JPH0444960B2 - - Google Patents
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- JPH0444960B2 JPH0444960B2 JP58238510A JP23851083A JPH0444960B2 JP H0444960 B2 JPH0444960 B2 JP H0444960B2 JP 58238510 A JP58238510 A JP 58238510A JP 23851083 A JP23851083 A JP 23851083A JP H0444960 B2 JPH0444960 B2 JP H0444960B2
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- Japan
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- electron beam
- magnet member
- magnetic
- magnetic field
- magnet
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/842—Coating a support with a liquid magnetic dispersion
- G11B5/845—Coating a support with a liquid magnetic dispersion in a magnetic field
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、磁気テープ，磁気デイスク，磁気
シート等において垂直磁化膜を形成させるための
電子線照射装置に関するものである。さらに詳し
くは、磁性粒子をテープ，ウエブ，シート上に垂
直に配向した状態で電子線照射により固定させる
装置に関するものである。
シート等において垂直磁化膜を形成させるための
電子線照射装置に関するものである。さらに詳し
くは、磁性粒子をテープ，ウエブ，シート上に垂
直に配向した状態で電子線照射により固定させる
装置に関するものである。
(ロ) 従来技術
従来の磁気テープ等の製造方法では、磁性粒子
を適当な添加剤とともに溶液中に分散させた磁性
塗料をプラスチツクフイルム等の基板上に塗布し
て磁性層とし、その磁性層塗膜が未硬化のうちに
同極性の磁石を対向させて形成した反撥磁界中を
通過させ、磁場配向処理によつて磁性粒子の磁化
容易軸を基材フイルムの移動する方向と平行な向
きにそろえ、その後、熱または電子線照射により
硬化せしめている。
を適当な添加剤とともに溶液中に分散させた磁性
塗料をプラスチツクフイルム等の基板上に塗布し
て磁性層とし、その磁性層塗膜が未硬化のうちに
同極性の磁石を対向させて形成した反撥磁界中を
通過させ、磁場配向処理によつて磁性粒子の磁化
容易軸を基材フイルムの移動する方向と平行な向
きにそろえ、その後、熱または電子線照射により
硬化せしめている。
このようにして得られる磁化膜はいわゆる水平
磁化膜である。しかし水平磁化膜による磁気記録
密度の限界は、近年の技術的進歩から要求されて
いる高密度記録の媒体としてはもはや不十分であ
るといわれている。
磁化膜である。しかし水平磁化膜による磁気記録
密度の限界は、近年の技術的進歩から要求されて
いる高密度記録の媒体としてはもはや不十分であ
るといわれている。
そこで高密度記録を可能とする媒体として、垂
直磁化膜が着目されている。すなわち垂直磁化膜
は基材面に垂直に磁性粒子の磁化容易軸を配向さ
せたものであり、記録密度を桁違いに高めること
ができる。
直磁化膜が着目されている。すなわち垂直磁化膜
は基材面に垂直に磁性粒子の磁化容易軸を配向さ
せたものであり、記録密度を桁違いに高めること
ができる。
垂直磁化膜の製造は、マグネトロン・スパツタ
装置を用いる、いわゆるスパツタ法によるものが
公知である。しかし、スパツタ法は本質的にバツ
チ処理であり、連続製造に適したものではない。
またスパツタ法による垂直磁化膜は、表面平滑性
の点などの観点から性能上充分なものではない。
装置を用いる、いわゆるスパツタ法によるものが
公知である。しかし、スパツタ法は本質的にバツ
チ処理であり、連続製造に適したものではない。
またスパツタ法による垂直磁化膜は、表面平滑性
の点などの観点から性能上充分なものではない。
(ハ) 目的
この発明は、高品質の垂直磁化膜を簡便に連続
製造することができる装置を提供することを目的
とする。
製造することができる装置を提供することを目的
とする。
(ニ) 構成
この発明は、互いに異なる極性で空〓を有して
配置され、その空〓に垂直磁界を形成する第１と
第２の磁石部材と、空〓に形成された垂直磁界内
に、磁性粒子を分散させた磁性塗料が塗布された
基材を通過させ、それによつて基材の磁性粒子に
垂直磁場配向を施す基材支持移送手段と、電子を
生成し磁性粒子に垂直磁場配向の施された基材に
対してその電子を照射して、基材の磁性塗料を硬
化させる電子線源と、第１と第２の磁石部材を冷
却するための冷却手段とを備え、第１の磁石部材
は、電子線源から放射された電子を透過させるこ
とが可能な貫通孔を有し、かつ、電子線源は、電
子線源から放射された電子がその貫通孔を透過し
て、空〓に形成された垂直磁界内を通過中の基材
に照射され、それによつて基材に塗布された磁性
塗料の硬化が磁性粒子の垂直磁場配向と同時に行
われるように配置されてなることを特徴とする電
子線照射装置を提供する。
配置され、その空〓に垂直磁界を形成する第１と
第２の磁石部材と、空〓に形成された垂直磁界内
に、磁性粒子を分散させた磁性塗料が塗布された
基材を通過させ、それによつて基材の磁性粒子に
垂直磁場配向を施す基材支持移送手段と、電子を
生成し磁性粒子に垂直磁場配向の施された基材に
対してその電子を照射して、基材の磁性塗料を硬
化させる電子線源と、第１と第２の磁石部材を冷
却するための冷却手段とを備え、第１の磁石部材
は、電子線源から放射された電子を透過させるこ
とが可能な貫通孔を有し、かつ、電子線源は、電
子線源から放射された電子がその貫通孔を透過し
て、空〓に形成された垂直磁界内を通過中の基材
に照射され、それによつて基材に塗布された磁性
塗料の硬化が磁性粒子の垂直磁場配向と同時に行
われるように配置されてなることを特徴とする電
子線照射装置を提供する。
(ホ) 実施例
第１図〜第３図に示す１は、この発明の電子線
照射装置の一実施例であり、電子線源２，第１の
磁石部材３，第２の磁石部材４，テープ支持移送
ローラー５ａ，５ｂおよび冷媒パイプ６ａ，６
ｂ，７ａ，７ｂを具備している。
照射装置の一実施例であり、電子線源２，第１の
磁石部材３，第２の磁石部材４，テープ支持移送
ローラー５ａ，５ｂおよび冷媒パイプ６ａ，６
ｂ，７ａ，７ｂを具備している。
電子線源２は、バン・デ・グラーフ型，コツク
クロフト・ウオルトン型，変圧器型，高周波加速
型などの加速器を有する従来公知の電子線照射装
置を任意に使用でき、特に限定されない。しか
し、加速エネルギーとして150keVから1000keV、
電子流としては10ｍＡから200ｍＡまたはそれ以
上の電子線放射を行う装置が好ましい。また電子
線の形状から分けると、数mmの楕円形のビーム・
スポツトを走査して実質的に帯状の電子ビームを
とり出す走査形と、線状のフイラメントを使用し
てそのまま帯状の電子ビームをとり出す非走査形
の２種類があるが、いずれでも好適に用いること
ができる。
クロフト・ウオルトン型，変圧器型，高周波加速
型などの加速器を有する従来公知の電子線照射装
置を任意に使用でき、特に限定されない。しか
し、加速エネルギーとして150keVから1000keV、
電子流としては10ｍＡから200ｍＡまたはそれ以
上の電子線放射を行う装置が好ましい。また電子
線の形状から分けると、数mmの楕円形のビーム・
スポツトを走査して実質的に帯状の電子ビームを
とり出す走査形と、線状のフイラメントを使用し
てそのまま帯状の電子ビームをとり出す非走査形
の２種類があるが、いずれでも好適に用いること
ができる。
第１の磁石部材３および第２の磁石部材４は、
軟鉄製のコアを励磁コイル８，９で励磁する電磁
石で、両者が対向する空隙１０には、500〜20000
ガウス、好ましくは5000〜8000ガウスの磁界が形
成される。両磁石部材３，４の極性は異極性であ
ればいずれがＮ極でもＳ極でもよい。なお磁石部
材３，４は永久磁石であつてもよい。
軟鉄製のコアを励磁コイル８，９で励磁する電磁
石で、両者が対向する空隙１０には、500〜20000
ガウス、好ましくは5000〜8000ガウスの磁界が形
成される。両磁石部材３，４の極性は異極性であ
ればいずれがＮ極でもＳ極でもよい。なお磁石部
材３，４は永久磁石であつてもよい。
第１の磁石部材３には電子線が透過しうる貫通
孔１１が穿設され、その貫通孔１１の電子線出口
側には多数の開口１２を有する磁界整形グリル１
３が取り付けられている。貫通孔１１を電子線が
透過するように電子線を導ければ、電子線源２と
第１の磁石部材３の配置は特に限定されないが、
電子線源２を第１の磁石部材３の貫通孔１１の延
長直線上に配置するのが構成上好ましい。
孔１１が穿設され、その貫通孔１１の電子線出口
側には多数の開口１２を有する磁界整形グリル１
３が取り付けられている。貫通孔１１を電子線が
透過するように電子線を導ければ、電子線源２と
第１の磁石部材３の配置は特に限定されないが、
電子線源２を第１の磁石部材３の貫通孔１１の延
長直線上に配置するのが構成上好ましい。
貫通孔１１のグリル１３にはさらに金属箔１４
が装着されている。金属箔１４は例えば厚さ10〜
50μｍのチタンあるいはチタン合金あるいは厚さ
10〜100μｍのアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金箔で、電子線源２から貫通孔１１までの電
子飛行空間を真空シールしている。金属箔１４の
外すなわち電子線照射場所は、大気、窒素などの
不活性ガス，希ガス，ハロゲンガス中をいとわな
い。またその電子線照射場所が真空であつてもよ
い。電子線照射場所を真空とした場合は、真空シ
ールの必要がないから、金属箔１４を省いてもよ
い。
が装着されている。金属箔１４は例えば厚さ10〜
50μｍのチタンあるいはチタン合金あるいは厚さ
10〜100μｍのアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金箔で、電子線源２から貫通孔１１までの電
子飛行空間を真空シールしている。金属箔１４の
外すなわち電子線照射場所は、大気、窒素などの
不活性ガス，希ガス，ハロゲンガス中をいとわな
い。またその電子線照射場所が真空であつてもよ
い。電子線照射場所を真空とした場合は、真空シ
ールの必要がないから、金属箔１４を省いてもよ
い。
電子線照射場所へは、電子線源２から放射され
た電子線の20％以上、好ましくは30〜100％が透
過されるように、グリル１３の開口１２の開口率
が決められる。個々の開口１２の形状は丸形，矩
形，多角形，楕円形などのいずれでもよいが、大
きさは磁界整形性の観点さら、個々の開口径を空
隙１０の高さよりも小さくするのが望ましい。具
体例としては、空隙１０の高さが５〜100mmのと
き、開口１２が一辺３〜50mmの方形であるものが
挙げられる。開口１２の数は開口率から一意的に
決まるが、大体１〜500箇である。
た電子線の20％以上、好ましくは30〜100％が透
過されるように、グリル１３の開口１２の開口率
が決められる。個々の開口１２の形状は丸形，矩
形，多角形，楕円形などのいずれでもよいが、大
きさは磁界整形性の観点さら、個々の開口径を空
隙１０の高さよりも小さくするのが望ましい。具
体例としては、空隙１０の高さが５〜100mmのと
き、開口１２が一辺３〜50mmの方形であるものが
挙げられる。開口１２の数は開口率から一意的に
決まるが、大体１〜500箇である。
テープ支持移送ローラー５ａ，５ｂは、テープ
Ｔを空隙１０の磁界対称面に位置させて支持しか
つ移送する。
Ｔを空隙１０の磁界対称面に位置させて支持しか
つ移送する。
冷媒パイプ６ａ，６ｂおよび７ａ，７ｂは、第
１の磁石部材３に設けた冷却孔１５および第２の
磁石部材４に接けた冷却孔１６に冷媒たとえば純
水やフレオン等を流通して、磁石部材３，４を冷
却するものである。
１の磁石部材３に設けた冷却孔１５および第２の
磁石部材４に接けた冷却孔１６に冷媒たとえば純
水やフレオン等を流通して、磁石部材３，４を冷
却するものである。
次に垂直磁化膜の製造例について説明する。
垂直磁化膜の製造は、磁性粒子を分散させた磁
性塗料をテープ等の基材上に塗布して磁性層塗膜
とし、その磁性層塗膜が未硬化のうちに上記電子
線照射装置１によつて垂直磁場配向を施し、それ
と同時に電子線照射で硬化させるもである。
性塗料をテープ等の基材上に塗布して磁性層塗膜
とし、その磁性層塗膜が未硬化のうちに上記電子
線照射装置１によつて垂直磁場配向を施し、それ
と同時に電子線照射で硬化させるもである。
上記磁性粒子としては、磁場配向可能な磁性粒
子、たとえばバリウムフエライト，γ−Fe2O3，
Co被着γ−Fe2O3，CrO2等を用いることができ
る。
子、たとえばバリウムフエライト，γ−Fe2O3，
Co被着γ−Fe2O3，CrO2等を用いることができ
る。
上記磁性塗料は、磁性粒子の外、電子線照射に
より硬化可能な不飽和樹脂およびモノマーを主体
としかつ分散剤等を若干含有する溶液を用いるこ
とができる。
より硬化可能な不飽和樹脂およびモノマーを主体
としかつ分散剤等を若干含有する溶液を用いるこ
とができる。
不飽和樹脂としては、不飽和ポリエステル，ア
クリル系ポリエステル，不飽和エポキシ樹脂等が
用いられる。モノマーとしては、アクリル酸エス
テル，メタクリル酸エステル，ビニル系炭化水素
等が用いられる。
クリル系ポリエステル，不飽和エポキシ樹脂等が
用いられる。モノマーとしては、アクリル酸エス
テル，メタクリル酸エステル，ビニル系炭化水素
等が用いられる。
上記基材としては、磁気記録体等における磁性
層担体として使用可能な基材であれば素材，形状
に限定されず、たとえば従来磁気テープにおいて
担体として使用されているポリエステル，ポリア
セテート，ポリ塩化ビニル，ポリイミド等のプラ
スチツクフイルムあるいは磁気デイスクにおいて
使用されている塩化ビニル樹脂板，ポリエステル
樹脂，ポリメチルメタクリレート樹脂板等を用い
ることができる。
層担体として使用可能な基材であれば素材，形状
に限定されず、たとえば従来磁気テープにおいて
担体として使用されているポリエステル，ポリア
セテート，ポリ塩化ビニル，ポリイミド等のプラ
スチツクフイルムあるいは磁気デイスクにおいて
使用されている塩化ビニル樹脂板，ポリエステル
樹脂，ポリメチルメタクリレート樹脂板等を用い
ることができる。
磁性粒子を分散させた磁性塗料を基材上に塗布
する方法としては、ドクターブレード法，リバー
スロール法，グラビアロール法，スピンナー法等
を挙げることができ、いずれであつてもよい。装
置としては、通常当該分野で用いられる塗布装置
を任意に使用してよい。塗布の厚さは最大100μ
ｍくらいである。
する方法としては、ドクターブレード法，リバー
スロール法，グラビアロール法，スピンナー法等
を挙げることができ、いずれであつてもよい。装
置としては、通常当該分野で用いられる塗布装置
を任意に使用してよい。塗布の厚さは最大100μ
ｍくらいである。
そこで一つの具体例を挙げれば、たとえば、針
状の強磁性酸化鉄（長軸1μｍ以下）を不飽和ポ
リエステル樹脂およびアクリル酸エステルを主体
にした溶剤，安定剤，分散剤，帯電防止剤，潤滑
剤，着色剤等からなる溶液に均一に分散させた磁
性塗料を、幅15cm〜２ｍ，厚さ5μｍ〜30μｍの前
もつて下塗剤をプレコートしたポリエステル・テ
ープの上面にドクターブレード法により塗布し厚
さ1μｍ〜10μｍの磁性層の塗膜を形成する。この
テープＴを、塗膜２が未硬化のうちにテープ支持
移送ローラー５ａ，５ｂによつて空〓１０にたと
えば50ｍ／分〜300ｍ／分、好ましくは100ｍ／分
で走行させる。これによりテープＴの磁性層塗膜
に垂直な磁界が作用して磁性粒子の磁化容易軸が
テープＴの走行方向に垂直に配向するが、これと
同時に電子線照射が行われるから、塗膜２が硬化
して垂直配向が固定され、好適に垂直磁化膜を形
成したテープＴが連続製造されることとなる。電
子線量は20キログレイ〔kGy〕〜100キログレイ
〔kGy〕が好ましい。
状の強磁性酸化鉄（長軸1μｍ以下）を不飽和ポ
リエステル樹脂およびアクリル酸エステルを主体
にした溶剤，安定剤，分散剤，帯電防止剤，潤滑
剤，着色剤等からなる溶液に均一に分散させた磁
性塗料を、幅15cm〜２ｍ，厚さ5μｍ〜30μｍの前
もつて下塗剤をプレコートしたポリエステル・テ
ープの上面にドクターブレード法により塗布し厚
さ1μｍ〜10μｍの磁性層の塗膜を形成する。この
テープＴを、塗膜２が未硬化のうちにテープ支持
移送ローラー５ａ，５ｂによつて空〓１０にたと
えば50ｍ／分〜300ｍ／分、好ましくは100ｍ／分
で走行させる。これによりテープＴの磁性層塗膜
に垂直な磁界が作用して磁性粒子の磁化容易軸が
テープＴの走行方向に垂直に配向するが、これと
同時に電子線照射が行われるから、塗膜２が硬化
して垂直配向が固定され、好適に垂直磁化膜を形
成したテープＴが連続製造されることとなる。電
子線量は20キログレイ〔kGy〕〜100キログレイ
〔kGy〕が好ましい。
電子線の一部は、第１の磁石部材３やそのグリ
ル１３および金属箔１４に衝突し、またテープＴ
を貫通して第２の磁石部材４に衝突する。そこで
磁石部材３，４等は発熱するから、冷媒パイプ６
ａ，６ｂ，７ａ，７ｂによつて流通される冷媒に
て冷却される。
ル１３および金属箔１４に衝突し、またテープＴ
を貫通して第２の磁石部材４に衝突する。そこで
磁石部材３，４等は発熱するから、冷媒パイプ６
ａ，６ｂ，７ａ，７ｂによつて流通される冷媒に
て冷却される。
第４図〜第６図に示す２１は、この発明の電子
線照射装置の他の実施例であり、電子線源２２，
第１の磁石部材２３，第２の磁石部材２４，テー
プ支持移送ローラー２５ａ，２５ｂおよび冷媒パ
イプ２６ａ，２６ｂを具備している。
線照射装置の他の実施例であり、電子線源２２，
第１の磁石部材２３，第２の磁石部材２４，テー
プ支持移送ローラー２５ａ，２５ｂおよび冷媒パ
イプ２６ａ，２６ｂを具備している。
電子線源２２は、前記電子線源２とそれ自体の
構成は同じであるが、磁石部材に対する位置が異
なり、磁石部材２３，２４の片側直近に配設され
ている。金属箔３４で真空シールされた電子線源
２２の内部空間は、10-4〜10-7〔torr〕の高真空
にされている。
構成は同じであるが、磁石部材に対する位置が異
なり、磁石部材２３，２４の片側直近に配設され
ている。金属箔３４で真空シールされた電子線源
２２の内部空間は、10-4〜10-7〔torr〕の高真空
にされている。
第１の磁石部材２３および第２の磁石部材２４
は、前記第１の磁石部材３および第２の磁石部材
４と基本的に同じ構成である。ただし前記第１の
磁石部材３の貫通孔１１のごとき貫通孔は、この
第１の磁石部材２３には設けられていない。位置
的に電子線の衝突が少なく発熱が小さい第１の磁
石部材２３には特に冷却手段を備えなくてもよい
場合があるが、少なくとも第２の磁石部材２４に
は散乱電子線衝突による発熱があるから、冷却孔
３６が設けられ、冷媒パイプ２６ａ，２６ｂから
流通される冷媒で冷却可能となつている。２８，
２９は励磁コイルである。
は、前記第１の磁石部材３および第２の磁石部材
４と基本的に同じ構成である。ただし前記第１の
磁石部材３の貫通孔１１のごとき貫通孔は、この
第１の磁石部材２３には設けられていない。位置
的に電子線の衝突が少なく発熱が小さい第１の磁
石部材２３には特に冷却手段を備えなくてもよい
場合があるが、少なくとも第２の磁石部材２４に
は散乱電子線衝突による発熱があるから、冷却孔
３６が設けられ、冷媒パイプ２６ａ，２６ｂから
流通される冷媒で冷却可能となつている。２８，
２９は励磁コイルである。
第１の磁石部材２３をＮ極，第２の磁石部材２
４をＳ極とすれば、第７図に示すような向きの磁
界Ｈが形成され、両磁石部材２３，２４が相互に
対称形ならば、空隙３０の中央面ｍでは磁界Ｈが
中央面ｍに垂直となる。中央面ｍでの磁束密度
は、空隙３０の中心点での磁束密度を1.0，空隙
３０の高さをｄ，両磁石部材２３，２４の端面位
置をｘ＝０，磁石部材２３，２４から外へ向かう
方向をｘの正方向とすると、第８図に示すように
なる。
４をＳ極とすれば、第７図に示すような向きの磁
界Ｈが形成され、両磁石部材２３，２４が相互に
対称形ならば、空隙３０の中央面ｍでは磁界Ｈが
中央面ｍに垂直となる。中央面ｍでの磁束密度
は、空隙３０の中心点での磁束密度を1.0，空隙
３０の高さをｄ，両磁石部材２３，２４の端面位
置をｘ＝０，磁石部材２３，２４から外へ向かう
方向をｘの正方向とすると、第８図に示すように
なる。
テープ支持移送ローラー２５ａ，２５ｂは、電
子線照射のターゲツトであるテープＴを、磁石部
材２３，２４の電子線源２２を取り付けてない側
から取り付けてある側へ、中央面ｍを保つて支持
移送する。そこでテープＴに未硬化の磁性層塗膜
を形成しておけば、空隙３０の内部で磁性粒子が
強く垂直配向され、空隙３０の外部へ出ると磁界
の強さは弱くなるが既に垂直配向された磁性粒子
の垂直配向を保つには充分なので垂直配向が保れ
たまま、電子線照射をうけて硬化し、結局、好適
な垂直磁化膜を得られることになる。
子線照射のターゲツトであるテープＴを、磁石部
材２３，２４の電子線源２２を取り付けてない側
から取り付けてある側へ、中央面ｍを保つて支持
移送する。そこでテープＴに未硬化の磁性層塗膜
を形成しておけば、空隙３０の内部で磁性粒子が
強く垂直配向され、空隙３０の外部へ出ると磁界
の強さは弱くなるが既に垂直配向された磁性粒子
の垂直配向を保つには充分なので垂直配向が保れ
たまま、電子線照射をうけて硬化し、結局、好適
な垂直磁化膜を得られることになる。
(ヘ) 効果
この発明の電子線照射装置は、未硬化の磁性層
塗膜の磁性粒子を垂直に配向させる磁界中におい
て電子線照射を行つて硬化させうるものであるか
ら、高品質の垂直磁化膜を連続的に形成すること
ができる。そこで高密度磁気記録媒体として注目
されている垂直磁化膜磁気テープや垂直磁化膜磁
気デイスク等を工業的に製造するための装置とし
て極めて有用である。
塗膜の磁性粒子を垂直に配向させる磁界中におい
て電子線照射を行つて硬化させうるものであるか
ら、高品質の垂直磁化膜を連続的に形成すること
ができる。そこで高密度磁気記録媒体として注目
されている垂直磁化膜磁気テープや垂直磁化膜磁
気デイスク等を工業的に製造するための装置とし
て極めて有用である。
第１図はこの発明の電子線照射装置の一実施例
の部分的に断面を含む側面図、第２図は第１図に
示す装置の部分的に断面を含む正面図、第３図は
第１図に示す装置の部分的に断面を含む平面図、
第４図は他の実施例の第１図相当図、第５図は同
第２図相当図、第６図は同第３図相当図、第７図
は第４図に示す装置における磁界の模式図、第８
図は磁石材間の空隙の中央面における位置と磁束
密度の特性図である。 １，２１……電子線照射装置、２，２２……電
子線源、３，２３……第１の磁石部材、４，２４
……第２の磁石部材、５ａ，５ｂ，２５ａ，２５
ｂ……テープ支持移送ローラー、６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂ，２６ａ，２６ｂ……冷媒パイプ、１１
……貫通孔、１２……開口、ｍ……中央面、Ｔ…
…テープ。
の部分的に断面を含む側面図、第２図は第１図に
示す装置の部分的に断面を含む正面図、第３図は
第１図に示す装置の部分的に断面を含む平面図、
第４図は他の実施例の第１図相当図、第５図は同
第２図相当図、第６図は同第３図相当図、第７図
は第４図に示す装置における磁界の模式図、第８
図は磁石材間の空隙の中央面における位置と磁束
密度の特性図である。 １，２１……電子線照射装置、２，２２……電
子線源、３，２３……第１の磁石部材、４，２４
……第２の磁石部材、５ａ，５ｂ，２５ａ，２５
ｂ……テープ支持移送ローラー、６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂ，２６ａ，２６ｂ……冷媒パイプ、１１
……貫通孔、１２……開口、ｍ……中央面、Ｔ…
…テープ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いに異なる極性で空〓を有して配置され、
その空〓に垂直磁界を形成する第１と第２の磁石
部材と、空〓に形成された垂直磁界内に、磁性粒
子を分散させた磁性塗料が塗布された基材を通過
させ、それによつて基材の磁性粒子に垂直磁場配
向を施す基材支持移送手段と、電子を生成し磁性
粒子に垂直磁場配向の施された基材に対してその
電子を照射して、基材の磁性塗料を硬化させる電
子線源と、第１と第２の磁石部材を冷却するため
の冷却手段とを備え、 第１の磁石部材は、電子線源から放射された電
子を透過させることが可能な貫通孔を有し、か
つ、電子線源は、電子線源から放射された電子が
その貫通孔を透過して、空〓に形成された垂直磁
界内を通過中の基材に照射され、それによつて基
材に塗布された磁性塗料の硬化が磁性粒子の垂直
磁場配向と同時に行われるように配置されてなる
ことを特徴とする電子線照射装置。 ２ 第１の磁石部材の貫通孔が、電子線源から放
射される電子線の20％以上を透過しうる開口面積
を有する請求の範囲第１項に記載の装置。 ３ 第１の磁石部材の貫通孔が、電子線源から放
射される電子線の30〜100％を透過しうる開口面
積を有する請求の範囲第１項または第２項に記載
の装置。 ４ 第１の磁石部材および第２の磁石部材が、両
磁石部材間の空〓に500〜20000ガウスの磁界を発
生させる磁極の強さを有するものである請求の範
囲第１項から第３項のいずれか１つに記載の装
置。 ５ 第１の磁石部材および第２の磁石部材が、電
磁石である請求の範囲第１項から第４項のいずれ
か１つに記載の装置。 ６ 第１の磁石部材および第２の磁石部材が、永
久磁石である請求の範囲第１項から第４項のいず
れか１つに記載の装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238510A JPS60129700A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子線照射装置 |
| US06/681,117 US4642467A (en) | 1983-12-16 | 1984-12-13 | Electron beam irradiation apparatus |
| DE8484115442T DE3480572D1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Electron beam irradiation apparatus |
| EP84115442A EP0147746B1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Electron beam irradiation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58238510A JPS60129700A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子線照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60129700A JPS60129700A (ja) | 1985-07-10 |
| JPH0444960B2 true JPH0444960B2 (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=17031318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58238510A Granted JPS60129700A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子線照射装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642467A (ja) |
| EP (1) | EP0147746B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60129700A (ja) |
| DE (1) | DE3480572D1 (ja) |
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| JPS58215732A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Ricoh Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH065575B2 (ja) * | 1982-06-17 | 1994-01-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造法 |
-
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- 1983-12-16 JP JP58238510A patent/JPS60129700A/ja active Granted
-
1984
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- 1984-12-14 DE DE8484115442T patent/DE3480572D1/de not_active Expired
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60129700A (ja) | 1985-07-10 |
| EP0147746A2 (en) | 1985-07-10 |
| EP0147746B1 (en) | 1989-11-23 |
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