JPH0444416B2 - - Google Patents
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- JPH0444416B2 JPH0444416B2 JP58173506A JP17350683A JPH0444416B2 JP H0444416 B2 JPH0444416 B2 JP H0444416B2 JP 58173506 A JP58173506 A JP 58173506A JP 17350683 A JP17350683 A JP 17350683A JP H0444416 B2 JPH0444416 B2 JP H0444416B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- heat sink
- lead frame
- auxiliary
- resin part
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W74/114—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by a substrate and the encapsulations
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は熱硬化性樹脂を用いトランスフア形成
を行う樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。
を行う樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。
第１図にヒートシンクを有するSIP（Single In
−line Package）型の半導体装置の一例を示し、
第２図にそのＡ−A′断面を示す。図において、
ヒートシンク３上にマウントされた半導体ペレツ
ト７はリードフレーム２のインナーリード部と細
線（ボンデイングワイヤ）６により接続されてい
る。またヒートシンク３はリードフレーム２に接
続体２3により固定されている。この状態でリー
ドフーレーム２をトランスフアモールド用の図示
しない金型に設置し、金型内のキヤビテイ（中空
部）に熱硬化性のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂
を流し込み硬化させて、ペレツトを封止する樹脂
封止部１を形成する。
−line Package）型の半導体装置の一例を示し、
第２図にそのＡ−A′断面を示す。図において、
ヒートシンク３上にマウントされた半導体ペレツ
ト７はリードフレーム２のインナーリード部と細
線（ボンデイングワイヤ）６により接続されてい
る。またヒートシンク３はリードフレーム２に接
続体２3により固定されている。この状態でリー
ドフーレーム２をトランスフアモールド用の図示
しない金型に設置し、金型内のキヤビテイ（中空
部）に熱硬化性のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂
を流し込み硬化させて、ペレツトを封止する樹脂
封止部１を形成する。
このようないわゆる低圧トランスフアモールド
成形法による樹脂封止工程は、量産に好適である
ため、今日広く採用されている。
成形法による樹脂封止工程は、量産に好適である
ため、今日広く採用されている。
ところで、上記のようにして、トランスフアモ
ールドによりリードフレーム２に樹脂封止部１を
形成した場合に、モールド金型とヒートシンク３
との間のわずかな間〓を通して樹脂が漏れ、ヒー
トシンク３の特に側面に樹脂バリ５が形成され
る。
ールドによりリードフレーム２に樹脂封止部１を
形成した場合に、モールド金型とヒートシンク３
との間のわずかな間〓を通して樹脂が漏れ、ヒー
トシンク３の特に側面に樹脂バリ５が形成され
る。
このような樹脂バリ５は外観上好ましくない上
にヒートシンク３の放熱特性を悪化させ素子の信
頼性の低下を招くと共に、後に軽いシヨツク等で
バリ５が脱落し、このような装置が組み込まれた
製品の故障を引き起こす等の不都合を招く。
にヒートシンク３の放熱特性を悪化させ素子の信
頼性の低下を招くと共に、後に軽いシヨツク等で
バリ５が脱落し、このような装置が組み込まれた
製品の故障を引き起こす等の不都合を招く。
このため、従来はナイフ状の工具により手作業
でバリ５を除去していたが極めて作業性が悪く、
製造コストが高くなるという問題があつた。
でバリ５を除去していたが極めて作業性が悪く、
製造コストが高くなるという問題があつた。
また、この他、例えばセラミツク粒子等の硬質
の粒子を高圧エアーで装置に吹き付けたり、硬質
粒子を水流で吹き付けたりするドライホーニング
やウエツトホーニング等によるバリ取り方法もあ
るが、ヒートシンク３に付着するバリ５は、厚い
場合が多く、思うようにバリ５を取ることができ
ない。さらに、ドライホーニングやウエツトホー
ニングにより十分にバリ５を取ろうとすると、ヒ
ートシンク３表面や樹脂部７表面までも傷つける
ため、好ましくない。
の粒子を高圧エアーで装置に吹き付けたり、硬質
粒子を水流で吹き付けたりするドライホーニング
やウエツトホーニング等によるバリ取り方法もあ
るが、ヒートシンク３に付着するバリ５は、厚い
場合が多く、思うようにバリ５を取ることができ
ない。さらに、ドライホーニングやウエツトホー
ニングにより十分にバリ５を取ろうとすると、ヒ
ートシンク３表面や樹脂部７表面までも傷つける
ため、好ましくない。
本発明は上記のような点に鑑みてなされたもの
で、極めて簡素な作業によりヒートシンク面のバ
リ取り作業を行うことのできる半導体装置の製造
方法を提供し、作業性の向上を図ろうとするもの
である。
で、極めて簡素な作業によりヒートシンク面のバ
リ取り作業を行うことのできる半導体装置の製造
方法を提供し、作業性の向上を図ろうとするもの
である。
すなわち本発明による樹脂封止半導体装置の製
造方法によれば、モールド金型としてバリを生じ
易い部分に補助樹脂を形成するための凹部を設け
た金型を用い、ペレツトがマウントされヒートシ
ンクと一体となつたリードフレームを樹脂封止す
ることにより、ヒートシンク側面にパツケージ本
体の樹脂部とは異なる補助樹脂部を有する装置を
形成する。次いで、このような装置の補助樹脂部
を、例えばリードフレームの不要な枠部等を切断
するリードカツト工程等、装置の不要部分を除去
する工程において叩き落とすようにするものであ
る。
造方法によれば、モールド金型としてバリを生じ
易い部分に補助樹脂を形成するための凹部を設け
た金型を用い、ペレツトがマウントされヒートシ
ンクと一体となつたリードフレームを樹脂封止す
ることにより、ヒートシンク側面にパツケージ本
体の樹脂部とは異なる補助樹脂部を有する装置を
形成する。次いで、このような装置の補助樹脂部
を、例えばリードフレームの不要な枠部等を切断
するリードカツト工程等、装置の不要部分を除去
する工程において叩き落とすようにするものであ
る。
以下図面を参照して本発明の一実施例につき説
明する。
明する。
第３図および第３図の装置Ｂ−B′断面を示す
第４図において、ヒートシンク３上にペレツト７
をマウントし、ボンデイングワイヤ６を用いてリ
ードフレーム２のインナーリードとペレツト７と
を接続する。
第４図において、ヒートシンク３上にペレツト７
をマウントし、ボンデイングワイヤ６を用いてリ
ードフレーム２のインナーリードとペレツト７と
を接続する。
この後このリードフレーム２をトランスフアモ
ールド用の金型に設置し従来と同様の樹脂封止を
行うが、この金型としてキヤビテイのヒートシン
ク３の側面に当たる部位に凹部が設けられている
ものを用いる。
ールド用の金型に設置し従来と同様の樹脂封止を
行うが、この金型としてキヤビテイのヒートシン
ク３の側面に当たる部位に凹部が設けられている
ものを用いる。
このようにして、第３図および第４図に示すよ
うにヒートシンク３の露出部に樹脂部１とは異な
る補助樹脂部１０を形成する。ここで、この補助
樹脂部１０の断面は、第４図に示すように台形或
いは三角形であることが望ましい。また、上記補
助樹脂部１０は、パツケージの本体となる樹脂部
１と補助樹脂部１０とが一体とならないように、
接触部１１において接触する程度か、もしくは、
樹脂部１と補助樹脂部１０との間にある程度の間
隔が設定される程度に形成する。
うにヒートシンク３の露出部に樹脂部１とは異な
る補助樹脂部１０を形成する。ここで、この補助
樹脂部１０の断面は、第４図に示すように台形或
いは三角形であることが望ましい。また、上記補
助樹脂部１０は、パツケージの本体となる樹脂部
１と補助樹脂部１０とが一体とならないように、
接触部１１において接触する程度か、もしくは、
樹脂部１と補助樹脂部１０との間にある程度の間
隔が設定される程度に形成する。
ここで、このようにしても、モールド樹脂であ
るエポキシやシリコーン樹脂は流動性が良いた
め、モールド工程において樹脂部１と補助樹脂部
１０間の接触部１１における金型とヒートシンク
３との間隔から樹脂が金型の補助樹脂部１０用の
凹部に注入され、凹部は充填される。
るエポキシやシリコーン樹脂は流動性が良いた
め、モールド工程において樹脂部１と補助樹脂部
１０間の接触部１１における金型とヒートシンク
３との間隔から樹脂が金型の補助樹脂部１０用の
凹部に注入され、凹部は充填される。
以上のようにして第３図および第４図に示すよ
うな装置を得た後、リードフレーム２の不要の外
枠部２1、ダム部２2、接続体２3等の枠部を切り
落とす。このリードカツト工程と同時に補助樹脂
部１０に例えば矢印１２方向に力を加え、補助樹
脂部１０を叩き落とす。
うな装置を得た後、リードフレーム２の不要の外
枠部２1、ダム部２2、接続体２3等の枠部を切り
落とす。このリードカツト工程と同時に補助樹脂
部１０に例えば矢印１２方向に力を加え、補助樹
脂部１０を叩き落とす。
すなわち、リードカツト工程では通常第５図Ａ
およびＢに示すように、受け台２０上にリードフ
レーム２を固定し、矢印１３方向に切断具２１を
下げて切断する。従つて、補助樹脂部１０の幅ｌ
（第４図参照）をある程度とれば、ヒートシンク
３の側面に沿つた方向に補助樹脂部１０に容易に
力を加えられ、リードカツト用の切断具を用いて
リードカツトと同時に補助樹脂部１０を落とすこ
とができる。
およびＢに示すように、受け台２０上にリードフ
レーム２を固定し、矢印１３方向に切断具２１を
下げて切断する。従つて、補助樹脂部１０の幅ｌ
（第４図参照）をある程度とれば、ヒートシンク
３の側面に沿つた方向に補助樹脂部１０に容易に
力を加えられ、リードカツト用の切断具を用いて
リードカツトと同時に補助樹脂部１０を落とすこ
とができる。
勿論、第３図および第４図に示すようなもので
はヒートシンク１の周囲に厚い樹脂バリが発生せ
ず、従来のように煩雑で困難な樹脂バリ除去作業
を行う必要がない。
はヒートシンク１の周囲に厚い樹脂バリが発生せ
ず、従来のように煩雑で困難な樹脂バリ除去作業
を行う必要がない。
以上のような本発明による樹脂封止半導体装置
の製造方法によれば、ヒートシンクの周囲に従来
のようなバリが発生せず、ヒートシンク表面やパ
ツケージ本体の樹脂部表面に傷をつけることなく
ヒートシンク面のバリを完全に除去できる。しか
も、従来のような作業性の悪いバリ取り工程を廃
止でき、生産コストの低減を図ることができる。
特にリードカツト工程と同時に補助樹脂部を落と
すようにすれば効果的である。
の製造方法によれば、ヒートシンクの周囲に従来
のようなバリが発生せず、ヒートシンク表面やパ
ツケージ本体の樹脂部表面に傷をつけることなく
ヒートシンク面のバリを完全に除去できる。しか
も、従来のような作業性の悪いバリ取り工程を廃
止でき、生産コストの低減を図ることができる。
特にリードカツト工程と同時に補助樹脂部を落と
すようにすれば効果的である。
第１図および第２図はそれぞれ従来の樹脂封止
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図お
よび断面図、第３図および第４図はそれぞれ本発
明の一実施例に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法を説明するための斜視図および断面図、第５図
はリードカツト工程を説明する断面図である。 １……樹脂部、２……リードフレーム、３……
ヒートシンク、７……半導体ペレツト、１０……
補助樹脂部、１１……接続部。
半導体装置の製造方法を説明するための斜視図お
よび断面図、第３図および第４図はそれぞれ本発
明の一実施例に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法を説明するための斜視図および断面図、第５図
はリードカツト工程を説明する断面図である。 １……樹脂部、２……リードフレーム、３……
ヒートシンク、７……半導体ペレツト、１０……
補助樹脂部、１１……接続部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モールド金型を用いて半導体ペレツトを樹脂
封止することによりリードフレームおよびヒート
シンクと一体となつた樹脂部を有する装置を形成
する第１の工程と、上記リードフレームの不要部
分を除去する第２の工程とを具備し、 上記第１の工程において上記樹脂部とは実質的
に独立しかつ上記リードフレームに対して略直交
する上記ヒートシンク側面上に突出する補助樹脂
部を形成し、上記第２の工程において上記リード
フレームの不要部分とともに上記補助樹脂部を機
械的に除去することを特徴とする樹脂封止半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173506A JPS6065555A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173506A JPS6065555A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065555A JPS6065555A (ja) | 1985-04-15 |
| JPH0444416B2 true JPH0444416B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=15961785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173506A Granted JPS6065555A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065555A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770658B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613738A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58173506A patent/JPS6065555A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6065555A (ja) | 1985-04-15 |
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