透光板に偏光膜
が挟まれた光分岐素子が使用されているため、この素子
を発光素子ならびに受光素子の光軸に対し斜めに配置す
れば、発光素子からの光が戻り方向に反射されてモニタ
ー受光素子に検知されたり、バックトークノイズが発生
することなどがなくなる。
が挟まれた光分岐素子が使用されているため、この素子
を発光素子ならびに受光素子の光軸に対し斜めに配置す
れば、発光素子からの光が戻り方向に反射されてモニタ
ー受光素子に検知されたり、バックトークノイズが発生
することなどがなくなる。
また偏光膜の両側が同し屈折率の平板状透光板であるた
め、この光分岐素子を発光素子と受光素子とに対し45
°にて配置でき、配置効率を良くし、配置スペースの効
率化を実現できる。
め、この光分岐素子を発光素子と受光素子とに対し45
°にて配置でき、配置効率を良くし、配置スペースの効
率化を実現できる。
第1図は本発明の第1実施例による光ピックアップの光
学装置の素子構成を示す正面図、第2図は光分岐素子の
拡大正面図、第3図は第2実施例による光ピックアップ
の素子構成を示す斜視図、第4図は従来の光ピックアッ
プの光学装置の素子構成を示す正面図、第5図は第4図
におけるビームスプリッタとコリメートレンズを示す正
面図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・コリメートレンズ、6
・・・つオラストンプリズム、7・・・集光レンズ、9
・・・ビンホトダイオード、10・・・光分岐素子、1
1・・・平板ガラス、12・・・偏光膜、23・・・対
物レンズ。
学装置の素子構成を示す正面図、第2図は光分岐素子の
拡大正面図、第3図は第2実施例による光ピックアップ
の素子構成を示す斜視図、第4図は従来の光ピックアッ
プの光学装置の素子構成を示す正面図、第5図は第4図
におけるビームスプリッタとコリメートレンズを示す正
面図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・コリメートレンズ、6
・・・つオラストンプリズム、7・・・集光レンズ、9
・・・ビンホトダイオード、10・・・光分岐素子、1
1・・・平板ガラス、12・・・偏光膜、23・・・対
物レンズ。
Claims (1)
- 1、相違する光軸上に位置する発光素子ならびに受光素
子と、発光素子からの検知光をディスクの記録面に集光
させる対物レンズと、前記発光素子からの検知光を前記
対物レンズの方向へ透過させまたは反射させ且つディス
クからの戻り光を前記受光素子の方向へ反射させまたは
透過させる光分岐素子と、が設けられている光学装置に
おいて、前記光分岐素子は、2枚の平板状透光板の間に
偏光膜が介装されているものであることを特徴とする光
ピックアップの光学装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153732A JPH0444003A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光ピックアップの光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153732A JPH0444003A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光ピックアップの光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444003A true JPH0444003A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15568888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153732A Pending JPH0444003A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光ピックアップの光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444003A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595913A (en) * | 1979-01-13 | 1980-07-21 | Pioneer Video Corp | Polarizing beam splitter |
| JPS61126504A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Ricoh Co Ltd | 偏光素子 |
| JPS61185302A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-08-19 | グレン、サンドクウイスト | 水加熱蒸留装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2153732A patent/JPH0444003A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595913A (en) * | 1979-01-13 | 1980-07-21 | Pioneer Video Corp | Polarizing beam splitter |
| JPS61126504A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Ricoh Co Ltd | 偏光素子 |
| JPS61185302A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-08-19 | グレン、サンドクウイスト | 水加熱蒸留装置 |
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