JPH0444252A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH0444252A JPH0444252A JP2149096A JP14909690A JPH0444252A JP H0444252 A JPH0444252 A JP H0444252A JP 2149096 A JP2149096 A JP 2149096A JP 14909690 A JP14909690 A JP 14909690A JP H0444252 A JPH0444252 A JP H0444252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- substrate
- pattern
- approximately
- protruding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハイブリッドＩＣあるいは電力用半導体モジ
ュールなどに用いられる配線基板に関する。
ュールなどに用いられる配線基板に関する。
ハイブリッドＩＣあるいは電力用半導体モジニールなど
において半導体素子などの部品の実装に用いられる配線
基板としては、酸化アルミニウム（ＭｚＯｓ）あるいは
窒化アルミニウム （Ａｌ）などのセラミック基板の両
面に全面に０．３閣程度の厚さの銅板を貼付け、一面上
のｗＩ板からエツチング等でパターンを形成して配線と
するものが知られている。この基板上に部品を実装し、
部品の端子と配線とを直接接着するか、あるいは導線を
用いて接続する。このような銅貼り基板は、熱伝導が良
く、実装部品のレイアウトあるいは積層構造の簡略化が
可能である利点を持っている。
において半導体素子などの部品の実装に用いられる配線
基板としては、酸化アルミニウム（ＭｚＯｓ）あるいは
窒化アルミニウム （Ａｌ）などのセラミック基板の両
面に全面に０．３閣程度の厚さの銅板を貼付け、一面上
のｗＩ板からエツチング等でパターンを形成して配線と
するものが知られている。この基板上に部品を実装し、
部品の端子と配線とを直接接着するか、あるいは導線を
用いて接続する。このような銅貼り基板は、熱伝導が良
く、実装部品のレイアウトあるいは積層構造の簡略化が
可能である利点を持っている。
上述のような配＆ｌ基板においては、銅線パターン相互
間に間隙により絶縁されている。しかし、組立工程で一
方の配線上に接着された部品の上面の端子と他方の配線
を、アルミニウムあるいは金の導線のボンディング等に
よって接続する場合、導線がたれて配線に接触すると短
絡等が起きる問題がある。第２図はそのような状態を示
し、セラミック基板１の裏面には一面に銅板２が、表面
には銅板からなる配線パターン３１，３２．３３が被着
しており、配線パターン３１の上に固着された半導体チ
ップ４の上面の電極と配線パターン３２．３３がＡ７線
５によって接続されているが、ループ状にした配線５が
たれて配１１３１に接触し、短絡が生している。
間に間隙により絶縁されている。しかし、組立工程で一
方の配線上に接着された部品の上面の端子と他方の配線
を、アルミニウムあるいは金の導線のボンディング等に
よって接続する場合、導線がたれて配線に接触すると短
絡等が起きる問題がある。第２図はそのような状態を示
し、セラミック基板１の裏面には一面に銅板２が、表面
には銅板からなる配線パターン３１，３２．３３が被着
しており、配線パターン３１の上に固着された半導体チ
ップ４の上面の電極と配線パターン３２．３３がＡ７線
５によって接続されているが、ループ状にした配線５が
たれて配１１３１に接触し、短絡が生している。
このような障害を防止するために、ワイヤボンダにプル
テスト機構を備えてワイヤループを持上げる方法あるい
はボンディングの際に人手によってワイヤループを持上
げる方法がある。しかし、ボンダの稼働率の低下あるい
は工数の増加を招き、組立工程の合理化のネックとなっ
ている。
テスト機構を備えてワイヤループを持上げる方法あるい
はボンディングの際に人手によってワイヤループを持上
げる方法がある。しかし、ボンダの稼働率の低下あるい
は工数の増加を招き、組立工程の合理化のネックとなっ
ている。
本発明の目的は、配線への接続のための導線が他の配線
に接触することのない配線基板を提供することにある。
に接触することのない配線基板を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、絶縁性基板の
一面に板状の導電体よりなる配線のパターンを有する配
線基板において、絶縁性基板の前記一面に突出部とその
突出部にはさまれ配線の厚さ以上低い平地部とが形成さ
れ、配線がその平地部上に被着しているものとする。
一面に板状の導電体よりなる配線のパターンを有する配
線基板において、絶縁性基板の前記一面に突出部とその
突出部にはさまれ配線の厚さ以上低い平地部とが形成さ
れ、配線がその平地部上に被着しているものとする。
〔作用〕
配線と配線の間には配線の厚さより高い突出部が存在す
るため、一つの配線パターン上に固着される部品の上面
の端子と他の配線パターンとを接読する導線の中間部は
その突出部で持上げられ、配線パターンに接触すること
がない。
るため、一つの配線パターン上に固着される部品の上面
の端子と他の配線パターンとを接読する導線の中間部は
その突出部で持上げられ、配線パターンに接触すること
がない。
第１図に本発明の一実施例の配線基板を用いた半導体装
置を示す０図より明らかなようにＡＺ 、０゜あるいは
Ａ７Ｎからなるセラミック基板１の上面には高さ約０．
５■の線状の突出部６が形成されていル、突出部６の幅
は１日程度である。突出部６の間には低い平地部７が存
在する。このようなセラミック基板１は、素材のグリー
ンシートをプレスを用いて切断する工程の際に同時に一
面に凹凸をつけ、そのあと約１４００℃の高温で焼成す
ることによって作成される０次いで、予め打抜きによっ
てパターンに形成した厚さ０．３日の銅板を基板１の平
地部７に密着させ、１０００℃前後で基板に焼付けるこ
とによって配線パターン３１．３２．３３を形成する。
置を示す０図より明らかなようにＡＺ 、０゜あるいは
Ａ７Ｎからなるセラミック基板１の上面には高さ約０．
５■の線状の突出部６が形成されていル、突出部６の幅
は１日程度である。突出部６の間には低い平地部７が存
在する。このようなセラミック基板１は、素材のグリー
ンシートをプレスを用いて切断する工程の際に同時に一
面に凹凸をつけ、そのあと約１４００℃の高温で焼成す
ることによって作成される０次いで、予め打抜きによっ
てパターンに形成した厚さ０．３日の銅板を基板１の平
地部７に密着させ、１０００℃前後で基板に焼付けるこ
とによって配線パターン３１．３２．３３を形成する。
このあと、直径２００〜４００μのＡｌｖＡ５のポンデ
ィングによって配線パターン３１の上に固着された半導
体チップ４の上面の電極と配線パターン３２．３３とを
それぞれ接続するカベ突出部６の上面は配線の上面より
０．２鶴高いためＡｊ導線のループがたれ下がっても、
図示のように突出部６の上面に接触し、配線パターン３
２あるいは３３に接触することがなく、短絡の発生が防
止される。
ィングによって配線パターン３１の上に固着された半導
体チップ４の上面の電極と配線パターン３２．３３とを
それぞれ接続するカベ突出部６の上面は配線の上面より
０．２鶴高いためＡｊ導線のループがたれ下がっても、
図示のように突出部６の上面に接触し、配線パターン３
２あるいは３３に接触することがなく、短絡の発生が防
止される。
突出部６の断面形状は、第１図あるいは第３図（４）に
示すような方形に限定されることはなく、第３図（ｂｌ
に示すような三角形状、あるいは第３図（ｃｌに示すよ
うな長円形状であってもよい、また、突出部６をセラミ
ック基板１と一体に成形しないで、平板状のセラミック
基板に全面に貼付けた銅板からエツチングにより配線パ
ターンを形成したのち、セラミックあるいは樹脂よりな
る条状絶縁体を接着して突出部としてもよい、この場合
は、任意の配線パターンの形成が容易であるという利点
がある。
示すような方形に限定されることはなく、第３図（ｂｌ
に示すような三角形状、あるいは第３図（ｃｌに示すよ
うな長円形状であってもよい、また、突出部６をセラミ
ック基板１と一体に成形しないで、平板状のセラミック
基板に全面に貼付けた銅板からエツチングにより配線パ
ターンを形成したのち、セラミックあるいは樹脂よりな
る条状絶縁体を接着して突出部としてもよい、この場合
は、任意の配線パターンの形成が容易であるという利点
がある。
接続にＡｕ′ＩＩＡを用いる場合は、線径が２５〜５０
ｆｌであり、配線パターン間の間隔、すなわち突出部の
幅も０．２鶴程度に狭くされる。
ｆｌであり、配線パターン間の間隔、すなわち突出部の
幅も０．２鶴程度に狭くされる。
本発明によれば、絶縁性基板の一面上の配線パターンの
間に基板の突出部を介在させることにより、配線に接続
される導線の中間部がその突出部に持ち上げられ、望ま
しくない配線への接触が阻止されるので、配線間の短絡
を防止できた。これにより、導線の中間部の持ち上げ作
業が不要となり、組立時間の短縮ができ、また組立作業
のライン化に対応することも可能になった。
間に基板の突出部を介在させることにより、配線に接続
される導線の中間部がその突出部に持ち上げられ、望ま
しくない配線への接触が阻止されるので、配線間の短絡
を防止できた。これにより、導線の中間部の持ち上げ作
業が不要となり、組立時間の短縮ができ、また組立作業
のライン化に対応することも可能になった。
第１図は本発明の一実施例の配線基板を用いた半導体装
置の断面図、第２図は従来の配線基板を用いた半導体装
置の断面図、第３図は本発明に基づく絶縁性基板突出部
の形状例をｔａｌ〜ｔｃ）に示す断面図である。 Ｉ：セラミック基板、３１．３２．３３ ：配線パター
ン、４：半導体ナツプ、５：Ｍ線、６：基板突出部、７
：基板平地部、−、 代理人弁理士 山 口 巖 て ・（ア
置の断面図、第２図は従来の配線基板を用いた半導体装
置の断面図、第３図は本発明に基づく絶縁性基板突出部
の形状例をｔａｌ〜ｔｃ）に示す断面図である。 Ｉ：セラミック基板、３１．３２．３３ ：配線パター
ン、４：半導体ナツプ、５：Ｍ線、６：基板突出部、７
：基板平地部、−、 代理人弁理士 山 口 巖 て ・（ア
Claims (1)
- １）絶縁性基板の一面に板状の導電体よりなる配線のパ
ターンを有するものにおいて、絶縁性基板の前記一面に
突出部とその突出部にはさまれ配線の厚さ以上低い平地
部とが形成され、配線がその平地部上に被着しているこ
とを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149096A JPH0444252A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149096A JPH0444252A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444252A true JPH0444252A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15467610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149096A Pending JPH0444252A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015015275A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | セラミック回路基板、放熱器付セラミック回路基板、及びセラミック回路基板の製造方法 |
| WO2017174356A1 (de) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | Vishay Semiconductor Gmbh | Elektronische einheit |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149096A patent/JPH0444252A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015015275A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | セラミック回路基板、放熱器付セラミック回路基板、及びセラミック回路基板の製造方法 |
| WO2017174356A1 (de) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | Vishay Semiconductor Gmbh | Elektronische einheit |
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