JPH0444008A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0444008A JPH0444008A JP2153652A JP15365290A JPH0444008A JP H0444008 A JPH0444008 A JP H0444008A JP 2153652 A JP2153652 A JP 2153652A JP 15365290 A JP15365290 A JP 15365290A JP H0444008 A JPH0444008 A JP H0444008A
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- Japan
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- transparent
- liquid crystal
- material layer
- organic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明４１ 液晶表示装置に用いられる液晶素子の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来の技術
液晶表示装置で（よ 表示コントラストを高めるため番
ミ その液晶素子に用いられる基板の透明電極の間隙
部にブラックストライプが設けられる。
ミ その液晶素子に用いられる基板の透明電極の間隙
部にブラックストライプが設けられる。
以下図面を参照しながら従来の液晶素子の製造方法にお
けるブラックストライプの形成方法の一例について説明
する。
けるブラックストライプの形成方法の一例について説明
する。
第３図（よ 従来の液晶素子の製造方法における透明電
極及びブラックストライプの形成方法を示す断面図であ
る。
極及びブラックストライプの形成方法を示す断面図であ
る。
第３図（Ａ）に示すように 透明基体２１上に透明導電
膜２２を設ける。次にフォトレジストを塗布して、透明
電極用フォトマスク２４を用いてその露光 現像を行し
＼ 第３図（Ｂ）に示すように所定のパターンのレジス
ト２３を形成する。
膜２２を設ける。次にフォトレジストを塗布して、透明
電極用フォトマスク２４を用いてその露光 現像を行し
＼ 第３図（Ｂ）に示すように所定のパターンのレジス
ト２３を形成する。
次に第３図（Ｃ）に示すように レジスト２３の間隙部
の透明導電膜を塩酸などによりエツチング除去し 第３
図（Ｄ）に示すようにレジスト２３を除去することによ
り、所定のパターンの透明電極２５を形成する。
の透明導電膜を塩酸などによりエツチング除去し 第３
図（Ｄ）に示すようにレジスト２３を除去することによ
り、所定のパターンの透明電極２５を形成する。
次に第３図（Ｅ）に示すように染色性感光性樹脂２６を
透明基体２１上に塗布する。
透明基体２１上に塗布する。
次に第３図（Ｆ）に示すように ブラックストライプ用
フォトマスク２７を用いて前記染色性感光性樹脂２６を
露光し 現像することによって所定のストライプパター
ンの染色性感光性樹脂２６を形成する。
フォトマスク２７を用いて前記染色性感光性樹脂２６を
露光し 現像することによって所定のストライプパター
ンの染色性感光性樹脂２６を形成する。
次に第３図（Ｇ）に示すようへ 所定のストライプパタ
ーンの前記染色性感光性樹脂２６を染料分散液等で染色
することによりブラックストライプ２８を形成していｋ また印刷などの手段によって直接、透明基体上に形成す
る手段も用いられていた 発明が解決しようとする課題 しかしながら染色法で（よ ブラックストライプの寸法
精度は出せる力（工程が煩雑となり、コストも高くなる
。一方印刷法は低コストである力丈寸法精度が低いとい
う課題があった 本発明は上記課題に鑑へ 少ない工程数で寸法精度の高
いブラックストライプを形成できる液晶素子の製造方法
を提供するものである。
ーンの前記染色性感光性樹脂２６を染料分散液等で染色
することによりブラックストライプ２８を形成していｋ また印刷などの手段によって直接、透明基体上に形成す
る手段も用いられていた 発明が解決しようとする課題 しかしながら染色法で（よ ブラックストライプの寸法
精度は出せる力（工程が煩雑となり、コストも高くなる
。一方印刷法は低コストである力丈寸法精度が低いとい
う課題があった 本発明は上記課題に鑑へ 少ない工程数で寸法精度の高
いブラックストライプを形成できる液晶素子の製造方法
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の液晶素子の製造方法
で（よ 透明基体上に有機物層を設け、前記有機物層上
に透明電極をパターン形成Ｌ プラズマ処理により前記
透明電極パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し 次
に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除去す
ることにより、前記四部にブラックストライプを形成す
る。
で（よ 透明基体上に有機物層を設け、前記有機物層上
に透明電極をパターン形成Ｌ プラズマ処理により前記
透明電極パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し 次
に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除去す
ることにより、前記四部にブラックストライプを形成す
る。
プラズマ処理に使用する気体としては 酸秦窒秦 アル
ゴン等が上げられる力（透明電極に損傷を与えず有機物
層を除去するにＣ訳 酸素を使用することが望ましい
。
ゴン等が上げられる力（透明電極に損傷を与えず有機物
層を除去するにＣ訳 酸素を使用することが望ましい
。
作用
透明基体上に有機物層を設け、前記有機物層上に透明電
極をパターン形成し プラズマ処理により前記透明電極
パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し 次に黒色塗
料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除去することに
より、前記凹部にブラックストライプを形成するた敢
ブラックストライプ形成のためのフォトリソ工程を必要
とせず、工程数が少なくなり、かつ透明電極との位置合
わぜが不要で寸法精度の高いブラックストライプが形成
される。
極をパターン形成し プラズマ処理により前記透明電極
パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し 次に黒色塗
料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除去することに
より、前記凹部にブラックストライプを形成するた敢
ブラックストライプ形成のためのフォトリソ工程を必要
とせず、工程数が少なくなり、かつ透明電極との位置合
わぜが不要で寸法精度の高いブラックストライプが形成
される。
実施例
以下本発明の一実施例の液晶素子の製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の液晶素子の製造方法の第１の実施例を
示す工程説明図である。
示す工程説明図である。
まず第１図（Ａ）に示すように 透明基体ｌに有機物層
２を形成する。本実施例では昇華性紫外線硬化樹脂をス
ピンコードなどの方法で全面に塗布しに 次に第１図（Ｂ）に示すように透明導電膜３を成膜する
。透明導電膜３として、 ＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタ法で成膜し九次にフォトレジストを塗布
露光 現像を行（（第１図（Ｃ）に示すように所定の
パターンのレジスト４を形成する。
２を形成する。本実施例では昇華性紫外線硬化樹脂をス
ピンコードなどの方法で全面に塗布しに 次に第１図（Ｂ）に示すように透明導電膜３を成膜する
。透明導電膜３として、 ＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタ法で成膜し九次にフォトレジストを塗布
露光 現像を行（（第１図（Ｃ）に示すように所定の
パターンのレジスト４を形成する。
次に第１図（Ｄ）に示すようにレジスト４の間隙部の透
明導電膜を塩酸などによりエツチングし第１図Ｅに示す
ように レジスト４を除去することにより所定のパター
ンの透明電極６を形成する。
明導電膜を塩酸などによりエツチングし第１図Ｅに示す
ように レジスト４を除去することにより所定のパター
ンの透明電極６を形成する。
次に平行平板型ドライエツチング装置において酸素プラ
ズマ処理を行うことにより、第１図（Ｆ）に示すように
透明電極５でマスクされていない部分の有機物層を除去
し 凹部を形成する。高周波電力１ｋＷ酸素ガス圧２０
０ｍＴｏｒｒで５分間処理したところ有機物層は深さ１
．６μｍ除去された 次に第１図（Ｇ）に示すように黒色塗料７を塗布する。
ズマ処理を行うことにより、第１図（Ｆ）に示すように
透明電極５でマスクされていない部分の有機物層を除去
し 凹部を形成する。高周波電力１ｋＷ酸素ガス圧２０
０ｍＴｏｒｒで５分間処理したところ有機物層は深さ１
．６μｍ除去された 次に第１図（Ｇ）に示すように黒色塗料７を塗布する。
黒色塗料７としてゼラチンとカーボンを３：５の比で配
合したものを使った 次にドクターブレード等で透明電極５上の黒色塗料７を
掻き取ることにより、第１図（Ｈ）に示すよう置 凹部
にブラックストライプ８が形成された 第１図（Ｉ）の上側基板と下側基板は第１図（Ｈ）に示
したブラックストライプが形成された基板を互いに直交
するように組み合わせている。基板上にポリイミド膜を
塗布しラビング処理を行った後、感光性樹脂土手により
基板間距離を保ち液晶を注入したところ表示コントラス
トの高い液晶素子が得られた 第２図は本発明の液晶素子の製造方法の第２の実施例で
得られた液晶素子の構成図である。
合したものを使った 次にドクターブレード等で透明電極５上の黒色塗料７を
掻き取ることにより、第１図（Ｈ）に示すよう置 凹部
にブラックストライプ８が形成された 第１図（Ｉ）の上側基板と下側基板は第１図（Ｈ）に示
したブラックストライプが形成された基板を互いに直交
するように組み合わせている。基板上にポリイミド膜を
塗布しラビング処理を行った後、感光性樹脂土手により
基板間距離を保ち液晶を注入したところ表示コントラス
トの高い液晶素子が得られた 第２図は本発明の液晶素子の製造方法の第２の実施例で
得られた液晶素子の構成図である。
上側基板において、印刷法により形成されたカラーフィ
ルタ１１と透明基体ｌとからなるカラーフィルタ基板上
に有機物層２を形成する以外（よ第１の実施例と同様に
して、第２図に示すようなカラーの液晶素子が得られる
。
ルタ１１と透明基体ｌとからなるカラーフィルタ基板上
に有機物層２を形成する以外（よ第１の実施例と同様に
して、第２図に示すようなカラーの液晶素子が得られる
。
以上のように透明基体上に有機物層を投法 前記有機物
層上に透明電極をパターン形成し プラズマ処理により
前記透明電極パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し
次に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除
去することにより、前記凹部にブラックストライプを形
成するたへ少ない工程数で寸法精度の高いブラックスト
ライプを形成することができる。
層上に透明電極をパターン形成し プラズマ処理により
前記透明電極パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し
次に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除
去することにより、前記凹部にブラックストライプを形
成するたへ少ない工程数で寸法精度の高いブラックスト
ライプを形成することができる。
またカーボンブラックを使用できるため遮光性にもすぐ
れ 基板表面の平坦性も良く、高い表示特性を有する液
晶素子を提供することができる。
れ 基板表面の平坦性も良く、高い表示特性を有する液
晶素子を提供することができる。
また第２の実施例によれば カラーの液晶素子を提供す
ることができる。この場合、有機物層２を形成すること
により、カラーフィルタの平坦性を向上させることもで
きる。
ることができる。この場合、有機物層２を形成すること
により、カラーフィルタの平坦性を向上させることもで
きる。
発明の効果
以上のように本発明は 透明基体上に有機物層を設け、
前記有機物層上に透明電極をパターン形成し プラズマ
処理により前記透明電極パターン間隙部の有機物層に凹
部を形成し 次に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒
色塗料を除去することにより、前記凹部にブラックスト
ライプを形成するた敢 少ない工程数で寸法精度の高い
ブラ・ツクストライプを形成することができる。
前記有機物層上に透明電極をパターン形成し プラズマ
処理により前記透明電極パターン間隙部の有機物層に凹
部を形成し 次に黒色塗料を塗布し前記透明電極上の黒
色塗料を除去することにより、前記凹部にブラックスト
ライプを形成するた敢 少ない工程数で寸法精度の高い
ブラ・ツクストライプを形成することができる。
第１図は本発明の液晶素子の製造方法の第１の実施例に
おける工程阻 第２図は本発明の第２の実施例で得られ
た液晶素子の構成図 第３図は従来の液晶素子の製造方
法における透明電極及びブラックストライプの形成方法
を示す工程図である。 ■・・・透明基Ｉ、＊、２・・・有機物層 ３・・・透
明導電風４・・・レジスト、 ６・・・透明電極 ７・
・・黒色塗粧 ８・・・ブラックストライス 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名」、明差Ｉ
本 ／ｆキｙＡ、物屓 ・−透ｇハ 肴電模 レシフト フ不ｔマスク 透 せ月 笥先 Ａノシー 煕免 １行 フラソクストライフ 酉己 Ｉ″５″ＶＩｌｌ斡 う人品層 図
おける工程阻 第２図は本発明の第２の実施例で得られ
た液晶素子の構成図 第３図は従来の液晶素子の製造方
法における透明電極及びブラックストライプの形成方法
を示す工程図である。 ■・・・透明基Ｉ、＊、２・・・有機物層 ３・・・透
明導電風４・・・レジスト、 ６・・・透明電極 ７・
・・黒色塗粧 ８・・・ブラックストライス 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名」、明差Ｉ
本 ／ｆキｙＡ、物屓 ・−透ｇハ 肴電模 レシフト フ不ｔマスク 透 せ月 笥先 Ａノシー 煕免 １行 フラソクストライフ 酉己 Ｉ″５″ＶＩｌｌ斡 う人品層 図
Claims (1)
- 透明基体上に有機物層を設け、前記有機物層上に透明電
極をパターン形成し、プラズマ処理により前記透明電極
パターン間隙部の有機物層に凹部を形成し、次に黒色塗
料を塗布し前記透明電極上の黒色塗料を除去することに
より、前記凹部に前記黒色塗料からなるブラックストラ
イプを形成することを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153652A JPH0444008A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153652A JPH0444008A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444008A true JPH0444008A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15567224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153652A Pending JPH0444008A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444008A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1164890A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
| WO2008087696A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Aderans Holdings Co., Ltd. | かつら及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP2153652A patent/JPH0444008A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1164890A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器およびその作製方法 |
| WO2008087696A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Aderans Holdings Co., Ltd. | かつら及びその製造方法 |
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